/ / оперативная память

9923986909;rectangle
7994420702;horizontal

Новости про оперативная память

G.Skill выпускает 64 ГБ наборы самой быстрой SO-DIMM памяти #

3 января 2018

Компания G.Skill уже имеет в своём портфеле наборы памяти для ноутбуков со скоростью 4000 МТ/с, но они существуют лишь в наборах по 32 ГБ. Новое решение компании предлагает скорость в 3466 МТ/с, однако такая скорость доступна наборам объёмам 64 ГБ, по 16 ГБ на планку.

Чтобы достичь такой скорости пришлось немного ослабить тайминги. Так, представленные модули работают на задержке CAS в 17 тиков, что означает реальные задержки на уровне 64 ГБ наборов с пропускной способностью 3200 МТ/с. Большую частоту поможет поддерживать 18-ядерный процессор Core i9-7980XE при тяжёлой многопоточной нагрузке.

Набор SO-DIMM G.Skill скоростью 3466 МТ/с

Для стабильной работы памяти потребуется установка напряжения в 1,35 В. Она поддерживает XMP 2.0, так что её конфигурация будет предельно простой.

Учитывая нестабильный рынок памяти, производитель не стал называть её стоимость до начала продаж, которая состоится в начале года.

DDR4, G.Skill, оперативная память


Rambus: HBM3 удвоит пропускную способность до 4000 Мб/с #

26 декабря 2017

Новый слайд от Rambus пролил немного света на цели в развитии памяти, показав будущее широкополосной памяти HBM3 и DDR5.

Дизайнер решений в области памяти отметил, что микросхемы обоих типов при готовности выйти на рынок будут произведены по 7 нм технологии. Таким образом, эти решения в области памяти не появятся раньше 2019 года. При этом конечные спецификации пока не утверждены и в будущем ещё могут измениться.

Планы Rambus на память

У Rambus уже есть работающий прототип DDR5. В фирме ожидают, что официальный стандарт будет нацелен на частоту от 4800 МГц до 6400 МГц, что вдвое больше, чем у DDR4.

Слайд также сообщает, что HBM3 вдвое увеличит пропускную способность по сравнению с HBM2, но при этом будет иметь более сложную конструкцию архитектуры.

DDR5, HBM3, Rambus, видеопамять, оперативная память


7994420702;horizontal

Corsair выпускает самую быструю SODIMM память #

16 декабря 2017

Компания Corsair представила новую оперативную память для энтузиастов под названием Corsair Vengeance SODIMM DDR4, которая при частоте 4000 МГц стала самой быстрой ноутбучной памятью.

Модули памяти Corsair Vengeance представлены в наборах по 4 планки по 8 ГБ каждая. Хотя память SODIMM традиционно используется в ноутбуках, данные наборы предназначены в первую очередь для компьютеров малого форм фактора, работающих под управлением чипсетов X299.

orsair Vengeance SODIMM DDR4

Теперь, благодаря новой памяти, энтузиасты могут оснастить свои машины 32 ГБ оперативной памяти частотой 4000 МГц, а также получить максимум преимущества от использования хай-энд процессоров, таких как Intel Core i9 в форм факторе Mini-ITX и SFF.

orsair Vengeance SODIMM DDR4

Как и остальная современная высокопроизводительная память, данные планки основаны на микросхемах Samsung B-die. Память стабильно работает на таймингах CL19-23-23-45 при напряжении 1,35 В. Настройка режимов работы памяти происходит быстро и просто благодаря XMP 2.0.

К сожалению, о доступности и цене новой памяти пока ничего не сообщается.

Corsair, DDR4, оперативная память


G.Skill выпускает память с наименьшими таймингами #

29 ноября 2017

Когда G.Skill не может бороться за самую высокую частоту, она выпускает память с наименьшими задержками. Её последний набор Trident Z RGB работает на частоте 4000 МГц, но при этом память имеет сверхнизкий тайминг CL17.

Чтобы достичь такой задержки, компании пришлось создать наборы из «надёжных отобранных вручную высокопроизводительных компонентов Samsung B-die DDR4».

