/ / flash-память
7994420702;horizontal

Новости про flash-память

Цены на NAND память должны снизиться #

2 мая 2017

Цены на твердотельную память типа NAND за последние месяцы заметно выросли, однако аналитики прогнозируют их снижение уже в текущем квартале.

Такое мнение выразил глава Phison Electronics Хеин Сен Пуа. Однако в третьем квартале цены вновь начнут расти, поскольку на конечном рынке вновь повысится спрос.

Переход производителей от технологии NAND 2D к 3D привёл к опустошению складских запасов и росту цены на чипы — отметил Пуа.

Глава Phison Electronics Хеин Сен Пуа

Кроме того, OEM производители неохотно поставляют свою продукцию, ведь на фоне растущей цены они только теряют деньги, увеличивая свои продажи. В результате складские запасы оптовых поставщиков истощились, и они начали предлагать устройства с меньшим объёмом памяти. К примеру, некоторые производители, преимущественно в Китае, вместо SSD объёмом 128 ГБ стали поставлять устройства с 96 ГБ. Пуа отметил, что дефицит коснулся даже eMMC устройств объёмом в 4 ГБ и 8 ГБ.

Руководитель компании выразил уверенность, что в ближайшее время цены на память скорректируются, однако уже в третьем квартале, на фоне спроса со стороны Apple iPhone и других новых смартфонов, они начнут расти.

Что касается поставщиков, то их склады заполнятся в мае и июне, когда производители начнут массово выпускать 3D NAND продукты. Уже в четвёртом квартале более половины всех чипов памяти будут изготовлены по 64-слойной 3D NAND технологии.

flash-память, NAND, прогнозы, рынок, финансы

«DigiTimes»

SK Hynix представила 72-слойную NAND #

29 апреля 2017

Компания SK Hynix первой в мире представила чипы стековой NAND памяти объёмом 256 Гб и высотой 72 слоя. Чипы построены на массивах памяти 3D NAND Flash по три уровня на ячейку (TLC).

В результате инженеры смогли разместить в полтора раза больше ячеек, чем в 48-слойных чипах, которые уже находятся в массовом производстве.

Модули памяти SK Hynix

Напомним, что SK Hynix выпустила 36-слойные чипы объёмом 128 Гб в августе прошлого года, а с ноября выпускает микросхемы с 48 слоями. Инженеры отметили сложность проделанной работы, сравнив её со строительством 4 миллиардов небоскрёбов высотой в 72 этажа каждый на одной площадке. Новые 256 Гб чипы имеют на 30% большую эффективность в производстве и на 20% большую производительность. В настоящее время на базе этой памяти SK Hynix разрабатывает NAND Flash решения для построения твердотельных накопителей и решений хранения данных для смартфонов.

Улучшая производительность, имея высокую надёжность и низкое потребление энергии, SK Hynix надеется сохранить за собой лидирующие позиции на рынке твердотельной памяти.

flash-память, Hynix, NAND


Toshiba готовит терабайтные чипы NAND #

11 марта 2017

Японская компания Toshiba сообщает о начале опытного производства продуктов на основе памяти NAND третьего поколения.

Новые 512 гигабитные чипы построены из 64 слоёв по технологии трёхуровневых ячеек хранящих по три бита на ячейку (TLC). Эти чипы станут частью модельного ряда продуктов BiCS FLASH.

Сейчас компания начала поставки опытных чипов объёмом 512 Гб, а их массовое производство компания начнёт во втором полугодии.

Новый флеш продукт обладает на 65% большей ёмкостью, по сравнению с прошлым поколением, в котором использовались 48 слоёв ячеек NAND. В дополнение к 512 Гб устройства линейка Toshiba BiCS FLASH будет включать 64-слойные 256 Гб решения, которые уже находятся в массовом производстве.

Toshiba

По словам Скотта Нельсона, старшего вице-президента подразделения памяти TAEC, «представление нами третьего поколения BiCS FLASH в паре с крупнейшим в промышленности 1 ТБ чипом заметно укрепляет наши позиции в качестве передового решения в области памяти, и мы продолжим развивать нашу 3D технологию для соответствия постоянно возрастающим требованиям рынка к объёму хранимых данных».

Таким образом, компания планирует выпустить по этой технологии микросхему, объёмом 1 ТБ.

