/ / flash-память
7994420702;horizontal

Новости про flash-память

Kingston представила самую ёмкую флешку #

10 января 2017

Компания Kingston представила новый флеш-накопитель, который хоть и не может похвастать малыми габаритами, зато примечателен ёмкостью хранимых данных.

Накопитель Kingston DataTraveler Ultimate Generation Terabyte (GT) представлен в двух версиях — объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. Его корпус размером 72x27x21 мм изготовлен из цинкового сплава. В целом, неплохо, ведь его габариты меньше, чем у портативных жёстких дисков аналогичного объёма.

Kingston DataTraveler Ultimate (GT)

Его цинковое шасси обладает высокой износостойкостью и надёжностью, обеспечивая работоспособность в диапазоне температур от -25 °C до 60 °C. Хранить же данные накопитель позволяет при температурах от -40 °C до 85 °C. К сожалению, Kingston ничего не сообщил о производительности накопителя, так что стоит полагать, что здесь разработчику хвастать нечем, и в DataTraveler Ultimate (GT) упор сделан на объём, а не скорость.

Накопитель Kingston DataTraveler Ultimate (GT) обеих версий использует интерфейс USB 3.0. Гарантия на флешку составляет 5 лет. Её поставки начнутся через месяц. О цене пока ничего не известно.

flash-память, Kingston

«Fudzilla»

Toshiba анонсирует eMMC память нового поколения #

5 ноября 2016

Компания Toshiba America Electronic Components представила обновлённую линейку NAND устройств Embedded Multimedia Card (e-MMC) и Universal Flash Storage (UFS).

В отличие от обычных накопителей, эти устройства содержат контроллеры и память в одном пакете, упрощая создание устройств.

Новые e-MMC устройства доступны в объёмах от 16 ГБ до 128 ГБ. Все они изготавливаются по нормам 15 нм процесса, что делает эти чипы одними из самых маленьких в мире. Последовательное чтение данных достигает 320 МБ/с, а запись — 180 МБ/с, что на 2—20% быстрее памяти Toshiba прошлого поколения. Скорость случайного же чтения выросла примерно на 100%, а записи — на 140%.

Память Toshiba e-MMC и UFS

В памяти UFS используется более широкий интерфейс связи MIPI M-PHY, что позволило в новых модулях увеличить скорость чтения до 850 МБ/с, а записи — 180 МБ/с. Микросхемы UFS построены на той же 15 нм NAND памяти и доступны в объёмах от 32 ГБ до 128 ГБ.

Компания Toshiba производит для своих накопителей не только память, но и контроллеры. Так, фирма разработала собственное аналоговое ядро M-PHY 3.0 и цифровое ядро UniPro 1.6, интегрируемые в UFS контроллер. В результате полученные микросхемы отвечают всем требованиям по скорости работы.

e-MMC, flash-память, NAND, Toshiba


SanDisk выпускает флеш-накопитель с коннекторами USB типа A и C #

8 июня 2016

По мере расширения использования портов USB типа С, не стоит удивляться и тому, что производители устройств также начинают его использовать.

Тем не менее, многие устройства хоть имеют порт USB 3.1, но он используется с коннектором типа A, что делает невозможным использование более продвинутых гаджетов. Во избежание возможных проблем физической несовместимости, компания SanDisk выпустила новый накопитель Ultra Dual Drive, который включает как коннектор USB типа A, пригодный для большинства устройств, так и типа C, который прекрасно подойдёт к современным ноутбукам и планшетным ПК. Чтобы выбрать штекер достаточно просто передвинуть слайдер в одну или другую сторону.

SanDisk Ultra Dual Drive

Представленный накопитель поддерживает USB 3.1, благодаря чему скорость его работы достигает 150 МБ/с во всех версиях, кроме младшей. В накопителе с самой маленькой ёмкостью скорость составляет 130 МБ/с.

Накопитель SanDisk Ultra Dual Drive доступен в объёмах 16 ГБ, 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ при цене 20, 30, 40 и 70 долларов соответственно. Примечательно, что это цены заявленные производителем, и в некоторых магазинах их можно будет приобрести даже дешевле.

flash-память, SanDisk, USB 3.1

«Neowin»

IBM готовит недорогую память #

28 мая 2016

Ветеран рынка вычислительной техники, компания IBM, объявила о значительных успехах в разработке нового типа динамической памяти со случайным доступом.

