Новости про flash-память

Transcend выпускает флэшку со скоростью 420 МБ/с

Компания Transcend представила портативный флэш-накопитель модели JetFlash 910, характеризующийся высокой скоростью, надёжностью и объёмом.

Накопитель Transcend JetFlash 910 построен на базе памяти 3D NAND, которая обеспечивает скорость чтения до 420 МБ/с, а записи — до 400 МБ/с. Надёжность накопителя также впечатляет. Устройство способно выдержать 3000 циклов перезаписи, что выводит его на уровень памяти типа MLC. Накопитель работает по интерфейсу USB 3.1. Благодаря высоким скоростным характеристикам, устройство способно передать файл объёмом 4 ГБ лишь за 15 секунд.

Transcend JetFlash 910
Transcend JetFlash 910

Флэшка доступна в ёмкостях до 256 ГБ и является отличным кандидатом для хранения видео в разрешении 4K, изображений высокого разрешения и прочих подобных данных большого объёма. Также её рекомендуется использовать в видеорегистраторах и системах видеонаблюдения.

Корпус флэшки довольно компактный, изготовлен из алюминия, прошедшего пескоструйную обработку, которая скрывает возможные потёртости и следы износа.

Накопитель Transcend JetFlash 910 доступен в объёмах 128 ГБ и 256 ГБ. Гарантия на флэшку составляет 5 лет. К сожалению, данных о стоимости пока нет.

Transcend выпускает SSD высокой надёжности

Обсуждения о том, какая память лучше, MLC, TLC или QLC не утихают. Однако никто не сомневается в том, что самым надёжным вариантом является память SLC-NAND, хотя она и самая дорогая. Именно поэтому компания Transcend выпустила накопитель формата M.2, работающий в режиме SLC.

Компания сообщает, что накопитель позволяет осуществить 100 000 циклов перезаписи, что в 32 раза выше, чем позволяет обычная память BiCS4. Оптимизация скорости работы осуществляется с помощью DRAM-кэша.

SSD-накопитель Transcend работающий в режиме SLC
SSD накопитель Transcend работающий в режиме SLC

Устройство идеально для тех сфер, где требуется большая частота перезаписи, например, в серверах, медицинском оборудовании, системах мониторинга и терминалах. Устройства доступно в трёх вариациях по ёмкости: 64 ГБ, 128 ГБ и 256 ГБ. Скорость последовательного чтения составляет 560 МБ/с, а записи — 420 МБ/с. При доступе блоками 4K случайное чтение осуществляется на скорости до 56 000 IOPS, а записи — до 75 000 IOPS. Конечно, это намного ниже, чем предлагают современные SSD.

В накопителе применяется обычная память BiCS4 Toshiba 3D-TLC-NAND, но в режиме использования лишь одного бита на ячейку. В результате скорость работы заметно снижается, зато вырастает надёжность, до 3600 ТБ перезаписываемых данных для модели объёмом 64 ГБ, и до 14400 ТБ для 256 ГБ версии. Цены на накопители пока не объявлялись.

Micron изготовила 128-слойную NAND-память

Компания Micron Technology сообщила, что смогла изготовит память 3D-NAND четвёртого поколения со 128-ю слоями.

Данная разработка открывает возможность изготовления более плотных продуктов уже в следующем году. В четвёртом поколении 3D-NAND компания Micron продолжает использовать конструкцию КМОП-под-массивом, однако применяет технологию заменяемого затвора вместо плавающего, которая используется уже несколько лет. Сейчас компания массово производит 96-слойную флэш-память 3D-NAND с физическим слоем TLC, несмотря на готовность QLC-памяти.

Пластины с чипами памяти Micron
Пластины с чипами памяти Micron

Компания отмечает, что новая 128-слойная память будет применяться ограниченно и не достигнет тех уровней популярности, как 96-слойные чипы. В компании более сконцентрированы на эволюции, возможно, пятом поколении 3D-NAND, которое даст заметное снижение себестоимости, вызванное переходом к более тонкой технологии производства, а также использованием более новых технологий, наряду с заменяемым затвором. Однако это произойдёт лишь в 2021 финансовом году.