G.Skill CL17 Trident Z RGB

Все наборы имеют объём 32 ГБ (4х8 ГБ). Первый основан на памяти DDR4-4000 МГц с таймингами CL17-17-17-37 при напряжении 1,35 В. Есть наборы с такими же таймингами, но частотой 4133 МГц. Правда, эта память работает на напряжении 1,4 В.

Тестирование G.Skill CL17 Trident Z RGB

Рекордный набор  — DDR4-4266 МГц. Эти планки работают на напряжении 1,45 В и вытягивают тайминги 17-18-18-38.

Каждая из этих конфигураций была протестирована на материнской плате ASUS ROG MAXIMUS X HERO с процессором Intel Core i7-8700K.

Наборы памяти G.Skill CL17 Trident Z RGB появятся в продаже в январе следующего года.

DDR4, G.Skill, оперативная память

«Kit Guru»

G.SKILL выпускает наборы ОЗУ частотой 4400 МГц #

21 ноября 2017

Гонка производителей оперативной памяти сейчас в самом разгаре. Буквально каждую неделю на рынке появляются наборы ОЗУ со всё большей рабочей частотой. На сей раз пришла очередь G.SKILL, которая представила 32 ГБ комплект DDR4-4400.

Новые наборы двухканальной памяти выпускаются под маркой Trident Z. Они представлены в наборах 4х8 ГБ общим объёмом 32 ГБ. На частоте 4400 МГц память способна работать при напряжении 1,5 В и с таймингами CL19-19-19-39. Примечательно, что, как и все другие модули с заявленной частотой от 4 ГГц, память DDR4 Trident Z 4400 построена на микросхемах Samsung B-die DDR4.

Память G.Skill Trident Z 4400 МГц

На изображении приведено стресс-тестирование наборов памяти на материнской плате ASUS ROG MAXIMUS X HERO с процессором Intel Core i7-8700K.

Тестирование G.Skill Trident Z

Модули памяти автоматически конфигурируются через профиль Intel XMP 2.0 в BIOS. Конечно, это не остановит фанатов разгона от ручных настроек.

О цене и доступности набора пока не сообщается.

DDR4, G.Skill, оперативная память


Corsair выпускает 32 ГБ наборы памяти частотой 4333 МГц #

18 ноября 2017

Месяц назад G.Skill представила 32 ГБ (4х8 ГБ) наборы памяти частотой 4266 МГц, что стало рекордной производительностью. Но теперь есть новый чемпион. Фирма Corsair выпустила модули, которые работают на частоте 4333 МГц.

Наборы памяти Corsair Vengeance LPX 32GB DDR4-4333 МГц получили кодовое имя CMK32GX4M4K4333C19. Эти планки построены на тех же микросхема Samsung B-die DDR4, что и конкурирующее решение G.Skill. Тайминги памяти весьма агрессивны и представлены в формуле CL19-26-26-46. Напряжение питание составляет 1,5 В. Наборы памяти соответствуют спецификации XMP 2.0, что позволяет достигать рекордной частоты единственной настройкой в BIOS.

Corsair Vengeance LPX 32GB DDR4-4333MHz

Тесты, подтверждающие работу памяти на частоте 4333 МГц, проведены на плате ASUS ROG MAXIMUS X на чипсете Z370 и процессоре Intel Core i5-8600K.

Наборы Corsair Vengeance LPX DDR4-4333 МГц будут доступны для приобретения с декабря этого года на сайте компании, либо у авторизованных партнёров.

Corsair, DDR4, оперативная память

«Kit Guru»

Intel готовит DIMM модули Optane на 2018 год #

17 ноября 2017

Компания Intel перенесёт выпуск DIMM модулей Optane на вторую половину 2018 года.

Эти модули должны стать важнейшим изменением в способе хранения информации компьютером, за более чем два десятка лет. Они открывают эпоху энергонезависимой памяти, объединяя в себе лучшие свойства DRAM и NAND памяти. В первом случае, это скорость и низкие задержки, а во втором — способность хранить информацию после отключения питания. В этом году Intel уже приступила к поставкам потребительских твердотельных накопителей на базе памяти того же типа — 3D XPoint.

DIMM модуль Optane

В ходе мероприятия USB Global Technology Conference, компания Intel описала Optane DIMM как основной накопитель, который работает в виде картированной памяти, но со значительно большими плотностями, чем это возможно с нынешней DRAM DDR4.

