Новости про Micron

Micron начинает массовое производство памяти LPDDR4X

Компания Micron приступила к массовому производству памяти LPDDR4X по технологии 10 нм класса.

Данная технология производства позволяет компании выпускать 12 Гб чипы. В компании уверяют, что эти LPDDR4X микросхемы потребляют на 10% меньше энергии, по сравнению с LPDDR4-4266, в связи с меньшим выходным напряжением. При этом пропускная способность остаётся неизменной — 4266 Мб/с, а уменьшение габаритов позволяет увеличить количество устанавливаемых в устройство чипов.

Чипы LPDDR4
Чипы LPDDR4

Новые микросхемы от Micron имеют объём 1,5 ГБ. Это меньше, чем предлагаемые конкурентами аналоги объёмом 2 ГБ, однако решения Micron намного дешевле в производстве. Другие производители уже достаточно давно выпускают подобную память, но лучше позже, чем никогда.

Чипы LPDDR4X от Micron уже доступны для заказа, что многие производители портативных устройств уже и сделали.

Crucial анонсирует NVMe SSD на базе QLC

Известный бренд потребительских накопителей Crucial, за которым стоит производитель памяти Micron Technology, анонсировал доступность накопителя Crucial P1.

Этот накопитель с интерфейсом NVMe PCIe основан на памяти QLC, что позволяет Micron создать устройства хранения большей ёмкости с меньшими затратами.

QLC NAND NVMe SSD Crucial P1
QLC NAND NVMe SSD Crucial P1

Производитель отмечает, что накопитель занял лидирующие позиции в своей категории. В тесте PCMark 8 при смешанной нагрузке P1 достигает 565 МБ/с с 5084 баллами, обойдя конкурентов в той же ценовой категории. Скорости последовательного чтения и записи составляют 2000/1700 МБ/с. Они достигаются благодаря ускорению записи с использованием уникальной технологии SLC кэша. Надёжность накопителя составляет 1,8 миллиона часов наработки или 200 ТБ записанных данных. Энергопотребление составляет 100 мВт.

Накопитель Crucial P1 доступен в объёме 1 ТБ. Гарантия на него составляет 5 лет.

Micron выкупит долю Intel в IM Flash Technologies

Компания IM Flash Technologies является совместным предприятием, которое организовали Intel и Micron для работы над созданием и продвижением твердотельной памяти. И теперь Micron намерена перевести его в свою собственность.

Сообщается, что сумма сделки составит 1,5 миллиарда долларов. При этом на конец августа стоимость части Intel оценивалась в 1 миллиард.

Изначально обе компании вложили в IM Flash Technologies по 1,2 миллиарда долларов. Было это в далёком 2006 году. Главным достижением совместного предприятия можно считать разработку и внедрение памяти 3D XPoint, которая нашла себе применение в ЦОД и высокопроизводительных компьютерах энтузиастов.

Логотип IM Flash Technologies
Логотип IM Flash Technologies

Что касается сделки, то в своих финансовых отчётах Micron уже считает данное СП консолидированным. Компания не считает, что проводимая сделка повлияет на финансовые результаты компании и снизит прибыль за 2019 фискальный год.

В июле оба производителя чипов договорилась о завершении совместной разработки технологии 3D XPoint и раздельном ведении операций. На основании прошлых соглашений, Micron продолжит продавать пластины с памятью 3D XPoint компании Intel в течение года после закрытия. Сама же IM Flash после закрытия сделки будет полностью принадлежать Micron.

Micron имеет более 50% брака в микросхемах QLC NAND

Компания Micron изготавливает микросхемы памяти 3D Xpoint совестно с Intel, а также производит более традиционную NAND память для SSD. Фирма, вместе с остальными лидерами рынка, перешла на выпуск QLC NAND памяти, но её выпуск идёт с большими потерями.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

SSD Intel 600p
SSD Intel 600p

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD, который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.

Промышленность DRAM столкнётся с перепроизводством в 2019 году

Рынок оперативной памяти по-прежнему остаётся высокоприбыльным, однако на фоне роста производства от Micron Technology и готовности китайских компаний Fujian Jin Hua Integrated Circuit и Innotron Memory (ранее известную как Hefei ChangXin) начать выпуск продукции, в 2019 году ожидается кризис перепроизводства, о чём сообщает DigiTimes.

Гиганты рынка, Samsung Electronics и SK Hynix, готовят изменить ориентированные на прибыль стратегии бизнеса, поскольку обе компании ожидают, что стремительный рост рынка памяти, который длится 2—3 года, закончится к концу текущего. При этом обе компании в ходе конференций с инвесторами сообщили, что продолжат наращивать складские запасы чипов.

Оперативная память Samsung
Оперативная память Samsung

После пикового 50,2% проникновения Samsung на рынке в IV квартале 2016 года, её доля продолжает снижаться. Эти изменения происходят в первую очередь за счёт роста прибыли Micron.

Ожидается, что мировой рынок DRAM достигнет пика в 104 миллиарда долларов США в 2018 году, после чего пойдёт снижение на 1,8% и 2,6% в 2019 и 2020 годах соответственно. Что касается рынков сбыта, то вместо сектора смартфона, лидирующего сейчас, всё больше памяти станет требовать автомобильная электроника.

Micron говорит о 20 Гб/с для GDDR6

Похоже, что компания Micron сможет с лёгкостью обойти стандарт JEDEC, где указывается пропускная способность GDDR6 в 14 Гб/с. Чтобы достичь 20 Гб/с нужно будет немного повысить напряжение.

