7994420702;horizontal

Новости про Micron

GeForce GTX 1070 нуждается в обновлении BIOS #

22 октября 2016

Некоторые владельцы видеокарт NVIDIA GeForce GTX 1070 столкнулись с проблемами мерцания изображения и плохим разгоном памяти. Оказалось, что беспроблемными являются лишь видеоплаты, оснащённые чипами Samsung.

Те же производители, которые решили использовать микросхемы Micron, уже, вероятно, пожалели о своём решении.

Попытки разгона памяти Micron на видеокартах GTX 1070 приводят к появлению «шахматки» на изображении. Некоторые же пользователи утверждают, что наблюдают периодическое мерцание или графические артефакты даже при настройках по умолчанию.

GeForce GTX 1070

Для решения этой проблемы многие производители приступили к обновлению прошивки видеокарт, которая позволит увеличить напряжение питания микросхем GDDR5.

Такие бренды как EVGA, Gainward и Palit уже выпустили новый BIOS. Компании ASUS, Inno3D, KFA2/Galaxy, MSI, PNY и Zotac пока не завершили над ним работу. Что касается Gigabyte, то эта компания не использовала память Micron в своих видеокартах.

BIOS, GeForce GTX 1070, Micron, Samsung, видеокарты, видеопамять

«Fudzilla»

Crucial выпускает память NVDIMM #

24 июня 2016

Компания Crucial (Micron) выпустила модули памяти NVDIMM для серверов. Интересными эти модули делают то, что они объединяют микросхемы DRAM и NAND на одной планке.

Таким образом, эти модули работают как оперативная память, однако в случае отключения питания, все данные оказываются сохранёнными в энергонезависимой памяти.

Crucial NVDIMM

Модули NVDIMM содержат энергонезависимую память, которая помещается в обычные слоты серверов DDR4. Модули с 288 контактами обеспечивают скорость 2133 МТ/с и пропускную способность в 17 ГБ/с. Память работает на стандартизованном JEDEC напряжении в 1,2 В.

Crucial NVDIMM

При сбое по питанию или иному прерыванию нормальной работы системы, контроллер переводит сигналы в модуль, и таким образом данные из ОЗУ переносятся в энергонезависимую память. При восстановлении питания контроллер записывает данные обратно в системную память, и весь сервер может продолжать работу, как и до выключения. Производитель продаёт NVDIMM в виде отдельных модулей и в форм факторе 2,5”, «объединённым с конденсатором PowerGem от AgigA Tech, который постоянно поддерживает питание DIMM при сбоях».

Crucial NVDIMM

Сейчас Crucial предлагает только модули объёмом 8 ГБ. Версия ёмкостью 16 ГБ будет представлена немного позднее.

Crucial, DDR4, Micron, NAND, NVDIMM


Цена на DRAM может упасть на 40% #

31 марта 2016

Производители оперативной памяти, включая Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology, после перехода на более тонкие техпроцессы производства, смогли увеличить ёмкости пластин, а значит, и объёмы выпуска, что по мнению президента Пеи Ин Ли Nanya Technology, тайваньского производителя памяти, может повлечь снижение цены во втором полугодии.

Ли отметил, что со стороны крупных производителей ОЗУ начнётся ценовой прессинг, который расширится и на остальные рынки памяти, включая память для мобильных устройств, серверов и бытовых гаджетов. При этом компания считает, что амплитуда удешевления не будет столь экстремальной, какой она была в первом квартале.

Память Samsung

Во втором полугодии господин Ли ожидает, что спрос на чипы DRAM будет выше, чем в первом, однако условия рынка будут менее понятными, а цена будет зависеть от того, насколько быстро Samsung, Hynix и Micron нарастят мощности.

Он отмечает, что возможно падение цены на 20—30%, однако если производство быстро наберёт обороты, можно ожидать снижения цены на 25—40%. При этом Ли отметил, что в прошлом году цена на DRAM снизилась на 20—30%.

Hynix, Micron, Samsung, аналитика, оперативная память, прогнозы

«DigiTimes»

Micron начинает опытные поставки GDDR5X #

28 марта 2016

Компания Micron, опережая график, начала поставки опытных микросхем памяти GDDR5X своим клиентам, в первую очередь — NVIDIA. Изначально компания планировала наладить опытное производство лишь летом этого года.