Как обычно, первыми доступ к технологии получат промышленные потребители, в первую очередь — экзаскалярные системы, суперкомпьютеры, с производительностью порядка экзафлопса. Затем память будет доступна для более простых промышленных систем, и, наконец, для бытовых потребителей.

Планы на Optane DIMM

Кроме энергонезависимости, применение памяти нового типа должно снизить цены на память, увеличить плотность накопителей и решить проблему нехватки пропускной способности шин.

3D Xpoint, flash-память, Intel, Optane, оперативная память


Rambus имеет работающий прототип памяти DDR5 #

16 октября 2017

Память DDR5 должна стать наследником нынешней DDR4, обеспечив удвоение полосы пропускания, по отношению к нынешним решениям. Появиться же новый стандарт должен в 2019 году.

Разработчик стандарта, JEDEC, сообщает, что базовая частота памяти DDR5 составит примерно 4800 МГц, что даже вдвое выше, чем у DDR4, и опережает самые лучшие образцы современной памяти от G.Skill и Corsair, рабочая частота которых доходит до 4600 МГц.

Пропускная способность памяти составит 6,4 Гб/с, обеспечивая максимально 51,2 ГБ/с, что вдвое выше нынешних 3,2 Гб/с и 25,6 ГБ/с. Новая версия также позволит снизить напряжение 64-битного линка до 1,1 В и увеличить длину пакета с 8 до 16 бит при 1,2 В. Интересно, что регулировка напряжения будет осуществляться на самой планке памяти, а не на материнской плате. Производители процессоров рассчитывают увеличить число каналов памяти с 12 до 16, что позволит удвоить объём поддерживаемой памяти до 128 ГБ.

Прогресс памяти DDR

Что касается цены на память, то этот вопрос остаётся открытым, однако учитывая современную стоимость памяти, вряд ли скачок цены окажется слишком большим.

Сейчас характеристики памяти DDR5 кажутся удивительными, однако факт наличия работающего прототипа этой памяти впечатляет ещё больше. Вице-президент по маркетингу продуктов Rambus Хемант Дулла заявил: «… мы первые, кто получил наборы чипов DDR5 DIMM. Мы рассчитываем на производство в 2019 году, и мы хотим быть первыми на рынке, чтобы помочь партнёрам запустить технологию». О том, когда же технология будет готова для рынка, Дулла заявил: «… осталась всего пара кварталов, не пара лет… Все хотят получить более широкую шину памяти».

DDR5, Rambus, оперативная память


G.Skill выпускает память со скоростью 4600 МГц для чипсетов Z370 #

14 октября 2017

Оперативная память DDR4 доступна уже 2 года, но только сейчас, на чипсетах Z370, начинают по-настоящему раскрываться её возможности.

И конечно, G.Skill, пользуясь моментом, решила представить оперативную память с лучшими из возможных характеристиками, предназначенную специально для материнских плат на чипсетах Z370.

Модули памяти TridentZ

Самый быстрый вариант со скоростью 4600 МГц предлагается в наборах из двух планок объёмом по 8 ГБ каждая. Такая память работает с таймингами CL19-25-25-45 и при напряжении 1,5 В. Те же, кому нужно больше памяти, могут приобрести набор из четырёх планок общим объёмом 32 ГБ, но со скоростью 4200 МГц. Также доступны наборы с RGB подсветкой, однако в них скорость ниже на 200 МГц. Эти наборы предлагают тайминги CL18-19-19-39. Все платы памяти построены на интегрируемых комплектующих от Samsung.

Частота, МГц

Тайминги, мс

Ёмкость набора

Напряжение, В

Trident Z

Trident Z RGB

4600

CL19-25-25-45

16 ГБ (2x8 ГБ)

1,5

Да

-

4500

CL19-19-19-39

16 ГБ (2x8 ГБ)

1,45

Да

-

4400

CL19-19-19-39

16 ГБ (2x8 ГБ)

1,4

Да

-

4200

CL19-21-21-41

32 ГБ (4x8 ГБ)

1,4

Да

-

4000

CL19-19-19-39

32 ГБ (2x16 ГБ)

1,35

Да

-

4000

CL18-19-19-39

32 ГБ (4x8 ГБ)

1,35

-

Да

3733

CL17-19-19-39

64 ГБ (4x16 ГБ)

1,35

-

Да

Компания G.Skill предлагает на все свои модули памяти пожизненную гарантию. В продажу наборы поступят в ноябре.

