Новости про 10 нм

Intel не выпустит 10 нм процессоров до зимних праздников 2019 года

Давайте представим 2019 год. У компании AMD вовсю продаются 7 нм процессоры, в то время как Intel по-прежнему предлагает только 14 нм решения. Примерно настолько печально выглядят перспективы Intel по 10 нм технологии.

В сессии вопросов и ответов по результатам финансовой деятельности за II квартал 2018 года, Intel заявила, что первый продукт на базе 10 нм процесса появится только к зимним праздникам 2019 года. Это значит, что 14 нм процесс сохранится у Intel не только до конца 2018 года, но и почти на весь 2019 год.

В клиентском сегменте Intel готовится выпустить 9-е поколение процессоров Core под названием Whiskey Lake. Это будет 5-е поколение процессоров, изготавливаемых по 14 нм процессу. Первыми четырьмя были Broadwell, Skylake, Kaby Lake и Coffee Lake.

Технологическая дорожная карта Intel Intel
Технологическая дорожная карта Intel Intel

Скорее всего, вместе с Whiskey Lake Intel перейдёт и в 2019 год, конкурируя с 12 нм Pinnacle Ridge от AMD, и увеличивая число ядер. Также Intel проигрывает и в HEDT сегменте, выпуская 20-и и 22-ядерные процессоры с LGA2066, а также подготавливая 28-ядерный чип. К концу 2019 года AMD готовится выпустить 3-е поколение процессоров EPYC, уже по 7 нм технологии. Процессоры Ryzen будут выпускаться по 10 нм нормам.

На картинке вы можете увидеть слайд Intel, датированный 2013 годом. На нём показаны планы Intel по выпуску 10 нм технологии в 2015 году. Это изображение отлично демонстрирует, как планы могут расходиться с реальностью.

Samsung начинает массовое производство 32 ГБ модулей DDR4 для игровых ноутбуков

Компания Samsung анонсировала старт массового производства модулей памяти SoDIMM DDR4 объёмом 32 ГБ, которые предназначены для игровых ноутбуков.

В них используется память 10-нанометрового класса, а модули предназначены для достижения производительности эквивалентной настольным ПК. По словам Samsung, новая память заметно увеличивает ёмкость и скорость работы, при снижении потребляемой энергии.

SoDIMM память от Samsung
SoDIMM память от Samsung

Так, в сравнении с прошлым поколением 16 ГБ модулей, изготовленных по 20 нм классу из чипов по 8 Гб, новые модули обещают 11% прирост в скорости и на 39% меньшее потребление энергии. Новая память обладает пропускной способностью в 2,666 Мб/с, а пара таких модулей при объёме 64 ГБ будет потреблять менее 4,6 Вт при нагрузке и 1,4 Вт в простое.

Intel: проблемы 10 нм не коснутся 7 нм

Переход на 10 нм технологию производства доставил Intel массу проблем. Долгие годы компания отрабатывает этот техпроцесс, однако он до сих пор он даёт слишком много брака, когда речь заходит о высокопроизводительных решениях.

В ходе встречи с акционерами исполнительный директор Intel Брайан Крзанич в своём докладе коснулся и этой темы. Он заявил, что проблемы с 10 нм привели к тому, что AMD смогла вырваться в технологическом плане вперёд, однако переход на 7 нм не вызовет трудностей, поскольку это совершенно новая технология производства, к тому же компания поставит себе менее амбициозные цели.

Исполнительный директор Intel Брайан Крзанич
Исполнительный директор Intel Брайан Крзанич

«7 нанометров будет первым переходом к литографическим инструментам, которые затем откроют нам возможность к печати элементов намного, намного мельче, и намного проще. Так что это первый шаг, отделяющий 10 и 7 нанометров. Ещё одна вещь… из-за которой мы не сделали 10 нанометров, связана с намного более агрессивным фактором масштабирования. Вместо наших типичных 2,4, промышленность применяет масштабирование в 1,5 и 2 раза», — заявил Крзанич. Он уточнил, что переход на 10 нм должен привести к масштабированию в 2,7 раза, а это очень сильно осложняет задачу.

Сбудутся ли обещания, данные директором своим акционерам, мы узнаем только через пару-тройку лет.

Intel отказалась перенести Ice Lake на 14 нм техпроцесс

Аналитик Motley Fool Ашраф Иасса опубликовал интересную заметку о том, как Intel несколько лет назад допустила огромную ошибку.

