7994420702;horizontal

Новости про 20 нм

SK Hynix выпустит 48-слойную NAND память через год #

23 октября 2015

Один из лидеров рынка памяти, компания SK Hynix, недавно приступила к массовому производству DRAM чипов 20 нм класса и сообщила о планах по выпуску 36-слойной флеш-памяти до конца этого года. Что касается 48-слойных чипов, то их выпуск компания запланировала на 2016 год.

На этом рынке фирма пытается догнать Samsung, которая начала массовое производство 20 нм ОЗУ ещё в марте 2014 года, а первая серийная 48-слойная микросхема NAND была выпущена в августе этого года.

SK Hynix 20 Nano-class 8GB LPDDR3

SK Hynix также объявила о своих планах по разработке флеш-продуктов на базе 3D NAND. Президент фирмы Парк Сун-вук заявил: «Это процесс становления новой технологии. Мы планируем произвести некоторое количество 36-слойных 3D NAND чипов поэтапно в этом году и массово выпускать 48-слойные продукты в начале следующего года».

Он также отметил, что «новая память будет хороша, но мы больше фокусируемся на расширении достижений нынешних DRAM и NAND продуктов. Вместо выпуска новой памяти на рынок, мы пытаемся найти способ сделать лучшими существующие чипы памяти».

20 нм, flash-память, Hynix, NAND, оперативная память


Micron начинает поставки 20 нм памяти GDDR5 #

2 июля 2015

Компания Micron Technology в ходе отчётной конференции по результатам 3-го квартала 2015 финансового года сообщила, что начинает поставки чипов памяти GDDR5, которые основаны на технологии производства 20 нм класса.

Компания сообщила, что начинает поставки 8 Гб (1 ГБ) микросхем памяти GDDR5.

Ранее компания сообщала о приобретении ею японского производителя памяти Elpida, который также выпускал графическую память для видеокарт, ноутбуков и игровых консолей. Рынок памяти GDDR5 был пересыщен такими компаниями как Samsung и SK Hynix, в то же время сам стандарт памяти понемногу устаревает.

Микросхема памяти Micron

Как известно, AMD в новом поколении GPU хай-энд класса решила использовать стековую память HBM. Её конкурент, фирма NVIDIA, должна внедрить стековую память в картах с графическими процессорами архитектуры Pascal. Однако, не смотря на новшества, видеоплаты с памятью GDDR5 будут продаваться ещё долгие годы, точно так же, как до сих пор можно встретить ускорители с памятью DDR3.

20 нм, EVGA, GDDR5, Micron, видеопамять


Samsung снизила цену на память DDR4 #

29 июня 2015

Памяти стандарта DDR4 ещё предстоит стать основой обычных ПК, однако Samsung Electronics уже заботится о своём будущем, для чего снижает стоимость чипов. Этот подход позволит компании захватить больше рынка ОЗУ и повлечёт дальнейшее удешевление чипов.

В настоящее время память DDR4 можно встретить исключительно в настольных ПК высшего уровня и серверных системах. Основная же масса компьютеров использует память DDR3. В ближайшие месяцы Intel готовит выпуск процессоров с микроархитектурой Skylake, которая будет поддерживать память DDR4, что повлияет на увеличение спроса на модули памяти данного типа. Компания Samsung, желая гарантировать себе надёжную позицию на новом рынке, начала предлагать DDR4 со скидкой.

Модули памяти DDR4 от Samsung

Теперь цена на память DDR4 близка к цене DDR3. Если Samsung закрепится на этом рынке, другие производители ОЗУ, такие как SK Hynix и Micron Technology, будут вынуждены и дальше снижать цену.

Эксперты в данной области уверены, что для сохранения высокого дохода производители будут вынуждены изготавливать микросхемы DRAM по наиболее тонким техпроцессам, таким как с размером элементов 20 нм, и сейчас лишь Samsung выпускает значительное количество памяти по данной технологии. Именно поэтому компания и может позволить себе скидку.

