Новости про flash-память

YMTC выпускает 128-слойную память 3D-NAND

Китайский производитель полупроводниковых изделий, компания Yangtze Memory Technologies Co (YMTC), формально анонсировала готовность к выпуску 128-слойных чипов памяти 3D-QLC-NAND, что является важным этапом в развитии компании.

Новый продукт получил название X2-6070 и построен на технологии создания стэков YMTC XTracking 2.0. Это большой прорыв для компании, поскольку предшествующая технология XTracking 1.0, позволяющая выпускать 64-слойную память, поступила в массовое производство лишь в прошлом сентябре, в то время, когда лидеры рынка Samsung, SK Hynix, и Micron перешли на 96-слойный процесс. Анонс 128-слойной конструкции гиганты сделали ещё в июне 2019. Что касается YMTC, то она вовсе отказалась от переходного этапа в 96 слоёв, сократив технологическое отставание от лидеров до 10 месяцев.

128-слойные микросхемы памяти QLC от YMTC

Грейс Гон, старший вице-президент YMTC, сообщила: «Эти продукты вначале будут применяться в твердотельных накопителях потребительского уровня, и несомненно окажутся расширены до серверов промышленного класса и центров обработки данных, что позволит диверсифицировать нужды в накопителях в эпоху 5G и ИИ».

Samsung работает над 160-слойной памятью NAND

Современные твердотельные накопители используют память NAND, состоящую из 96 или 64 слоёв. В работе находится 128-слойная память, однако компания Samsung разработала новую концепцию, которая позволит создать память в 160 слоёв, и даже больше.

Samsung Electronics разрабатывает 7-е поколение V-NAND, состоящее из 160 слоёв или даже больше. Для этого прорыва южнокорейский гигант планирует использовать технологию «двойного стека». Она предполагает открытие дырок в два различные периода времени, чтобы электрический ток мог пройти по цепи. Сейчас компания использует технологию «одинарного стека», увеличивая число слоёв.

Samsung V-NAND

Память NAND, состоящая из 160 слоёв, станет первой в индустрии. Переход на такую память позволит резко увеличить объём SSD без увеличения количества применяемых микросхем.

Intel может отказаться от производства NAND Flash

Компания Intel может отказаться от производства флэш-памяти типа NAND, и покупать её у сторонних производителей.

Финансовый директор Intel Джордж Дэвис в ходе конференции аналитиков Моргана Стенли заявил, что компания производит микросхемы NAND в Далиане, Китай, однако они не могут продать достаточное количество SSD на базе этих чипов, чтобы генерировать прибыль.

SSD на базе NAND-памяти Intel

Также компания сообщает, что может вообще прекратить собственное производство микросхем, а фирменные SSD комплектовать памятью стороннего производства, либо же вообще покупать сторонние SSD. Альтернативным вариантом называлась продажа микросхем NAND сторонним покупателям.

Дэвис отметил, что, хотя NAND-память становится всё более важной для ЦОД, «мы должны иметь прибыльность, долгосрочную прибыльность и привлекать возврат [инвестиций]… мы не способны генерировать прибыль из этого».

Samsung начинает производство самых быстрых накопителей

Компания Samsung анонсировала массовое производство первых в индустрии накопителей eUFS 3.1 объёмом 512 ГБ, предназначенных для использования во флагманских смартфонах.

Компания отмечает, что это самые быстрые накопители такого класса в мире. По сравнению с чипами eUFS 3.0, эти устройства работают на запись быстрее в 3 раза. По заверению Samsung, скорость записи накопителей eUFS 3.1 составляет 1200 МБ/с. Скорость последовательного чтения почти вдвое выше — 2100 МБ/с. Скорость случайного доступа при чтении составляет 100 000 операций и 70 000 операций при записи. В результате, такие накопители работают заметно быстрее SSD с интерфейсом SATA III для ПК.

Микросхема eUFS от Samsung

Позднее в этом году компания планирует выпустить чипы eUFS 3.1 объёмом 128 ГБ и 256 ГБ.

Начиная с серии смартфонов Galaxy S20, компания Samsung нацелилась на запись видео в разрешении 8K. Некоторые китайские компании также взяли курс на это направление. Именно поэтому смартфонам и требуется столь производительная память.

