Новости про оперативная память

Новые процессоры Intel поддерживают 128 ГБ ОЗУ

Компания Intel сообщает, что настольные процессоры 9-го поколения могут поддерживать увеличенный объём памяти.

Обычно процессоры поддерживают лишь 64 ГБ в двух каналах памяти с двумя модулями в каждом. Это значит, что максимальный объём планки составляет 16 ГБ. Однако сейчас такие производители памяти как Zadak и G.Skill используют различные технологии для производства модулей двойной высоты и объёма. Применяя 16 Гб чипы Samsung компании готовятся выпустить модули объёмом 32 ГБ.

Планка оперативной памяти Zadak Shield DC объёмом 32 ГБ
Планка оперативной памяти Zadak Shield DC объёмом 32 ГБ

В AMD уже заявили, что их контроллеры памяти смогут поддерживать будущую память, в то время как Intel в своих спецификациях говорит об ограничениях. Однако теперь представитель компании заявил, что 16 Гб микросхемы стали доступны совсем недавно, и теперь компания занята сертификацией этой памяти, которая закончится через месяц. Таким образом, уже в ноябре Intel заявит о поддержке 64 ГБ ОЗУ на процессорах Core 9-й серии.

Планка памяти G.Skill Trident Z объёмом 32 ГБ
Планка памяти G.Skill Trident Z объёмом 32 ГБ

Новые 32 ГБ модули не будут дешёвыми. Сейчас наборы 4х16 ГБ памяти DDR4-2666 стоят порядка 550 долларов. Это значит, что наборы 4х32 ГБ будут как минимум вдвое дороже. Некоторые обозреватели допускают цену в 1600 долларов.

Samsung сокращает производство памяти

По информации Bloomberg компания Samsung готовится к замедлению производства микросхем памяти в 2019 году, в котором ожидается снижение спроса.

Южнокорейский гигант пользуется своим доминирующим положением на рынке, и этот шаг позволит сохранить падающую цену на NAND и DRAM, или даже увеличить её.

В начале года компания видела будущее оптимистично, ожидая битовый рост на 20 и 40 процентов для DRAM и NAND. Битовый рост — это термин, используемый индустрией для обозначения объёмов производимой памяти. Данная единица измерения важна для оценки спроса и позволяет производителям панировать объёмы продукции.

Микросхемы оперативной памяти Samsung
Микросхемы оперативной памяти Samsung

Согласно свежему прогнозу Samsung, битовый рост DRAM ожидается на уровне ниже 20%, а для NAND — 30%. Так что снижение объёмов производства выглядит для компании вполне логичным шагом.

Аналитик Bloomberg Антея Лэи считает, что Samsung предпочтёт ситуацию с дефицитом поставок и высокой ценой, взамен захвата большего рынка и риска снижения стоимости. Очевидно, что эти шаги повлекут сдерживание цены на память не только производства Samsung, но и её конкурентов.

Дефицит 14 нм процессоров Intel приведёт к снижению цен на память

После того, как компания Intel столкнулась с дефицитом производственных мощностей, аналитики всех мастей ринулись оценивать это изменение на другие отрасли.

В этот раз речь идёт об изменениях на рынке памяти DDR4 и NAND. Отчёт подготовила аналитическая компания DRAMExchange.

Оперативная память
Оперативная память

Обозревая поставки ноутбуков, компания предсказывает падение рынка на 0,2% в годовом отношении. Это, в свою очередь, приведёт к снижению цен на память DDR4 на 2% в квартальном отношении в связи с перепроизводством. Также трудности с производством у Intel приведут к перепроизводству SSD, которые в четвёртом квартале также подешевеют.

Если всё будет именно так, как предсказывают аналитики, нас ждёт неплохой шанс приобрести к Новому году дополнительную память или накопитель по сниженной цене.

Рынки DRAM и NAND вырастут на 30%

Этот год будет последним, когда наблюдается быстрый рост рынков DRAM и NAND памяти. По крайней мере, так прогнозирует Digitimes Research.

В этом году аналитики ожидают комбинированный рост рынка памяти чуть менее 30%, а в следующем году эта величина снизится до однозначной.

Чипы DRAM
Чипы DRAM

Что касается финансовой стороны, то в этом году сегмент DRAM покажет рекордный уровень в 100 миллиардов долларов. Главной причиной аналитики называют высокий спрос на память для серверов. Так, в этом году мировой спрос на серверы вырастет на 15%, а объём памяти для каждого сервера продолжит увеличиваться.

Производители активно реагируют на эти изменения. К примеру, доля серверной памяти у SK Hynix в этом году составила 38,8%, в то время как 2016 году она составляла 24%. У Micron эта доля составляет 29%, на 7% выше, чем пять лет назад.

CPU-Z обновилась до версии 1.86

Утилита CPU-Z предназначена для получения системной информации о вашем компьютере. Теперь в свет вышла новая версия 1.86 этой популярной программы.

Утилита CPU-Z позволяет получить подробные сведения о модели и производителе процессора, количестве ядер, степпинге, замерить внутренние и внешние частоты, множитель и выявить разгон. Также она показывает поддерживаемые инструкции, объём кэша и даже физические размеры ядра.

CPU-Z

Кроме того, с помощью CPU-Z можно получить некоторые сведения о материнской плате, включая её модель, версию BIOS и модель чипсета, и об оперативной памяти.

На удивление, CPU-Z 1.86 получила очень короткий перечень изменений. Отныне утилита может работать с процессорами Intel 9-го поколения Core (Coffee Lake 9900K, 9700K, 9600K, 9600, 9500 и 9400), процессорами Intel Coffee Lake-U, и может определять производителя видеокарты (только NVIDIA).

