Новости про оперативная память

Micron представила модули LPCAMM2

Компания Micron продемонстрировала новое поколение оперативной памяти для ноутбуков LPCAMM2, которая основана на памяти типа LPDDR5X.

Новые маломощные модули памяти с плотным размещением (LPCAMM2) имеют заметно меньшие габариты, по сравнению с традиционными SODIMM, а также обеспечивают куда большую производительность.

Модуль памяти LPCAMM2 от Micron

Новый промышленный стандарт предусматривает модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. Скорость передачи данных при этом достигает 9600 МТ/с. Несмотря на меньший размер, LPCAMM2 обладает шиной шириной 128 бит. Заменяя собой SODIMM эти модули обеспечивают большую гибкость, ремонтопригодность и возможность апгрейда, а также увеличивают производительность и снижают энергопотребление.

Модуль памяти LPCAMM2 от Micron со стороны подложки

Что касается цены, то она пока неизвестно, но очевидно, что LPCAMM2, как более сложное и современное устройство, будет стоить куда дороже традиционных SODIMM.

Модули памяти CAMM2 стали стандартом JEDEC

CAMM — это новый стандарт оперативной памяти для ноутбуков, который теперь стал стандартом JEDEC. Это значит, что в ноутбуках следующих поколений вместо памяти SO-DIMM мы увидим модули CAMM2.

Начинал формат CAMM как проприетарный. Впервые он появился в ноутбуках Dell Precision 7670. Главным преимуществом памяти данного формата является её тонкий профиль, на 75% меньше, чем у SO-DIMM, а также возможность повышения скорости работы до 6400 МГц с дальнейшим «масштабированием к большим частотам».

Модуль памяти CAMM2

Спецификация CAMM2 включает два варианта: с памятью DDR5 и LPDDR5(X). Примечательно, что стандарт предполагает варианты как с впаиваемой памятью DDR5, так и не с впаиваемой LPDDR5(X), правда, такие модули не взаимозаменяемые из-за их разного размера.

Ещё одним преимуществом CAMM2 является её работа в двухканальном режиме сразу, с единственным модулем, при том, что каждая планка SO-DIMM может работать лишь в одном канале.

Что касается недостатков, то они характерны для всех новых технологий. Это цена. Лишь по мере дальнейшего вывода с рынка SO-DIMM и постепенной заменой CAMM2 новые модули могут выйти на сравнимую стоимость.

Micron разрабатывает 128 ГБ модули RDIMM на основе монолитных чипов DRAM объёмом 32 Гб

Компания Micron объявила о разработке модулей DDR5 RDIMM объёмом 128 ГБ. Эти модули создаются на основе монолитных 32 Гб ядер DRAM и предназначены для растущих потребностей центров обработки данных, включая искусственный интеллект и базы данных в памяти.

Новые модули RDIMM используют 32 Гб монолитную архитектуру памяти, которая даёт ряд конкурентных преимуществ. По сравнению с нынешней технологией 3DS Through Silicon Via (TSV) DRAM, новое решение обеспечивает заметное повышение плотности данных, на 45%, повышенную энергетическую эффективность, до 24%, снижение задержек на 16% и повышение производительности при обучении ИИ на 28%.

Модуль RDIMM объёмом 128 ГБ

Благодаря скорости работы в 8000 МТ/с, эти наборы RDIMM устанавливают новые рекорды в бенчмарках как по ёмкости, так и по скорости обработки сложных данных для задач ЦОД. В будущем Micron планирует расширить предложения, основанные на технологии 32 Гб DRAM. Эти продукты получат увеличенный до 256 ГБ объём, а также реализацию в различной конфигурации, включая RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL и низкопрофильный формат.

Samsung выпускает модули оперативной памяти LPCAMM

Компания Samsung объявила о создании модулей оперативной памяти Low Power Compression Attached Memory Module (LPCAMM), которые реализовывают память LPDDR5X в меньшем, быстром и более эффективном пакете.