О том, что 10 нм процесс Intel никак не может наладить, сейчас известно всем. Однако руководству о трудностях было известно давно. Бывший инженер компании Франсуа Пидноёль сообщил, что у фирмы был шанс перенести архитектуру Ice Lake на 14 нм++ процесс. Пидноёль предлагал такой шаг два года назад, однако руководство его отвергло. Отсутствие этого запасного плана привело к заметному снижению в развитии процессоров, поскольку трудности в производственном подразделении задерживают всю эволюцию Intel.

Intel Ice Lake
Intel Ice Lake

У руководства была возможность обеспечить дизайн Ice Lake (в твите это ICL) на 14 нм технологической базе, но они решили, что это не нужно. Возможно, они поступили так из-за уверенности, что двух лет достаточно для наладки 10 нм технологии производства. Менеджмент сделал неверную ставку, и теперь портфель продуктов Intel из-за этого пострадал.

Lenovo IdeaPad 330 первым получит 10 нм Intel Cannon Lake

Сейчас 10 нм технология Intel испытывает большие трудности, однако Intel уверяет общественность, что она уже отгружает производственным партнёрам 10 нм процессоры Cannon Lake, хотя никто их не видел.

Каково же было удивление обозревателей, когда AnandTech сообщил о начале поставок нового ноутбука IdeaPad 330, основанного на двухъядерном процессоре Intel Core i3-8121, который изготовлен по 10 нм нормам и имеет базовую частоту в 2,2 ГГц и 3,1 ГГц в режиме Turbo.

Lenovo IdeaPad 330

Ноутбук IdeaPad 330 — это машина начального уровня с ценой порядка 450 долларов (без НДС). Лэптоп получит 15,6” экран TN разрешением 1366х768 пикс., картинку на который выводит видеокарта AMD Radeon RX 540 с 2 ГБ VRAM. Базовая конфигурация также включает 4 ГБ ОЗУ DDR4-2133 и жёсткий диск объёмом 500 ГБ и скоростью 5400 об/мин. За дополнительную плату можно получить 8 ГБ ОЗУ, терабайтный жёсткий диск и SSD накопитель на 256 ГБ.

Сам ноутбук малоинтересен, однако факт его продаж в Китае ясно говорит о том, что Intel на самом деле начала поставки 10 нм процессоров, хоть и низкого уровня и без встроенной графики.

10 нм чипы Cannon Lake откладываются

Компания Intel приняла решения отложить массовый выпуск своих 10 нм процессоров Cannon Lake, что вызвало смешанную реакцию в технологическом мире.

Сейчас Intel уже производит такие процессоры в малом объёме, однако массовое производство теперь смещается на начало 2019 года, вместо ожидавшегося конца 2018.

Исполнительный директор компании Брайан Крзанич в ходе совещания по финансовым результатам работы связал задержку с трудностями в получении 10 нм отпечатков. Таким образом, вместо продвижения 10 нм в этом году Intel даёт себе немного времени, чтобы доработать технологию.

Процессор Intel
Процессор Intel

По словам компании, её реализация 10 нм технологии будет лучше, чем у Samsung и TSMC, поскольку она будет иметь больше элементов на квадратный сантиметр. Однако многие обозреватели в этом сильно сомневаются, и действительно ли Intel говорит правду, а не готовит очередной маркетинговый трюк, мы узнаем после готовности технологии.

Что касается нынешнего положения дел, то Крзанич оценил успех 14-нанометровой технологии, отметив рост её производительности на 70% с момента первого выпуска.

2 нм могут оказаться невыгодными

В ходе мероприятия группы Synopsys, прошедшего в Санта Кларе, Калифорния, прозвучали слова сомнения о возможности перехода полупроводниковой промышленности на 2 нм нормы производства в будущем, поскольку этот переход вряд ли будет экономически целесообразным.

Конечно, инженеры видят способы уменьшения транзисторов до 5 нм, 3 нм и даже 2 нм, но некоторые сомневаются в коммерческой эффективности этих переходов. Пока об этом говорить слишком рано, но повышение сложности и рост затрат на всё уменьшающиеся чипы может означать, что даже 5 нм процесс окажется экономически нецелесообразным.

Дорожная карта уменьшения размеров транзисторов в микросхемах
Дорожная карта уменьшения размеров транзисторов в микросхемах

«Прирост производительности в 16%, полученный при переходе на 10 нм, теряется при переходе на 7 нм по причине сопротивления в металлических дорожках. Энергосбережение, возросшее на 30% при 10 нм, при переходе на 7 нм возрастёт на 10—20%, а площадь кристалла, уменьшившаяся на 37% при 10 нм сократится на 20—30% с переходом на 7 нм», — заявил Пол Пензес, старший директор технологической команды Qualcomm.

