Новости про NAND

Micron анонсирует самый маленький пакет UFS 4.0

В ходе Mobile World Congress 2024 компания Micron анонсировала новый пакет UFS 4.0, который нацелен на смартфоны нового поколения. Предлагаясь в объёме до 1 ТБ, накопитель обеспечивает исключительную производительность, энергоэффективность и минимальные габариты.

Представленный пакет UFS 4.0 обладает размерами 9×13 мм, что является заметным сокращением габаритов от первоначальных 11×13 мм. В пакете используется собственная 3D-NAND-память, расположенная в 232 слоя, что обеспечивает объём до 1 ТБ. При этом, модули имеют скорость последовательного чтения в 4 400 МБ/с и записи — 4 000 МБ/с, чего достаточно для эффективной работы популярных больших языковых моделей и прочих приложений ИИ. В дополнение ко всему этому была на 25% повышена энергоэффективность.

Микросхема Micron UFS 4.0

По словам Micron образцы новых пакетов UFS 4.0 уже поставляются партнёрам в версиях объёмом 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Samsung наконец-то представила четырёхтерабайтный вариант SSD 990 Pro

Когда компания Samsung представила серию SSD 990 Pro, она выпустила лишь варианты объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. И вот только теперь компания готова выпустить версию объёмом 4 ТБ.

Что касается спецификаций, то Samsung 990 Pro 4TB предлагает скорость чтения 7 450 МБ/с, а записи — 6 900 МБ/с, что сравнимо с версиями объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. При случайном доступе SSD достигает 1 400 000 IOPS при чтении и 1 550 000 IOPS при записи — на уровне самых производительных моделей в мире.

Samsung 990 Pro объёмом 4 ТБ

Накопитель поставляется в двух вариантах, с тонким графеновым радиатором, идеально подходящим для ноутбуков, а также с большим алюминиевым радиатором для стабильно высокой производительности в настольных ПК. Также на борту SSD имеется LPDDR4-кэш объёмом 4 ГБ. Гарантированная наработка на отказ — 2 400 перезаписанных терабайт.

В общем, такой накопитель пригодится не только владельцам новых систем на базе процессоров AMD Ryzen 7000 или Intel Core 12-го и 13-го поколений, но и всем, кому нужно увеличить объём накопителя, ведь нынешние цены на 3D-TLC это позволяют.

Пока о цене и начале продаж SSD Samsung 990 Pro объёмом 4 ТБ ничего не сообщается, лишь ожидается появление осенью.

SK Hynix изготовила первые образцы 321-слойной NAND-памяти

В ходе презентации на конференции FMS 2023 компания SK Hynix рассказала о прогрессе в области NAND-памяти, представив образец 321-слойной памяти TLC-4D-NAND Flash объёмом 1 Тб.

Компания рассказала о своём технологическом прорыве, которого она достигла после выпуска самой ёмкой на сегодня NAND-памяти со 238 слоями, которая уже находится в массовом производстве. Этот прорыв вызван ограничениями в количестве стеков и технологическими ограничениями, приводивших к невозможности изготовления чипа толщиной более трёхсот слоёв.

Микросхема 321-слойной NAND

Новая терабитная память из 321 слоя обеспечивает 59% прирост производительности. Её планируют применять в накопителях стандарта PCIe 5.0. коммерческое внедрение памяти запланировано на первую половину 2025 года.

SK Hynix начинает массовое производство 238-слойной NAND-памяти

Компания SK Hynix приступила к массовому производству 238-слойной 4D-NAND-памяти (на самом деле вариации 3D). Эта память позволит легче внедрять высокопроизводительные и высокоёмкие SSD.

Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.

SSD с памятью SK Hynix

Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.

Kioxia и Western Digital готовят трёхсотслойную память 3D-NAND

С целью повышения производительности и ёмкости инженеры обеих фирм активно работают над разработкой 8-плоскостных устройств 3D-NAND и интегральных схем 3D-NAND с более чем тремястами слоями.

