Новости по теме «Intel освоила 22-нм техпроцесс»

Для примера, в настоящее время Intel изготавливает свои процессоры по 32 нм технологии. 22 нм чипы должны появиться уже в этом году, однако, по всей видимости, выход этих микросхем будет отложен. Согласно существующей технологической дорожной карте Intel, производство чипов по 14 нм технологии начнётся в 2013 году, а в 2015-м компания планирует перейти на 10 нм. На следующей неделе в Сан-Франциско пройдёт выставка IDF, на которой Intel представят обновленную дорожную карту. Интересно, будут ли смещены существующие сроки?

В то же время, GlobalFoundries планирует переход на 20 нм в микросхемах слабой мощности, предназначенных для сетевых, беспроводных и мобильных устройств, лишь в 2013 году. При этом выпуск высокомощных процессоров по 20 нм техпроцессу компания планирует начать в 2014 году. Эти данные полностью совпадают с планами AMD, по переходу на новые техпроцессы, что позволяет считать эту информацию правдоподобной.

Кроме уменьшения размера элементов интегральных схем, Чиан также предположил, что в 2015 году их производство перейдёт на использование блинов подложек диаметром 450 мм.

При всем этом ни одна из трёх компаний не объявила об использовании технологии КНИ (кремний-на-изоляторе) в своих будущих чипах. Однако это вовсе не означает, что вся лидирующая тройка отказалась от этого. Тем не менее, по слухам, первыми на технологию 14 нм КНИ с использованием подложек диаметром 450 мм перейдёт компания Samsung.

Такой отчет подготовила позавчера тайваньская торговая группа. Отчет основан на неназванных источниках. Свою технологию трёхмерных транзисторов компания Intel представила в мае этого года, при этом тогда же TSMC заявили, что их не интересуют подобные техпроцессы, и что все их усилия направлены на уменьшение физических размеров транзисторов. Однако уличить руководство компании во лжи вряд ли удастся, ведь между разработками Intel и TSMC есть принципиальные отличия.

Так, технология тайваньских разработчиков, получившая название (Through Silicon Vias — TSVs), представляет собой многослойные микросхемы, в которых между различными слоями существуют взаимосвязи, проходящие насквозь. В разработке Intel, под названием Tri-gate, кремниевые дорожки выступают над полупроводниковым субстратом.

Согласно отчета TAITRA, трёхмерные технологии TSMC позволят значительно увеличить плотность транзисторов в чипе, вплоть до 1000 раз. Устройства с трёхмерными микросхемами будут потреблять на 50% меньше электроэнергии. Новая технология позволит обойти множество трудностей, образованных традиционной «плоской» технологией построения микросхем.

Старший вице-президент TSMC по исследованиям и разработкам Шан-Йи Чиан подтвердил информацию, указанную в отчёте и сообщил, что их компания сейчас активно сотрудничает с разработчиками чипов для коммерциализации трёхмерной технологии производства.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.

Intel не сообщила, когда точно появятся первые 15-нм (или 16-нм, как называют этот техпроцесс некоторые инженеры) чипы, однако к массовому производству всё должно быть готово уже в конце 2013 года.

Всё это хорошо вписывается в общую стратегию компании, которая переходит на новый техпроцесс каждые два года. К примеру, 32-нм нормы были освоены в последнем квартале этого года, первые 22-нм чипы появятся в последней четверти 2011 года, а 32-нм — в конце 2013 года.

Освоение 22-нм и 15-нм техпроцесса позволит Intel закрепиться со своими системами на чипе Atom на рынке карманных устройств и другой потребительской электроники.

GlobalFoundries, пока единственный производственный партнёр компании AMD, тоже собирается заняться 22-нм производством в 2012 году, а ещё примерно через два года должен состояться переход на 15 нм.

Этот анонс был сделан в ходе конференции IFS Direct Connect. Было отмечено, что он придёт на смену техпроцессу 14A, который будет доступен в 2026 году, при этом 10A предложит значительные усовершенствование в технологии производства.