Производители NAND ожидают высокий спрос со стороны ЦОД

Поставщики микросхем NAND-памяти начали ускорять темп своего производства на фоне ожидаемого интереса к такой памяти со стороны промышленного сектора и центров обработки данных.

Ожидается, что спрос на NAND-накопители для промышленности и ЦОД вырастет в первой половине 2020 года и сохранит тенденцию в течение всего следующего года, сообщает DigiTimes. Это связывают с развитием 5G и прогнозируют взрывной рост трафика до 20 ЗБ после коммерческого запуска этих сетей.

Источник отмечает, что уже сейчас такие компании как Samsung, Toshiba Memory, Micron Technology, Intel и SK Hynix готовятся к данному событию.

3D NAND память от Samsung
3D NAND память от Samsung

Лидер индустрии Samsung уже анонсировал массовое производство SATA SSD объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND. Во второй половине года компания готовится выпустить более быструю память V-NAND большей ёмкости.

Что касается Toshiba Memory, то она представила XL-Flash с низкими задержками и высокой производительностью. Эта память предназначена именно для коммерческого применения. Опытные образцы этой памяти появились в сентябре, а массовое производство начнётся в 2020 году.

Тем не менее, несмотря на продолжающейся рост плотности NAND-памяти, цены на неё продолжают падать, что негативно сказывается на всём рынке. По данным аналитической организации ChinaFlashMarket, мировой рынок NAND флэш-памяти в этом году составит 43 миллиарда долларов. Цены на NAND-память в первом полугодии снизились на 30%.

Intel обещает более плотную флэш-память

Компания Intel анонсировала новую технологию изготовления энергонезависимой памяти, которая предусматривает 5-уровневые ячейки.

Фрэнк Хэйди, представитель группы энергонезависимой памяти Intel, заявил, что пятиуровневые ячейки позволят в дальнейшем увеличить плотность и снизить затраты, по сравнению с четырёхуровневыми.

SSD на базе 3D NAND-памяти Intel
SSD на базе 3D NAND-памяти Intel

Пока компания не сообщает сроки коммерческой готовности или влияние на себестоимость такой памяти. В заявлении лишь говорится: «Сегодня мы проводим исследования осуществимости».

Стоит сказать, что Intel нужно поспешить. Компания Toshiba представила собственную флэш-память с 5-уровневыми ячейками в августе. Кроме многослойности ячеек производители памяти также размещают сами ячейки в несколько слоёв, что делает данную конструкцию условно четырёхмерной. Уже в следующем году ожидается появление 144-слойной NAND памяти.

Yangtze Memory начинает массовое производство 64-слойной памяти 3D-NAND

Китайская государственная полупроводниковая компания Yangtze Memory Technologies (YMTC), основанная в 2016 году, заявила о начале массового производства 64-слойной флэш-памяти.

Компания обещает выпускать 64-слойные микросхемы 3D-NAND-памяти в объёме то 100 до 150 тысяч пластин в течение 2020 года. Эти чипы основаны на собственной архитектуре Xtracking. Сейчас компания уже занимается разработкой 128-слойных микросхем NAND, и заканчивает работу на 96-слойной памятью.

3D-NAND-память от YMTC
3D NAND-память от YMTC

Производственные мощности фирмы YMTC пополнятся новым заводом, который построит её родительская компания Tsinghua Unigroup. Что касается Tsinghua, то это также государственная компания, которая владеет 51% акций YMTC и является бенефициаром Китайского национального инвестиционного фонда полупроводниковой промышленности. Новый завод заработает в 2021—22 годах и будет производить по 100 000 пластин диаметром 12” в месяц.