Чип будет использоваться в накопителях для ЦОД, а также найдёт себе место в SSD продуктах, а значит, он будет достаточно дёшев для использования в игровых системах хай-энд уровня.

flash-память, NAND, Toshiba

«Fudzilla»

SanDisk представила флеш-накопитель с интерфейсом USB 3.1 #

2 марта 2017

Компания SanDisk представила сверхбыстрый портативный накопитель, получивший название Extreme PRO USB 3.1 Solid State Flash Drive.

Представленная флешка, как следует из названия, оснащена интерфейсом USB 3.1, который позволяет передавать данные на невероятных скоростях. Так, скорость записи накопителя составляет 380 МБ/с, а чтения — 420 МБ/с. Это значит, что полноценный фильм в 4K разрешении можно будет записать за 15 секунд.

SanDisk Extreme PRO USB 3.1 Solid State Flash Drive

Накопитель представлен в объёмах 128 ГБ и 256 ГБ. Также в комплекте разработчик поставляет утилиту SanDisk SecureAccess, обеспечивающую 128-битное сжатие и защиту паролей.

Накопитель собран в алюминиевом корпусе, защищающим её от истирания и повреждений. Устройство обратно совместимо с интерфейсами USB 3.0 и USB 2.0. Накопитель может работать в диапазоне температур от 0° С до +35° С.

Накопитель SanDisk Extreme PRO USB 3.1 Solid State Flash Drive можно приобрести за 150 долларов США за версию объёмом 128 ГБ и 255 долларов за флешку ёмкостью 256 ГБ.

flash-память, SanDisk, USB 3.1


В 2017 году продолжится дефицит памяти NAND #

30 января 2017

В течение 2017 года сохранится дефицит памяти NAND. Об этом сообщил Кхень Сен Пуа, глава тайваньской компании Phison Electronics, которая выпускает контроллеры для USB накопителей и карт памяти.

При этом спрос на память со стороны производителей ПК, серверов, автопроизводителей и потребительской электроники останется высоким. В то же время производители чипов переходят на 3D NAND процесс, что приводит к опустошению складов, отмечает Пуа.

Контроллер Phison

Изначально ожидалось, что дефицит NAND памяти ослабнет к концу 2016 году, однако поставки оказались ниже, чем прогнозировалось.

Несмотря на то, что прибыль Phison напрямую зависит от количества поставленных микросхем памяти, Пуа даёт для своей компании обнадёживающий финансовый прогноз.

flash-память, NAND, рынок

«DigiTimes»

7994420702;horizontal

Kingston представила самую ёмкую флешку #

10 января 2017

Компания Kingston представила новый флеш-накопитель, который хоть и не может похвастать малыми габаритами, зато примечателен ёмкостью хранимых данных.

Накопитель Kingston DataTraveler Ultimate Generation Terabyte (GT) представлен в двух версиях — объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. Его корпус размером 72x27x21 мм изготовлен из цинкового сплава. В целом, неплохо, ведь его габариты меньше, чем у портативных жёстких дисков аналогичного объёма.

Kingston DataTraveler Ultimate (GT)

Его цинковое шасси обладает высокой износостойкостью и надёжностью, обеспечивая работоспособность в диапазоне температур от -25 °C до 60 °C. Хранить же данные накопитель позволяет при температурах от -40 °C до 85 °C. К сожалению, Kingston ничего не сообщил о производительности накопителя, так что стоит полагать, что здесь разработчику хвастать нечем, и в DataTraveler Ultimate (GT) упор сделан на объём, а не скорость.

Накопитель Kingston DataTraveler Ultimate (GT) обеих версий использует интерфейс USB 3.0. Гарантия на флешку составляет 5 лет. Её поставки начнутся через месяц. О цене пока ничего не известно.

flash-память, Kingston

«Fudzilla»

Toshiba анонсирует eMMC память нового поколения #

5 ноября 2016

Компания Toshiba America Electronic Components представила обновлённую линейку NAND устройств Embedded Multimedia Card (e-MMC) и Universal Flash Storage (UFS).

В отличие от обычных накопителей, эти устройства содержат контроллеры и память в одном пакете, упрощая создание устройств.

Новые e-MMC устройства доступны в объёмах от 16 ГБ до 128 ГБ. Все они изготавливаются по нормам 15 нм процесса, что делает эти чипы одними из самых маленьких в мире. Последовательное чтение данных достигает 320 МБ/с, а запись — 180 МБ/с, что на 2—20% быстрее памяти Toshiba прошлого поколения. Скорость случайного же чтения выросла примерно на 100%, а записи — на 140%.