Производитель памяти сможет предложить микросхемы памяти объёмом 8 и 16 гигабит, которые будут использоваться наборами по 8 штук для оснащения видеоплат памятью объёмом 8 ГБ и 16 ГБ. Согласно имеющимся слухам, видеокарты GeForce GTX 1070 и 1080 (если они действительно будут иметь такое название) получат по 8 ГБ VRAM.

Micron

Память GDDR5X по сути отличается от нынешней GDDR5 лишь чтением/записью 64 байт за один цикл доступа к ячейке, что вдвое больше, чем используется сейчас. Такой подход, теоретически, должен удвоить пропускную способность графической памяти. Ранние презентации показывают, что доработанная память способна передавать данные на скорости до 10—12 Гб/с, а в будущем это число вырастет до 16 Гб/с. Современные видеоадаптеры хай-энд класса обладают скоростью передачи данных равной 400 ГБ/с, а с использованием GDDR5X эта цифра вырастет до 800—1000 ГБ/с — более чем в два раза, что сопоставимо с памятью HBM.

Динамика скорости памяти DDR

Главным преимуществом обработки 64 байт/доступ в GDDR5X является отсутствие необходимости изменения конструкции памяти. Необходимо лишь изменить её контроллер, поэтому такое решение выглядит крайне привлекательным с финансовой стороны.

GDDR5X, Micron, видеопамять


Micron сообщила об успехах в производстве GDDR5X #

16 февраля 2016

Крупнейший производитель видеопамяти, Micron Technology, сообщила о первых результатах работ по началу выпуска памяти стандарта GDDR5X, и результаты выглядят превосходно.

По словам компании, ей удалось получить на заводе правильно работающую микросхему намного раньше, чем ожидалось. Отмечается, что изготовленные образцы уже развиваются скорость в 13 Гб/с. Как известно, ожидаемая скорость работы памяти видеопамяти нового типа составит от 10 до 14 Гб/с, и именно поэтому полученный результат компания назвала «невероятно многообещающим».

GDDR5X

Первые микросхемы GDDR5X компания Micron произвела по 20 нм техпроцессу, а их объём составляет 8 Гб (1 ГБ). Компания планирует приступить к массовому производству чипов GDDR5X уже этим летом, однако весной будет объявлен срок начала опытного производства.

Учитывая первичные успехи, Micron даже выразила предположение, что конечные продукты будут иметь скорость, превышающую 14 Гб/с. Звучит заманчиво.

Ассоциация JEDEC стандартизовала обновлённую графическую память GDDR5X всего несколько недель назад, поэтому столь быстрый выпуск работающих образцов не может не удивлять.

GDDR5X, Micron, видеопамять


7994420702;horizontal

SanDisk хочет себя продать? #

19 октября 2015

В Сети стали появляться слухи о компании SanDisk, которая начала работать с банком, название которого не разглашается, с целью оценки возможности продажи бизнеса.

Люди близкие к компании заявили Bloomberg, что потенциальными покупателями компании могут стать Micron и Western Digital, однако финальное решение пока не принято. Компания SanDisk является одним из крупнейших производителей NAND флеш памяти. Для заключения сделки фирме наверняка потребуется разрешение партнёра — Toshiba.

SanDisc

Учитывая слухи о продаже, цена на акции SanDisk выросла на 11,22% до 68,70 долларов. Теперь рыночная стоимость компании составляет 14,04 миллиарда долларов США.

Аналитики считают, что наиболее выгодной эта сделка станет для WD, которая сможет с лёгкостью обеспечить себе уверенное присутствие на рынке SSD. Дипон Нэг, аналитик Macquarie Group Ltd., сообщил, что общая сумма сделки должна составить для WD порядка 15 миллиардов долларов. Он также отметил, что такое приобретение будет выгодно и для Micron, однако у последней могут возникнуть проблемы с её партнёром, компанией Intel.

Micron, SanDisk, Western Digital, рынок, слухи, финансы

«Bloomberg»

Micron приобретает Tidal Systems #

8 октября 2015

Компания Micron, входит в тройку крупнейших производителей памяти. И чтобы конкурировать с лидерами рынка, Samsung и SK Hynix, она решила приобрести Tidal Systems, что даёт Micron права собственности на все разработки SSD контроллеров. Отныне компания Micron может выпускать SSD полностью собственной разработки.

Не смотря на то, что сумма сделки с Tidal Systems неизвестна, для Micron она является жизненно важной, ведь только так фирма сможет выдержать конкуренцию с Samsung. Теперь, когда все три компонента SSD изготавливаются Micron, она может выпустить в продажу эксклюзивные продукты, причём делать это быстрее и без накладок. Кроме того, наличие собственной команды разработчиков контроллеров и прошивок, Micron получит больше контроля над процессом OEM валидации.