Также в 2027 Intel планирует масштабировать процесс 14A, привлекая для этого машины high-NA-EUV от ASML. Они должны обеспечить уменьшение размеров транзисторов и более точное их размещение. Эта версия технологии будет называться 14A-E.

Буква «A» в названии технологии, без сомнения, означает не только переход на ангстремы в измерении размеров транзисторов, но и прозрачно намекает, что Intel собирается быть в технологическом авангарде. Конкретных деталей об этих процесс пока не называлось. Было сказано лишь об их высокой энергоэффективности и производительности, то, что мы и так слышим на каждом технологическом рывке.

Дело в том, что по данным самой TSMC, плотность кэш-памяти SRAM в новой технологии 3NE будет точно такой же, как и у 5 нм предшественника.

Более совершенная версия 3NB является более нишевой, и она уже будет иметь некоторое масштабирование SRAM, правда, всего на 5% по сравнению с 5 нм. При этом транзисторы в ядрах будут уменьшены в традиционные 1,6—1,7 раза, хотя этот процесс весьма сложен и эти цифры говорят о Законе Мура весьма приближённо.

Проблема заключается в том, что уменьшить размер процессора, не уменьшая физический размер кэша — невозможно. Процессор настолько большой, насколько большой у него кэш. Место на кристалле, занятое кэшем, не может быть использовано под размещение логики, а учитывая рост числа логических транзисторов производителям микросхем нужно продолжать наращивать размер кэша, чтобы избежать узкого места, связанного с памятью.

И размер транзисторов, с каждым производственным поколением, продолжает сокращаться, а вот компенсировать увеличение кэша за счёт уменьшения SRAM — не удаётся. И именно этот процесс может стать началом конца Закона Мура.

Очевидно, чтобы снизить путаницу и представить себя в лучшем свете, компания решила переходить на новые имена.

Отныне, вместо Enhanced SuperFin, компания будет производить микросхемы по технологии Intel 7. Эта технология, с виртуальным размером элементов 7 нм, позволит увеличить соотношение производительность к ватту на 10—15% по сравнению с 10 нм, обеспечит оптимизацию транзисторов FinFET. Эти микросхемы уже находятся в массовом производстве и на потребительском рынке появятся под именем Alder Lake.

После представления CPU по технологии Intel 7 в этом году, компания перейдёт к Intel 4, которую раньше компания называла 7 нм процессом. Эта технология даст 20% прирост производительности на ватт, будет полноценно использовать экстремальную ультрафиолетовую литографию и будет реализована в процессорах Meteor Lake для потребителей и Granite Rapids для ЦОД.

Следующим этапом станет Intel 3, с 18% приростом производительность на ватт по сравнению с Intel 4, а также с библиотекой Denser HP, увеличенными внутренними токами, сниженным сопротивлением, увеличенным использованием EUV. Процессоры, изготовленные по процессу Intel 3 появятся во второй половине 2023 года.

Следующим этапом станет Intel 20A. 20A означает условные 20 ангстрем, то есть 2 нм. Эта технология будет использовать архитектуру транзисторов RibbonFET, которые заменят FinFET, а также позволит использовать новую технологию связей PowerVia. Технология PowerVia будет доступна в 2024 году, в то время как RibbonFET появится в I квартале 2024 года.

Далее компания планирует выпустить технологию Intel 18A, которая «в разработке на начало 2025 года».

Сайт Nikkei Asia сообщает, что Apple и Intel уже тестируют конструкцию своих микросхем с производственной технологией 3 нм от TSMC. Суть процесса заключается в получении готовых микросхем во второй половине следующего года.

По данным TSMC, технология 3 нм может увеличить производительность вычислений на 10—15%, по сравнению с 5 нм, при этом снизив энергопотребление на 25—30%.

