/ / flash-память
7994420702;horizontal

Новости про flash-память

SanDisk представила самую маленькую флешку объёмом 1 ТБ #

11 января 2018

На выставке CES компания SanDisk продемонстрировал прототип флэш-накопителя объёмом 1 ТБ с интерфейсом USB-C, который стал самым маленьким устройством в своём классе.

Конечно, флэшки такого объёма редко встретишь в продаже. Самыми ёмкими решениями сейчас являются Kingston DataTraveler Ultimate GT, представленные на CES 2017, объём которых достигает 2 ТБ. Однако решение SanDisk куда элегантнее цинкового «ящика» от Kingston. Кроме того, флэшка от SanDisk использует формат USB-C, что позволяет применять её с современными смартфонами, планшетами и ноутбуками без дополнительных переходников.

Терабайтная флэшка SanDisk

Пока о характеристиках флэшки говорить рано. Компания представила лишь прототип, правда, вполне работоспособный. Что касается ожидаемой стоимости, то о ней тоже ничего не ясно, но учитывая, что терабайтные SSD с портом USB-C стоят порядка 350 долларов, вряд ли решение SanDisk окажется дешевле.

CES 2018, flash-память, SanDisk, USB Type-C

«Verge»

Поставки памяти NAND улучшатся в следующем году #

28 декабря 2017

Аналитики DigiTimes, традиционно ссылаясь на промышленные источники, сообщили, что поставки твердотельной NAND памяти должны улучшиться в 2018 году, по сравнению 4 кварталом текущего года.

Эти прогнозы не удивительны. Уходящий год оказался довольно дефицитным в плане памяти NAND и DDR, и многие компании увеличили производство микросхем соответствующих типов. Но даже так они не смогли удовлетворить все заявки, а потому поставки памяти растянулись во времени, а её цена выросла.

Чип NAND

Однако новые производственные мощности, построенные компаниями, должны ослабить отпускные цены уже в первом квартале 2018 года, что приведёт и к снижению розничных цен.

Также аналитики отметили, что увеличение объёмов производства связано не только с расширением производственных мощностей, но и с началом производства более технологичной памяти, например, 3D NAND, которая также станет доступнее для потребителей.

flash-память, NAND, прогнозы


7994420702;horizontal

Toshiba выпускает UFS 2.1 BGA SSD на базе памяти 3D NAND #

21 декабря 2017

Компания Toshiba продвигает память BiCS3 по всем фронтам. Последнее решение компании — память высокой плотности для использования в смартфонах, планшетах и прочих устройствах малого размера. Новые твердотельные накопители компании с интерфейсом UFS 2.1 могут достигать скорости чтения в 900 МБ/с.

Новые устройства будут выпускаться в вариантах объёмом от 32 ГБ до 256 ГБ. Скорость 900 МБ/с обозначена для пакета объёмом 64 ГБ. Скорость записи для такого накопителя составит 180 МБ/с. В Toshiba ничего не сообщили о скорости случайного доступа для устройств BiCS3, но отметили, что скорость чтения на 200% выше, чем у прошлого поколения, а записи — на 185%. В то же время энергопотребление новых накопителей осталось неизменным.

Toshiba UFS 2.1

Когда новые впаиваемые SSD на базе памяти BiCS3 появятся в потребительских устройствах, Toshiba не сообщила.

flash-память, SSD, Toshiba


Samsung начинает производство 512 ГБ чипов eUFS #

7 декабря 2017

Почти два года назад Samsung приступила к выпуску 256 ГБ чипов Universal Flash Storage (UFS) 2.0 со скоростями чтения и записи 850 МБ/с и 260 МБ/с соответственно. Однако теперь фирма готовит 512 ГБ накопители с интерфейсом UFS.

Компания сообщила, что выпускает эти накопители для «использования в мобильных устройствах следующего поколения». Вероятно, речь идёт о пока не анонсированных смартфонах Galaxy S9. В пресс-релизе Samsung ничего не говорится об использованной версии интерфейса, но сказано, что накопители достигнут скорости «последовательного чтения и записи равной 860 мегабайт в секунду и 255 МБ/с соответственно», что весьма близко к нынешним показателям UFS 2.0.

Samsung eUFS

Учитывая наличие 512 ГБ памяти в телефоне, людям вряд ли понадобится дополнительный накопитель в виде карты microSD. С другой стороны, встроенные полтерабайта очевидно поднимут стоимость конечного устройства, ведь даже нынешние Galaxy Note8 с 256 МБ встроенной памяти стоят 1000 долларов.

flash-память, Samsung

«Neowin»

Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane #

22 ноября 2017

Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Samsung Z-SSD

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

Спецификации SSD Samsung SZ985

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.