SSD Micron

Нет сомнений, что интеграция собственного контроллера во все продукты компании потребует больших затрат времени. Кроме того, после таких сделок, как правило, свои должности покидают лучшие специалисты. По опыту других подобных приобретений известно, что наём новых людей не всегда проходит гладко, так что теперь главная задача, стоящая перед Micron — интеграция новых разработок в существующий портфель фирмы.

Micron, SSD, контроллер памяти, рынок


Micron начинает поставки 20 нм памяти GDDR5 #

2 июля 2015

Компания Micron Technology в ходе отчётной конференции по результатам 3-го квартала 2015 финансового года сообщила, что начинает поставки чипов памяти GDDR5, которые основаны на технологии производства 20 нм класса.

Компания сообщила, что начинает поставки 8 Гб (1 ГБ) микросхем памяти GDDR5.

Ранее компания сообщала о приобретении ею японского производителя памяти Elpida, который также выпускал графическую память для видеокарт, ноутбуков и игровых консолей. Рынок памяти GDDR5 был пересыщен такими компаниями как Samsung и SK Hynix, в то же время сам стандарт памяти понемногу устаревает.

Микросхема памяти Micron

Как известно, AMD в новом поколении GPU хай-энд класса решила использовать стековую память HBM. Её конкурент, фирма NVIDIA, должна внедрить стековую память в картах с графическими процессорами архитектуры Pascal. Однако, не смотря на новшества, видеоплаты с памятью GDDR5 будут продаваться ещё долгие годы, точно так же, как до сих пор можно встретить ускорители с памятью DDR3.

20 нм, EVGA, GDDR5, Micron, видеопамять


Intel и Micron обещают SSD объёмом 10 ТБ #

8 апреля 2015

Как известно, Toshiba и SanDisk совсем недавно представили свои 128 Гб модули NAND состоящие из 48 слоёв. Их главные конкуренты, Intel и Micron, пока заметно отстают от них в количестве слоёв. Эти компании анонсировали лишь 32-слойную архитектуру чипа, однако им удалось значительно продвинуться в плотности микросхем.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC конфигурации, и 384 битный в TLC конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

32 слойная MLC память NAND от Intel

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

flash-память, Intel, Micron, NAND

«Bit-tech»

Micron и Seagate создали стратегический альянс #

25 февраля 2015

Компании Micron Technology, Inc., и Seagate Technology анонсировали стратегическое соглашение, которое устанавливает структуру, комбинирующую инновации и опыт обеих компаний.

Образованная в результате соглашения структура позволит клиентам обеих компаний получить преимущества от концентрации усилий по обеспечению лучших в отрасли решений в области хранения данных, помогая им более быстро и эффективно внедрять инновации.

Seagate и Micron

Несмотря на то, что изначально данное сотрудничество сфокусировано на стратегических поставках NAND и SAS SSD следующего поколения, в Micron и Seagate надеются, что это многолетнее соглашение перерастёт в будущее сотрудничество в работе над решениями для корпоративного рынка, благодаря поддержке технологии NAND flash памяти от Micron. Президент по общемировым операциям с продукцией EMC Corporation Майк Кероуак заявил: «Мы смотрим в будущее на преимущества от этого сотрудничества Micron и Seagate, в будущее технологий хранилищ на основе NAND flash».

«Сотрудничество приведёт как Seagate, так и Micron, к цели роста корпоративного рынка флэш-памяти с лучшим в отрасли предложением из наших обоих портфелей продукции», — заявил Дэррен Томас, вице-президент Micron по накопителям. Он добавил: «Данные отношения обеспечат Micron доступ к технологии корпоративных приводов и платформ, расширив наш портфель и ускорив наше продвижение в сегмент корпоративного рынка».

flash-память, Micron, NAND, Seagate, SSD, рынок


Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4 #

9 декабря 2014

Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Микросхемы памяти Samsung LPDDR4

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

DDR4, Hynix, LPDDR, Micron, Qualcomm, Samsung, оперативная память, смартфон

«Fudzilla»

Micron выпустит 16 нм NAND память в 4 квартале #

18 апреля 2014

Компания Micron сообщила о том, что готовится запустить производство 16 нм TLC NAND памяти в четвёртом квартале этого года.