По всей видимости, первым устройством с 3 нм процессором станет Apple iPad. Телефоны iPhone, которые выйдут в следующем году, должны использовать 4 нм процессоры из-за графиков планирования.

Что касается Intel, то она работает над двумя 3 нм проектами с TSMC, которые нацелены на ноутбуки и центры обработки данных. Массовое производство этих процессоров запланировано на конец 2022 года.

Технология N3 позволит поднять производительность на 10—15%. При этом массовое производство по технологии с элементами 3 нм начнётся во второй половине 2022 года. Этот основанный на FinFET процесс обещает заметный прорыв, по сравнению с N5 первого поколения. Он не только обеспечит прирост производительности в 10—15%, но и снизит энергопотребление на 25—30% при той же скорости. Плотность транзисторов увеличится в 1,7 раза, а памяти SRAM в 1,2 раза. Плотность аналоговых устройств возрастёт в 1,1 раза.

Спрос на эту технологию будет крайне высоким. Компания ожидает, что по этому процессу будет произведено вдвое больше микросхем, чем по N5.

Следующий шаг, N2, станет самым значим прорывом в производстве микросхем за последние годы. В этом процессе TSMC откажется от FinFET в пользу нанолистовой технологии. По словам компании, нанолистовые транзисторы имеют на 15% меньше Vt-вариаций, что «очень хорошо», по сравнению с FinFET.

Также говоря о 2 нм технологии, компания сообщила, где будет находится это предприятие. Его построят в тайваньском Синьчжу. Называться предприятие будет Fab 20. Пока же возведение завода находится на этапе приобретения земли.

Одной из интересных вещей фирмы стал прототип флэш-накопителя с интерфейсом подключения Thunderbolt, который, по словам Intel, является самой быстрой технологией передачи данных между компьютером и периферией.

По большому счёту представленный 128 ГБ накопитель выглядит как обычная USB флэшка. На самом деле внутри неё установлен простой SSD от SanDisk, однако само устройство подключается к ПК посредством стандартного порта Thunderbolt. При этом в отличие от большинства периферии накопитель не требует использования дорого интерфейсного кабеля.

Современная версия технологии Thunderbolt обеспечивает скорость передачи данных в 10 Гб/с, что в два раза выше, чем у USB 3.0. Несмотря на такое технологическое преимущество лишь небольшая часть ПК оснащена портами Thunderbolt, да и рынок не пестрит устройствами, подключаемыми по данному интерфейсу. В их число входит лишь небольшая часть мониторов и внешних накопителей.

Сейчас же прототип готов и продемонстрирован. Инженер Thunderbolt Орен Хабер сообщил, что существует некоторый интерес производителей в выпуске подобных устройств, поскольку они обладают крайне высокой скоростью передачи данных, но при этом он так и не сказал, будет ли подобный гаджет когда-либо выпущен на рынок.

По сути, концепция напоминает недавно анонсированное решение AMD и представляет собой гибрид ПК всё-в-одном и планшета. Продвигаемые системы будут обладать хай-энд спецификациями, большой сенсорной панелью и встроенной батареей, позволяющей переносить устройство. По мнению гиганта, такая конструкция позволит в этом году увеличить продажи ПК всё-в-одном в три раза, по сравнению с (почему-то) 2008 годом.

Разработчики считают, что новые устройства будут иметь экран от 18,4” до 27” и набортную батарею. Также компания постарается создать максимально технологичную конструкцию, чтобы сделать гаджет абсолютно плоским. Кроме того дизайн адаптивной системы Intel этого года предусматривает шасси из магний-алюминиевого сплава, сенсорную панель PMMA и высокоёмкую литий-полимерную батарею. К концу года Intel хочет добавить в гаджет экраны высокого разрешения и детали из композиционных материалов.

В качестве платформы Intel решила продвигать форм-фактор Thin Mini-ITX. Сами же платы будут выпускаться ASRock, Gigabyte Technology, Elitegroup Computer System(ECS) и китайской Wibtek, которые уже подготовили несколько моделей.