Память, получившая название фазопеременной, или PCM — phase-change memory, обеспечит более быстрый доступ к данным при меньшей стоимости. Разработчикам удалось достичь плотности в три бита на ячейку, что на 50% больше, чем у прототипа, представленного в 2011 году.

При работе PCM меняет состояние стеклоподобной подложки из аморфного состояния в кристаллическое, используя электрический заряд. Подобно NAND флеш, память PCM продолжает сохранять своё состояние при отключении питания, однако в отличие от нынешней технологии флеш, где доступ к ячейке занимает 70 мс, доступ к PCM занимает 1 мс.

Фазопеременная память IBM

Трёхбитная память обеспечит более быстрый доступ к твердотельным массивам накопителей, обеспечив ускорение в работе приложений. Также эта память может заменить DRAM в системах подобных базам данных, снизив стоимость технологии. По словам разработчиков, те производители, которые воспользуются трёхбитной PCM в смартфонах, смогут загружать их за 3 секунды.

Когда же эта память появится в конечных устройствах, IBM не уточняет. Частично из-за того, что ей потребуется найти партнёра, который примет память нового типа. Для налаживания коммерческого выпуска PCM потребуется минимум три года.

flash-память, IBM, оперативная память

«Fudzilla»

Western Digital теперь владеет SanDisk #

19 мая 2016

Компания Western Digital объявила о завершении сделки по приобретению производителя флеш-памяти, компании SanDisk, превратив одного из крупнейших производителей жёстких дисков в компанию, обладающую как технологиями записи на механические приводы, так и твердотельными накопителями.

Впервые информация о сделке по продаже SanDisk за 19 миллиардов появилась ещё в октябре. Однако в феврале китайская компания Unisplendour планировала приобрести 15% акций у WD, как часть процесса объединения. В результате сумма сделки была снижена до 16 миллиардов.

Western Digital

В ходе пресс-конференции, посвящённой сделке, руководство WD отметило, что процесс взаимной интеграции компаний начнётся незамедлительно. Нынешний исполнительный директор SanDisk Санджай Мехрота, а также её президент и сооснователь, займёт место в совете директоров WD.

Данная сделка выгодна обеим компаниям. Что касается SanDisk, то для неё эта сделка выгодна из-за снижения прибыли, вызванного постоянным удешевлением SSD, и растущей конкуренции со стороны Samsung и Micron, и заключённая сделка позволит использовать ресурсы и капитал WD для дальнейшего развития. Сама же WD теперь имеет лучшую базу для выхода на SSD рынок, по мере того как жёсткие диски начинают понемногу устаревать.

flash-память, HDD, SanDisk, SSD, Western Digital, рынок, финансы


7994420702;horizontal

Transcend представила карты microSD промышленного класса #

12 мая 2016

Компания Transcend Information Inc., мировой лидер в области накопителей, представила новый флеш продукт промышленного уровня — карты памяти SuperMLC microSD.

Позиционируясь между SLC и MLC NAND, эксклюзивная технология SuperMLC предлагает недорогое решение, близкое по скорости и надёжности к SLC NAND. Так, новые карты SuperMLC microSD обладают высокой производительностью, великолепной надёжностью и работоспособны в широком температурном диапазоне (от 40°C до 85°C), что делает их идеальным решением для применения в медицинских устройствах, системах жизнеобеспечения и терминалах оплаты.

Карты памяти Transcend SuperMLC microSD

В новых картах памяти Transcend перепрограммировала двухбитовые ячейки памяти MLC в один бит на ячейку, создав виртуальную SLC структуру и заметно повысив производительность. Так, скорость передачи данных в новых картах UHS-I Class 1 SuperMLC microSD может достигать 95 МБ/с, вдвое больше, чем в обычных MLC чипах. Правда, при этом пришлось пожертвовать объёмом, который стал вдвое меньшим. В целом, у разработчиков получилось достичь хорошего баланса между требуемым для промышленности качеством, скоростью и ценой.

Как сказано выше, новые карты обладают высокой надёжностью. Они способны выдержать 30 000 циклов перезаписи, что в 10 раз больше, чем MLC NAND. Также в карты встроена функция коррекции ошибок ECC и система диагностики S.M.A.R.T., что позволяет точно отслеживать техническое состояние накопителя, предотвращая потерю важных данных.