Память Toshiba e-MMC и UFS

В памяти UFS используется более широкий интерфейс связи MIPI M-PHY, что позволило в новых модулях увеличить скорость чтения до 850 МБ/с, а записи — 180 МБ/с. Микросхемы UFS построены на той же 15 нм NAND памяти и доступны в объёмах от 32 ГБ до 128 ГБ.

Компания Toshiba производит для своих накопителей не только память, но и контроллеры. Так, фирма разработала собственное аналоговое ядро M-PHY 3.0 и цифровое ядро UniPro 1.6, интегрируемые в UFS контроллер. В результате полученные микросхемы отвечают всем требованиям по скорости работы.

e-MMC, flash-память, NAND, Toshiba


SanDisk выпускает флеш-накопитель с коннекторами USB типа A и C #

8 июня 2016

По мере расширения использования портов USB типа С, не стоит удивляться и тому, что производители устройств также начинают его использовать.

Тем не менее, многие устройства хоть имеют порт USB 3.1, но он используется с коннектором типа A, что делает невозможным использование более продвинутых гаджетов. Во избежание возможных проблем физической несовместимости, компания SanDisk выпустила новый накопитель Ultra Dual Drive, который включает как коннектор USB типа A, пригодный для большинства устройств, так и типа C, который прекрасно подойдёт к современным ноутбукам и планшетным ПК. Чтобы выбрать штекер достаточно просто передвинуть слайдер в одну или другую сторону.

SanDisk Ultra Dual Drive

Представленный накопитель поддерживает USB 3.1, благодаря чему скорость его работы достигает 150 МБ/с во всех версиях, кроме младшей. В накопителе с самой маленькой ёмкостью скорость составляет 130 МБ/с.

Накопитель SanDisk Ultra Dual Drive доступен в объёмах 16 ГБ, 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ при цене 20, 30, 40 и 70 долларов соответственно. Примечательно, что это цены заявленные производителем, и в некоторых магазинах их можно будет приобрести даже дешевле.

flash-память, SanDisk, USB 3.1

«Neowin»

IBM готовит недорогую память #

28 мая 2016

Ветеран рынка вычислительной техники, компания IBM, объявила о значительных успехах в разработке нового типа динамической памяти со случайным доступом.

Память, получившая название фазопеременной, или PCM — phase-change memory, обеспечит более быстрый доступ к данным при меньшей стоимости. Разработчикам удалось достичь плотности в три бита на ячейку, что на 50% больше, чем у прототипа, представленного в 2011 году.

При работе PCM меняет состояние стеклоподобной подложки из аморфного состояния в кристаллическое, используя электрический заряд. Подобно NAND флеш, память PCM продолжает сохранять своё состояние при отключении питания, однако в отличие от нынешней технологии флеш, где доступ к ячейке занимает 70 мс, доступ к PCM занимает 1 мс.

Фазопеременная память IBM

Трёхбитная память обеспечит более быстрый доступ к твердотельным массивам накопителей, обеспечив ускорение в работе приложений. Также эта память может заменить DRAM в системах подобных базам данных, снизив стоимость технологии. По словам разработчиков, те производители, которые воспользуются трёхбитной PCM в смартфонах, смогут загружать их за 3 секунды.

Когда же эта память появится в конечных устройствах, IBM не уточняет. Частично из-за того, что ей потребуется найти партнёра, который примет память нового типа. Для налаживания коммерческого выпуска PCM потребуется минимум три года.

flash-память, IBM, оперативная память

«Fudzilla»

Western Digital теперь владеет SanDisk #

19 мая 2016

Компания Western Digital объявила о завершении сделки по приобретению производителя флеш-памяти, компании SanDisk, превратив одного из крупнейших производителей жёстких дисков в компанию, обладающую как технологиями записи на механические приводы, так и твердотельными накопителями.

Впервые информация о сделке по продаже SanDisk за 19 миллиардов появилась ещё в октябре. Однако в феврале китайская компания Unisplendour планировала приобрести 15% акций у WD, как часть процесса объединения. В результате сумма сделки была снижена до 16 миллиардов.

Western Digital

В ходе пресс-конференции, посвящённой сделке, руководство WD отметило, что процесс взаимной интеграции компаний начнётся незамедлительно. Нынешний исполнительный директор SanDisk Санджай Мехрота, а также её президент и сооснователь, займёт место в совете директоров WD.