Согласно свежему исследованию Micron, названному «16 Гб/с и больше с SingleEnded I/O в высокопроизводительной памяти для графики», память GDDR6 можно легко масштабировать со скорости 16,5 Гб/с при помощи «маленького, но полезного подъёма напряжения при вводе-выводе». Так можно достичь скорости 20 Гб/с, по крайней мере, на бумаге.

Офис Micron
Офис Micron

Также документ гласит, что результат в 16,5 Гб/с демонстрирует полную функциональность DRAM, которая может быть резко поднята ограничением таймингов непосредственно в массиве памяти, а скорость в 20 Гб/с была достигнута переводом памяти в специальный режим работы, который использует только ввод-вывод, обходя массив памяти.

Конечно, в ближайшее время мы не увидим памяти GDDR6 со скоростью 20 Гб/с. Недавно Samsung анонсировала память GDDR6 со скоростью 18 Гб/с. В любом случае, даже 14 Гб/с память даст значительный прирост в производительности видеокарт.

Micron начинает массовое производство памяти GDDR6

Компания Micron Technology анонсировала начало массового производства 8 Гб микросхем памяти GDDR6, которая оптимизирована для нагрузок, характерных для быстрого обмена данными, включая, искусственный интеллект, сетевые устройства, автомобильную электронику и графические платы.

Кроме этого Micron ведёт работу с ключевыми партнёрами экосистемы по разработке документации GDDR6 и взаимодействию, обеспечивая более быстрый выход памяти на рынок.

Память GDDR6 от Micron
Память GDDR6 от Micron

Данная работа велась как на этапе разработки, так и на этапе валидации продукции. Память нового типа обеспечит значительный прирост производительности при снижении энергопотребления.

Micron и Intel создают терабайтный QLC 3D NAND чип

Компании Intel и Micron продолжают укреплять своё сотрудничество, плодом которого стала 3D память NAND, хранящая по 4 бита на ячейку.

Партнёрам удалось создать 64-слойную структуру, достигнув плотности 1 Тб на ядро, что является самым плотным решением среди всей флеш-памяти в мире.

Micron
Micron

Также компании сообщили о разработке третьего поколения памяти 3D NAND представленной 96 слоями. Она обеспечит 50% увеличение числа слоёв и сохранит союзу Intel/Micron место на передовой NAND технологий.

Обе анонсированные технологии используют методику CuA — CMOS under the array, которая сокращает размер ядра и распараллеливает потоки подключения, позволяя увеличить количество одновременно считываемых и записываемых ячеек.

DDR5 появится в 2020 году

Ассоциация JEDEC этим летом должна завершить спецификацию памяти DDR5. Несмотря на это некоторые производители уже имеют промышленные образцы памяти этого типа.

Изначально, память DDR5 должна иметь частоту в диапазоне от 4400 МГц до 6400 МГц. Однако главным изменением в этой памяти станет не производительность, а объём. Ожидается, что каждое ядро микросхемы будет иметь объём до 32 Гб.

Прототип DDR5 от Cadence
Прототип DDR5 от Cadence

Дело в том, что на рынке имеется высокий спрос на память, и современные задачи требуют большого объёма ОЗУ. Однако серверы физически могут работать лишь с ограниченным количеством модулей. Новый стандарт позволит производителям изготавливать микросхемы объёмом 16 Гб и 32 Гб со встроенной коррекцией ошибок. То есть подсистема памяти получит собственную ECC. Стандарт призван оптимизировать внутреннюю сегментацию и уменьшить тайминги. Кроме увеличения ёмкости ядра до 32 Гб память DDR5 унифицирует создание стеков, что облегчит производителям создание многоядерных чипов.

Пока использование памяти DDR5 видится только в серверах. Ожидается, что первое применение памяти DDR5 произойдёт в 2019/2020 годах, а её внедрение окажется стремительным. В Cadence, имеющей работающие чипы памяти нового типа, считают, что DDR5 обойдёт DDR4 к 2020 году.

Samsung, SK Hynix и Micron обвиняются в сговоре

В течение 2017 года мы наблюдали рост цен на чипы оперативной и NAND. Каждый раз обозреватели говорили о растущем спросе и дефиците, ведущему к подорожанию, однако люди всё равно продолжали приобретать память.

В конце года экономический регулятор Китая начал расследование касательно высокой стоимости памяти. Теперь же и другие агентства решают присоединиться к процессу, подав иск на Samsung, SK Hynix и Micron.

Эти три компании являются крупнейшими производителями DRAM. Иск подан адвокатской конторой Hagens Berman в Калифорнии. Согласно этому иску все три компании обвиняются в коллективном ограничении поставок и незаконном раздувании цены.

Микросхема памяти Micron

В качестве доказательства иск приводит скачки цен на память в прошлом году, в результате которых цены на DRAM выросли на 47%, считая эти изменения неслучайными.

Стив Берман, один из адвокатов, сделал заявление: «То, что мы нашли на рынке DRAM — классическая монополия, схема фиксации цены, с малым количеством лидирующих корпораций держащих львиную долю рынка. Вместо игры по правилам, Samsung, Micron и Hynix решили придушить клиентов, выдавив из рынка больше прибыли».

Что касается самих виновников дела, то пока ни Micron, ни Samsung, ни SK Hynix не дали своих комментариев.