Новости про Micron

Micron готовится к производству HBM2

В своём последнем финансовом отчёте Micron Technologies объявила о том, что она планирует начать производство широкополосной памяти HBM2.

Данный типа памяти предназначен для использования в видеокартах, серверных и прочих процессорах. Это желанный, но относительно дорогой тип памяти, однако после выхода на этот рынок Micron, цена должна подстроится под нового игрока. Сейчас память этого типа уже изготавливают SK-Hynix и Samsung, а Micron добавится в эту группу уже в этом году, сформировав традиционную доминирующую тройку на рынке памяти.

Память от Micron

До настоящего времени компания возлагала надежды на собственную разработку, память типа Hybrid Memory Cube (HMC), однако она не увидела большого интереса к ней со стороны заказчиков. Эта память нашла себе лишь несколько применений, например, в процессорах Fujitsu SPARC64 XIfx, применённых в суперкомпьютере Fujitsu PRIMEHPC FX100, представленном в 2015 году.

Схема оперативной памяти HBM2 от Micron

В 2018 году компания заявила, что приостанавливает работу над HMC и решила приложить все усилия к разработке памяти GDDR6 и HBM. Результатом работы стала готовность начать выпуск памяти HBM2 в 2020 году.

Micron выпускает свои первые чипы LPDDR5 для смартфонов

Компания Micron презентовала «первые в мире массово производимые чипы DDR5-DRAM низкой мощности», которые позволили китайскому производителю смартфонов Xiaomi подготовить модель Mi 10.

Новая память обеспечивает увеличенную производительность при меньшем энергопотреблении, что делает LPDDR5 идеальным решением для мобильных платформ. Её планируется использовать в смартфонах, планшетах, ноутбуках, а также в некоторых устройствах ИИ и автомобильных системах.

Микросхемы Micron LPDDR5

Разработчики обещают, что память LPDDR5 предоставит скорость в 6400 Мб/с, что на 50% быстрее 4266 Мб/с в LPDDR4X. При этом энергопотребление было снижено на 20%.

На фоне массового старта технологии 5G, компания надеется, что её новая быстрая память позволит поднять скорость передаваемых данных, исключив медленную память из списка потенциальных ограничителей.

График развития маломощной памяти Micron

Микросхемы Micron LPDDR5 будут доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ со скоростями в диапазоне от 5,5 Гб/с до 6,4 Гб/с. К середине 2020 года компания начнёт поставки многочиповых UFS-модулей (uMCP5) для применения в смартфонах среднего и верхнего сегментов.

Intel возвращает титул самого большого производителя микросхем

По данным аналитической компании Gartner общемировой рынок полупроводниковых продуктов в 2019 году резко снизился, составив лишь 418,3 миллиарда долларов. Это на 11,9% ниже, чем в 2018 году. Основной спад пришёлся на память, а потому Intel практически не потеряла прибыль, что и позволило ей выйти вперёд.

Рынок памяти в 2019 году составлял 26,7%. Эндрю Норвуд, вице-президент Gartner, отметил, что его годовой спад составил 31,5%. В этой категории снижение прибыли от DRAM составило 37,5%, что было вызвано глобальным перепроизводством. Это привело к снижению рыночной цены вдвое, что порадовало потребителей и расстроило производителей.

Рынок NAND потерял не настолько много, поскольку здесь прибыль упала лишь на 23,1%. В результате Samsung, занимавшая первую позицию в рейтинге производителей микросхем в 2017 и 2018 годах, в 2019 году не смогла сохранить лидерство, поскольку большая доля её поступлений приходится именно на микросхемы памяти. Новым старым лидером стала Intel. На 3, 4 и 5 местах расположились SK Hynix, Micron Technology и Broadcom.

Рынок полупроводниковых устройств в 2019 году

Micron начинает опытное производство DDR5 RDIMM

На выставке CES 2020 компания Micron сообщила, что начала производство образцов регистровой памяти (RDIMM) DDR5 по технологии 1Z нм.

По данным производителя, память DDR5 позволит удвоит плотность, улучшив надёжность. При серверной нагрузке производительность памяти возрастёт на 85%.