SK Hynix объявляет о выходе на рынок SSD

Известный производитель микросхем памяти SK Hynix анонсировала выпуск собственных твердотельных накопителей модели Gold S31, по сути заявив о выходе на рынок SSD.

Данная модель накопителей вначале будет выпущена с интерфейсом SATA III и станет первым устройством серии потребительских SSD SuperCore, в которой будут применяться фирменные базовые технологии.

SSD Gold S31 от SK Hynix
SSD Gold S31 от SK Hynix

Модель Gold S31 «раздвинет границы высокопроизводительных SSD» и предоставит «новый уровень скорости» с последовательным чтением до 560 МБ/с. Построен он на фирменной памяти 3D-NAND и контроллере собственной разработки. Также компания обещает превосходное качество, надёжность и пятилетнюю гарантию.

Упаковка SSD Gold S31
Упаковка SSD Gold S31

Устройство Gold S31 будет выпущено в 2,5” формате с интерфейсом SATA III. Он будет доступен в объёмах 1 ТБ, 500 ГБ и 256 ГБ. В продажу Gold S31 поступит в следующем году. Позднее же стоит ожидать версию с шиной PCIe.

Realtek готовит новые контроллеры SSD

Благодаря доступности шины PCIe 4.0 среди производителей твердотельных накопителей и контроллеров начался настоящий бум. Очередной компанией, которая решила погрузиться в бизнес создания контроллеров, стала Realtek, известная как создатель звуковых чипов для материнских плат.

Сейчас у фирмы есть несколько контроллеров для SSD начального уровня, которые можно встретить в SSD от Adata. Однако уже через год компания хочет выйти на рынок хай-энд накопителей.

SSD на базе контроллера Realtek RTK 5765
SSD на базе контроллера Realtek RTK 5765

Разрабатываемый контроллер RTS5771 предназначен для топовых SSD. Он планируется к выходу на III квартал 2020 года. Это будет многоядерный процессор с собственной памятью, с системой коррекции ошибок LDPC второго поколения и шифрованием AES. Производительность пока не называется, однако с 8 каналами NAND, интерфейсной скоростью 1200 МТ/с и шиной PCIe 4.0 x4, она должна быть не малой.

Также Realtek готовит и более доступный контроллер модели RTS5765DL. Он будет немного медленнее, не будет содержать ОЗУ, получит лишь 4 канала NAND и будет использовать шину PCIe 3.0 x4. Эта модель появится уже к концу текущего года. Тем не менее, его интерфейсная скорость составит 1200 МТ/с, и он также будет поддерживать LDPC, а процессор будет многоядерным.

Phison создаёт контроллер NAND со скоростью 7 ГБ/с

Компания Phison, занимающаяся разработкой контроллеров для твердотельных накопителей, заявила о разработке нового высокоскоростного контроллера для шины PCI Express Gen4.

Компания опубликовала дорожную карту для SSD-контроллеров. Наибольший интерес вызвала модель PS5018-E18, которая планируется к выходу во второй половине 2020 года. Этот контроллер основан на процессоре Cortex-R5 ×3, изготавливаемому по 12 нм технологии на заводах TSMC.

Спецификации контроллера Phison PS5018-E18
Спецификации контроллера Phison PS5018-E18

Благодаря переходу на NVMe версии 1.4, скорость передаваемых данных составляет 1200 МТ/с на канал, при том что сейчас она достигает 800 МТ/с. Таким образом, максимальная скорость передачи составит 7 ГБ/с, как при чтении, так и при записи. Ещё одной приятной характеристикой станет скорость проведения случайных операций ввода-вывода, которая достигнет 1 миллиона IOPS. Максимальное энергопотребление контроллера составляет 3 Вт.

SK Hynix рассчитывает на 800-слойные чипы к 2030 году

В Санта-Кларе, в ходе конференции Flash Memory Summit, компания SK Hynix рассказала об ожиданиях в развитии отрасли на ближайшие 10 лет.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Накопитель PE8000 от SK Hynix
Накопитель PE8000 от SK Hynix

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.