3D Xpoint, flash-память, NAND, Samsung


Intel готовит DIMM модули Optane на 2018 год #

17 ноября 2017

Компания Intel перенесёт выпуск DIMM модулей Optane на вторую половину 2018 года.

Эти модули должны стать важнейшим изменением в способе хранения информации компьютером, за более чем два десятка лет. Они открывают эпоху энергонезависимой памяти, объединяя в себе лучшие свойства DRAM и NAND памяти. В первом случае, это скорость и низкие задержки, а во втором — способность хранить информацию после отключения питания. В этом году Intel уже приступила к поставкам потребительских твердотельных накопителей на базе памяти того же типа — 3D XPoint.

DIMM модуль Optane

В ходе мероприятия USB Global Technology Conference, компания Intel описала Optane DIMM как основной накопитель, который работает в виде картированной памяти, но со значительно большими плотностями, чем это возможно с нынешней DRAM DDR4.

Как обычно, первыми доступ к технологии получат промышленные потребители, в первую очередь — экзаскалярные системы, суперкомпьютеры, с производительностью порядка экзафлопса. Затем память будет доступна для более простых промышленных систем, и, наконец, для бытовых потребителей.

Планы на Optane DIMM

Кроме энергонезависимости, применение памяти нового типа должно снизить цены на память, увеличить плотность накопителей и решить проблему нехватки пропускной способности шин.

3D Xpoint, flash-память, Intel, Optane, оперативная память


Longsys подтвердила приобретение бренда Lexar #

7 сентября 2017

Пару месяцев назад компания Micron сообщила, что планирует отказаться от некогда знаменитого бренда в области портативных накопителей — Lexar.

О будущем марки ничего не сообщалось. Micron просто говорила о его закрытии, но на подразделение нашёлся покупатель, Longsys Electronics Limited, который и сообщил о проведённой сделке.

Компания Lexar была образована как дочерняя компания Cirrus Logic. Со временем, она занялась производством твердотельной памяти с интерфейсом USB. Именно она сделала первую, известную теперь каждому «флешку». Однако в 2006 году на неё подала в суд Toshiba, над компанией нависла угроза банкротства и её приобрела Micron Technology, объединив её с подразделением Crucial Technology и создав Lexar Media.

Longsys приобрела Lexar

Компания Longsys, которая теперь владеет брендом, также занимается флеш-памятью. Однако кроме торговой марки Longsys не досталось ничего, так что новые продукты Lexar не будут иметь ничего общего с прошлыми решениями.

«Мы очень гордимся приобретением бренда Lexar», — заявил Хуабо Каи, исполнительный директор Longsys. «Lexar создала прекрасное имя, и в нашем видении — сделать его ещё более знаменитым. Нынешние клиенты могут сохранить уверенность, что инновационные решения и превосходная поддержка, которые у них были с Lexar, продолжат своё существование. Цель в превращении Lexar в популярный бренд высокопроизводительных носимых накопителей сохраняется, и мы расширим её для ещё больше, по мере того, как эпоха беспроводных решений и больших данных оказывает влияние на рынок потребительских накопителей».

Примечательно, что сама Micron не подготовила пресс-релиз о проведенной сделке.

flash-память, Lexar, рынок

«Bit-tech»

SanDisk выпускает карту microSD объёмом 400 ГБ #

5 сентября 2017

Сейчас карты памяти microSD объёмом 256 ГБ постепенно входят в оборот, но теперь компания SanDisk взяла новый рубеж. Компания представила самую высокоёмкую карту памяти в мире, объём которой 400 ГБ.

Новая карта памяти отличается не только рекордным объёмом, но и высокой скоростью передачи данных — до 100 МБ/с. Что касается маркировок, то карта классифицирована как App Performance Class A1, что означает, что её скорости будет достаточно для запуска приложений без потери производительности. В то же время для записи видео в разрешении 4K её будет недостаточно.

Карта памяти SanDisk объёмом 400 ГБ

Цена на карту нешуточная. Компания SanDisk предлагает приобрести её за 250 долларов США. Дата релиза пока не называется, но он должен состояться к концу этого года.

flash-память, SanDisk, карта памяти

«Kit Guru»

Toshiba разрабатывает первую в мире память с производством по технологии TSV #

13 июля 2017

Один из мировых лидеров в области памяти, Toshiba Memory Corporation, сообщила о разработке первой в мире трёхмерной (3D) BiCS FLASH памяти, использующей технологию Through Silicon Via (TSV) с 3 битами на ячейку (TLC).

