Новости про Micron

Micron начинает массовое производство 16 Гб чипов DRAM по технологии 1z нм

Компания Micron объявила о своих достижениях в масштабировании памяти DDR4, достигнув объёма 16 Гб при использовании техпроцесса 1z нм.

Это значит, что кристаллы изготавливаются с размерами элементов от 13 до 10 нанометров. В компании сообщают, что новая память предлагает «заметно большую плотность», а также «значительное увеличение производительности при меньших затратах», по сравнению с поколением 1Y нм. Новая память предназначена для создания продуктов для настольных компьютеров (DDR4), мобильных компьютеров (LPDDR4) и графических продуктов (GDDR6). Также новая память будет использована в системах искусственного интеллекта, беспилотных автомобилях, 5G, мобильных устройствах, графической, игровой и сетевой инфраструктуре и серверах.

UFS-модуль от Micron
UFS-модуль от Micron

В Micron заявили, что 16 Гб чипы DDR4, изготовленные по 1z нм нормам обеспечивают снижение энергопотребления на 40%, по сравнению с продуктами объёмом 8 Гб.

Также компания сообщила о начале массового производства самой ёмкой (LPDDR4X) DRAM в мультичиповых пакетах на основе UFS (uMCP4). Эти пакеты разработаны для производителей мобильных устройств и позволяют обеспечивать смартфоны оперативной памятью до 16 ГБ в одном пакете.

Память Ballistix установила новый рекорд разгона DDR4

В пятницу мы сообщали о том, что Adata установила новый рекорд разгона ОЗУ, однако он продержался лишь пару дней, поскольку Micron смогла с лёгкостью обойти конкурентов, продемонстрировав производительность 5726 МТ/с.

Рекорд установлен на памяти Ballistix Elite 3600MT/s, игровом бренде компании Micron. Модули DDR4 удалось разогнать до 5726 МТ/с. Это на 79% больше спецификации JEDEC для 3200 МТ/с.

Оперативная память Ballistix
Оперативная память Ballistix

К сожалению, оверклокеры ничего не стали рассказывать о процессе установки рекорда. Отмечено, что задержки CAS были установлены на уровне CL24, как и в большинстве рекордных разгонов. В качестве платформы была выбрана материнская плата ASUS Maximus XI Apex с процессором Intel i7-8086K и охлаждением жидким азотом.

Также оверклокер Savvopoulos отметил, что Elite 3600 позволила установит рекорд очень легко: «Нас просто ошеломило, как удивительно легко было разгонять модули Ballistix Elite DDR4 3600 МТ/с. Другие модули, что мы разгоняли, были темпераменты и требовали тренировки и понижения температуры для повышения стабильности; но мы не ожидали, что Micron E-die намного лучше масштабируется на более высоких напряжениях и температурах. В общем, это было достаточно просто — подключи и работай».

Micron выпускает первый SSD на контроллере собственной разработки

Компания Micron выпустила новый твердотельный накопитель с интерфейсом NVMe, который предлагается в объёме от 256 ГБ до 1 ТБ.

По сравнению с прошлыми SATA накопителями, новая модель предлагает заметный прирост производительности. Накопитель Micron 2200 изготовлен в формате M.2 и подключается по шине PCIe. В его основе лежит память 3D TLC NAND, собственный ASIC контроллер памяти и прошивка к нему.

Говоря о скорости можно отметить, что Micron 2200 при последовательном доступе обеспечивает скорость чтения на уровне 3 ГБ/с и записи на скорости 1,6 ГБ/с. При случайном доступе чтение осуществляется на скорости 240 000 IOPS, а записи — 210 000 IOPS. Поэтому разработчики рекомендуют использовать эти SSD для вещания видео или его редактирования.

Твердотельные накопители Micron
Твердотельные накопители Micron

Для ускорения записи в накопителе применён высокопроизводительный кэш. Часто, для высокой скорости записи используют «кэш» на базе памяти SLC, хотя обычно это выделенная область памяти с доступом, как у SLC.

Кроме неплохой производительности новый накопитель обеспечивает самоуправление энергопотреблением, а температурный менеджмент хост-контроллера не позволяет перегреваться самому и нагревать окружающие компоненты платы.

Накопитель уже рассылается по магазинам, но, к сожалению, цена пока не называется.

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba
Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Micron анонсирует карту памяти объёмом 1 ТБ

Компания Micron Technology выпустила новый накопитель, который она назвала самой ёмкой в мире картой памяти microSD. Её объём составляет 1 ТБ.

Карта памяти Micron c200 1TB соответствует стандарту microSDXC UHS-I. В её основе лежит 96-слойная 3D NAND QLC память. В компании сообщили, что ожидают от QLC памяти скорейшего внедрения и снижения стоимости высокоёмких портативных накопителей для видео разрешением 4K, большого числа фотографий и игр на всём спектре мобильных устройств и камер.

Карта памяти microSDXC Micron c200 1TB
Карта памяти microSDXC Micron c200 1TB

Сообщается, что представленная карта соответствует классу производительности в приложениях A2, что делает её прекрасным решением для установки в Android-гаджет по технологии Android Adoptable storage, расширив встроенную память устройства на эту карту.

Накопитель Micron c200 1TB обеспечивает скорость чтения до 100 МБ/с, а записи — до 95 МБ/с, отвечая требованиям UHS-I Speed Class 3 и Video Speed Class 30. В продаже карта появится во втором квартале 2019 года.