Карты памяти Transcend SuperMLC microSD доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ. Гарантия на накопители составляет 2 года. К сожалению, много рассказав о выгодной цене, производитель не сообщил конкретных цифр.

flash-память, NAND, Transcend, карта памяти


Team Group анонсирует флеш-накопитель сделанный из цинка #

23 апреля 2016

Поставщик запоминающих устройств, компания Team Group, анонсировала новый компактный USB флеш-накопитель, изготовленный из цинкового сплава.

Продолжая удовлетворять нужды клиентов во всех сферах, компания представила компактные прямоугольные накопители моделей Mini Block USB drive C157/C156 и AmaZinc USB drive C162/C161. В дизайне этих накопителей применён эффект противоположностей, использован прочный металл с мягким окрасом. Высококачественный и приятный на ощупь корпус из цинкового сплава придаёт ощущение дорогой вещи при надёжной длительной эксплуатации. Важным преимуществом также является бесколпачковая конструкция, исключающая возможность его утери.

Накопитель Team Group C157

В накопителях C157/C156 использованы интерфейсы USB 3.0 и USB 2.0 соответственно. Эти флешки представлены в версиях от 16 до 64 ГБ и от 8 до 64 ГБ. Их главными преимуществами являются не только высокая ёмкость, но и малый размер, который необходим в компактных системах, в частности, в автомагнитолах. Что касается C162/C161, то в них также используются интерфейсы двух поколений.

Накопитель Team Group C161

К сожалению, производитель ничего не сообщил о скоростях чтения и записи, развиваемыми накопителями. Также производитель ничего не сообщил и об их цене.

flash-память, Team Group, USB 3.0


Samsung начала производство 256 ГБ встраиваемой памяти #

18 марта 2016

Компания Samsung представила 256 ГБ чипы встраиваемой памяти, которые должны удовлетворить всем потребностям в хранении данных на мобильных устройствах.

Южнокорейский гигант отметил, что начал массовое производство памяти, основанной на стандарте Universal Flash Storage (UFS) 2.0, который вдвое быстрее устройств прошлого поколения UFS.

Таким образом, современные телефоны могут стать заметно быстрее. Дело в том, что скорость чтения с новых чипов вдвое быстрее, чем в типичных SATA SSD, и достигает 850 МБ/с. Правда, скорость записи немного ниже и может достигать 250 МБ/с.

UFS память Samsung объёмом 256 ГБ

По словам производителя, новая память позволит «бесшовно воспроизводить UltraHD видео», а при комбинации с технологией USB 3.0 обеспечит заметное ускорение в передачи данных на устройство.

Примечательно, что новый чип по размеру даже меньше карты micoSD, что облегчает его интеграцию в смартфоны, при том, что скорость работы такого устройства несравнимо выше, чем у съёмных решений.

Что касается внедрения, то Tame Apple Press уже заявила, что в первую очередь микросхемы памяти будут использованы в новых мобильных решениях Apple, но вполне возможно, что скоро мы их увидим и в некоторых смартфонах Samsung.

flash-память, Samsung

«Fudzilla»

Память SLC не надёжнее MLC #

10 марта 2016

На заре твердотельных накопителей в них использовалась память SLC с одним хранимым битом на ячейку. Позже появилась память MLC с двумя и TLC с тремя битами. Эта память стоит дешевле, но традиционно считается менее надёжной, по сравнению с SLC, которую продолжают использовать в SSD промышленного уровня.

Учёные из Университета Торонто совместно с Google провели исследование, в котором оценили надёжность работы твердотельных накопителей за последние 6 лет. Они установили, что SLC и MLC накопители служат практически равномерно. Исследование показало, что несмотря на заметно меньшую надёжность записи MLC, они вполне могут соперничать с SLC. Наибольшее количество отказов SSD было вызвано их старением, а не числом циклов перезаписи. Это в очередной раз показало, что сбои контроллера, прошивки, дефекты NAND намного чаще приводят к замене накопителя, ещё до того, как NAND память выйдет из строя из-за большого числа перезаписей.

NAND память Micron

Также согласно исследованию, показатель количества нескорректированных ошибок (Uncorrectable Bit Error Rate) не имеет смысла, в то время как общее число ошибок (Raw Bit Error Rate) очень важно. Таким образом, производители оказались очень консервативны в своих допущениях. За первые 4 года эксплуатации от 30 до 80% SSD получают как минимум один плохой блок, а от 2 до 7% накопителей получают как минимум один плохой чип. Исследователи подытожили, что при эксплуатации накопители не потеряют все свои данные одновременно, как при сбоях HDD, а будут страдать «забывчивостью», теряя небольшие участки данных.

