7994420702;horizontal

Новости про NAND

Toshiba анонсирует eMMC память нового поколения #

5 ноября 2016

Компания Toshiba America Electronic Components представила обновлённую линейку NAND устройств Embedded Multimedia Card (e-MMC) и Universal Flash Storage (UFS).

В отличие от обычных накопителей, эти устройства содержат контроллеры и память в одном пакете, упрощая создание устройств.

Новые e-MMC устройства доступны в объёмах от 16 ГБ до 128 ГБ. Все они изготавливаются по нормам 15 нм процесса, что делает эти чипы одними из самых маленьких в мире. Последовательное чтение данных достигает 320 МБ/с, а запись — 180 МБ/с, что на 2—20% быстрее памяти Toshiba прошлого поколения. Скорость случайного же чтения выросла примерно на 100%, а записи — на 140%.

Память Toshiba e-MMC и UFS

В памяти UFS используется более широкий интерфейс связи MIPI M-PHY, что позволило в новых модулях увеличить скорость чтения до 850 МБ/с, а записи — 180 МБ/с. Микросхемы UFS построены на той же 15 нм NAND памяти и доступны в объёмах от 32 ГБ до 128 ГБ.

Компания Toshiba производит для своих накопителей не только память, но и контроллеры. Так, фирма разработала собственное аналоговое ядро M-PHY 3.0 и цифровое ядро UniPro 1.6, интегрируемые в UFS контроллер. В результате полученные микросхемы отвечают всем требованиям по скорости работы.

e-MMC, flash-память, NAND, Toshiba


Цены на DRAM вырастут #

30 сентября 2016

По информации DRAMeXchange и сайта DigiTimes контрактные цены на память DRAM и NAND в четвёртом квартале этого года поднимутся более чем на 10%.

На фоне роста спроса на ноутбуки в Северной Америке, 4 ГБ модули DRAM, как типа DDR3, так и DDR4, поднимутся в среднем до 13,50 долларов. В то же время в четвёртом квартале цена продолжит расти и достигнет 15 долларов.

Оперативная память Samsung

Производители памяти продолжат расширять производство мобильной ОЗУ и прочих не связанных с ПК продуктов, для увеличения прибыли в связи с низким спросом на PC-память. «Ожидается, что мобильная DRAM займёт порядка 45% мировых поставок ОЗУ в четвёртом квартале этого года, а серверная память составит 25% всех поставок DRAM», — заявила Аврил Ву, директор по исследованиям DRAMeXchange. «Для сравнения, PC DRAM будет занимать менее 20% от всех поставок в четвёртом квартале».

Что касается NAND памяти, то аналитики отмечают, что цена на неё продолжит свой рост благодаря высокому спросу от производителей смартфонов, включая Apple и китайских производителей Huawei, Vivo и Oppo. Спрос на NAND память начнёт превышать предложение уже с третьего квартала.

NAND, оперативная память, прогнозы, финансы

«DigiTimes»

Western Digital анонсирует 64-слойную технологию 3D NAND #

29 июля 2016

Корпорация Western Digital объявила об успешном завершении разработки 3D NAND следующего поколения, BiCS3, которая включает 64 вертикальных слоя в стеке памяти.

Опытное производство чипов должно начаться на заводе в Йоккаити, Япония, а первая продукция будет выпущена уже в этом году. Коммерческое производство компания планирует наладить в первой половине 2017 года.

Western Digital

Исполнительный вице-президент по технологиям памяти Western Digital Сива Сиварам отметил: «BiCS3 будет использовать технологию 3 бит на ячейку, а также модернизации в высоком отношении производства полупроводников к обеспечению большей ёмкости, превосходной производительности надёжности при привлекательной цене. Вместе с BiCS2, нашим широко распространённым портфелем 3D NAND, мы увеличим нашу способность в предоставлении нашим розничным, мобильным и ЦОД клиентам полного спектра продукции».

BiCS3

Технология BiCS3 была разработана Western Digital совместно с партнёром Toshiba. Изначально стеки будут предлагать 256-гигабитную ёмкость, а позднее их ёмкость будет увеличена до половины терабита на единственном чипе.