По словам Samsung модули LPDDR5X-6400 обеспечивают скорость передачи данных до 7,5 Гб/с и на 60% меньше места, при приросте производительности 50%, по сравнению с модулями SO-DIMM. Двухканальные модули Samsung LPCAMMs предлагаются в вариантах объёмом 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, обеспечивая невероятно большие объёмы ОЗУ в невероятно малом формате.

Модуль памяти LPCAMM

Пока Samsung валидировала совместимость LPCAMM с Intel, поэтому ей ещё предстоит гарантировать совместимость с платформами AMD, Qualcomm и Apple.

Таким образом, новый тип модулей обеспечивает уменьшение габаритов на 60%, ускорение на 50% и на 70% большую энергоэффективность, по сравнению с традиционной памятью DIMM.

Компания Samsung будет использовать стандарт CAMM только для DDR5 и не будет использован для DDR4. В будущем, же, почти наверняка стоит ожидать появления модулей DDR6 в таком же формате.

Intel прекращает поддержку DDR4

В 2024 году компания Intel готовит новый сокет, который обеспечит ей новые возможности с новым поколением процессоров.

В этом новом поколении компания отойдёт от семейства «Core», что означает существенные изменения в конструкции процессоров и технологии их производства.

Ожидается, что этот сокет, LGA-1851, просуществует до 2026 года. Для него будут созданы новые «плиточные» процессоры, которые предполагают наличие на мультичиповом модуле отдельных плиток с центральным и графическим процессорами.

Для повышения производительности компания увеличит объём кэша L2 для P-ядер до 3 МБ. Для сравнения, у Raptor Lake и Alder Lake кэш составляет 2 МБ и 1,25 МБ. Что касается графики, то это ядро также получит собственный кэш L3.

С переходом на новое поколение Intel планирует отказаться от наследной поддержки DDR4, что делает сокет LGA-1851 рабочим исключительно в связке с DDR5. Это логичный шаг, учитывая доступность памяти нового типа, а также возможность сэкономить инженерные ресурсы для создания других элементов чипа. Также будущие процессоры предложат больше линий PCIe 5.0, по-настоящему открывая путь к накопителям с шиной PCIe 5.0.

SK Hynix верифицировала самую быструю в мире мобильную память

Компания SK Hynix завершила верификацию производительности памяти LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo), которую провела в связи с мобильными чипами MediaTek нового поколения.

Разработанная в январе этого года, память LPDDR5T является самой быстрой мобильной памятью DRAM, достигая скорости 9,6 Гб/с. Тесты проводились с применением процессора MediaTek Dimensity нового поколения. Таким образом, уже в этом году будет доступна память с высочайшей скоростью передачи данных.

Ранее мировое индустриальное сообщество предполагало, что скорость в 9,6 Гб/с может быть достигнута лишь с выходом LPDDR6, которая планируется на 2026 год. И вот, SK Hynix достигла таких результатах на нынешнем поколении LPDDR5T.

Поскольку проверка соответствия стандартам JEDEC находится на финальном этапе, SK Hynix ускоряет выпуск LPDDR5T на рынок. Разработчики ожидают, что смена поколений мобильных устройств в начале следующего года позволит использовать новую быструю память.

Samsung начинает производство памяти DDR5 по 12 нм классу

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства микросхем памяти DDR5 DRAM объёмом 16 Гб на основании наиболее совершенного для индустрии техпроцесса 12 нм класса.

По данным корейской компании, новая память 12 нм класса позволит снизить потребление энергии на 23%, а также повышает производительность блинов на 20%. Чипы имеют максимальную скорость в 7,2 Гб/с, чего, как говорит компания, хватит для передачи двух UHD-фильмов за 1 секунду. Новая память будет применяться в широком спектре устройств, включая центры обработки данных, системы искусственного интеллекта и вычислений следующего поколения.