Обновлённый контроллер имеет полную обратную совместимость с прошлым поколением кабелей и конвекторов и включает возможности передачи 4K видеосигнала одновременно с данными.

На шоу Национальной Ассоциации Вещательных компаний США в Лас-Вегасе Intel сделала несколько интересных анонсов касательно технологии Thunderbolt, гарантируя максимальную скорость передачи данных для ПК, из доступных сегодня. Новый контроллер модели DSL4510/4410 включает возможности DisplayPort 1.2 при подключении к дисплеям с поддержкой этого порта, улучшенное управление питанием и сниженную стоимость материалов. Intel даже представила первые опытные образцы микросхем контроллера с кодовым именем Falcon Ridge и продемонстрировала для прессы её работоспособность. В ходе демонстрации была достигнута скорость в 1200 МБ/с, что весьма близко к заявленной.

Производство новых контроллеров начнётся в 2014 году.

Таким образом компания продемонстрировала PixelSync, новую эксклюзивную технологию, обеспечивающую более реалистичную отрисовку дыма, волос, окон, фасадов зданий и прочих сложных геометрических и естественных поверхностей, группируя и выводя на экран частично прозрачные пиксели.

Игра работала довольно плавно, при том, что разрешение составляло 1920x1080 пикс., а сцены с дымом на экране выглядели довольно неплохо. О том, на каком оборудовании проходила демонстрация ничего неизвестно, лишь сообщается, что это был ноутбук. К сожалению, Intel не назвала ни модель лэптопа, ни даже модель процессора.

Итак, мы знаем, что процессор Intel Haswell имеет пару расширений DirectX, которые могут использовать студии-разработчики, чтобы сделать свои игры более реалистичными на новых CPU Intel, а значит, Haswell начинает эпоху, при которой встроенные графические решения будут обладать технологиями, недоступными для дискретной графики.

Он сообщил, что Intel надеется выпустить 14 нм производство уже к концу 2013 года. Этот процесс будет проходить по графику подготовки процессоров следующего поколения, известных под кодовым именем Broadwell, которые поступят в массовое производство в 2014 году.

Сам техпроцесс называется P1272 и предусматривает использование элементов схемы равных 16 нм, однако в Intel предприняли некоторые шаги, которые позволили уплотнить элементы кристалла. Разработчики сумели расположить элементы более плотно, чем ожидалось 6 лет назад, когда этот техпроцесс был только анонсирован. В результате Intel получила более энергоэффективную дорожную карту, в отличие от более ранней,  направленной на высокую производительность.

Говоря о будущем компании, были отмечены исследования в области 10 нм технологии, которая запланирована на 2015 год. В то же время Intel работает и над 7 нм, и даже над 5 нм техпроцессами, но Бор не уточнил ожидаемые сроки их поступления в производство.

Если Intel продолжит обновление техпроцесса теми же темпами, то при условии выхода 10 нм литографии в 2015 году, 7 нм появятся в 2017, а 5 нм технология — в 2019 году.

Технология, разработанная IDesia, позволяет идентифицировать персону, поскольку сердцебиение каждого человека уникально. Эта технология способна обойти возможности биометрических сканеров, основанных на считывании отпечатков пальцев, которые достаточно легко обмануть. Точные детали сделки не разглашаются, однако известно, что IDesia заработала на этом 7 миллионов долларов.

Возможно, что эта технология позволит вашему ноутбуку идентифицировать личность и допустить вас к хранящимся на нём данным. Ещё одно применение технологии — идентификация в аэропорту. Основатель и исполнительный директор IDesia доктор Даниель Ланж (Daniel Lange) заявил израильской прессе, что сделка с Intel не была желанной. Однако для доведения технологии до рынка ей необходимы гигантские финансовые вливания, и в Израиле тяжело найти инвесторов для производства конечных электронных продуктов. Ланж отметил, что он не хотел продавать технологию, но он пояснил, что эта сделка позволит разработке выйти на широкий рынок как можно скорее.