NAND, Western Digital


Crucial выпускает первый 3D TLC SSD #

29 июля 2016

Компания Crucial выпустила модельный ряд накопителей MX300, которые стали первыми решениями фирмы на базе TLC памяти с вертикальным расположением слоёв.

Месяц назад компания представила 750 ГБ версию накопителя, а теперь стал доступен весь модельный ряд, который включает SSD объёмом 275 ГБ, 525 ГБ и 1 ТБ. Пока можно приобрести накопители для интерфейса SATA3, а в течение месяца фирма выпустит накопители в формате M.2.

Накопители предлагают скорость чтения на уровне 530 МБ/с, а записи — 510 МБ/с. Надёжность составляет 220 ТБ записанных данных, что позволит им проработать заметно дольше заявленной трёхлетней гарантии.

SSD Crucial MX300

Также серия накопителей Crucial MX300 получает аппаратное шифрование данных по алгоритму AES 256-бит, технологию повышения надёжности RAIN, систему защиты от повреждения файлов Exclusive Data Defence, а также систему контроля температуры Adaptive Thermal Protection.

В результате энергоэффективность SSD выросла в 90 раз, по сравнению с типичным жёстким диском. Благодаря технологии Extreme Energy Efficiency можно снизить энергопотребление SSD до 0,075 Вт и заметно продлить срок автономной работы ноутбука.

Цена на накопители составляет от 85 до 320 долларов США, в зависимости от объёма.

Crucial, NAND, SSD

«Inquirer»

Samsung переориентируется на NAND #

2 июля 2016

C увеличением спроса на NAND память компания Samsung решила переориентировать своё производство на выпуск NAND флеш-памяти.

В ходе мероприятия, организованного для главных инвесторов, южнокорейская компания сообщила о своих планах по снижению вложений в DRAM и большей фокусировке на флеш-памяти NAND.

NAND

Изменение курса компании в области памяти произошло через несколько недель после того, как её аналитики отметили снижение продаж DRAM. Теперь же Samsung увеличит инвестиции в производственные мощности флеш-памяти NAND, в то время как другие компания попытаются противостоять гиганту. В прошлом году компания оказалась лидирующем поставщиком NAND в мире, занимая 31,6% рынка.

NAND, Samsung, оперативная память


7994420702;horizontal

Crucial выпускает память NVDIMM #

24 июня 2016

Компания Crucial (Micron) выпустила модули памяти NVDIMM для серверов. Интересными эти модули делают то, что они объединяют микросхемы DRAM и NAND на одной планке.

Таким образом, эти модули работают как оперативная память, однако в случае отключения питания, все данные оказываются сохранёнными в энергонезависимой памяти.

Crucial NVDIMM

Модули NVDIMM содержат энергонезависимую память, которая помещается в обычные слоты серверов DDR4. Модули с 288 контактами обеспечивают скорость 2133 МТ/с и пропускную способность в 17 ГБ/с. Память работает на стандартизованном JEDEC напряжении в 1,2 В.

Crucial NVDIMM

При сбое по питанию или иному прерыванию нормальной работы системы, контроллер переводит сигналы в модуль, и таким образом данные из ОЗУ переносятся в энергонезависимую память. При восстановлении питания контроллер записывает данные обратно в системную память, и весь сервер может продолжать работу, как и до выключения. Производитель продаёт NVDIMM в виде отдельных модулей и в форм факторе 2,5”, «объединённым с конденсатором PowerGem от AgigA Tech, который постоянно поддерживает питание DIMM при сбоях».

Crucial NVDIMM

Сейчас Crucial предлагает только модули объёмом 8 ГБ. Версия ёмкостью 16 ГБ будет представлена немного позднее.

Crucial, DDR4, Micron, NAND, NVDIMM


Transcend представила карты microSD промышленного класса #

12 мая 2016

Компания Transcend Information Inc., мировой лидер в области накопителей, представила новый флеш продукт промышленного уровня — карты памяти SuperMLC microSD.

Позиционируясь между SLC и MLC NAND, эксклюзивная технология SuperMLC предлагает недорогое решение, близкое по скорости и надёжности к SLC NAND. Так, новые карты SuperMLC microSD обладают высокой производительностью, великолепной надёжностью и работоспособны в широком температурном диапазоне (от 40°C до 85°C), что делает их идеальным решением для применения в медицинских устройствах, системах жизнеобеспечения и терминалах оплаты.