Как известно, большинство SSD позволяют восстановить данные из сбойных блоков, так что такие отказы не будут иметь значимых последствий. Учёные провели исследование и на корпоративных SSD, которые эксплуатируются в более жёстких режимах, и единственный вывод, который можно из него  сделать— это то, что память SLC просто медленнее, но совершенно не надёжнее. В общем, используя SSD, вам стоит беспокоиться не о количестве циклов перезаписи, а о возрасте накопителя.

flash-память, NAND, SSD, исследования и наука

«Eteknix»

SanDisk выпускает карту microSD нового поколения #

25 февраля 2016

Компания SanDisk Corporation, мировой лидер в области твердотельных накопителей, представила самую быструю в мире карту памяти microSD.

Карта памяти, получившая название SanDisk Extreme PRO microSDXC UHS-II, предназначена для экшн камер, дронов и пользователей смартфонов, которые записывают огромные объёмы видеоданных.

Новая карта доступна в вариантах объёмом 64 ГБ и 128 ГБ, а скорость чтения с неё составляет неимоверные 275 МБ/с. Поддерживая Class 10 и UHS Speed Class 3 (U3), карта Extreme PRO прекрасно подходит для захвата Full HD и 4K Ultra HD видео. В комплект поставки также входит USB 3.0 кардридер для беспрецедентно быстрого копирования видео на компьютер.

Карта памяти SanDisk Extreme PRO microSDXC UHS-I

Карты SanDisk Extreme PRO microSDXC UHS-II обратно совместимы с устройствами UHS-I с соответствующим ограничением скорости. По словам разработчиков, накопитель может похвастать ударопрочностью, стойкостью к температурам, влагостойкостью и стойкостью к рентгеновскому излучению.

Карта памяти SanDisk Extreme PRO microSDXC UHS-II покрыта пожизненной гарантией. В продажу она поступит во втором квартале по цене 180 и 300 долларов США за модели ёмкостью 64 ГБ и 128 ГБ.

flash-память, SanDisk, карта памяти


Спрос на флеш-память приведёт к снижению её цены #

8 февраля 2016

Вице-президент NetApp по продуктам, решениям и маркетингу сервисов Ли Кэсуелл прокомментировал спрос на накопители, построенные на основе твердотельной памяти, заявив, что внедрение хранилищ данных на флэш-памяти крупными предприятиями будет расти, что позволит ценам на флэш-память типа NAND снижаться.

Кэсуелл отметил, что спрос на NAND память растёт более быстрыми темпами, чем растут продажи на рынке накопителей, особенно на Ближнем Востоке и Африке, демонстрируя более 100% годового прироста продаж во втором квартале 2015 года.

Вице-президент NetApp Ли Кэсуелл

С учётом снижения цены и того факта, что пользователи всё чаще предпочитают использование флэш-памяти вместо жёстких дисков, стремясь избавиться от ограничений в их производительности, аналитик полагает, что флэш-накопители постепенно станут мейнстрим продуктом, увеличив проникновение.

Рост спроса на флэш-накопители и облачные вычисления, в свою очередь, ведёт к трансформации инфраструктуры IT. Поскольку использование общих технологий позволяет снизить сложность аппаратного обеспечения и затраты на него, Кэсуелл считает, что технологии твердотельной памяти будут демонстрировать рост в течение всего года.

flash-память, NAND, аналитика, прогнозы

«DigiTimes»

Huawei работает над собственным GPU #

25 декабря 2015

По информации одного китайского сервиса микроблогов Starry_wang, на котором очень любят сидеть энтуазиасты IT, компания Huawei хочет заняться разработкой собственных графических процессоров и флеш-памяти, которые она будет использовать в своих смартфонах.

Как известно, компания Huawei уже использует в собственных хай-энд смартфонах систему-на-чипе своей разработки, известную под названием Kirin.

Huawei

Поскольку компания начала ориентацию на собственные ресурсы, вполне логичным может выглядеть и её переход на графические чипы собственной разработки, что позволит фирме избавиться от зависимости от ARM Mali GPU. Также в сообщении говорится, что фирма ищет способы наладить сотрудничество с крупнейшими игроками на рынке памяти, компаниями Samsung, Micron и SK Hynix, чтобы те помогли ей с выпуском собственных микросхем флеш-памяти. Отмечается, что свою собственную память компания может представить уже через один-два года, а вот разработка GPU потребует больше времени.