Coffee Lake, DDR4, G.Skill, оперативная память


G.Skill предлагает наборы памяти частотой 4600 МГц #

22 сентября 2017

Компания Intel готовит к выпуску платформу X299, и, учитывая этот факт, G.Skill решила подготовить наборы оперативной памяти, оптимизированные специально для этих чипсетов.

Обычно частота  в 4,6 ГГц достижима при охлаждении жидким азотом, однако модули Trident Z DDR4-4600MHz CL19 могут работать на этой частоте с чипсетами X299 в двухканальном режиме.

Компания предлагает модули в сером цвете с белым акцентом и в чёрном с чёрным акцентом. Память поставляется в наборах 8 ГБ х 2. Тайминги памяти составляют 19-23-23-43, при этом она требует относительно большого напряжения в 1,5 В, но это довольно ожидаемо для хай-энд наборов.

Оперативная память Trident Z DDR4-4600MHz

Хотя платформа X299 и предназначена для энтузиастов, большая часть материнских плат не сможет нормально работать с данной памятью. Тем не менее, почти все материнские платы имеют возможности разгона.

Наборы могут работать с поддержкой Intel XMP 2.0. В продажу модули G.Skill Trident Z DDR4-4600MHz поступят в конце месяца. Цена пока не сообщается, но она не будет низкой.

DDR4, G.Skill, оперативная память

«Kit Guru»

G.Skill выпускает наборы экстремальной памяти для платформы AMD #

15 августа 2017

На фоне бешеной популярности процессоров AMD у энтузиастов, в особенности CPU Threadripper, компания G.Skill решила предложить возможность сбалансировать высокопроизводительную систему новыми быстрыми наборами памяти.

Память получила имя Flare X DDR4 RAM. Конечно, она будет работать с любыми платами, но вот с автоматическим определением оптимальных параметров её работы будет трудно. Компания отметила, что линейка Flare X специально предназначена для материнских плат и процессоров AMD, и, конечно же, для Threadripper и чипсета X399.

Память G.Skill Flare X

Первый из двух наборов имеет объём 32 ГБ (8 ГБх4 шт.). Он работает на частоте 3600 МГц с таймингами 16-18-18-38 и требует 1,35 В. Также компания предлагает похожий набор частотой 3466 МГц и 3200 МГц, но с таймингами 14-14-14-34.

Второй набор представлен 8 планками и предназначен для AMD X399. Этот набор имеет впечатляющий объём в 128 ГБ (16 ГБх8 шт.). Для его работы также нужно напряжение в 1,35 В, однако она работает на меньшей частоте в 2933 МГц с таймингами 14-14-14-34.

Данные наборы памяти сделаны в первую очередь не для геймеров, а для профессионалов, оперирующих большими массивами данных и тяжёлыми объектами в САПР. Цена и доступность наборов Flare X пока неизвестна, но вряд ли они будут стоить дёшево.

AMD, DDR4, G.Skill, Ryzen, Threadripper, оперативная память

«Kit Guru»

Ryzen позволил AMD достичь частоты памяти более 4 ГГц #

8 июля 2017

Скоростной барьер памяти в 4 ГГц для компании AMD преодолён! Австралийский оверклокер Newlife сумел разогнать память DDR4 до 4079,2 МГц. Это стало возможным благодаря новому BIOS, который предлагает больше возможностей по управлению оперативной памятью.

Зафиксированная частота DDR4 составила 2039,6 МГц, что эквивалентно DDR4-4079. Рекорд установлен на плате Gigabyte Aorus AX370-Gaming K7 с использованием 8 ГБ модулей G.SKILL Trident Z E-die (F4-3600C17-4GTZ) с таймингами 18-20-20-58-93-1. В качестве процессора использовался четырёхъядерный Ryzen 5 1400 с заниженной до 800 МГц частотой.