Модули оперативной памяти DDR5

Также память типа DDR5 боле энергоэффективна при масштабировании, и предлагает некоторые улучшения, такие как MIR («зеркальный» контакт) улучшающий сигналирование DIMM, и команды PRECHARGE и REFRESH.

Сравнение характеристик памяти типов DDR4 и DDR5 представлены в таблице ниже.

Сравнение спецификаций памяти DDR4 и DDR5

Важно отметить, что память типа DDR5 рассматривается исключительно для серверного сегмента. Пока нет планов по внедрению этой памяти в сфере настольных систем, и ни AMD, ни Intel не планируют поддерживать этот стандарт.

В любом случае, то, чем занимается Micron, является важнейшим этапом в развитии технологии оперативной памяти.

Micron представила промышленную карту microSD высокой ёмкости

Компания Micron представила карту памяти microSDXC UHS-I модели i300, которая по словам самих разработчиков является самой ёмкой картой памяти промышленного назначения.

Карта i300 предназначена для работы в системах видеонаблюдения и прочих промышленных системах, системах ИИ и камерах высокого разрешения. Она основана на 96-слойной памяти 3D-QLC, что позволяет удешевить производство и максимизировать объём. Карта предназначена для работы в высоконагруженных условиях в режиме 24/7 и обеспечивает наработку на отказ в 2 миллиона часов, вдвое больше, чем предлагают жёсткие диски. Кроме того, вместе с картой предлагается специальный инструмент, который контролирует её состояния и предупреждает о возможном выходе из строя.

Карта памяти Micron i300

Карта Micron i300 предлагается в объёмах от 128 до 1 ТБ. Скоростные характеристики производитель не называет, но учитывая класс A2, можно смело утверждать, что запись осуществляется на скорости не менее 10 МБ/с.

Micron анонсирует «самый быстрый в мире SSD»

Компания Micron является разработчиком энергонезависимой памяти 3D XPoint, которая должна заполнить пробел между быстрой DRAM и относительно медленной NAND. Эта память была передана Intel, которая создала накопитель Optane на её основе. Однако Micron разработала собственную память XPoint. Имея в распоряжении новый тип памяти, компания выпустила продукт Micron X100 SSD.

Память XPoint гипотетически может выполнять 2,5 миллиона операций ввода-вывода в секунду. Сама же Micron уверяет, что накопитель X100 работает более чем в три раза быстрее современных SSD. Что касается пропускной способности, то компания говорит о 9 ГБ/с при чтении, записи и смешанном типе работы по интерфейсу PCIe 3.0 x16. Да, это устройство не предназначено для шины PCIe 4.0, но поскольку X100 нацелен на серверы, то вполне логично использовать именно третью версию шины, поскольку большинство серверов ещё не обновлены.

SSD Micron X100. Главный вид

Ещё одной важной особенностью памяти XPoint являются низкие задержки. Так, SSD X100 демонстрирует в 11 раз меньшие задержки при записи, по сравнению с SSD на основе NAND-памяти.

Печатная плата накопителя Micron X100

Компания Micron планирует поставлять накопители X100 избранным клиентам уже в IV квартале этого года. Общедоступным он будет уже в 2020 году. К сожалению, компания ничего не сообщила о ёмкости и цене накопителя.

Micron устанавливает рекорд разгона DDR4 в 6024 МГц

Частоты оперативной памяти в 3200 МГц являются, фактически, стандартом современных компьютеров, однако ещё 3 года назад таким же стандартом считалась частота в 1600 МГц для DDR3.

На развитие скоростей работы оперативной памяти сильно влияют результаты разгона. Ещё год назад все говорили о рекорде в 5 ГГц, а уже сейчас такую память можно купить в магазине. Изначально частота DDR4 составляла 2133 МГц, но теперь компания Micron сообщает о превышении порога частота DDR4 в 6 ГГц.

Модули памяти Crucial Elite

Модуль памяти Elite DDR4 4000 8 GB был разогнан до частоты 6024 МГц. Разгон осуществлялся на материнской плате ASUS X570 ROG Crosshair VIII Impact с процессором Ryzen 5 3600X, который работал на базовой тактовой частоте 2209 МГц. Тайминги при этом составили 30-27-27-58-127-1.