GlobalFoundries хочет заменить Embedded Flash на eMRAM

По мере роста индустрии Интернета вещей, все ожидают увидеть более мощные устройства. Компания GlobalFoundries предлагает решать одно из направлений развития IoT-устройств с помощью новых накопителей.

Предприятие предлагает использовать встраиваемую магниторезистивную энергонезависимую память (eMRAM), которую она начала производить по 22 нм технологии (22FDX).

Память GlobalFoundries eMRAM может заменить устаревающую NOR-flash. Это тип встраиваемой твердотельной памяти, используемой во многих устройства. Замена предлагает большую производительность, надёжность и меньшее энергопотребление. Она также предлагается к использованию в искусственном интеллекте, самоуправляемых автомобилях и новых микроконтроллерах. Пока производители не называют конкретных продуктов, но отмечают, что «работают с несколькими клиентами со множественными отпечатками, запланированными на 2020 год».

Завод GlobalFoundries

Новая память eMRAM предлагает высокую надёжность хранения данных на срок до 10 лет, а её рабочая температура находится в диапазоне от -40° С до +125° С. Надёжность достигает 100 000 циклов.

При объёме пакетов от 4 до 48 МБ, данный тип памяти рассматривается исключительно как замена NOR, а не NAND, используемую в твердотельных накопителях.

Производиться память eMRAM будет уже в этом году по технологии 22FDX на пластинах диаметром 300 мм. Завод расположен в Дрездене.

Флеш-накопитель Kingston IronKey D300 получил сертификат безопасности NATO

Компания Kingston сообщила, что её шифрованная флешка IronKey D300 получила сертификат ограниченного доступа от NATO, NATO Restricted Level Certification, что сделало её одной из самых безопасных флешек в мире.

Накопители серии IronKey прошли сертификацию FIPS 140-2 3-го уровня, что гарантирует соответствие правительственным требованиям, в частности, в области защиты от стороннего вмешательства, улучшенной аутентификации и менеджменте криптографических ключей.

Флеш-накопитель Kingston IronKey D300

Сам флеш-накопитель помещён в защищённый цинковый корпус, а хранимые данные шифруются посредством аппаратной системы AES-XTS с 256-битным ключом. Защита корпуса отвечает стандарту IEC 60529 IPX8, с возможным погружением под воду на глубину до 1,2 м.

Также накопители серии IronKey D300 имеют аппаратную цифровую подпись прошивки, что предохраняет её от атак типа BadUSB с комплексной парольной защитой от неавторизованного доступа. Модель IronKey D300S, в дополнение, получила ещё и уникальный штрих-код идентификации, который может быть просканирован службой безопасности для отслеживания за перемещением и применением. Кроме того, она также имеет виртуальную клавиатуру для ввода паролей кликами мыши, что исключает возможность использования клавиатурного шпиона.

Устройства Kingston IronKey D300 имеют интерфейс подключения USB 3.1 Gen 1, предлагаются в объёме от 4 ГБ до 128 ГБ и обеспечивают скорость чтения в 250 МБ/с и 85 МБ/с при записи.

Western Digital выпускает модуль UFS iNAND

Компания Western Digital объявила о выпуске нового универсального встраиваемого хранилища iNAND EU521, которое предназначено для будущих смартфонов со связью пятого поколения.

Выпустив новый накопитель, компания стала одним из первых производителей памяти, предлагающих накопители USF 3.1 для коммерческих целей. Данные устройства построены на 96-слойной памяти NAND и связаны по интерфейсу UFS.

UFS-накопитель WD iNAND EU521

Модули iNAND EU521 предлагают производителям полный набор функций интерфейса UFS 3.1, включая высокую скорость интерфейса и кэширование SLC-NAND. Благодаря скорости последовательной записи в 800 МБ/с, устройства iNAND обеспечат высокоскоростную работу с мобильными гаджетами, позволяя быстро загружать видео разрешением 8K из облачного хранилища, и улучшат производительность мобильных игр.

Устройства iNAND EU521 будут доступны в объёмах 128 ГБ и 256 ГБ после официального выпуска в марте 2020 года.