Карты памяти Transcend SuperMLC microSD

В новых картах памяти Transcend перепрограммировала двухбитовые ячейки памяти MLC в один бит на ячейку, создав виртуальную SLC структуру и заметно повысив производительность. Так, скорость передачи данных в новых картах UHS-I Class 1 SuperMLC microSD может достигать 95 МБ/с, вдвое больше, чем в обычных MLC чипах. Правда, при этом пришлось пожертвовать объёмом, который стал вдвое меньшим. В целом, у разработчиков получилось достичь хорошего баланса между требуемым для промышленности качеством, скоростью и ценой.

Как сказано выше, новые карты обладают высокой надёжностью. Они способны выдержать 30 000 циклов перезаписи, что в 10 раз больше, чем MLC NAND. Также в карты встроена функция коррекции ошибок ECC и система диагностики S.M.A.R.T., что позволяет точно отслеживать техническое состояние накопителя, предотвращая потерю важных данных.

Карты памяти Transcend SuperMLC microSD доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ. Гарантия на накопители составляет 2 года. К сожалению, много рассказав о выгодной цене, производитель не сообщил конкретных цифр.

flash-память, NAND, Transcend, карта памяти


Память SLC не надёжнее MLC #

10 марта 2016

На заре твердотельных накопителей в них использовалась память SLC с одним хранимым битом на ячейку. Позже появилась память MLC с двумя и TLC с тремя битами. Эта память стоит дешевле, но традиционно считается менее надёжной, по сравнению с SLC, которую продолжают использовать в SSD промышленного уровня.

Учёные из Университета Торонто совместно с Google провели исследование, в котором оценили надёжность работы твердотельных накопителей за последние 6 лет. Они установили, что SLC и MLC накопители служат практически равномерно. Исследование показало, что несмотря на заметно меньшую надёжность записи MLC, они вполне могут соперничать с SLC. Наибольшее количество отказов SSD было вызвано их старением, а не числом циклов перезаписи. Это в очередной раз показало, что сбои контроллера, прошивки, дефекты NAND намного чаще приводят к замене накопителя, ещё до того, как NAND память выйдет из строя из-за большого числа перезаписей.

NAND память Micron

Также согласно исследованию, показатель количества нескорректированных ошибок (Uncorrectable Bit Error Rate) не имеет смысла, в то время как общее число ошибок (Raw Bit Error Rate) очень важно. Таким образом, производители оказались очень консервативны в своих допущениях. За первые 4 года эксплуатации от 30 до 80% SSD получают как минимум один плохой блок, а от 2 до 7% накопителей получают как минимум один плохой чип. Исследователи подытожили, что при эксплуатации накопители не потеряют все свои данные одновременно, как при сбоях HDD, а будут страдать «забывчивостью», теряя небольшие участки данных.

Как известно, большинство SSD позволяют восстановить данные из сбойных блоков, так что такие отказы не будут иметь значимых последствий. Учёные провели исследование и на корпоративных SSD, которые эксплуатируются в более жёстких режимах, и единственный вывод, который можно из него  сделать— это то, что память SLC просто медленнее, но совершенно не надёжнее. В общем, используя SSD, вам стоит беспокоиться не о количестве циклов перезаписи, а о возрасте накопителя.

flash-память, NAND, SSD, исследования и наука

«Eteknix»

Toshiba готовит первый потребительский SSD с 15 нм памятью #

27 февраля 2016

Компания Toshiba объявила о том, что она готовит к выпуску свои первые твердотельные накопители форм-фактора 2,5” и M.2, основанные на TLC флэш-памяти, изготовленной по нормам 15 нм процесса. Компания готовит широкий спектр моделей объёмом от 128 ГБ до 1 ТБ.

Новая серия клиентских SSD получила название SG5. Как было сказано выше, накопители основаны на микросхемах NAND памяти, изготовленной по 15 нм технологии. Выпуск накопителей в различных форм-факторах, как старом добром 2,5”, так и новомодном M.2 2280 (одно- и двухстороннем), позволяет продукту найти себе применение в различных условиях монтажа.