Разгон памяти DDR4 на CPU Ryzen

Наверняка платформа AMD Ryzen не сможет конкурировать с Intel по скорости работы памяти в связи с особенностями архитектуры. Однако это достижение очень важно для AMD, ведь прошлый рекорд частоты ОЗУ составил 1950,3 МГц, и он был установлен на памяти DDR3 в 2012 году. Что касается Intel, то у неё похожий результат, 2115,6 МГц, был достигнут в июне 2013 года на процессоре Intel Core i7 4770K.

AMD, DDR4, Ryzen, оперативная память


Дефицит NAND и DRAM продлится до 2018 года #

5 июля 2017

В течение всего года мы постоянно слышим о дефиците чипов как оперативной, так и энергонезависимой памяти. Когда в конце 2016 года этот дефицит образовался, многие полагали, что это кратковременный кризис. Однако теперь аналитики уверены, что он продлится до 2018 года.

По информации Рейтер, растущий спрос на NAND как на мобильном рынке, так и на рынке PC, привёл к тому, что некоторые поставщики стали завышать цену на свои изделия, гарантируя при этом стабильные долгосрочные поставки. Так, один из неназванных производителей сообщил, что за дополнительные деньги заключил шестимесячное соглашение на поставку чипов, хотя обычно в этом бизнесе заключаются месячные или квартальные договоры.

DRAM

В настоящее время Apple приобрела примерно 18% всех годовых поставок памяти NAND, что необходимо ей для производства iPhone нового поколения. Обычно компании перекрывают этот всплеск поставок дополнительными складскими запасами, заготовленными в первом полугодии. Однако длящаяся больше чем полгода нехватка не позволила ни одному из производителей запастись микросхемами. Поэтому к сентябрю, когда Apple выпустит новый iPhone, дефицит станет ещё более острым.

Samsung отказалась комментировать данную информации, но известно, что ранее в этом году фирма отложила выпуск SSD объёмом 4 ТБ в связи с нехваткой памяти. Другой производитель памяти, SK Hynix, сделал заявление, сообщив Рейтер, что сроки поставки чипов давно прошли, и складские запасы остаются постоянно на низком уровне.

Обозреватели отмечают, что ситуация должна улучшиться в 2018 году, когда SK Hynix и Samsung запустят новые заводы, ну а пока нам придётся мириться с дефицитом и платить за него из своего кармана.

NAND, аналитика, оперативная память, прогнозы, финансы

«Kit Guru»

G.Skill выпускает память DDR4 частотой более 4 ГГц #

2 июня 2017

В ходе выставки Computex 2017 на стенде компании G.Skill были представлены новые платы оперативной памяти DDR4 серии Trident Z, частота которых превосходит 4000 МГц.

Модули памяти DDR4-4000 Trident Z RGB представлены в формате 16 ГБ, которые будут продаваться в новых наборах 2x16 ГБ (32 ГБ). С учётом подготовки новой платформы на базе LGA2066, CPU которой имеют по 4 канала памяти, стоит ожидать также появления и наборов, состоящих из 4 планок памяти. Эти модули имеют тайминги 17-17-18-38 CR2T.

Память G.Skill Trident Z

Кроме того, компания подготовила три модуля памяти, которые работают на ещё большей частоте: DDR4-4200, DDR4-4400, DDR4-4800. Однако эти планки представлены лишь в объёме по 8 ГБ.

Планки памяти Trident Z RGB DDR4-4200 имеют тайминги 19-21-21-41, а память Trident Z RGB DDR4-4400 и DDR4-4800 имеет тайминги 19-19-19-39. Все три типа ОЗУ поставляются в наборах по две и 4 штуки и 8 штук. Для их работы необходим компьютер на базе процессора Intel с поддержкой XMP 2.0.

О ценах пока не сообщается.

DDR4, G.Skill, оперативная память


Samsung может стать крупнейшим производителем микросхем #

16 мая 2017

Обозреватели рынка полупроводников уверяют, что в скором времени может появиться новый мировой лидер в этой отрасли — компания Samsung должна стать крупнейшим производителем чипов, сместив с пьедестала Intel.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Гибридный чип NAND и DRAM от Samsung

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Intel, NAND, Samsung, микросхемы, оперативная память, прогнозы, производство, рынок