Новости про flash-память

Sony создает сверхпрочную сверхбыструю карту памяти

Компании Sony было недостаточно обладания самой быстрой картой памяти стандарта UHS-II, и она решила сделать её ещё и самой прочной.

Компания представила карту Tough UHS-II SD серии SF-G, и она может выдержать очень большие нагрузки. По словам Sony она в 18 раз прочнее обычно карты SD, в ней применены «первые в мире монолитные структуры с абсолютно сплошными цельными швами». Благодаря этому карта имеет стойкость к кручению, падениям с высоты 5 метров, воде и пыли.

Карта памяти Sony Tough UHS-II
Карта памяти Sony Tough UHS-II

Кроме этого, новая карта быстра так же, как и оригинальная. Скорость чтения и записи у неё почти равна и составляет 300 и 299 МБ/с соответственно. Этого вполне достаточно для записи 4K видео с любой беззеркальной камеры. Также улучшится съёмка фотографий в RAW режиме, снижая задержки при переполнении буфера. Да и перенос отснятого материала будет предельно быстрым. Так, на копирование полной 64 ГБ карты потребуется всего 3,5 минуты.

Чтобы исключить попадание пыли и влаги в подвижные элементы Sony пришлось от них отказаться, а потому карта не имеет блокировки от записи.

И всем эта карта хороша, только цена не радует. За 32 ГБ карту Sony Tough UHS-II SD придётся отдать 73 доллара, а 128 ГБ обойдётся уже в 276 долларов (при том, что неупрочнённая такая же карта стоит 215 долларов). Однако, если вы готовите экспедицию в джунгли, или жерло вулкана, вряд ли вас остановит такая стоимость.

Цены на NAND память могут обрушиться

В ходе саммита Flash Memory, аналитик Джим Хэнди из Objective Analysis заявил о резком снижении цены на флеш-память уже в следующем году.

Поскольку сейчас маятник производства качнул в сторону избыточности, стоит ожидать снижения коммерческой стоимости твердотельной 64-слойной 3D NAND памяти к её себестоимости. Его прогноз цены на 2019 год составляет 0,08 доллара за гигабайт, что должно стать крупнейшей корректировкой цены в истории полупроводниковой промышленности.

Микросхемы 3D NAND от Toshiba
Микросхемы 3D NAND от Toshiba

Старший аналитик Wells Fargo Аарон Рекерс утверждает, что сейчас цена на NAND память составляет 0,30 долларов за гигабайт. Эти цены касаются только NAND памяти, накопители на её основе содержат и другие компоненты. Тем не менее, резкое снижение цены будет означать появление SSD большой ёмкости с очень привлекательной ценой.

Также аналитик отметил, что сейчас около 70% производственных мощностей NAND памяти заняты выпуском 3D NAND, в то время как остальные 30% производств изготавливают память по старой планарной (2D) технологии. Скорее всего, эти производства переориентируются на выпуск DRAM памяти, а не будут заниматься модернизацией до 3D NAND. Это, в свою очередь, вызовет перепроизводство и в области оперативной памяти.

ADATA выпускает потребительский SSD объёмом 2 ТБ

Компания ADATA представила высокопроизводительные твердотельные накопители серии Ultimate SU800 в середине 2016 года, как конкурента 850 EVO.

Это были одни из первых SSD, построенные на памяти 3D TLC NAND и предлагались в объёме от 128 Гб до 1 ТБ. И вот спустя два года компания ADATA расширила эту серию новым вариантом объёмом 2 ТБ, пытаясь заработать на снижающейся цене на NAND память.

Новое устройство (с номером модели ASU800SS-2TT-C), как и остальные, управляется контроллером Silicon Motion SM2258G, снабжено DRAM кэшем и основано на флеш-памяти 3D TLC NAND. При этом до 8% памяти используется как SLC кэш.

Твердотельный накопитель ADATA Ultimate SU800
Твердотельный накопитель ADATA Ultimate SU800

Накопитель обеспечивает скорость последовательных операций на уровне 560 МБ/с и 520 МБ/с для чтения и записи соответственно, а его надёжность составляет 1600 ТБ. Среди дополнительных функций разработчики отмечают технологию проверки чётности низкой плотности LDPC (low density parity check code) и встроенный режим DVESLP заметно снижает энергопотребление.

Накопитель ADATA Ultimate SU800 2 ТБ продаётся с трёхлетней гарантией по цене 380 долларов США.