Подтверждение разгона DDR4 до 6024 МГц

Результаты разгона подтверждены CPU-Z.

Micron изготовила 128-слойную NAND-память

Компания Micron Technology сообщила, что смогла изготовит память 3D-NAND четвёртого поколения со 128-ю слоями.

Данная разработка открывает возможность изготовления более плотных продуктов уже в следующем году. В четвёртом поколении 3D-NAND компания Micron продолжает использовать конструкцию КМОП-под-массивом, однако применяет технологию заменяемого затвора вместо плавающего, которая используется уже несколько лет. Сейчас компания массово производит 96-слойную флэш-память 3D-NAND с физическим слоем TLC, несмотря на готовность QLC-памяти.

Пластины с чипами памяти Micron

Компания отмечает, что новая 128-слойная память будет применяться ограниченно и не достигнет тех уровней популярности, как 96-слойные чипы. В компании более сконцентрированы на эволюции, возможно, пятом поколении 3D-NAND, которое даст заметное снижение себестоимости, вызванное переходом к более тонкой технологии производства, а также использованием более новых технологий, наряду с заменяемым затвором. Однако это произойдёт лишь в 2021 финансовом году.

Micron начинает массовое производство 16 Гб чипов DRAM по технологии 1z нм

Компания Micron объявила о своих достижениях в масштабировании памяти DDR4, достигнув объёма 16 Гб при использовании техпроцесса 1z нм.

Это значит, что кристаллы изготавливаются с размерами элементов от 13 до 10 нанометров. В компании сообщают, что новая память предлагает «заметно большую плотность», а также «значительное увеличение производительности при меньших затратах», по сравнению с поколением 1Y нм. Новая память предназначена для создания продуктов для настольных компьютеров (DDR4), мобильных компьютеров (LPDDR4) и графических продуктов (GDDR6). Также новая память будет использована в системах искусственного интеллекта, беспилотных автомобилях, 5G, мобильных устройствах, графической, игровой и сетевой инфраструктуре и серверах.

UFS-модуль от Micron

В Micron заявили, что 16 Гб чипы DDR4, изготовленные по 1z нм нормам обеспечивают снижение энергопотребления на 40%, по сравнению с продуктами объёмом 8 Гб.

Также компания сообщила о начале массового производства самой ёмкой (LPDDR4X) DRAM в мультичиповых пакетах на основе UFS (uMCP4). Эти пакеты разработаны для производителей мобильных устройств и позволяют обеспечивать смартфоны оперативной памятью до 16 ГБ в одном пакете.

Память Ballistix установила новый рекорд разгона DDR4

В пятницу мы сообщали о том, что Adata установила новый рекорд разгона ОЗУ, однако он продержался лишь пару дней, поскольку Micron смогла с лёгкостью обойти конкурентов, продемонстрировав производительность 5726 МТ/с.

Рекорд установлен на памяти Ballistix Elite 3600MT/s, игровом бренде компании Micron. Модули DDR4 удалось разогнать до 5726 МТ/с. Это на 79% больше спецификации JEDEC для 3200 МТ/с.

Оперативная память Ballistix

К сожалению, оверклокеры ничего не стали рассказывать о процессе установки рекорда. Отмечено, что задержки CAS были установлены на уровне CL24, как и в большинстве рекордных разгонов. В качестве платформы была выбрана материнская плата ASUS Maximus XI Apex с процессором Intel i7-8086K и охлаждением жидким азотом.

Также оверклокер Savvopoulos отметил, что Elite 3600 позволила установит рекорд очень легко: «Нас просто ошеломило, как удивительно легко было разгонять модули Ballistix Elite DDR4 3600 МТ/с. Другие модули, что мы разгоняли, были темпераменты и требовали тренировки и понижения температуры для повышения стабильности; но мы не ожидали, что Micron E-die намного лучше масштабируется на более высоких напряжениях и температурах. В общем, это было достаточно просто — подключи и работай».