Компания Intel всё время старается завышать планку спецификаций курируемых ею лэптопов. Так, фирма уже имеет сенсорные ультрабуки, и на прошлой неделе объявила об увеличении заказов на сенсорные панели у тайваньских производителей в 3—5 раз. На сей раз, по информации Oman Tribune, электронный гигант хочет внедрить систему распознавания жестов и голосовое управление, причём прямо «из коробки». Компания планирует сделать это уже в следующем году.

Однако при этом старший вице-президент и главный менеджер по продажам и маркетингу Intel Том Килрой (Tom Kilroy) заявил, что не может точно обозначить дату выпуска ультрабуков с системами распознавания жестов и голоса, но при этом отметил, что этот день уже практически «за углом».

В то же время компания планирует оснастить свои заводы в Орегоне, штат Аризона, и в Ирландии оборудованием для производства микросхем по 14 нм техпроцессу.

Отеллини заявил: «Наши исследования и разработки достаточно глубоки, я говорю о десятке лет».

Исполнительный директор крупнейшего в мире производителя микропроцессоров уточнил, что продукты компании, изготовленные с использованием 7 нм и 5 нм техпроцессов, находятся «в работе и на правильном пути».

Во время встречи с инвесторами Отеллини отметил: «Изобретения продолжаются… Мы продолжим предоставлять все возможности [нашим инвесторам] и партнёрам посредством нашей кремниевой технологии».

IBM утверждает, то новый транзистор потребляет меньше энергии и при этом способен пропускать больше тока, чем транзисторы изготовленные по современным технологиям.

«Результат реально демонстрирует преимущества нанотрубок в наиболее сложных транзисторах»,— заявил профессор материаловедения Университета Иллинойса Джон Роджерс (John Rogers). «Совершенно ясно, что нанотрубки имеют достаточный потенциал для создания чего-то на самом деле конкурентного, или дополнительного, кремнию». В настоящее время размер самых маленьких транзисторов составляет 22 нм.

Успех 9 нм карбоновых нанотрубчатых транзисторов потенциально расширит традиционную электронику, поскольку, как мы знаем, он превосходит 10 нм предел для кремниевых транзисторов. «Если нанотрубки не могут зайти намного дальше кремния, тогда работа над ними ─ это пустая трата времени», ─ заявил Аарон Франклин (Aaron Franklin), исследователь из IBM Watson Research Center. Тем не менее, он добавил: «Мы сделали транзистор из нанотрубок в агрессивном размере и показали, что они намного лучше самых лучших кремниевых образцов».

Однако несмотря на то, что технология получила довольно оптимистичные оценки, её промышленное применение будет крайне затруднительным, поскольку в настоящее время изготавливать углеродные нанотрубки в таких больших объёмах не представляется возможным.

В этой беседе наши коллеги обсудили с Блимером технологические перспективы развития компании после перехода на 22 нм технологические нормы, которые будут использованы в центральных процессорах семейства Ivy Bridge. К сожалению, Блимер не стал заострять внимание на технических деталях вопроса, и не указал даже примерный срок, когда новые технологические решения появятся на свет. Однако он отметил, что в них в полной мере будут использована трёхмерная транзисторная технология Tri-Gate, такая же, как и в Ivy Bridge, а также то, что тестовая электросхема будущей технологии уже работоспособна.

«Нам нужно продолжать и вы можете мне поверить, что в наших лабораториях мы уже имеем работающее следующее, после 22 нм, поколение, так что нам нужно продолжать… Я действительно не могу рассказать об этом ничего большего, кроме как то, что в лабораторных условиях мы уже стоим на пути, наши инженеры уже стоят на пути запуска и производства 14 нм продуктов… И я думаю, что самым важным нашим достижением стали металлические 3D затворы, и лишь конструкция затворов, на самом деле, может обеспечить более эффективное использование энергии и меньшее выделение тепла».