Kioxia представила 5-е поколение BiCS FLASH на 112 слоёв

Компания Kioxia, бывшая Toshiba, вместе со своим технологическим и производственным партнёром Western Digital Corp, представили миру пятое поколение трёхмерной памяти BiCS FLASH, состоящей из 12 слоёв.

Память BiCS5 изготавливается по технологиям с тремя (TLC) и четырьмя (QLC) хранимыми битами на ячейку, обеспечивая превосходную производительность, ёмкость и надёжность за разумную цену.

Микросхемы памяти BiCS5 от Kioxia

Поставку образцов новой памяти Kioxia планирует начать в I квартале. Это будут 512 Гб чипы TLC специального назначения. В коммерческих объёмах память будет поставляться во втором полугодии и получит своё применение в широком спектре традиционных накопителей, средствах связи 5G и системах ИИ. В дальнейшем компания планирует увеличить ёмкость микросхем до 1 Тб TLC и 1,33 Тб для QLC.

Переход к новому поколению заставил инженеров сильно уплотнить структуры внутри микросхемы. Это масштабирование, наряду с переходом к 112-слойной структуре, позволило увеличить плотность данных на «блине» на 40%, по сравнению с «блинами» 96-слойной памяти. Также это обеспечило рост производительности ввода-вывода в BiCS5 на 50%, по сравнению с BiCS4.

Transcend выпускает флэшку со скоростью 420 МБ/с

Компания Transcend представила портативный флэш-накопитель модели JetFlash 910, характеризующийся высокой скоростью, надёжностью и объёмом.

Накопитель Transcend JetFlash 910 построен на базе памяти 3D NAND, которая обеспечивает скорость чтения до 420 МБ/с, а записи — до 400 МБ/с. Надёжность накопителя также впечатляет. Устройство способно выдержать 3000 циклов перезаписи, что выводит его на уровень памяти типа MLC. Накопитель работает по интерфейсу USB 3.1. Благодаря высоким скоростным характеристикам, устройство способно передать файл объёмом 4 ГБ лишь за 15 секунд.

Transcend JetFlash 910

Флэшка доступна в ёмкостях до 256 ГБ и является отличным кандидатом для хранения видео в разрешении 4K, изображений высокого разрешения и прочих подобных данных большого объёма. Также её рекомендуется использовать в видеорегистраторах и системах видеонаблюдения.

Корпус флэшки довольно компактный, изготовлен из алюминия, прошедшего пескоструйную обработку, которая скрывает возможные потёртости и следы износа.

Накопитель Transcend JetFlash 910 доступен в объёмах 128 ГБ и 256 ГБ. Гарантия на флэшку составляет 5 лет. К сожалению, данных о стоимости пока нет.

Transcend выпускает SSD высокой надёжности

Обсуждения о том, какая память лучше, MLC, TLC или QLC не утихают. Однако никто не сомневается в том, что самым надёжным вариантом является память SLC-NAND, хотя она и самая дорогая. Именно поэтому компания Transcend выпустила накопитель формата M.2, работающий в режиме SLC.

Компания сообщает, что накопитель позволяет осуществить 100 000 циклов перезаписи, что в 32 раза выше, чем позволяет обычная память BiCS4. Оптимизация скорости работы осуществляется с помощью DRAM-кэша.

SSD-накопитель Transcend работающий в режиме SLC

Устройство идеально для тех сфер, где требуется большая частота перезаписи, например, в серверах, медицинском оборудовании, системах мониторинга и терминалах. Устройства доступно в трёх вариациях по ёмкости: 64 ГБ, 128 ГБ и 256 ГБ. Скорость последовательного чтения составляет 560 МБ/с, а записи — 420 МБ/с. При доступе блоками 4K случайное чтение осуществляется на скорости до 56 000 IOPS, а записи — до 75 000 IOPS. Конечно, это намного ниже, чем предлагают современные SSD.

В накопителе применяется обычная память BiCS4 Toshiba 3D-TLC-NAND, но в режиме использования лишь одного бита на ячейку. В результате скорость работы заметно снижается, зато вырастает надёжность, до 3600 ТБ перезаписываемых данных для модели объёмом 64 ГБ, и до 14400 ТБ для 256 ГБ версии. Цены на накопители пока не объявлялись.