SSD Toshiba SG5

Кроме эффективной памяти серия SG5 также может похвастать собственной технологией коррекции ошибок, получившей название QSBCTM (Quadruple Swing-By Code), и поддержкой высокоэффективной кодировки коррекции ошибок ECC, которая повышает защищённость пользовательских данных от повреждения и повышает долговечность накопителя.

Таким образом, компания продолжает усиливать свои позиции на рынке SSD, предлагая новые модели накопителей для различных нужд. Поставки опытных образцов накопителей Toshiba SG5 уже начались.

NAND, SSD, Toshiba


Спрос на флеш-память приведёт к снижению её цены #

8 февраля 2016

Вице-президент NetApp по продуктам, решениям и маркетингу сервисов Ли Кэсуелл прокомментировал спрос на накопители, построенные на основе твердотельной памяти, заявив, что внедрение хранилищ данных на флэш-памяти крупными предприятиями будет расти, что позволит ценам на флэш-память типа NAND снижаться.

Кэсуелл отметил, что спрос на NAND память растёт более быстрыми темпами, чем растут продажи на рынке накопителей, особенно на Ближнем Востоке и Африке, демонстрируя более 100% годового прироста продаж во втором квартале 2015 года.

Вице-президент NetApp Ли Кэсуелл

С учётом снижения цены и того факта, что пользователи всё чаще предпочитают использование флэш-памяти вместо жёстких дисков, стремясь избавиться от ограничений в их производительности, аналитик полагает, что флэш-накопители постепенно станут мейнстрим продуктом, увеличив проникновение.

Рост спроса на флэш-накопители и облачные вычисления, в свою очередь, ведёт к трансформации инфраструктуры IT. Поскольку использование общих технологий позволяет снизить сложность аппаратного обеспечения и затраты на него, Кэсуелл считает, что технологии твердотельной памяти будут демонстрировать рост в течение всего года.

flash-память, NAND, аналитика, прогнозы

«DigiTimes»

SK Hynix отвергла финансовое предложение Tsinghua #

2 декабря 2015

Китайская правительственная компания Tsinghua давно ищет способы стать крупнейшим производителем микросхем памяти в мире, для чего она готова потратить огромные средства.

Согласно недавним слухам, Tsinghua Unigroup хотела приобрести большую долю в SK Hynix, и теперь детали этой сделки стали известны общественности. Китайская компания хотела приобрести 20% акций южнокорейской SK Hynix за 5,3 миллиарда долларов США, с условием, что последняя построит завод по производству NAND памяти в Китае. Однако корейская фирма отклонила это предложение, заявив, что SK Hynix не продаётся.

SK Hynix

Марк Ньюмэн из аналитической компании Bernstein Research сообщил: «Изучая другие отрасли, в которые вошёл Китай (смартфоны, солнечная энергетика, LCD и т.д.), становится понятно, что однажды войдя в отрасль, Китай не остановится, пока не будет доминировать на рынке с постоянным экономическим и массовым подавлением. В SK Hynix об этом предупреждены, что и является главной причиной, по которой, по нашему мнению, они отклонили предложение Tsinghua».

flash-память, Hynix, NAND, финансы


Crucial выпускает SSD с 16 нм NAND памятью #

10 ноября 2015

Компания Crucial, один из мировых лидеров в производстве памяти, представил модель бюджетного SSD Crucial BX200, который может похвастать неплохой производительностью. Накопитель разработан для использования в домашних компьютерах и для SMB.

Твердотельный накопитель BX200 построен на базе 16 нм флеш-памяти NAND и предлагает последовательную скорость чтения и записи на уровне 540 МБ/с и 490 МБ/с соответственно. Случайная же скорость работы составляет 66 000 IOPS и 78 000 IOPS соответственно. Таким образом, новый привод по сравнении с традиционными HDD обладает в 13 раз большей скоростью работы и в 40 раз меньшим энергопотреблением.

SSD Crucial BX200

Сообщается, что устройство построено на контроллере Silicon Motion SM2256 с сертифицированной разработчиком прошивкой.