Напомним, что летом компания сообщала и о дальнейших производственных планах. Тогда, 14 нм техпроцесс планировался к внедрению в 2014 году, а 10 нм — около 2018 года.

Такое заявление было сделано в ответ на невозможность достижения фирмами своих целей, связанных с высокопроизводительными вычислениями, добавив что «Производительность DRAM увеличится незначительно». Ранее Павловски говорил, что операции ввода-вывода процессоров стали большой проблемой, а производители памяти могут столкнуться с трудностями, перейдя на техпроцессы менее 17 нм. «Производителям DRAM понадобятся более экзотические решения»,— говорил он. Тогда же он предположил, что таким решением может стать создание стеков чипов памяти, а увеличение количества каналов не даст положительного эффекта.

Безусловно, идея создания стеков не нова, однако Павловски обратил внимание на проблему, связанную с охлаждением на нижних слоях. По его заявлению, Intel уже пробовали изготовить стекированные образцы памяти, однако в связи со сложностью охлаждения, нижний слой микросхемы просто расплавился.

Кроме того, специалист Intel предрекает интеграцию памяти с центральным процессором, располагая чипы памяти физически под кристаллом центрального процессора.

Если видение Павловски будущей конструкции DRAM станет реальным, то, безусловно, многие производители возьмут эту технологию на вооружение и начнут тесное сотрудничество с разработчиками процессоров.

«Дело в том, что ожидаемое уменьшение использования электроэнергии в два раза также является частью Закона Мура, и вы можете заметить резкое снижение энергопотребления после того, как мы перешли на новую микроархитектуру и меньшие форм-факторы», заявила главный менеджер эко-технологического офиса Intel Лори Вигл (Lorie Wigle). Она объяснила, что Intel планирует снизить потребление энергии компьютерами с 320 тераватт в час, лишь до 151 ТВт·ч.

«Меньшие устройства более оптимизированы в плане потребления энергии, если они изготовлены в расчете на питание от батареи. Однако, куда больше люди могут сделать для сохранения энергии используя программное обеспечение для управления питанием, особенно на предприятиях», добавила Вигл.

Что ж, по всей видимости, для достижения такой благородной цели как снижение энергопотребления, ничего лучшего чем убеждение и пропаганда инженеры Intel придумать не смогли.

Уже известно, что Haswell будет первой системой-на-чипе от Intel, разработанной для рынка лэптопов. По планам корпорации Intel, к 2013 году (конечно, если до того мир не сгинет в геене огненной), рынок ноутбуков будет преимущественно состоять из «ультрабуков». Это будут ультратонкие, ультралёгкие лэптопы с гибридным дизайном, вроде Asus UX21, Samsung Series 9 и Apple MacBook Air. Ультрабуки, основанные на чипах Haswell, будут стоить около 600 долларов США и не будут требовать дополнительной графики от компаний вроде NVIDIA.

В блоге Intel, посвященному программному обеспечению, в посте с названием «Haswell — новое описание теперь доступно!» приведена «полная спецификация для Haswell». На самом деле в нём идет речь о том, как новые чипы будут взаимодействовать с  технологией Advanced Vector Extensions (AVX), которая будет требоваться в «векторных операциях с плавающей запятой в научных и инженерных приложениях, визуальной обработке, распознавании, анализе и синтезе данных, играх, физических движках, криптографии и прочих смежных приложениях».

Технология Intel AVX использует «улучшенную потоковую параллельность и протяженность вектора данных». Это значит, что в будущем Intel сможет намного лучше работать с задачами, для которых сейчас используются микросхемы дискретной графики от NVIDIA и AMD.

Все аналитики очень давно предсказывали, что Intel всё-таки выйдет на  рынок высокопроизводительной графики. И вот, по всей видимости, нечто похожее мы сможем увидеть уже через два года.