Поставки прототипов данной памяти начались ещё в июне, а первые образцы продукции намечены на второе полугодие 2017. Прототип такого передового устройства будет показан в ходе Flash Memory Summit, который пройдёт в Калифорнии в первой декаде августа.

Микросхемы BiCS FLASH со связями TSV

Устройства, производимые по технологии TSV, имеют вертикальные электроды, которые проходят сквозь кристалл для обеспечения связей. Такой подход позволяет увеличить скорость передачи данных и снизить потребление энергии. Реальная эффективность такого способа была подтверждена компанией на основе двумерных TSV модулей.

Комбинируя 48-слойный 3D флеш процесс и TSV, Toshiba успешно увеличила скорость записи на накопитель, а энергопотребление каждого пакета оказалось примерно вдвое ниже, чем у BiCS FLASH памяти с проводным соединением.

flash-память, Toshiba


Toshiba анонсирует чипы памяти QLC #

1 июля 2017

Компания Toshiba анонсировала последнее поколение памяти NAND 3D, которое позволяет хранить 4 бита на ячейку памяти. Данная технология получила название Quadruple-Level Cell или QLC.

Благодаря технологии QLC, представленной 64-слойной стековой структурой, Toshiba сможет представить миру кристаллы крупнейшего объёма в 768 Гб (96 ГБ). Новая память также позволяет создавать 1,5 ТБ устройства с 16-слойной архитектурой кристаллов в едином пакете, что также на 50% увеличивает ёмкость пакета, по сравнению с прошлым поколением устройств.

Память типа QLC имеет те же проблемы (если не большие), с которыми столкнулись разработчики при выпуске памяти MLC. Главная из них заключается в том, как поместить данные в одну ячейку без влияния на надёжность хранимых данных и производительность. Так что вопрос того, смогут ли SSD, основанные на QLC NAND, предложить достаточную производительность, остаётся открытым.

Память QLC от Toshiba

Скорее всего данная память найдёт себе место в накопителях для ЦОД, где ключевую роль играют низкое энергопотребление и физический размер накопителя. Однако, возможно, QLC можно будет встретить и в некоторых других отраслях.

Как сообщает разработчик, образцы устройств на основе памяти QLC поставляются производителям SSD и контроллеров для SSD с июня месяца, которые используют новую память для разработки накопителей. Новое поколение образцов будет представлено в августе в ходе Flash Memory Summit 2017.

flash-память, NAND, QLC, Toshiba

«Fudzilla»

Micron избавляется от Lexar #

30 июня 2017

Помните Lexar, американского производителя карт памяти? Он был известен картами памяти CompactFlash для фотоаппаратов. Затем, в 2006 году, эта компания была куплена Micron, а бренд был объединён с Crucial в виде Lexar Media, работавшей как дочерняя Micron фирма.

После этого компания продолжала реализовывать решения на базе флэш-памяти, включая карты CF, SD и USB накопители.

MicroSD карта от Lexar

Однако теперь родительская компания Micron Technology объявила о прекращении продаж сменных накопителей под маркой Lexar. Данное решение было принято как часть стратегии Micron по концентрации на более прибыльных рынках. При этом Micron планирует продать часть или весь бизнес Lexar.

Компания пообещала продолжить поддержку нынешних клиентов в течение всего периода смены владельца.

flash-память, Micron, видеокарты, рынок, финансы


Цены на NAND память должны снизиться #

2 мая 2017

Цены на твердотельную память типа NAND за последние месяцы заметно выросли, однако аналитики прогнозируют их снижение уже в текущем квартале.

Такое мнение выразил глава Phison Electronics Хеин Сен Пуа. Однако в третьем квартале цены вновь начнут расти, поскольку на конечном рынке вновь повысится спрос.

Переход производителей от технологии NAND 2D к 3D привёл к опустошению складских запасов и росту цены на чипы — отметил Пуа.

Глава Phison Electronics Хеин Сен Пуа

Кроме того, OEM производители неохотно поставляют свою продукцию, ведь на фоне растущей цены они только теряют деньги, увеличивая свои продажи. В результате складские запасы оптовых поставщиков истощились, и они начали предлагать устройства с меньшим объёмом памяти. К примеру, некоторые производители, преимущественно в Китае, вместо SSD объёмом 128 ГБ стали поставлять устройства с 96 ГБ. Пуа отметил, что дефицит коснулся даже eMMC устройств объёмом в 4 ГБ и 8 ГБ.

Руководитель компании выразил уверенность, что в ближайшее время цены на память скорректируются, однако уже в третьем квартале, на фоне спроса со стороны Apple iPhone и других новых смартфонов, они начнут расти.

