Новости про flash-память

SK Hynix объявляет о выходе на рынок SSD

Известный производитель микросхем памяти SK Hynix анонсировала выпуск собственных твердотельных накопителей модели Gold S31, по сути заявив о выходе на рынок SSD.

Данная модель накопителей вначале будет выпущена с интерфейсом SATA III и станет первым устройством серии потребительских SSD SuperCore, в которой будут применяться фирменные базовые технологии.

SSD Gold S31 от SK Hynix
SSD Gold S31 от SK Hynix

Модель Gold S31 «раздвинет границы высокопроизводительных SSD» и предоставит «новый уровень скорости» с последовательным чтением до 560 МБ/с. Построен он на фирменной памяти 3D-NAND и контроллере собственной разработки. Также компания обещает превосходное качество, надёжность и пятилетнюю гарантию.

Упаковка SSD Gold S31
Упаковка SSD Gold S31

Устройство Gold S31 будет выпущено в 2,5” формате с интерфейсом SATA III. Он будет доступен в объёмах 1 ТБ, 500 ГБ и 256 ГБ. В продажу Gold S31 поступит в следующем году. Позднее же стоит ожидать версию с шиной PCIe.

Realtek готовит новые контроллеры SSD

Благодаря доступности шины PCIe 4.0 среди производителей твердотельных накопителей и контроллеров начался настоящий бум. Очередной компанией, которая решила погрузиться в бизнес создания контроллеров, стала Realtek, известная как создатель звуковых чипов для материнских плат.

Сейчас у фирмы есть несколько контроллеров для SSD начального уровня, которые можно встретить в SSD от Adata. Однако уже через год компания хочет выйти на рынок хай-энд накопителей.

SSD на базе контроллера Realtek RTK 5765
SSD на базе контроллера Realtek RTK 5765

Разрабатываемый контроллер RTS5771 предназначен для топовых SSD. Он планируется к выходу на III квартал 2020 года. Это будет многоядерный процессор с собственной памятью, с системой коррекции ошибок LDPC второго поколения и шифрованием AES. Производительность пока не называется, однако с 8 каналами NAND, интерфейсной скоростью 1200 МТ/с и шиной PCIe 4.0 x4, она должна быть не малой.

Также Realtek готовит и более доступный контроллер модели RTS5765DL. Он будет немного медленнее, не будет содержать ОЗУ, получит лишь 4 канала NAND и будет использовать шину PCIe 3.0 x4. Эта модель появится уже к концу текущего года. Тем не менее, его интерфейсная скорость составит 1200 МТ/с, и он также будет поддерживать LDPC, а процессор будет многоядерным.

Phison создаёт контроллер NAND со скоростью 7 ГБ/с

Компания Phison, занимающаяся разработкой контроллеров для твердотельных накопителей, заявила о разработке нового высокоскоростного контроллера для шины PCI Express Gen4.

Компания опубликовала дорожную карту для SSD-контроллеров. Наибольший интерес вызвала модель PS5018-E18, которая планируется к выходу во второй половине 2020 года. Этот контроллер основан на процессоре Cortex-R5 ×3, изготавливаемому по 12 нм технологии на заводах TSMC.

Спецификации контроллера Phison PS5018-E18
Спецификации контроллера Phison PS5018-E18

Благодаря переходу на NVMe версии 1.4, скорость передаваемых данных составляет 1200 МТ/с на канал, при том что сейчас она достигает 800 МТ/с. Таким образом, максимальная скорость передачи составит 7 ГБ/с, как при чтении, так и при записи. Ещё одной приятной характеристикой станет скорость проведения случайных операций ввода-вывода, которая достигнет 1 миллиона IOPS. Максимальное энергопотребление контроллера составляет 3 Вт.

SK Hynix рассчитывает на 800-слойные чипы к 2030 году

В Санта-Кларе, в ходе конференции Flash Memory Summit, компания SK Hynix рассказала об ожиданиях в развитии отрасли на ближайшие 10 лет.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Накопитель PE8000 от SK Hynix
Накопитель PE8000 от SK Hynix

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.

Samsung выпускает SSD 6-го поколения

Компания Samsung анонсировала начало производства новых твердотельных накопителей объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND.

Конечно, таким объёмом сейчас никого не удивить, однако эти SSD стали первым этапом внедрения памяти V-NAND 6-го поколения, которая обеспечивает задержки на уровне 450 мкс при записи и 45 мкс при чтении, что на 10% меньше. Вместе с ростом производительности новая память обеспечивает снижение энергопотребления на 15%.

Samsung SSD
Samsung SSD

Благодаря применению 136-слойной памяти компания смогла добиться 40% прироста числа ячеек в каждом чипе, по сравнению с прошлой 96-слойной технологией, при сохранении физического размера микросхемы. Также новая память требует создания меньшего числа каналов в чипе. Их количество снижается с 930 миллионов до 670 миллионов, что экономит место и снижает сложность производства, а это, в свою очередь, положительно скажется на ценах.

Твердотельный накопитель 6-го поколения от Samsung
Твердотельный накопитель 6-го поколения от Samsung

В скором будущем компания планирует выпустить SSD на базе 6-го поколения памяти TLC V-NAND объёмом 512 ГБ.

Toshiba нацелилась на конкуренцию с 3D XPoint

Компания Toshiba анонсирует старт массового производства памяти XL-Flash уже в 2020 году.

Фирма представила новую технологию BiCS Flash 3D памяти с хранением 1 бита в ячейке (SLC). Эта память сможет предложить задержки на уровне 3D XPoint, которую создала Micron совместно с Intel.