Компания Kioxia, в сотрудничестве со своим производственным партнёром Western Digital, готовится продемонстрировать свою инновацию в сфере 3D-NAND. Так, будет представлен документ, описывающий 8-плоскоснтные 3D-TLC-NAND устройства объёмом 1 Тб, состоящие из 210-ти активных слоёв и интерфейса 3,2 ГТ/с. Эти устройства обеспечивают задержки чтения в 40 мкс и программную пропускную способность в 205 МБ/с. Метод «один импульс два строба» и декодер гибридной адресации строк облегчает развязку проводников, сокращая в результате время чувствительности и ускоряя передачу данных.

Схема инновационной NAND-памяти Kioxia

Кроме этого, компании работают над устройствами с более чем тремястами активными слоями, применяя технику индуцированной металлической направленной кристаллизации, с никелевым геттерированием и прочими передовыми подходами. Заявляется, что эти решения позволяют снизить шумы при чтении на 40% и усилить проводимость канала в десять раз не снижая надёжности ячейки.

Neo Semiconductor представила 3D-память DRAM

Компания Neo Semiconductor представила новую технологию памяти 3D X-DRAM, которая позволит резко увеличить плотность чипов DRAM и изменить рынок.

Благодаря чипам 3D X-DRAM, NEO Semiconductor надеется создать микросхемы памяти объёмом 128 Гб (16 ГБ) при 230 слоях, обеспечив 8-кратный прирост плотности, по сравнению с 2D DRAM чипами. В пресс-релизе компании говорится: «Память 3D X-DRAM от NEO Semiconductor является первой в своём роде структурой подобной 3D-NAND DRAM, основанной на безъёмкостной технологии с плавающим телом. Её можно производить по процессу, подобному современному 3D-NAND с необходимостью изменения лишь одной маски и отверстий линии данных, чтобы формировать ячеестую структуру внутри отверстий. Ячеестая структура упрощает шаги процесса и обеспечивает высокую скорость, плотностью и низкую стоимость при высокой степени выпуска годной продукции».

Сравнение 2D и 3D ячеек памяти DRAM

В будущем же, к 2035 году, разработчики ожидают выпустить чипы DRAM объёмом 1 Тб (256 ГБ). Большие планы, особенно учитывая, что сейчас новые компьютеры редко оснащаются более 16 ГБ памяти. А вот в отрасли машинного обучения, где требуются огромные объёмы ОЗУ, такое решение придётся как нельзя кстати.

Структура памяти 3D X-DRAM

Kioxia и Western Digital анонсирует 218-слойную память 3D Flash NAND

Kioxia Corporation и Western Digital Corp. совместно анонсировали новую технологию 3D Flash NAND, обеспечивая превосходную ёмкость, производительность и надёжность по адекватной цене.

Новая память 3D Flash NAND, состоящая из 218 слоёв предлагается в объёме 1 ТБ в чипах типа TLC и QLC с четырьмя плоскостями и инновационной технологией сокращения размера и повышения плотности до 50%.

Модуль Kioxia NAND

Одной из ключевых инноваций стала технология, которая CMOS напрямую связывает с массивом (CBA). Каждый блин CMOS и блин с массивом ячеек производится раздельно в оптимизированных условиях, а затем связывается вместе для достижения максимальной плотности и скорости ввода-вывода NAND. Это инжиниринговое партнёрство привело к успешному выпуску BiCS FLASH 8-го поколения, обеспечив высочайшую в индустрии плотность.

Скорость ввода-вывода новой памяти достигает 3,2 Гб/с, на 60% выше прошлых поколений, а вместе с 20% приростом скорости записи и снижением задержек при чтении обеспечит пользователей невероятной производительностью.

Pure Storage планирует SSD объёмом 300 ТБ через три года

Компания Pure Storage, производитель накопителей для промышленности, уверяет, что к 2026 году сможет выпустить SSD объёмом 300 ТБ.