Пока неизвестно, когда компания планирует начать выпуск SSD на основе TLC памяти, но Марк Дюркан, исполнительный директор и президент Micron, предположил, что массовый выпуск TLC памяти вряд ли произойдёт до 2015 года.

Чипы флеш-памяти Micron

И хотя сейчас память TLC уже выпускается, объёмы этого производства скорее можно считать опытными. Этот новый тип памяти обещает быть более выгодным в производстве по сравнению с MLC NAND, однако заметно менее долговечным.

«Первоначальным применением для 16 нм TLC компонентов станет потребительское и розничное направления», — заявил Марк Дюркан. «До сегодняшнего дня никто не достиг большого успеха даже в клиентской сфере использования TLC памяти, и я думаю, что необходимо, чтобы коррекция ошибок и возможности обеспечения достаточной надёжности TLC были воплощены для поставки в сектор SSD. Но мы всё ещё думаем, что это произойдёт где-то в 2015 календарном году, и мы не видим, что это может случиться в масштабе 2014 года».

16 нм, flash-память, Micron, NAND


Samsung увеличивает производство 25 нм DRAM #

20 февраля 2014

Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Samsung DDR3

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

25 нм, Hynix, Micron, Samsung, аналитика, оперативная память, производство

«DigiTimes»

Micron представила 16 нм технологию производства флэш-памяти #

24 июля 2013

Компания Micron Technology анонсировала начало опытного производства чипов NAND памяти по техпроцессу нового поколения с размером элементов 16 нм, обеспечив, таким образом, выпуск самых маленьких устройств с MLC NAND памятью объёмом 128 Гб.

В настоящее время 16 нм техпроцесс является не просто самым совершенным при производстве чипов памяти, но и самым тонким процессом производства микросхем вообще. Таким образом, Micron ещё более утвердилась на позиции лидера в производстве чипов.

Представленные 128 гигабитные устройства предназначены для применения в потребительских SSD, переносных накопителях (USB флэшки и карты памяти), планшетных ПК, ультратонких устройствах, мобильных телефонах и облачных хранилищах в ЦОД. Новая 128 Гб NAND память может предложить самую высокую плотность данных на квадратный миллиметр при самой низкой стоимости по сравнению с любыми MLC чипами. Фактически, новая технология позволяет создавать ёмкости почти в 6 ТБ на одной кремниевой пластине.

128 Гб чип Micron

По поводу выпуска новой технологии вице-президент Micron NAND Solutions Group Глен Хок, вслед за словами благодарности своей «команде инженеров, которая безустанно трудилась над самой маленькой и самой совершенной в мире технологией производства флэш», заявил: «Снижение стоимости всегда будет фундаментальным процессом для NAND индустрии». Так что новая технология действительно позволит понизить цену на флэш-накопители.

Сейчас компания Micron изготавливает 16 нм образцы 128 Гб MLC NAND, при этом полноценное производство начнётся в четвёртом квартале этого года. Кроме памяти компания также разрабатывает SSD накопители на базе новых микросхем, которые должны поступить в продажу в 2014 году.

16 нм, flash-память, Micron, NAND, производство


Micron представила самое маленькое 128 Гб флэш-устройство #

20 февраля 2013

Компания Micron Technology представила самое маленькое в мире устройство на флэш-памяти NAND объёмом 128 гигабит, при производстве которого использовался 20 нм техпроцесс.

Новый чип позволяет хранить три бита информации на ячейку, что, как известно, называется технологией TLC (triple-level-cell), а это в свою очередь позволяет создать невероятно компактные решения по хранению данных.

Имея площадь в 146 мм2, новое 128 Гб TLC устройство на четверть меньше, чем аналогичный 20 нм чип Micron, но изготовленный по технологии многоуровневых (а по сути двухуровневых) ячеек (MLC).

Micron

Новый чип нацелен на рынок недорогих сменных накопителей (флэш карты и USB брелки). Ожидается, что эти микросхемы займут в 2013 году 35% (по объёму данных) всей продукции компании для таких накопителей. Сейчас же речь идёт лишь об опытных образцах 128 Гб TLC NAND памяти. Массовое же производство запланировано на второй квартал.

«Это самое маленькое, самое высокоёмкое устройство на флэш-памяти NAND на рынке. Оно открывает новый класс потребительских устройств хранения данных», — заявил Глен Хок (Glen Hawk), вице-президент Micron NAND Solutions Group. «Каждый день мы изучаем новые и инновационные способы использования флэш накопителей, укрепляя энтузиазм и возможности Micron. Мы нацелены на расширение нашего портфеля лидирующих решений флэш накопителей, которые служат нашим проводником к клиентской базе».