Что касается поставщиков, то их склады заполнятся в мае и июне, когда производители начнут массово выпускать 3D NAND продукты. Уже в четвёртом квартале более половины всех чипов памяти будут изготовлены по 64-слойной 3D NAND технологии.

flash-память, NAND, прогнозы, рынок, финансы

«DigiTimes»

SK Hynix представила 72-слойную NAND #

29 апреля 2017

Компания SK Hynix первой в мире представила чипы стековой NAND памяти объёмом 256 Гб и высотой 72 слоя. Чипы построены на массивах памяти 3D NAND Flash по три уровня на ячейку (TLC).

В результате инженеры смогли разместить в полтора раза больше ячеек, чем в 48-слойных чипах, которые уже находятся в массовом производстве.

Модули памяти SK Hynix

Напомним, что SK Hynix выпустила 36-слойные чипы объёмом 128 Гб в августе прошлого года, а с ноября выпускает микросхемы с 48 слоями. Инженеры отметили сложность проделанной работы, сравнив её со строительством 4 миллиардов небоскрёбов высотой в 72 этажа каждый на одной площадке. Новые 256 Гб чипы имеют на 30% большую эффективность в производстве и на 20% большую производительность. В настоящее время на базе этой памяти SK Hynix разрабатывает NAND Flash решения для построения твердотельных накопителей и решений хранения данных для смартфонов.

Улучшая производительность, имея высокую надёжность и низкое потребление энергии, SK Hynix надеется сохранить за собой лидирующие позиции на рынке твердотельной памяти.

flash-память, Hynix, NAND


Toshiba готовит терабайтные чипы NAND #

11 марта 2017

Японская компания Toshiba сообщает о начале опытного производства продуктов на основе памяти NAND третьего поколения.

Новые 512 гигабитные чипы построены из 64 слоёв по технологии трёхуровневых ячеек хранящих по три бита на ячейку (TLC). Эти чипы станут частью модельного ряда продуктов BiCS FLASH.

Сейчас компания начала поставки опытных чипов объёмом 512 Гб, а их массовое производство компания начнёт во втором полугодии.

Новый флеш продукт обладает на 65% большей ёмкостью, по сравнению с прошлым поколением, в котором использовались 48 слоёв ячеек NAND. В дополнение к 512 Гб устройства линейка Toshiba BiCS FLASH будет включать 64-слойные 256 Гб решения, которые уже находятся в массовом производстве.

Toshiba

По словам Скотта Нельсона, старшего вице-президента подразделения памяти TAEC, «представление нами третьего поколения BiCS FLASH в паре с крупнейшим в промышленности 1 ТБ чипом заметно укрепляет наши позиции в качестве передового решения в области памяти, и мы продолжим развивать нашу 3D технологию для соответствия постоянно возрастающим требованиям рынка к объёму хранимых данных».

Таким образом, компания планирует выпустить по этой технологии микросхему, объёмом 1 ТБ.

Чип будет использоваться в накопителях для ЦОД, а также найдёт себе место в SSD продуктах, а значит, он будет достаточно дёшев для использования в игровых системах хай-энд уровня.

flash-память, NAND, Toshiba

«Fudzilla»

SanDisk представила флеш-накопитель с интерфейсом USB 3.1 #

2 марта 2017

Компания SanDisk представила сверхбыстрый портативный накопитель, получивший название Extreme PRO USB 3.1 Solid State Flash Drive.

Представленная флешка, как следует из названия, оснащена интерфейсом USB 3.1, который позволяет передавать данные на невероятных скоростях. Так, скорость записи накопителя составляет 380 МБ/с, а чтения — 420 МБ/с. Это значит, что полноценный фильм в 4K разрешении можно будет записать за 15 секунд.

SanDisk Extreme PRO USB 3.1 Solid State Flash Drive

Накопитель представлен в объёмах 128 ГБ и 256 ГБ. Также в комплекте разработчик поставляет утилиту SanDisk SecureAccess, обеспечивающую 128-битное сжатие и защиту паролей.

Накопитель собран в алюминиевом корпусе, защищающим её от истирания и повреждений. Устройство обратно совместимо с интерфейсами USB 3.0 и USB 2.0. Накопитель может работать в диапазоне температур от 0° С до +35° С.

Накопитель SanDisk Extreme PRO USB 3.1 Solid State Flash Drive можно приобрести за 150 долларов США за версию объёмом 128 ГБ и 255 долларов за флешку ёмкостью 256 ГБ.

flash-память, SanDisk, USB 3.1