/ / оперативная память

9923986909;rectangle
7994420702;horizontal

Новости про оперативная память

Intel начинает поставлять Optane партнёрам #

11 февраля 2017

Полупроводниковый гигант приступил к отправке модулей памяти типа Optane своим партнёрам для тестирования.

Новый тип высокоскоростной компактной твердотельной памяти компания Intel представила пару лет назад. На CES она заявила, что память Optane будет устанавливаться в DIMM слоты памяти DDR4 в серверных и бытовых материнских платах. Пока не совсем ясно, как именно будет использоваться память 3D XPoint в новых модулях.

Intel Optane SSD

По словам Intel, накопители Optane «полностью перепишут правила пирамиды горячих-тёплых-холодных накопителей», что является определяющим фактором в производительности серверов. Новая память должна быть столь же быстрой, как и DRAM, но энергонезависимой и со стоимостью SSD накопителя.

Серверы с памятью Optane смогут расширить объём своих горячих накопителей. При добавлении модулей Optane в серверах увеличится скорость «тёплых накопителей», что положительно скажется на общей производительности за умеренную плату. Компания отмечает, что Optane может изменить архитектуру серверов и PC. Материнские платы от SuperO и компьютеры Lenovo, Dell, Intel и HP уже получили поддержку накопителей нового типа.

Intel, Optane, SSD, оперативная память

«Fudzilla»

SK Hynix выпускает 8 ГБ LPDDR4 #

27 декабря 2016

Компания SK Hynix присоединилась к Samsung, предложив разработчикам смартфонов и планшетов мобильную оперативную память объёмом 8 ГБ. Таким образом в следующем году стоит ожидать появления телефонов с 8 ГБ оперативной памяти, только не понятно, для чего она нужна.

Для производства памяти компания использовала старый и хорошо отлаженный 21 нм процесс, при том что многие ожидали увидеть более технологичные микросхемы, изготовленные по 16 нм или даже 10 нм нормам, однако этот процесс запланирован компанией только на 2017 год.

Новая память поддерживает передачу данных уровне 3733 МТ/с и обеспечивает скорость до 29,8 Гб/с. Эти цифры выглядят впечатляюще, однако для их достижения LPDDR4 необходимо напряжение в 1,1 В или выше.

SK Hynix

Конкурирующий стандарт LPDDR4X требует напряжения 0,6 В, позволяя снизить энергопотребление на 45%. Первым процессором, который поддерживает данную память стал MediaTek P20, однако он ограничен поддержкой 2x3 ГБ LPDDR4X. Так что первым чипом с поддержкой 8 ГБ ОЗУ станет Snapdragon 835.

В любом случае, такой объём оперативно памяти будет избыточен для смартфонов. Он может иметь смысл лишь для некоторых конвертеров и устройств 2-в-1, особенно на фоне полноценной работоспособности Windows 10 на топовых процессорах Qualcomm.

DDR4, Hynix, оперативная память

«Fudzilla»

Corsair представил память Vengeance с RGB подсветкой #

26 декабря 2016

Похоже, что 2017 год будет ярким для оперативной памяти, при том, во всех смыслах. Вслед за G.Skill компания Corsair представила модули памяти Vengeance, оснащённые полноцветной подсветкой.

Согласно недавнему тизеру, опубликованному в Twitter, фирма полноценно представит новые модули Vengeance DDR4 RGB на выставке CES. Сейчас компания уже предлагает модули Vengeance LED, однако их подсветка не полноцветная, а реализована лишь белым, красным или сними цветами.

Corsair Vengeance RGB

При этом у Corsair уже есть ряд продуктов с RGB подсветкой, включая вентиляторы SP120/HD120, корпус Crystal 460X RGB и масса периферии, среди которой клавиатуры, мыши, наушники и коврики для мышей. Однако обычно пользователи ограничены в управлении этой подсветки, так что можно надеяться, что компания пойдёт по конкурентному пути и выпустит ПО для управления светодиодами.

Corsair, DDR4, оперативная память

«Fudzilla»

G.Skill представила память Trident Z RGB #

22 декабря 2016

Компания G.Skill анонсировала новую линейку оперативной памяти DDR4 Trident Z RGB, которые предлагают полноцветную RGB подсветку на фоне радиатора с узнаваемым логотипом Trident Z.

Новая подсветка никак не повлияла на высокую производительность памяти, характерную для серии Trident Z. Как и прежде, модули состоят из 10-слойных печатных плат и подобранных вручную чипов памяти.

G.Skill Trident Z RGB

Компоненты подсветки способны воспроизвести всю радугу, причём не статично, а с волнообразным эффектом. Дальнейшие световые эффекты и их цвет можно будет настроить в феврале, когда выйдет специальное ПО.