Кроме того в блоге отмечено, что ещё с 2012 года Huawei планирует выпуск собственной операционной системы для смартфонов.

flash-память, GPU, Huawei, слухи

«VR-Zone»

SK Hynix отвергла финансовое предложение Tsinghua #

2 декабря 2015

Китайская правительственная компания Tsinghua давно ищет способы стать крупнейшим производителем микросхем памяти в мире, для чего она готова потратить огромные средства.

Согласно недавним слухам, Tsinghua Unigroup хотела приобрести большую долю в SK Hynix, и теперь детали этой сделки стали известны общественности. Китайская компания хотела приобрести 20% акций южнокорейской SK Hynix за 5,3 миллиарда долларов США, с условием, что последняя построит завод по производству NAND памяти в Китае. Однако корейская фирма отклонила это предложение, заявив, что SK Hynix не продаётся.

SK Hynix

Марк Ньюмэн из аналитической компании Bernstein Research сообщил: «Изучая другие отрасли, в которые вошёл Китай (смартфоны, солнечная энергетика, LCD и т.д.), становится понятно, что однажды войдя в отрасль, Китай не остановится, пока не будет доминировать на рынке с постоянным экономическим и массовым подавлением. В SK Hynix об этом предупреждены, что и является главной причиной, по которой, по нашему мнению, они отклонили предложение Tsinghua».

flash-память, Hynix, NAND, финансы


Intel демонстрирует Optane 3D XPoint SSD #

2 ноября 2015

В ходе конференции Oracle OpenWorld компания Intel воспользовалась возможностью представить свою свежую реализацию революционной памяти 3D XPoint, которая должна заменить NAND флеш в качестве следующего шага развития твердотельных технологий. Новый тип памяти предлагает экспоненциальный рост скорости и плотности.

Optane — это кодовое имя для будущих SSD Intel на базе памяти 3D XPoint, с быстрыми интерфейсами (PCIe M.2, U.2, карта расширения PCIe) и протоколом NVMe. В работе сервера Oracle серии X5-2 модели 1U, он показал в 4,42 раза большую скорость случайного доступа, 6,44 раза меньшие задержки, по сравнению с лучшими NAND SSD образцами. Также, при работе с ПО от Oracle, накопитель Optane обещает в 7,13 раза большую пропускную способность.

Optane DIMM SSD

Кроме Optane компания также представила прототип 3D XPoint SSD в форм-факторе памяти DDR4 DIMM. Таким образом, компания надеется обойти все узкие места в транспортных шинах и обращаться непосредственно к контроллеру памяти процессора.

Преимущества 3D Xpoint SSD

Преимущества 3D Xpoint SSD

Системные интеграторы смогут объединять оперативную память DDR4 и SSD модули, обеспечив наименьшие, из возможных, задержки передачи данных в системе. По словам исполнительного директора Intel Брайана Крзанича, модули Optane DIMM будут иметь производительность близкую к оперативной памяти, а потому могут ускорить реализацию идеи хранения базы данных в памяти.

3D Xpoint, flash-память, Intel, SSD


SK Hynix выпустит 48-слойную NAND память через год #

23 октября 2015

Один из лидеров рынка памяти, компания SK Hynix, недавно приступила к массовому производству DRAM чипов 20 нм класса и сообщила о планах по выпуску 36-слойной флеш-памяти до конца этого года. Что касается 48-слойных чипов, то их выпуск компания запланировала на 2016 год.

На этом рынке фирма пытается догнать Samsung, которая начала массовое производство 20 нм ОЗУ ещё в марте 2014 года, а первая серийная 48-слойная микросхема NAND была выпущена в августе этого года.

SK Hynix 20 Nano-class 8GB LPDDR3

SK Hynix также объявила о своих планах по разработке флеш-продуктов на базе 3D NAND. Президент фирмы Парк Сун-вук заявил: «Это процесс становления новой технологии. Мы планируем произвести некоторое количество 36-слойных 3D NAND чипов поэтапно в этом году и массово выпускать 48-слойные продукты в начале следующего года».

Он также отметил, что «новая память будет хороша, но мы больше фокусируемся на расширении достижений нынешних DRAM и NAND продуктов. Вместо выпуска новой памяти на рынок, мы пытаемся найти способ сделать лучшими существующие чипы памяти».

20 нм, flash-память, Hynix, NAND, оперативная память