20 нм, Flash, flash-память, Micron, NAND


Micron приобретает Elpida #

3 июля 2012

Будущее компании Elpida выглядело очень мрачным. Многие предсказывали разделение компании и распродажу её по частям. Однако сейчас появилась официальная информации о том, что американская фирма Micron приобретает компанию Elpida, имея большие планы по собственному расширению.

В мая месяце Micron получили эксклюзивное право на участие в торгах после того, как они пообещали не отказываться от японской рабочей силы. Теперь же сообщается, что сделка завершена и Micron заплатит 200 млрд. иен — порядка 2,5 млрд. долларов. При этом около 140 млрд. сразу уйдут на погашение долгов фирмы, что означает, что 67% из 420 млрд. всех кредитов Elpida не будут погашены. Остальная сумма транша пойдёт на выплату долгов подрядчикам и контрактным партнёрам компании.

Память DDR3 производства Elpida

После того, как Micron получит контроль над Elpida, первая компания займёт второе место в мире по объёмам производства DRAM. Кроме того, Micron заявляет о планах по вложению дополнительных 100 млрд. иен в старые производства японской компании. Это позволит увеличить производство памяти для мобильных устройств, таких как LPDDR, LPDDR2 и недавно анонсированной LPDDR3.

До тех пор, пока не будет опубликован пресс-релиз, сделка не будет считаться официальной.

Elpida, Micron, оперативная память, рынок, финансы


Micron представили первый модуль памяти DDR4 #

11 мая 2012

В настоящее время члены JEDEC приводят множество аргументов при обсуждении времени выпуска памяти стандарта DDR4. Одни считают, что это должно произойти уже в следующем году, другие предлагают повременить ещё два года, а между тем, Micron начали выпуск первых опытных модулей памяти DDR4, работающих на частоте 2400 МГц.

Сообщается, что компания уже начала поставки первых инженерных образцов «полнофункциональных модулей DDR4 DRAM» в форм-факторе DIMM своим основным клиентам. Это означает, что Micron будет готов к массовому производству нового типа памяти уже в 2013 году.

Основным преимуществом DDR4 является снижение энергопотребления при повышении производительности, по сравнению с памятью современного стандарта. Представленный образец был разработан в сотрудничестве с тайваньской компанией Nanya (входящей в конгломерат Formosa Plastics) с использованием 30 нм технологического процесса Micron.

Память Micron DDR4

Восемь четырёхгигабитных (512 МБ) чипов DDR4 в одном модуле обещают увеличить плотность памяти до 8 ГБ на один DIMM модуль, таким образом, мейнстрим системы смогут иметь объём ОЗУ равный 32 ГБ, а топовые, в будущем — до 128 ГБ. Micron использует чипы с 8-ю, 16-ю и 32-я ножками, сами же чипы способны производить от 2,4 до 3,2 млрд. переключений в секунду. Это значит, что в ближайшее время компания представит модули с эффективной частотой 3,2 ГГц.

Главный игрок рынка вычислений, компания Intel, не планирует переход на память DDR4 ранее 2014 года. Первым чипом, который будет поддерживать память этого типа, будет серверный Haswell-EX. Настольные же ПК должны получить поддержку DDR4 только в 2015 году вместе с Broadwell, 14 нм версией Haswell.

Казалось бы, что если такая компания как Intel не заинтересована в продвижении стандарта, то Micron зря так рано начали работу над этим проектом. Но к счастью для производителей памяти, такие компании как AMD, NVIDIA, Qualcomm и TI не разделяют мнение гиганта и могут начать поддержку DDR4 уже в 2013 году.

30-нм, DDR4, Micron, аналитика, оперативная память, производство

«VR-Zone»

Micron предлагает за Elpida 1,5 млрд. долларов #

27 марта 2012

Согласно имеющимся слухов промышленников, компания Micron выглядит потенциальным победителем в битве за обанкротившуюся компанию Elpida.

В то время, пока Toshiba и Globalfoundries рассуждают о вступлении в процесс торгов, Micron уже предложила за компанию от 1,3 до 1,5 млрд. долларов США.

Основную стоимость компании составляет её завод в Хиросиме, который Bloomberg оценивает в один миллиард долларов. Строительство же нового завода обойдётся любому производителю микросхем куда дороже.