G.Skill Trident Z RGB

G.Skill Trident Z RGB

К сожалению, компания ничего не сообщила непосредственно о характеристиках модулей. Так, G.Skill лишь сообщила, что модули будут доступны в различных наборах с разными объёмами, а частота работы памяти составит 4266 МГц.

Как и предыдущие наборы G.Skill Trident Z, новые RGB пройдут тот же набор тестов на совместимость и надёжность и получат ограниченную пожизненную гарантию.

По информации производителя, новая память Trident Z RGB должна быть доступна в середине января.

DDR4, G.Skill, оперативная память

«Fudzilla»

Transcend выпускает модули DDR4 SO-DIMM для экстремальных условий #

13 декабря 2016

Компания Transcend заявила о выпуске модулей памяти DDR4 SO-DIMM, которые могут работать при экстремальных температурах.

Они были созданы для промышленных компьютеров, компьютеров специального назначения, POS терминалов, банкоматов и прочих систем, работающих в режиме 24/7.

Компания отмечает, что модули могут безопасно использоваться в компьютерах малого форм фактора без дополнительного охлаждения в течение продолжительного периода.

Модули памяти Transcend DDR4 2400 SO-DIMM 1R

Для этого Transcend использовала на печатных платах конденсаторы промышленного уровня с позолоченными контактами (толщина слоя золота 30 мкм), которые способны выдерживать вибрацию, электромагнитные возмущения и экстремальные температуры в диапазоне от –40°C до +85°C.

Это значит, что модели памяти можно смело использовать как в Антарктиде, так и в пустыне Деште-Лут. На практике же, они найдут себе применение в малогабаритных промышленных компьютерах, военных системах и встраиваемых системах с недостаточным охлаждением.

Модули SO-DIMM основаны на 8 Гб чипах Samsung и предлагаются в 8 ГБ и 16 ГБ версиях. Скорость работы модулей составляет 2400 МТ/с при напряжении 1,2 В, что означает их полную совместимость с промышленными и встраиваемыми маломощными CPU, поддерживающими DDR4.

О цене на модули памяти в официальном релизе ничего не говорится.

DDR4, Transcend, оперативная память

«Fudzilla»

7994420702;horizontal

G.Skill представила самые быстрые наборы памяти Trident Z #

18 ноября 2016

Компания G.Skill анонсировала новые наборы памяти Trident Z DDR4 64GB (4x16GB), которые работают на частоте 3600 МГц при тайминге CL17.

Два месяца после анонса наборов Trident Z DDR4-3866, компания G.Skill расширила границы частотного диапазона и для 64 ГБ наборов, модули в которых при частоте 3600 МГц и напряжении 1,35 В обладают таймингами CL17-19-19-39.

Память G.Skill Trident Z DDR4 64GB

Четыре модуля памяти, входящие в представленные наборы, основаны на микросхемах Samsung 8Gb и оснащены фирменным радиатором Trident Z. Компания отметила, что тестировала свою память на материнских платах Asus Z170-Deluxe с процессорами Intel Core i5-6600K.

Память G.Skill Trident Z DDR4 64GB

В продажу наборы G.Skill Trident Z DDR4-3600 64GB должны поступить в декабре, однако о цене пока ничего не сообщается.

Тестирование G.Skill Trident Z DDR4 64GB

DDR4, G.Skill, оперативная память

«Fudzilla»

Geil выпускает модули памяти с подсветкой #

10 ноября 2016

Компания Geil начала продажи модулей памяти Evo X RGB DDR4. Данная память уникальна тем, что способна подключаться к светодиодному разъёму, присутствующему на некоторых материнских платах. Такой подход позволяет изменять цвета подсветки и управлять световыми эффектами модулей, используя фирменное ПО производителя материнской платы.

Для использования этой памяти вам придётся приобрести необходимые провода для подключения дополнительного питания светодиодов. Конечно, память будет работать и без дополнительного подключения, но светиться она не будет.

Geil Evo X RGB DDR4

Однако куда большая проблема заключается в том, что на рынке есть лишь несколько материнских плат с разъёмом для подключения светодиодов. Конечно, подключить светодиоды памяти можно и в вентиляторный разъём, однако для этого потребуется ещё больше проводов, а также лишает возможности управлять яркостью и цветом подсветки.

Geil Evo X RGB DDR4

Память Geil Evo X RGB DDR4 выпускается наборами по две планки объёмом от 4 ГБ до 8 ГБ каждая. Частота RAM составляет 3000 МГц или 3200 МГц, а напряжение питания составляет 1,35 В.

Стоимость наборов варьируется от 70 до 115 долларов США.

DDR4, GeIL, оперативная память


Samsung выпустила 8 ГБ модули ОЗУ #

24 октября 2016

Похоже, что в скором будущем мы увидим смартфоны, оснащённые 8 ГБ оперативной памяти, поскольку компания Samsung приступила к выпуску 8 ГБ модулей оперативной памяти в крошечном пакете.