Micron начинает массовое производство памяти LPDDR4X

Компания Micron приступила к массовому производству памяти LPDDR4X по технологии 10 нм класса.

Данная технология производства позволяет компании выпускать 12 Гб чипы. В компании уверяют, что эти LPDDR4X микросхемы потребляют на 10% меньше энергии, по сравнению с LPDDR4-4266, в связи с меньшим выходным напряжением. При этом пропускная способность остаётся неизменной — 4266 Мб/с, а уменьшение габаритов позволяет увеличить количество устанавливаемых в устройство чипов.

Чипы LPDDR4
Чипы LPDDR4

Новые микросхемы от Micron имеют объём 1,5 ГБ. Это меньше, чем предлагаемые конкурентами аналоги объёмом 2 ГБ, однако решения Micron намного дешевле в производстве. Другие производители уже достаточно давно выпускают подобную память, но лучше позже, чем никогда.

Чипы LPDDR4X от Micron уже доступны для заказа, что многие производители портативных устройств уже и сделали.

Crucial анонсирует NVMe SSD на базе QLC

Известный бренд потребительских накопителей Crucial, за которым стоит производитель памяти Micron Technology, анонсировал доступность накопителя Crucial P1.

Этот накопитель с интерфейсом NVMe PCIe основан на памяти QLC, что позволяет Micron создать устройства хранения большей ёмкости с меньшими затратами.

QLC NAND NVMe SSD Crucial P1
QLC NAND NVMe SSD Crucial P1

Производитель отмечает, что накопитель занял лидирующие позиции в своей категории. В тесте PCMark 8 при смешанной нагрузке P1 достигает 565 МБ/с с 5084 баллами, обойдя конкурентов в той же ценовой категории. Скорости последовательного чтения и записи составляют 2000/1700 МБ/с. Они достигаются благодаря ускорению записи с использованием уникальной технологии SLC кэша. Надёжность накопителя составляет 1,8 миллиона часов наработки или 200 ТБ записанных данных. Энергопотребление составляет 100 мВт.

Накопитель Crucial P1 доступен в объёме 1 ТБ. Гарантия на него составляет 5 лет.

Micron выкупит долю Intel в IM Flash Technologies

Компания IM Flash Technologies является совместным предприятием, которое организовали Intel и Micron для работы над созданием и продвижением твердотельной памяти. И теперь Micron намерена перевести его в свою собственность.

Сообщается, что сумма сделки составит 1,5 миллиарда долларов. При этом на конец августа стоимость части Intel оценивалась в 1 миллиард.

Изначально обе компании вложили в IM Flash Technologies по 1,2 миллиарда долларов. Было это в далёком 2006 году. Главным достижением совместного предприятия можно считать разработку и внедрение памяти 3D XPoint, которая нашла себе применение в ЦОД и высокопроизводительных компьютерах энтузиастов.

Логотип IM Flash Technologies
Логотип IM Flash Technologies

Что касается сделки, то в своих финансовых отчётах Micron уже считает данное СП консолидированным. Компания не считает, что проводимая сделка повлияет на финансовые результаты компании и снизит прибыль за 2019 фискальный год.

В июле оба производителя чипов договорилась о завершении совместной разработки технологии 3D XPoint и раздельном ведении операций. На основании прошлых соглашений, Micron продолжит продавать пластины с памятью 3D XPoint компании Intel в течение года после закрытия. Сама же IM Flash после закрытия сделки будет полностью принадлежать Micron.

Micron имеет более 50% брака в микросхемах QLC NAND

Компания Micron изготавливает микросхемы памяти 3D Xpoint совестно с Intel, а также производит более традиционную NAND память для SSD. Фирма, вместе с остальными лидерами рынка, перешла на выпуск QLC NAND памяти, но её выпуск идёт с большими потерями.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

SSD Intel 600p
SSD Intel 600p

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD, который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.

Промышленность DRAM столкнётся с перепроизводством в 2019 году

Рынок оперативной памяти по-прежнему остаётся высокоприбыльным, однако на фоне роста производства от Micron Technology и готовности китайских компаний Fujian Jin Hua Integrated Circuit и Innotron Memory (ранее известную как Hefei ChangXin) начать выпуск продукции, в 2019 году ожидается кризис перепроизводства, о чём сообщает DigiTimes.

Гиганты рынка, Samsung Electronics и SK Hynix, готовят изменить ориентированные на прибыль стратегии бизнеса, поскольку обе компании ожидают, что стремительный рост рынка памяти, который длится 2—3 года, закончится к концу текущего. При этом обе компании в ходе конференций с инвесторами сообщили, что продолжат наращивать складские запасы чипов.

Оперативная память Samsung
Оперативная память Samsung

После пикового 50,2% проникновения Samsung на рынке в IV квартале 2016 года, её доля продолжает снижаться. Эти изменения происходят в первую очередь за счёт роста прибыли Micron.

Ожидается, что мировой рынок DRAM достигнет пика в 104 миллиарда долларов США в 2018 году, после чего пойдёт снижение на 1,8% и 2,6% в 2019 и 2020 годах соответственно. Что касается рынков сбыта, то вместо сектора смартфона, лидирующего сейчас, всё больше памяти станет требовать автомобильная электроника.