Память Elpida

На март 2012 года балансовый лист Micron может похвастать 2,1 млрд. свободных средств в деньгах и короткосрочных инвестициях. C другой стороны, последние квартальные результаты компании значительно упали с 2010 года, а график её доходов стал красным, поскольку Micron отчитались о 224 млн. чистых убытков при общем доходе в 2,1 млрд. долларов.

Недавно утвержденный на должность исполнительный директор компании Марк Дюркан (Mark Durcan) заявил, что компания ожидает восстановление цен на DRAM, но пояснил, что даже если бы компания могла продать больше NAND и DRAM памяти в последнем квартале, высокие объёмы продаж нивелировались бы низкой стоимостью чипов. Увеличение объёмов производства и большая капитализация компании являются для Micron единственным средством, чтобы защитить себя в будущем от колебаний рынка.

Elpida, flash-память, Micron, аналитика, оперативная память, рынок, слухи


Micron разработали новую высокоплотную флэш-память #

27 августа 2011

Производитель памяти, компания Micron Technology, расположенная в Айдахо, представила свою новую разработку NOR памяти, работающей посредством последовательного интерфейса периферии (Serial Peripheral Interface — SPI).

Разработанные чипы могут иметь ёмкость от 256 Мб до 1 Гб, при этом скорость чтения достигает 54 МБ/с при условии работы памяти на частоте 108 МГц.

Линейка памяти, изготавливаемая по технологическим нормам  65 нм, получила название N25Q. Чипы требуют питания напряжением от 1,8 до 3 В и могут подключаться по одиночному, двукратному или четырёхкратному интерфейсу (SPI, DSPI или QSPI соответственно), благодаря чему память прекрасно подходит как для современных, так и для будущих сетевых медиаустройств, сет-топ боксов, автомобильной и потребительской электроники.

Вице-президент и генеральный менеджер Micron Embedded Solutions Group Том Эбай

«В дополнение к продвижению самой плотной в мире, высокопроизводительной SPI NOR памяти, семейство N25Q предоставляет аппаратную и программную совместимость среди памяти различных плотностей, от 32 Мб до 1 Гб», заявил Том Эбай (Tom Eby), вице-президент и генеральный менеджер Micron Embedded Solutions Group. «Когда необходимо комбинирование в условиях диапазона температур, существующих в промышленности, разброса в возможности питания напряжением от 1,8 до 3 В, а также долговечности программы PLP от компании Micron, тогда это семейство продуктов идеально обеспечивает потребности плотного рынка в SPI NOR памяти».

Производитель заявляет, что первые образцы чипов памяти семейства N25Q ёмкостью 1 Гб, 512 Мб и 256 Мб уже изготовлены.

flash-память, Micron, микросхемы, производство


Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм #

18 апреля 2011

Медленно, но уверенно флеш память продолжает становиться все более плотной и более ёмкой.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.

flash-память, Intel, Micron, NAND, технологии, техпроцесс



Micron представила быстрый транзисторный накопитель #

6 декабря 2009

Компания Micron анонсировала RealSSD C300 для ноутбуков и настольных ПК. Особенностью этих новых накопителей являются очень высокие показатели чтения (до 355 Мб/с) и записи (до 215 Мб/с).

Накопители поддерживают новый стандарт SATA 6 Гбит/с вместо распространённого сейчас SATA 3 Гбит/с. C300 SSD использует 34-нм технологию производства многослойных ячеек flash-памяти.

Micron обещает, что накопители серии RealSSD C300 будут доступны как в 1,8-, так и в 2,5-дюймовом форм-факторе в вариантах объёмом 128 Гб и 256 Гб.

В производство новые SSD поступят в первой четверти 2010 года. Цена пока неизвестна, но не стоит ожидать, что она будет низкой.

Micron, SSD

«Fudzilla»

Intel и Micron представили дешевые чипы NAND #

15 августа 2009

Компании Intel и Micron сообщили на днях о разработке многослойной технологии ячеек flash-памяти типа NAND с плотностью 3 бит на ячейку.

Эти чипы рассчитаны на применение в потребительских портативных накопителях вроде flash-карт или USB-брелков, где объем и дешевизна являются основными приоритетами.

Технология 3 бит на ячейку NAND разработана и отлажена объединенной компанией IM Flash Technologies. В результате удалось создать самый маленький в мире 32-Гбитный чип из всех имеющихся на рынке. Его площадь составляет всего 126 мм2, а массовое производство начнется уже в последней четверти текущего года.

Intel, Micron, NAND

«ExpReview»