Данная сделка выгодна обеим компаниям. Что касается SanDisk, то для неё эта сделка выгодна из-за снижения прибыли, вызванного постоянным удешевлением SSD, и растущей конкуренции со стороны Samsung и Micron, и заключённая сделка позволит использовать ресурсы и капитал WD для дальнейшего развития. Сама же WD теперь имеет лучшую базу для выхода на SSD рынок, по мере того как жёсткие диски начинают понемногу устаревать.

flash-память, HDD, SanDisk, SSD, Western Digital, рынок, финансы


Transcend представила карты microSD промышленного класса #

12 мая 2016

Компания Transcend Information Inc., мировой лидер в области накопителей, представила новый флеш продукт промышленного уровня — карты памяти SuperMLC microSD.

Позиционируясь между SLC и MLC NAND, эксклюзивная технология SuperMLC предлагает недорогое решение, близкое по скорости и надёжности к SLC NAND. Так, новые карты SuperMLC microSD обладают высокой производительностью, великолепной надёжностью и работоспособны в широком температурном диапазоне (от 40°C до 85°C), что делает их идеальным решением для применения в медицинских устройствах, системах жизнеобеспечения и терминалах оплаты.

Карты памяти Transcend SuperMLC microSD

В новых картах памяти Transcend перепрограммировала двухбитовые ячейки памяти MLC в один бит на ячейку, создав виртуальную SLC структуру и заметно повысив производительность. Так, скорость передачи данных в новых картах UHS-I Class 1 SuperMLC microSD может достигать 95 МБ/с, вдвое больше, чем в обычных MLC чипах. Правда, при этом пришлось пожертвовать объёмом, который стал вдвое меньшим. В целом, у разработчиков получилось достичь хорошего баланса между требуемым для промышленности качеством, скоростью и ценой.

Как сказано выше, новые карты обладают высокой надёжностью. Они способны выдержать 30 000 циклов перезаписи, что в 10 раз больше, чем MLC NAND. Также в карты встроена функция коррекции ошибок ECC и система диагностики S.M.A.R.T., что позволяет точно отслеживать техническое состояние накопителя, предотвращая потерю важных данных.

Карты памяти Transcend SuperMLC microSD доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ. Гарантия на накопители составляет 2 года. К сожалению, много рассказав о выгодной цене, производитель не сообщил конкретных цифр.

flash-память, NAND, Transcend, карта памяти


Team Group анонсирует флеш-накопитель сделанный из цинка #

23 апреля 2016

Поставщик запоминающих устройств, компания Team Group, анонсировала новый компактный USB флеш-накопитель, изготовленный из цинкового сплава.

Продолжая удовлетворять нужды клиентов во всех сферах, компания представила компактные прямоугольные накопители моделей Mini Block USB drive C157/C156 и AmaZinc USB drive C162/C161. В дизайне этих накопителей применён эффект противоположностей, использован прочный металл с мягким окрасом. Высококачественный и приятный на ощупь корпус из цинкового сплава придаёт ощущение дорогой вещи при надёжной длительной эксплуатации. Важным преимуществом также является бесколпачковая конструкция, исключающая возможность его утери.

Накопитель Team Group C157

В накопителях C157/C156 использованы интерфейсы USB 3.0 и USB 2.0 соответственно. Эти флешки представлены в версиях от 16 до 64 ГБ и от 8 до 64 ГБ. Их главными преимуществами являются не только высокая ёмкость, но и малый размер, который необходим в компактных системах, в частности, в автомагнитолах. Что касается C162/C161, то в них также используются интерфейсы двух поколений.

Накопитель Team Group C161

К сожалению, производитель ничего не сообщил о скоростях чтения и записи, развиваемыми накопителями. Также производитель ничего не сообщил и об их цене.

flash-память, Team Group, USB 3.0


Samsung начала производство 256 ГБ встраиваемой памяти #

18 марта 2016

Компания Samsung представила 256 ГБ чипы встраиваемой памяти, которые должны удовлетворить всем потребностям в хранении данных на мобильных устройствах.

Южнокорейский гигант отметил, что начал массовое производство памяти, основанной на стандарте Universal Flash Storage (UFS) 2.0, который вдвое быстрее устройств прошлого поколения UFS.

Таким образом, современные телефоны могут стать заметно быстрее. Дело в том, что скорость чтения с новых чипов вдвое быстрее, чем в типичных SATA SSD, и достигает 850 МБ/с. Правда, скорость записи немного ниже и может достигать 250 МБ/с.