В представленных модулях использована память типа LPDDR4, изготавливаемая по 10 нм технологии. Распространение 64-битной архитектуры в SoC для смартфонов позволило устанавливать в портативные устройства больше 4 ГБ ОЗУ, однако многие производители, включая Samsung, пока не заинтересованы в этом. Выпустив же 8 ГБ модули стоит ожидать, что южнокорейские флагманы будущего года могут получить целых 8 ГБ ОЗУ.

Samsung LPDDR4 объёмом 8 ГБ

Память LPDDR4 сейчас является самой быстрой среди всей памяти с низким энергопотреблением. По словам Samsung, представленная ею RAM находится в том же классе, что и память для ПК, только работает на частоте вдвое большей, которая составляет 4266 МГц.

Благодаря 10 нм техпроцессу удалось создать модули размером 15х15х1 мм. Столь малая толщина также позволяет размещать их поверх других чипов.

Пока цель использования этих модулей в смартфонах не совсем понятна, однако в планшетах и производительных устройствах 2-в-1 она может прийтись кстати.

DDR4, Samsung, оперативная память

«Fudzilla»

Google Chrome будет потреблять меньше памяти #

12 октября 2016

Компания Google много работает над снижением требований к оперативной памяти для браузера Chrome, и в версии обозревателя номер 55 результат этого труда должен стать очевидным.

Браузер Chrome 55 будет включать обновлённый движок JavaScript, занимающий заметно меньше ОЗУ. А поскольку многие сайты используют JavaScript, это должно привести к резкому уменьшению объёма занимаемой памяти. По словам Google, при просмотре тестовых сайтов, среди которых New York Times, Reddit и YouTube, браузер использует на 50% меньше памяти, чем версия 53.

Google Chrome

Если вам не терпится опробовать эти изменения, то вы можете загрузить предварительную версию браузера. Финальная же сборка Chrome 55 будет выпущена 6 декабря.

Разработчики отмечают, что, несмотря на резкое сокращение используемой оперативной памяти, вы не заметите ускорения в работе. Изменения будут ощущаться, только если вы используете много открытых вкладок, приложений, или объём ОЗУ вашего компьютера просто мал, по современным меркам.

Так что команде V8 предстоит ещё много работы по оптимизации браузера. Целью разработчиков является облегчение обозревателя до такой степени, чтобы он нормально работал на системах с менее чем 1 ГБ ОЗУ.

Chrome, Google, браузеры, оперативная память

«Engadget»

Цены на DRAM вырастут #

30 сентября 2016

По информации DRAMeXchange и сайта DigiTimes контрактные цены на память DRAM и NAND в четвёртом квартале этого года поднимутся более чем на 10%.

На фоне роста спроса на ноутбуки в Северной Америке, 4 ГБ модули DRAM, как типа DDR3, так и DDR4, поднимутся в среднем до 13,50 долларов. В то же время в четвёртом квартале цена продолжит расти и достигнет 15 долларов.

Оперативная память Samsung

Производители памяти продолжат расширять производство мобильной ОЗУ и прочих не связанных с ПК продуктов, для увеличения прибыли в связи с низким спросом на PC-память. «Ожидается, что мобильная DRAM займёт порядка 45% мировых поставок ОЗУ в четвёртом квартале этого года, а серверная память составит 25% всех поставок DRAM», — заявила Аврил Ву, директор по исследованиям DRAMeXchange. «Для сравнения, PC DRAM будет занимать менее 20% от всех поставок в четвёртом квартале».

Что касается NAND памяти, то аналитики отмечают, что цена на неё продолжит свой рост благодаря высокому спросу от производителей смартфонов, включая Apple и китайских производителей Huawei, Vivo и Oppo. Спрос на NAND память начнёт превышать предложение уже с третьего квартала.

NAND, оперативная память, прогнозы, финансы

«DigiTimes»

Производители ноутбуков переходят на встраиваемую память #

9 сентября 2016

Производители ноутбуков начинают массово переходить на встраиваемую оперативную память, отказываясь от DIMM модулей. Таким образом, лэптопы на базе процессоров Apollo Lake могут стать ещё тоньше.

Процессоры Apollo Lake, которые характеризуются 14 нм размером элементов, низким энергопотреблением, неплохой производительностью и малыми размерами, увеличивают свою популярность, а вместе с тем конструкторы лэптопов переходят к впаиванию микросхем памяти непосредственно в материнскую плату. Такой шаг позволит производителям сделать ноутбуки ещё тоньше.

Intel Apollo Lake

Количество ноутбуков, использующих LPDDR4, также увеличилось, поскольку производители продолжают прикладывать усилия по минимизации энергопотребления, увеличению производительности и увеличению срока автономной работы.