SK Hynix представляет концепцию 4D памяти

Трёхмерная память NAND произвела революцию в накопителях. Третье, высотное измерение, позволило набирать слои NAND памяти, увеличивая объём в десятки раз и открыв путь высокоёмким потребительским SSD.

Однако в SK Hynix считают, что могут ещё улучшить этот процесс благодаря четырёхмерным NAND пакетам. Речь не идёт об искривлении пространства-времени. Разработчики предлагают производить обычные 3D структуры, связывая слои NAND. Четвёртое измерение будет касаться расположения самих ячеек памяти.

NAND память SK Hynix

В современной NAND памяти ячейки, хранящие заряд, располагаются вдоль периферийного блока, который отвечает за запись каждой ячейки. 4D NAND предполагает размещение этих ячеек в несколько слоёв, сокращая пространство для хранения данных.

Концепция памяти 4D NAND
Концепция памяти 4D NAND
Производительность 4D NAND
Производительность 4D NAND

Размещая ячейки в стеках, SK Hynix планирует связывать их с периферийным блоком проводниками. Таким образом, в каждом слое стека 3D NAND будет храниться большее число ячеек, а конечный накопитель будет иметь большую ёмкость при тех же габаритах. Стек V5 от SK Hynix предполагает размещение друг над другом четырёх ячеек памяти и одной периферийного блока.

Будуще памяти 4D NAND
Будуще памяти 4D NAND
Спецификации памяти 4D NAND
Спецификации памяти 4D NAND

Первая реализация памяти 4D NAND выполнена в 96-слойном чипе памяти TLC объёмом 512 Гб. При этом технология готова и для QLC. Опытное производство этого чипа объёмом 512 Гб начнётся к концу текущего года. На следующий же год разработчики планируют выпустить чипы объёмом 1 Тб.

Toshiba разрабатывает 96-слойную флэш-память QLC

Корпорация Toshiba Memory, мировой лидер в области твердотельной памяти, анонсировала готовность прототипа 96-слойной памяти BiCS FLASH, построенного на проприетарной технологии 3D памяти с возможностью хранения 4 бит на ячейку (QLC).

Применение технологии QLC позволяет увеличить объём хранимых на одном чипе данных. Уже с сентября компания планирует начать опытные поставки микросхем производителям SSD и разработчикам контроллеров для SSD. Массовое же производство памяти начнётся в 2019 году.

Чип флеш-памяти QLC от Toshiba
Чип флеш-памяти QLC от Toshiba

Переход на QLC позволяет увеличить объём хранимых в ячейке данных с 3 до 4. В результате появится возможность хранения 1,33 Тб данных на одном чипе. В случае распараллеленного применения стеков из 16 чипов в пакете, объём одной микросхемы можно увеличить до 2,66 ТБ. В Toshiba отмечают, что этот объём крайне необходим на фоне развития мобильных терминалов и устройств IoT, генерирующих огромные массивы данных.

Презентовать прототип планирует в ходе Flash Memory Summit, который состоится в Санта-Кларе в начале августа.

Samsung начинает массовое производство 96-слойной памяти NAND

Ведущий производитель твердотельной памяти, компания Samsung, приступила к массовому производству памяти V-NAND пятого поколения.

Данная память позволит увеличить объёмы накопителей. Новая память объёмом 256 Гб состоит из стеков в 96-слоёв. Эта память стала первой в истории, использующей интерфейс Toggle DDR 4.0, который работает как высокоскоростной транспорт для передачи данных между накопителем и памятью на скорости в 1,4 Гб/с. Это на 40% быстрее, чем прошлое 64-слойное поколение памяти. Другое усовершенствование в скорости связано с уменьшением времени записи на 30% до 500 мкс и снижением времени чтения до 50 мкс.

96-слойная V-NAND память от Samsung
96-слойная V-NAND память от Samsung

Кроме того, выросла и энергоэффективность чипов. Новая память работает на напряжении 1,2 В, в то время как 64-слойной требовалось напряжение 1,8 В.

В пресс-релизе южнокорейский гигант заявил, что выпустит новые чипы на рынок как можно скорее. Изначально они будут представлены 256 Гб TLC модулями, а позднее будут подготовлены 1 Тб QLC модели.

Цены на NAND продолжат падение

Сайт DigiTimes после очередного анализа рынка опубликовал прогноз, согласно которому цены на 3D NAND память продолжат снижение и в третьем квартале на фоне увеличения поставок.

Ранее обозреватели полагали, что во втором полугодии цены на память стабилизируются, но теперь прогноз изменился.