Загрузить CPU-Z 1.86.

Промышленность DRAM столкнётся с перепроизводством в 2019 году

Рынок оперативной памяти по-прежнему остаётся высокоприбыльным, однако на фоне роста производства от Micron Technology и готовности китайских компаний Fujian Jin Hua Integrated Circuit и Innotron Memory (ранее известную как Hefei ChangXin) начать выпуск продукции, в 2019 году ожидается кризис перепроизводства, о чём сообщает DigiTimes.

Гиганты рынка, Samsung Electronics и SK Hynix, готовят изменить ориентированные на прибыль стратегии бизнеса, поскольку обе компании ожидают, что стремительный рост рынка памяти, который длится 2—3 года, закончится к концу текущего. При этом обе компании в ходе конференций с инвесторами сообщили, что продолжат наращивать складские запасы чипов.

Оперативная память Samsung
Оперативная память Samsung

После пикового 50,2% проникновения Samsung на рынке в IV квартале 2016 года, её доля продолжает снижаться. Эти изменения происходят в первую очередь за счёт роста прибыли Micron.

Ожидается, что мировой рынок DRAM достигнет пика в 104 миллиарда долларов США в 2018 году, после чего пойдёт снижение на 1,8% и 2,6% в 2019 и 2020 годах соответственно. Что касается рынков сбыта, то вместо сектора смартфона, лидирующего сейчас, всё больше памяти станет требовать автомобильная электроника.

Новый смартфон Vivo может получить 10 ГБ ОЗУ

Уже с этого года 10 ГБ оперативной памяти в смартфонах может стать нормой.

В ближайшем будущем смартфоны высшего класса уже обойдут настольные ПК по некоторым характеристикам. Так, компания Vivo готовит новый флагманский смартфон, который получит поразительные 10 ГБ ОЗУ.

Смартфон Vivo
Смартфон Vivo

По слухам, этот смартфон будет выпущен в августе. Он получит процессор Qualcomm Snapdragon 660 и 10 ГБ ОЗУ. Похоже, что в противостоянии Oppo и Vivo в этом году победит последняя. Однако это будет первый, но не единственный смартфон с такими характеристиками. Так, к концу года, а особенно к началу следующего, многие производители готовят свои аналогичные предложения, а вот насколько они будут востребованы, узнаем уже через месяц.

Samsung готовит 8-гигабитные чипы LPDDR5

Компания Samsung анонсировала прототипы 8-гигабитной памяти LPDDR5, которую фирма готовит в связи с подготовкой к сетям 5G.

Южнокорейский гигант успешно протестировал 8 ГБ модули памяти, собранные из 8 чипов LPDDR5 объёмом 8 Гб. Этот анонс выпущен вместе с традиционными обещаниями по «повышению производительности» и «снижению энергопотребления».

Чипы памяти Samsung
Чипы памяти Samsung

Представленная память использует последнюю спецификацию DDR5, разработка которой ещё не окончена. Теоретически, память LPDDR5 может работать на 6,4 Мб/с, в то время как LPDDR4X работает на 4,26 Мб/с.

Улучшенное энергопотребление новой памяти достигается за счёт введения «режима глубокого сна». В результате, по сравнению с LPDDR4X, энергопотребление LPDDR5 снижается вдвое.

Когда же память LPDDR5 будет доступно, ещё не ясно, но Samsung явно подготовилась к этому моменту.

Lenovo анонсирует Thinkpad P52 со 128 ГБ ОЗУ

На горизонте появились новые ноутбуки со 128 ГБ оперативной памяти. Первым таким устройством стал лэптоп от Lenovo, ThinkPad P52. Хотя учитывая его спецификации ему больше подошло бы название B-52.

Кроме огромного объёма оперативной памяти в 128 ГБ к нему прилагается огромный накопитель в 6 ТБ. Также машина оснащается 15,6” дисплеем разрешением 4K, шестиядерным процессором от Intel и видеокартой Nvidia Quadro P3200. В общем, у Lenovo теперь появилась очень мощная рабочая станция для САПР или создания контента для виртуальной реальности.

Рабочая станция Lenovo ThinkPad P52

Также машина сможет похвастать парой портов Thunderbolt 3, выходами HDMI 2.0 и mini DisplayPort, тремя портами USB Type-A, разъёмом Ethernet и гнездом для наушников. Пока цена на компьютер неизвестна, но очевидно, что Lenovo хочет конкурировать с новой рабочей станцией Dell, которая может поддерживать до 128 ГБ ОЗУ.

В целом же компьютер выглядит как обычный ThinkPad в чёрном корпусе и со светящимся логотипом. Вот только масса составляет 2,45 кг.

Samsung начинает массовое производство 32 ГБ модулей DDR4 для игровых ноутбуков

Компания Samsung анонсировала старт массового производства модулей памяти SoDIMM DDR4 объёмом 32 ГБ, которые предназначены для игровых ноутбуков.

В них используется память 10-нанометрового класса, а модули предназначены для достижения производительности эквивалентной настольным ПК. По словам Samsung, новая память заметно увеличивает ёмкость и скорость работы, при снижении потребляемой энергии.

SoDIMM память от Samsung
SoDIMM память от Samsung

Так, в сравнении с прошлым поколением 16 ГБ модулей, изготовленных по 20 нм классу из чипов по 8 Гб, новые модули обещают 11% прирост в скорости и на 39% меньшее потребление энергии. Новая память обладает пропускной способностью в 2,666 Мб/с, а пара таких модулей при объёме 64 ГБ будет потреблять менее 4,6 Вт при нагрузке и 1,4 Вт в простое.