Чипы памяти Samsung DDR5

Также в Samsung отметили, что 16 гигабитные микросхемы DDR5 DRAM прошли проверку на совместимость с AMD в декабре прошлого года.

Neo Semiconductor представила 3D-память DRAM

Компания Neo Semiconductor представила новую технологию памяти 3D X-DRAM, которая позволит резко увеличить плотность чипов DRAM и изменить рынок.

Благодаря чипам 3D X-DRAM, NEO Semiconductor надеется создать микросхемы памяти объёмом 128 Гб (16 ГБ) при 230 слоях, обеспечив 8-кратный прирост плотности, по сравнению с 2D DRAM чипами. В пресс-релизе компании говорится: «Память 3D X-DRAM от NEO Semiconductor является первой в своём роде структурой подобной 3D-NAND DRAM, основанной на безъёмкостной технологии с плавающим телом. Её можно производить по процессу, подобному современному 3D-NAND с необходимостью изменения лишь одной маски и отверстий линии данных, чтобы формировать ячеестую структуру внутри отверстий. Ячеестая структура упрощает шаги процесса и обеспечивает высокую скорость, плотностью и низкую стоимость при высокой степени выпуска годной продукции».

Сравнение 2D и 3D ячеек памяти DRAM

В будущем же, к 2035 году, разработчики ожидают выпустить чипы DRAM объёмом 1 Тб (256 ГБ). Большие планы, особенно учитывая, что сейчас новые компьютеры редко оснащаются более 16 ГБ памяти. А вот в отрасли машинного обучения, где требуются огромные объёмы ОЗУ, такое решение придётся как нельзя кстати.

Структура памяти 3D X-DRAM

TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ

Вслед за G.Skill и HyperX, компания TeamGroup представила свои собственные модули DDR5 объёмом 24 ГБ и 48 ГБ. Эти модули поддерживают XMP 3.0 и работают на частоте до 8000 МГц.

Компания в партнёрстве с производителями материнских плат проводила целый ряд тестов, подтверждая работоспособность и стабильность на платформах Intel 700 и 600.

Модули DDR5 объёмом 24 ГБ и 48 ГБ от TeamGroup

Наборы T-Force Delta RGB DDR5 предназначаются для геймеров и будут доступны в объёме 48 ГБ (2×24 ГБ) на скорости 6000 МГц, 6400 МГц, 6800 МГц, 7200 МГц, 7600 МГц, 8000 МГц с XMP 3.0. Для творчества же предлагается предлагаются наборы T-Create объёмом 64 ГБ (2×32 ГБ). Это модули DDR5-6000 и DDR5-6400 с дальнейшим расширением линейки. Кроме того, серия будет включать 64 ГБ наборы DDR5-6800 и 96 ГБ наборы (2×48 ГБ) DDR5-6800.

Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года.

Цены на ОЗУ продолжат снижение

Если вы хотели увеличить объём ОЗУ, но вас пугала цена, то для вас есть хорошие новости. По мнению аналитиков, цены на оперативную память продолжат своё падение.

По информации TrendForce мировые цены на DRAM в I квартале упали на 20%, а во II квартале это падение продолжится и составит 10—15%. Это также привело к снижению цен на VRAM.

Причиной падение стало снижение спроса, которое вынудило крупнейших производителей DRAM, таких как Samsung, Micron и SK Hynix даже сократить объёмы производства. Причём это падение даже ниже того, что было вызвано пандемией.

Кроме того, производители электроники обладают неплохими собственными запасами чипов, а значит, они не станут покупать новые партии микросхем во II квартале. Потребительский же спрос не ожидается высоким, потому цена продолжит снижаться.

Цены на ОЗУ

Конечно же, это хорошая новость для потребителей. За последний год стоимость модулей DDR4 снизилась на треть. Но если апгрейд вам не к спеху, то лучше ещё пару месяцев подождать.