В интервью с Алексом МакМулланом, техническим директором Pure Storage, издание Blocks & Files получило эксклюзивную информацию, что уже через три года компания планирует выйти на объёмы 300 ТБ.

Pure Storage DFM SSD

Компания создала собственные SSD Direct Flash Module, в которых используется 3D-NAND-память и заказной контроллер. Такие накопители используются в системах FlashArray и работают под управлением специализированной ОС FlashBlade. Столь высокий уровень кастомизации позволяет компании создавать накопители значительных объёмов сейчас и в будущем, по мере развития технологии 3D-NAND.

В ближайшие годы производители 3D-NAND перейдут от современной 200-слойной памяти до 400/500-слойных чипов, поведя накопители на новые высоты. По мере развития технологии, компания Pure со своими картами DFM, используемыми с обычными коннекторами U.2 NVMe в специальном формате, смогут в дальнейшем развивать свои системы Pure FlashArray.

Сравнение плотности SSD и HDD

По сравнению с будущими HDD от Toshiba и Seagate, накопители Pure Storage DFM SSD предложат намного большую ёмкость и скорости чтения/записи. Сравнение возможностей накопителей разного типа можно увидеть на графике.

Gigabyte представил свой SSD Gen5

Компания Gigabyte выпустила новый NVMe M.2 SSD модели AORUS Gen5 10000 SSD, который использует интерфейс подключения PCI Express 5.0 (x4). Продукт представлен в двух моделях: AG510K1T объёмом 1 ТБ и AG510K2TB объёмом 2 ТБ.

SSD AORUS Gen5 10000 был представлен в прошлом году. В ходе анонса было сообщено, что накопитель построен на базе 232-слойной 3D-TLC-NAND-памяти и контроллере Phison E26, изготовленного по 12 нм процессу. Также накопитель содержит DDR4-кэш и SLC-кэширование. В результате, SSD демонстрирует на 37% большую производительность в сравнении с накопителями для шины PCI Express 4.0 (x4).

SSD AORUS Gen5 10000

Скорости чтения и записи у AORUS Gen5 10000 SSD в объёме 1 ТБ составляет 9500 МБ/с и 8500 МБ/с соответственно. Надёжность — 700 ТБ. Модель объёмом 2 ТБ достигает скоростей 10 000 МБ/с и 9500 МБ/с, а надёжность 1400 перезаписанных терабайт.

Очевидно, что этому SSD нужно мощное охлаждение. Модель AORUS Gen5 10000 SSD обладает гигантским радиатором «M.2 Thermal Guard XTREME». Накопитель потребляет порядка 10 Вт в работе и менее 85 мВт в простое. Номинальная наработка составляет 1,6 миллиона часов.

Выпущен первый потребительский SSD со скоростью 10 ГБ/с

Японский энтузиаст @momomo оказался одним из первых, кто смог установить новый твердотельный накопитель стандарта PCIe Gen5.

Компания CFD Gaming приступила к поставкам своего первого NVMe-SSD стандарта PCIe Gen5. Соответствующие платформы доступны потребителям уже около года, однако только сейчас стали появляться SSD с соответствующими возможностями.

CFD Gaming NVMe PCIe Gen5 SSD

SSD от CFD появился на японском рынке. Его особенностью стало использование шумного вентилятора на верху радиатора. Пока не ясно, можно ли его использовать с радиатором материнской платы.

Как показал обозреватель, в ходе тестирования этот SSD использовал вентилятор на очень большой скорости, который был более шумным, чем стоковый Core i7-13700K. Возможно, что столь высокие обороты вентилятора вызваны именно режимом тестирования, и в номинальном режиме работы он не будет столь активным.

Что касается скорости, то в быстром тесте CrystalDiskMark накопитель ёмкостью 2 ТБ с лёгкостью прошёл порог в 10 ГБ/с как при чтении, так и при записи. В объёме 1 ТБ накопитель выдаёт чуть меньшую скорость — порядка 9,5 ГБ/с.