Так, к примеру, на следующий год запланирован выпуск первых в мире 28 нм процессоров AMD. А это значит, что и сами AMD, и их производственный партнёр GlobalFoundries вполне способны поддержать темп, заданный Intel. И пока Intel рассказывает о трёхмерных транзисторах в своих процессорах Ivy Bridge, AMD продолжит выпуск плоских микросхем, но по технологии с самыми маленькими элементами.

А это означает, что новые процессоры AMD получат большую производительность при меньшем энергопотреблении. Свои новые 28 нм APU, получившие кодовые имена Krishna и Wichita, компания планирует использовать в ноутбуках «на каждый день», нетбуках и планшетах. Эти APU будут основаны на архитектуре Bobcat, и хотя современные процессоры этой линейки имеют не более двух ядер, в процессорах Bobcat образца 2012 года речь идет уже о четырехъядерных чипах.

Еще одним интересным моментом является то, что Trinity по-прежнему классифицируется как платформа для основного сегмента рынка. Также стоит обратить внимание на то, что будущий топ-энд процессор с кодовым именем Komodo обозначен как CPU, в то время как Trinity обозначен как APU. Следовательно, компания продолжит придерживаться направления заданного в этом году, согласно которому все старшие процессоры не будут иметь встроенного видеоядра, несмотря на то, что процессоры обоих типов будет устанавливаться в новый унифицированный сокет FM.

В любом случае, нам пока ничего не известно о кодовых именах платформ Virgo, Corona и Deccan. Так что до получения более подробной информации придется подождать до 2012 года.

Программное обеспечение Virtu позволит интегрированной графике Intel работать совместно с дискретными видеокартами NVIDIA и AMD. Целью этого новшества является использование превосходных медийных возможностей центральных процессоров семейства Core второго поколения, а в случае желания пользователя поиграть в современную видеоигру — переключение на высокопроизводительный дискретный графический адаптер.

Эта технология будет более или менее похожа на NVIDIA Optimus, но в отличие от неё, интегрированная графика Intel будет использоваться не только для работы в 2D режиме. Кроме того, пока еще нет уверенности, что Virtu сможет обеспечить значительную экономию энергии, так что на данный момент эта технология рассматривается только для применения в настольных компьютерах.

Материнская плата Intel DZ68DB была первой платформой, которая поставлялась с ПО Virtu, позволяющее включить гибридный режим. В материнских же платах DH67BL, DH67GD, DH67CL и DH67VR технология Virtu будут доступны после обновления драйверов.

Если вы являетесь счастливым обладателем одной из перечисленных материнских плат, то вы можете воспользоваться новой гибридной технологией Lucidlogix Virtu, обновив драйверы со страницы загрузки Intel, однако обращаем ваше внимание, что для корректной работы технологии вам также понадобится BIOS самой свежей версии.

На выставке Computex 2011 компания Intel упомянула о новых 22 нм процессорах Ivy Bridge. Одно из преимуществ нового технологического процесса — пониженное энергопотребление чипов. Компания готова представить эти процессоры в первой половине следующего года. Особый интерес представлял показ кремниевой пластины с 22 нм процессорами Ivy Bridge. Сайт AnandTech опубликовал по этому случаю такую фотографию:

Как предполагается, в руках докладчика находилась кремниевая пластина диаметром 300 мм с четырёхъядерными кристаллами Ivy Bridge с 16 исполнительными блоками графической подсистемы. Каждый кристалл будет содержать в себе свыше миллиарда транзисторов. Для примера — поколение Sandy Bridge содержат 995 млн. транзисторов.

Нехитрая арифметика подсказывает, что площадь каждого ядра Ivy Bridge составляет около 162 мм². В то же время площадь ядра процессора Sandy Bridge равна 216 мм². Это обеспечивает как увеличение объёмов производства, так и снижение себестоимости каждого процессора, если особенности 22 нм технологии не накладывают дополнительных удельных издержек.