По уверениям разработчиков, память XL-Flash обеспечит задержки при чтении на уровне 5 мкс, что в 10 раз меньше современной памяти TLC NAND.

Микросхема Toshiba XL-Flash
Микросхема Toshiba XL-Flash

Находясь в спектре скорости между DRAM и NAND, память XL-FLASH обеспечивает большую скорость, низкие задержки и высокую ёмкость, а по цене — ниже традиционной DRAM. Изначально новая память будет выпущена в виде SSD, но позднее может появиться и вариант для работы с шиной ОЗУ в формате планок памяти NVDIMM.

Ключевые особенности памяти:

  • Ядро объёмом 128 Гб (будет доступно в пакетах из 2-х, 4-х и 8-и ядер).
  • Размер страницы 4 КБ для более эффективных операций чтения и записи.
  • 16-плоскостная архитектура для более эффективной параллельности.
  • Быстрое чтение и запись страниц на уровне 5 мс.

Компания отмечает, что память XL-Flash будет иметь высокое качество, ввиду зрелости технологии SLC, её хорошей масштабируемости и высокой надёжности.

Toshiba Memory меняет название на Kioxia

Toshiba Memory Holdings Corporation официально объявила о смене своего названия на Kioxia Holdings Corporation с 1 октября 2019 года. С этого дня новое название будет применяться ко всем предприятиям, входящим в Toshiba Memory, включая британское и израильское подразделение OCZ.

Слово Kioxia является комбинацией японского слова «киоку», означающему «память» и греческого «аксиа», означающему объём. Читается название предельно просто — «киоксиа». Компания планирует открыть новую эпоху памяти, обусловленную ростом спроса на накопители больших объёмов, высокоскоростными хранилищами и обработкой данных.

Вывеска на заводе Toshiba Memory
Toshiba Memory

Миссия Kioxia — Улучшить мир «памятью». Вовлекать «память», улучшить опыт и изменить мир.

Видение Kioxia — Вместе с изначально прогрессивной технологией мы предлагаем продукты, сервисы и системы, предоставляющие выбор и определяющие будущее.

Исследователи создали универсальную память для замены DRAM и NAND

Учёные из университета Ланкастера представили новый тип универсальной памяти, которая способна заменить как память DRAM, так и NAND.

Эта память кажется идеальным решением, ведь она является энергонезависимой и низковольтной. Опубликованный отчёт по исследованию гласит, что энергопотребление при записи и удалении в новой памяти в 100 раз ниже, чем у DRAM. Более того, хранилище обладает поразительной надёжностью и способно хранить данные дольше, чем существует вселенная.

Применение данной памяти позволит создать компьютеры, не требующие загрузки, и способные мгновенно переходить из режима сна в режим обычной работы.

Модули DRAM
Модули DRAM

Профессор физики Манус Хейн из университета Ланкастера заявил: «Универсальная память, которая просто хранит данные, которые легко изменить, по широко распространённому мнению была труднодостижимой, или даже невозможной, однако это устройство демонстрирует требуемые свойства».

Нет сомнений, что профессор провёл потрясающую работу, но пока о практическом применении памяти нового типа речи не идёт. Кроме того, в исследовании ничего не сказано о производительности такой памяти.

SK Hynix приступает к массовому производству 128-слойной 4D NAND

Компания SK Hynix начала массовое производство первой в мире 128-слойной памяти типа 4D NAND.

В мире 3D NAND оптимальным путём повышения плотности является увеличение числа слоёв в стековой структуре NAND. Компания SK Hynix сообщила, что она первой в мире приступила к производству 128-слойных чипов TLC NAND объёмом 1 Тб, используя 4D структуру. Конечно, инженеры не открыли четвёртое измерение, а просто разместили слой периферии под стеком 3D NAND.

128-слойные NAND чипы SK Hynix
128-слойные NAND чипы SK Hynix

С переходом на 128-слойные стеки компания может увеличить продуктивность на 40%, по сравнению с нынешней 96-слойной структурой. Кроме того, переход на новую технологию позволяет на 40% сократить себестоимость производства.

Компания планирует начать поставки 4D NAND памяти во второй половине этого года, обещая скорости передачи данных на уровне 1400 Мб/с при напряжении 1,2 В. Эти чипы окажутся крайне полезными для мобильных устройств.

Также компания сообщила, что планирует создавать собственные клиентские SSD объёмом до 2 ТБ на базе собственных контроллеров. Для корпоративного рынка SK Hynix будет разрабатывать накопители объёмом 16 ТБ и 32 ТБ.

Следующим шагом компании станет создание 176-слойных чипов NAND.

Сбой в электропитании WD привёл к недовыпуску шести экзабайт

Пара предприятий Toshiba Memory Corporation, входящих в состав Western Digital, столкнулась с отключением электропитания. Теперь компания отмечает, что это приведёт к потерям производства в объёме шести экзабайт в ближайшие несколько кварталов.

С ноября прошлого года цены на твердотельные накопители постоянно снижались, однако случившийся сбой электропитания может привести к росту. Авария произошла в японском регионе Йоккаити 15 июня. 13-минутное отключение привело к тому, что компании потребовалось две недели на то, чтобы оценить ущерб. Согласно отчёту, авария на электросетях повлияла как на оборудование, так и на производственные инструменты, используемые для выпуска пластин NAND, а последствия до сих пор не ликвидированы.

Weatern Digital
Weatern Digital

В связи с этим Western Digital предупредила своих заказчиков флеш-памяти, что в ближайшие кварталы недопоставка микросхем составит шесть экзабайт.

В компании также сообщили, что дефицит памяти будет наиболее остро ощущаться в ближайшие пару месяцев. Восстанавливать производство компания планирует «как можно скорее».