SSD Crucial BX200

Устройство Crucial BX200 доступно к приобретению в форм-факторе 2,5” в моделях с объёмом 240 ГБ, 480 ГБ и 960 ГБ по цене в 105, 180 и 360 долларов США. Вместе с накопителем также поставляется ПО для переноса данных Acronis True Image HD, которое позволяет без проблем осуществить миграцию со старого жёсткого диска на новый SSD.

16 нм, Crucial, NAND, SSD


SK Hynix выпустит 48-слойную NAND память через год #

23 октября 2015

Один из лидеров рынка памяти, компания SK Hynix, недавно приступила к массовому производству DRAM чипов 20 нм класса и сообщила о планах по выпуску 36-слойной флеш-памяти до конца этого года. Что касается 48-слойных чипов, то их выпуск компания запланировала на 2016 год.

На этом рынке фирма пытается догнать Samsung, которая начала массовое производство 20 нм ОЗУ ещё в марте 2014 года, а первая серийная 48-слойная микросхема NAND была выпущена в августе этого года.

SK Hynix 20 Nano-class 8GB LPDDR3

SK Hynix также объявила о своих планах по разработке флеш-продуктов на базе 3D NAND. Президент фирмы Парк Сун-вук заявил: «Это процесс становления новой технологии. Мы планируем произвести некоторое количество 36-слойных 3D NAND чипов поэтапно в этом году и массово выпускать 48-слойные продукты в начале следующего года».

Он также отметил, что «новая память будет хороша, но мы больше фокусируемся на расширении достижений нынешних DRAM и NAND продуктов. Вместо выпуска новой памяти на рынок, мы пытаемся найти способ сделать лучшими существующие чипы памяти».

20 нм, flash-память, Hynix, NAND, оперативная память


Samsung представляет 950 PRO M.2 PCIe SSD с технологией V-NAND #

24 сентября 2015

Компания Samsung представила первый потребительский твердотельный накопитель модели 950 PRO формата M.2 и технологией Non-Volatile Memory Express (NVMe) и вертикальной NAND памятью (V-NAND). Подключение M.2 реализовано посредством четырёхлинейного интерфейса PCIe 3.0.

Использование протокола NVMe позволяет Samsung 950 PRO обеспечить улучшенную производительность, а также меньшее энергопотребление, помогая увеличить срок автономной работы и снизить операционные затраты.

SSD Samsung 950 PRO

Накопитель 950 PRO предлагается в объёмах 256 ГБ и 512 ГБ. Версия объёмом 512 ГБ обеспечивает последовательную скорость чтения/записи на уровне до 2500 МБ/с и 1500 МБ/с соответственно. Случайная скорость чтения составит 300 000 IOPS, а записи — 110 000 IOPS. Накопитель поставляется с 256-битным AES шифрованием и технологией Dynamic Thermal Guard которая защищает накопитель и данные в температурном диапазоне от 0 до 70 °C.

На свой накопитель производитель предлагает 5 летнюю гарантию с объёмом перезаписи на уровне 200 ТБ для 256 ГБ модели, и 400 ТБ для 512 ГБ варианта. Оба накопителя поступят в продажу в октябре по цене в 200 и 350 долларов США.

NAND, Samsung, SSD

«VR-Zone»

Toshiba представила первую 16-ядерную стековую NAND память с технологией TSV #

12 августа 2015

Компания Toshiba объявила о создании первой в мире флеш-памяти NAND, которая состоит из 16 «штабелированных» ядер NAND с использованием технологии TSV. Данный метод, который также использовался в линейке ускорителей AMD Fury, позволяет увеличить производительность при снижении энергопотребления.

Разработанный прототип новой микросхемы памяти компания представила на конференции Flash Memory Summit 2015.

16-слойная NAND TSV память

При традиционной конструкции стековой флеш-памяти, слои связаны между собой на торцах пакета. Технология Through Silicon Via (TSV) использует вертикальные электроды и связи для прохождения сквозь ядра памяти для их объединения. Всё это позволяет увеличить скорость передачи данных и снижает энергопотребление.

Технология TSV от Toshiba позволяет достичь скорости передачи данных на уровне 1 Гб/с при меньшем напряжении питания чем прочие типы NAND: 1,8 В для цепей ядра, 1,2 В для цепей ввода-вывода. Также на 50% снижается энергопотребление при операциях чтения, записи и передачи данных.

flash-память, NAND, Toshiba