UFS память Samsung объёмом 256 ГБ

По словам производителя, новая память позволит «бесшовно воспроизводить UltraHD видео», а при комбинации с технологией USB 3.0 обеспечит заметное ускорение в передачи данных на устройство.

Примечательно, что новый чип по размеру даже меньше карты micoSD, что облегчает его интеграцию в смартфоны, при том, что скорость работы такого устройства несравнимо выше, чем у съёмных решений.

Что касается внедрения, то Tame Apple Press уже заявила, что в первую очередь микросхемы памяти будут использованы в новых мобильных решениях Apple, но вполне возможно, что скоро мы их увидим и в некоторых смартфонах Samsung.

flash-память, Samsung

«Fudzilla»

Память SLC не надёжнее MLC #

10 марта 2016

На заре твердотельных накопителей в них использовалась память SLC с одним хранимым битом на ячейку. Позже появилась память MLC с двумя и TLC с тремя битами. Эта память стоит дешевле, но традиционно считается менее надёжной, по сравнению с SLC, которую продолжают использовать в SSD промышленного уровня.

Учёные из Университета Торонто совместно с Google провели исследование, в котором оценили надёжность работы твердотельных накопителей за последние 6 лет. Они установили, что SLC и MLC накопители служат практически равномерно. Исследование показало, что несмотря на заметно меньшую надёжность записи MLC, они вполне могут соперничать с SLC. Наибольшее количество отказов SSD было вызвано их старением, а не числом циклов перезаписи. Это в очередной раз показало, что сбои контроллера, прошивки, дефекты NAND намного чаще приводят к замене накопителя, ещё до того, как NAND память выйдет из строя из-за большого числа перезаписей.

NAND память Micron

Также согласно исследованию, показатель количества нескорректированных ошибок (Uncorrectable Bit Error Rate) не имеет смысла, в то время как общее число ошибок (Raw Bit Error Rate) очень важно. Таким образом, производители оказались очень консервативны в своих допущениях. За первые 4 года эксплуатации от 30 до 80% SSD получают как минимум один плохой блок, а от 2 до 7% накопителей получают как минимум один плохой чип. Исследователи подытожили, что при эксплуатации накопители не потеряют все свои данные одновременно, как при сбоях HDD, а будут страдать «забывчивостью», теряя небольшие участки данных.

Как известно, большинство SSD позволяют восстановить данные из сбойных блоков, так что такие отказы не будут иметь значимых последствий. Учёные провели исследование и на корпоративных SSD, которые эксплуатируются в более жёстких режимах, и единственный вывод, который можно из него  сделать— это то, что память SLC просто медленнее, но совершенно не надёжнее. В общем, используя SSD, вам стоит беспокоиться не о количестве циклов перезаписи, а о возрасте накопителя.

flash-память, NAND, SSD, исследования и наука

«Eteknix»

SanDisk выпускает карту microSD нового поколения #

25 февраля 2016

Компания SanDisk Corporation, мировой лидер в области твердотельных накопителей, представила самую быструю в мире карту памяти microSD.

Карта памяти, получившая название SanDisk Extreme PRO microSDXC UHS-II, предназначена для экшн камер, дронов и пользователей смартфонов, которые записывают огромные объёмы видеоданных.

Новая карта доступна в вариантах объёмом 64 ГБ и 128 ГБ, а скорость чтения с неё составляет неимоверные 275 МБ/с. Поддерживая Class 10 и UHS Speed Class 3 (U3), карта Extreme PRO прекрасно подходит для захвата Full HD и 4K Ultra HD видео. В комплект поставки также входит USB 3.0 кардридер для беспрецедентно быстрого копирования видео на компьютер.

Карта памяти SanDisk Extreme PRO microSDXC UHS-I

Карты SanDisk Extreme PRO microSDXC UHS-II обратно совместимы с устройствами UHS-I с соответствующим ограничением скорости. По словам разработчиков, накопитель может похвастать ударопрочностью, стойкостью к температурам, влагостойкостью и стойкостью к рентгеновскому излучению.

Карта памяти SanDisk Extreme PRO microSDXC UHS-II покрыта пожизненной гарантией. В продажу она поступит во втором квартале по цене 180 и 300 долларов США за модели ёмкостью 64 ГБ и 128 ГБ.

flash-память, SanDisk, карта памяти