«Площадь по-прежнему уменьшается на хорошую двухзначную величину, но скрытые затраты возрастают, означая, что реальные преимущества в стоимости и прочие улучшения начинают снижаться… И не ясно, что останется на 5 нм», — добавил Пензес, допустив, что 5 нм процесс может стать единственным улучшением после 7 нм.

Утекли сведения о Snapdragon 670

Компания Qualcomm уже подготовила новые платформы среднего уровня, которые должны быть представлены в ходе Mobile World Congress. Однако в Сеть уже утекли спецификации чипа Snapdragon 670, который будет изготовлен по 10 нм нормам.

По имеющимся слухам чип Snapdragon 670 (также известный как SDM670) основан на архитектуре ARM big.LITTLE, однако не так, как это было реализовано раньше. В новой SoC будет присутствовать два высокопроизводительных ядра Cortex A-75 и шесть эффективных ядер Cortex A-55.

Qualcomm Snapdragon

Эти два высокопроизводительных ядра названы Kryo 300 Gold. Они работают на частоте 2,6 ГГц. Энергоэффективные ядра Kryo 300 Silver работают на частоте 1,7 ГГц. Кроме того, SoC будет иметь три уровня кэширования, включая 32 КБ L1, 128КБ L2 и 1024 КБ кэша L3.

Графическая часть реализована GPU Adreno 615, хотя ранее ходили слухи о графике Adreno 620. Графический процессор Adreno 615 работает в частотном диапазоне от 430 МГц до 650 МГц с динамическим ускорением до 700 МГц. Максимально поддерживаемое разрешение экрана составляет 2560х1440 пикс.

Из остальных характеристик можно отметить процессор обработки изображений, который поддерживает пару камер разрешением 13 Мпикс. и одну 23 Мпикс.

10 нм процесс Intel опоздал на 2 года

Не секрет, что 10 нм технология от Intel давно выбилась из графика и повлияла на дорожную карту. В период зимних праздников новостей не много, так что можно немного разобраться с тем, что происходит в развитии технологии у Intel.

Архитектура Cannon Lake, изготовленная по 10 нм нормам, должна была стать седьмым поколением процессоров Core, однако вместо неё мы получили 14 нм Kaby Lake. В этом году гигант так и не смог представить никаких решений по 10 нм технологии, и выпустил Coffee Lake, 8-е поколение Core, также изготовленное по 14 нм номам. Эти процессоры стали четвёртым поколением, изготовленным по 14 нм процессу.

Intel Core i7

Эксперты в индустрии считают, что 10 нм технология Intel предложит ту же производительность, что и 7 нм у GlobalFoundries и Samsung, однако о массовом производстве речь пока не идёт. Отмечается, что даже Core Y, самое маленькое 10 нм ядро, пока ещё не выпущено.

Таким образом, 10 нм процессоры так и не были выпущены в 2017 году. Даже самые маломощные и простые версии CPU не готовы к производству. Остаётся надеяться, что хотя бы Core Y мы увидим уже в наступившем году.

Samsung выпустила самую маленькую микросхему DRAM

Компания Samsung Electronics выпустила новые микросхемы оперативной памяти, которые по её уверению являются самыми маленькими в мире.

Микросхемы DRAM DDR4 от Samsung, выпущены по второму поколению технологии 10 нм класса, они имеют объём 8 Гб. Они обеспечивают 30% прирост в производительности по сравнению с первым поколением 10 нм класса производства. Энергоэффективность новых микросхем была увеличена на 15%, а 10% прирост производительности обусловлен новыми проприетарными технологиями производства. Среди инноваций компания отметила высокочувствительную систему данных ячеек и прогрессивную схему воздушного зазора.

Микросхемы Samsung DDR4 10нм-класса второго поколения

Новые 8 Гб микросхемы DDR4 могут работать на скорости 3600 Мб/с на контакт, в то время как 8 Гб чипы первого поколения обеспечивают скорость в 3200 Мб/с на контакт.

Компания Samsung уже завершила валидацию памяти второго поколения 10 нм класса у производителей CPU. Следующим шагом компании станет тесное сотрудничество с заказчиками в разработке более эффективных вычислительных систем следующего поколения.