В качестве примера приведены ультратонкие ноутбуки Acer Aspire S 15 и S 17, которые имеют толщину менее 17 мм. Другие же производители, включая Lenovo, Asustek Computer, HP и Dell, во втором полугодии также должны сфокусироваться на ультратонких моделях и устройствах 2-в-1.

Apollo Lake, DDR4, ноутбуки, оперативная память

«Fudzilla»

LeEco представила смартфон с 8 ГБ ОЗУ #

30 августа 2016

Смартфоны хай-энд уровня уже оснащаются 6 ГБ оперативной памяти, однако китайский производитель LeEco пошёл ещё дальше, и установил в телефон целых 8 ГБ RAM, вдовое больше, чем в современных флагманах.

Таким образом, устройство LeEco Le2S стало первым в мире смартфоном, оснащённым 8 ГБ оперативной памяти. Кроме большого объёма Ram телефон может похвастать 5,5” экраном и накопителем объёмом 64 ГБ. Построен он на процессоре Qualcomm Snapdragon 821, который имеет 10% преимущество в производительности перед 820-й моделью.

LeEco Le2S

Сообщается, что телефон Le2S должен поступить в продажу в следующем месяце, так что до полноценной информации об устройстве, и его цене, ждать осталось не долго.

оперативная память, смартфон

«Neowin»

Спецификации DDR5 будут завершены в этом году #

24 августа 2016

В ходе IDF было сказано, что мы увидим как минимум ещё одну спецификацию памяти DDR.

Теперь же появилось подтверждение, что JEDEC готовит первую версию спецификации DDR5 к концу этого года. Однако до выхода этой памяти на рынок придётся подождать ещё 4 года.

Ранее некоторые эксперты отмечали, что DDR4 станет последней спецификацией памяти DDR4, после чего произойдёт переход к более совершенной ОЗУ, такой как PCM (фазопеременной ОЗУ) или к MRAM (магниторезистивной памяти). Однако сейчас память этого типа по-прежнему находится в разработке, и её применение может оказаться слишком дорогим в производстве. Также промышленность пока не испытывает необходимости в новом, более быстром типе памяти, однако такие направления как виртуальная реальность могут стимулировать её развитие.

Развитие DDR4

Память DDR5 предложит меньшие и более плотные чипы, которые будут изготовлены по передовым технологическим процессам. Спецификация DDR4, утверждённая много лет назад, не учитывает возможностей нынешних 14 нм и 10 нм технологий, а опирается на 40 и 50 нанометровые нормы.

Отмечается, что память DDR5 просуществует до 2025 года, после чего и будет представлена оперативная память нового типа.

DDR5, IDF, оперативная память


Samsung переориентируется на NAND #

2 июля 2016

C увеличением спроса на NAND память компания Samsung решила переориентировать своё производство на выпуск NAND флеш-памяти.

В ходе мероприятия, организованного для главных инвесторов, южнокорейская компания сообщила о своих планах по снижению вложений в DRAM и большей фокусировке на флеш-памяти NAND.

NAND

Изменение курса компании в области памяти произошло через несколько недель после того, как её аналитики отметили снижение продаж DRAM. Теперь же Samsung увеличит инвестиции в производственные мощности флеш-памяти NAND, в то время как другие компания попытаются противостоять гиганту. В прошлом году компания оказалась лидирующем поставщиком NAND в мире, занимая 31,6% рынка.

NAND, Samsung, оперативная память


IBM готовит недорогую память #

28 мая 2016

Ветеран рынка вычислительной техники, компания IBM, объявила о значительных успехах в разработке нового типа динамической памяти со случайным доступом.

Память, получившая название фазопеременной, или PCM — phase-change memory, обеспечит более быстрый доступ к данным при меньшей стоимости. Разработчикам удалось достичь плотности в три бита на ячейку, что на 50% больше, чем у прототипа, представленного в 2011 году.

При работе PCM меняет состояние стеклоподобной подложки из аморфного состояния в кристаллическое, используя электрический заряд. Подобно NAND флеш, память PCM продолжает сохранять своё состояние при отключении питания, однако в отличие от нынешней технологии флеш, где доступ к ячейке занимает 70 мс, доступ к PCM занимает 1 мс.

Фазопеременная память IBM

Трёхбитная память обеспечит более быстрый доступ к твердотельным массивам накопителей, обеспечив ускорение в работе приложений. Также эта память может заменить DRAM в системах подобных базам данных, снизив стоимость технологии. По словам разработчиков, те производители, которые воспользуются трёхбитной PCM в смартфонах, смогут загружать их за 3 секунды.

Когда же эта память появится в конечных устройствах, IBM не уточняет. Частично из-за того, что ей потребуется найти партнёра, который примет память нового типа. Для налаживания коммерческого выпуска PCM потребуется минимум три года.

flash-память, IBM, оперативная память

«Fudzilla»