Новые производственные мощности, введённые на волне миграции на технологию 3D NAND, приведут к перепроизводству. По мере того, как производители продолжат наращивать объёмы выпуска своей более совершенной продукции, поставки продолжат расти и в третьем квартале.

3D NAND память от Micron
3D NAND память от Micron

Спрос на NAND оказался не столь высоким, чтобы ответить ёмкостям производства, и эта тенденция сохранится и на третий квартал. Спрос на смартфоны не повышается так быстро, как ожидалось. В то же время продолжающая поступать на рынок память ведёт к снижению её стоимости. Ещё в начале года производители ожидали высокий спрос на NAND, а потому делали большими складские запасы, и теперь, на фоне низкого спроса и больших остатков на складах, цена продолжит снижаться.

Растущий спрос на SSD остановит падение цен

Ожидаемый рост спроса на твердотельные накопители в сегментах бытовых портативных устройств и PC могут в третьем квартале привести к прекращению снижения цен на NAND-память.

Цены на NAND-память начали падать в конце 2017 года. Так, с ноября 2017 до конца первого квартала 2018 года цена упала на 50%. Однако во втором квартале снижение цены замедлилось на 10%. На фоне сезонного роста рынка перепроизводство флеш-памяти перестанет играть важную роль в формировании цены.

Флеш-память Samsung

Цены на NAND-память могут продолжить снижение, однако это будет происходить намного медленнее, либо же спад может вовсе прекратиться. Тем не менее, в долгосрочной перспективе аналитики ожидают продолжение удешевления твердотельной NAND-памяти. Продолжающееся удешевление позволит увеличить внедрение SSD в персональных компьютерах. Так, ODM-производители компьютеров уже предлагают машины, оборудованные PCIe NVMe SSD. Эти машины будут продаваться с третьего квартала текущего года. Также клиентские SSD начнут свою переориентацию с SATA на PCIe NVMe.

В 2021 году NAND память будет иметь более 140 слоёв

Сейчас самая технологичная память представлена стеками по 64 слоя, однако в ближайшие годы этот процесс получит значительные усовершенствования.

По информации Applied Materials, к 2021 году стек памяти NAND будет представлен 140 слоями, и даже больше. Компания Applied Materials, расположенная в США, занимается поставкой оборудования, сервисом и ПО для производителей полупроводниковых чипов. Она уверяет, что слоёв будет не только больше, но они станут тоньше. Так, сейчас толщина всех стеков составляет 55 нм, а к 2021 году она составит 45 нм.

Дорожная карта 3D NAND от Applied Materials
Дорожная карта 3D NAND от Applied Materials

Сейчас Toshiba и Western Digital работают над 96-слойной памятью BiCS 3D NAND. Её опытное производство начнётся в течение года. 5-е поколение 3D NAND от Samsung также будет иметь 96 слоёв. В 2020 году память будет иметь по 120 слоёв, а к 2021 — 140. Но поскольку их число кратно восьми, то стоит говорить о 128 и 144 слоях.

В дорожной карте Applied Material ничего не говорится об их возможном объёме, однако ранее Samsung анонсировала разработку чипа объёмом 1 терабит. Сейчас 64-слойные чипы уже имеют объём 512 гигабит.

EVGA отказывается от драйверов на DVD

Джекоб Фримен, директор по мировому менеджменту продуктов EVGA, посредством Tweet сообщил, что будущие материнские платы компании (включая H370 Stinger) больше не будут выпускаться с драйверами на оптических дисках.

Вместо этого потребители получат тонкий USB 2.0 флеш-накопитель объёмом 8 ГБ, который будет содержать все необходимые драйверы и ПО. Большинство пользователей предпочитают устанавливать самые свежие версии драйверов с сайта производителя, однако чтобы их скачать, всё-таки нужно сначала установить драйвер сетевой платы.

Флеш-накопитель с драйвером EVGA
Флеш-накопитель с драйвером EVGA

Решение EVGA глубоко продуманное. Сейчас многие сборщики компьютеров предпочитают не ставить в машины оптические накопители. Прилагаемая флешка перезаписываема, так что пользователи могут хранить на ней самые свежие версии драйверов, либо вообще использовать её для своих нужд.

Флеш-накопитель с драйвером EVGA
Флеш-накопитель с драйвером EVGA

Что касается затрат, то Фримен отметил, что использование флешки окажется в 20 раз дороже, чем старого доброго DVD, однако изменение комплекта поставки не скажется на цене на материнские платы компании.