Сама же Samsung отказалась комментировать данную информацию.

20 нм, DDR4, Samsung, оперативная память

«KitGuru»

AMD могла отказаться от Skybridge из-за GloFo #

6 июня 2015

В сети появилась альтернативная версия причины закрытия проекта гибридного ARM и x86 процессора Skybridge, разработки AMD.

Месяц назад AMD объявила о прекращении работы над Skybridge, обосновав решение отсутствием возможно спроса. Теперь же говорят, что причиной стала невозможность запуска недорогой 20 нм технологии производства у GlobalFoundries.

Проект AMD Skybridge

Согласно дорожной карте GlobalFoundries, после подписания договора с Samsung, фирма отменила все работы по 20 нм LPM процессу, сфокусировавшись на будущей 14 нм технологии FinFET. Вероятно потому, что GloFo должна была построить 20 нм завод для AMD, первая начала требовать от дизайнеров дополнительные средства на строительство, но AMD, в своей недавней презентации, чётко дала понять, что не собирается инвестировать в производство.

Если же AMD не стала платить GloFo за эксклюзивный процесс производства, то разработчик может перейти на мощности TSMC. Это уже раньше происходило, когда GloFo не смогла изготовить APU Krishna и Wichita (которые в итоге назывались Kabini и Temash). Это решение по переработке процессоров повлекло перенос выпуска на целый год. В случае же переноса Skybridge на TSMC, выпуск новых процессоров будет конкурировать с другими новыми чипами AMD — Zen и K12. Именно поэтому компания и могла свернуть проект гибридного чипа.

20 нм, AMD, CPU, GlobalFoundries, слухи


NVIDIA подтвердила партнёрство с TSMC на 16 нм производство #

14 мая 2015

В ходе телефонной конференции по финансовым вопросам, исполнительный директор NVIDIA Дзень-Сунь Хуан отметил, что его фирма имеет тесные связи с TSMC на многие будущие поколения технологии производства. Сейчас сотрудничество происходит по 20 нм технологии и перейдёт на 16 нм.

Он добавил, что NVIDIA всегда ищет для себя новых производителей, поскольку конкуренция заставляет всех прогрессировать, при этом он отметил, что TSMC является главным партнёром и нет признаков того, что ситуация в ближайшее время изменится.

На заводе TSMC

«Мы постоянно оцениваем изготовителей, но мы много заказываем у TSMC, основную массу наших пластин мы покупаем у TSMC. Мы находимся на 20 нм, и мы ожидаем перехода на 16 нм. Мы глубоко повязаны с TSMC на многие, многие технологии производства вперёд, включая 10 нм», — заявил Хуан.

«У нас есть очень много путей для обеспечения энергетической эффективности и производительности. Я бы не стал зацикливаться непосредственно на технологии производства. Но мы всегда ищем новых поставщиков, а конкуренция заставляет всех прогрессировать. Однако для всех целей и направлении TSMC является нашим основным партнёром».

16 нм, 20 нм, NVIDIA, TSMC, производство


7994420702;horizontal

MediaTek использует 20 нм техпроцесс производства #

12 мая 2015

Разработчик мобильных процессоров, компания MediaTek, готовится начать производство своего 10-ядерного процессора в третьем квартале 2015 года. Таковы данные источников, близких к производству. Сообщается, что чипы будут изготовлены по 20 нм технологии.

Процессор с кодовым именем Helios X20 в первую очередь на целен на брендовые смартфоны, включая те, что выпускаются в Китае, от тех производителей, которые хотели бы оснастить свои флагманские устройства 10-ядерными SoC. Компания MediaTek должна начать рекламную компанию по продвижению Helios X20 в середине второго квартала. Данный процессор должен стать первым 10-ядерным решением для смартфонов, из доступных сейчас на рынке.

MediaTek

Система на чипе Helios X20 получит конструкцию 2+4+4, обеспечивая на 40% большую производительность, чем 8-ядерные чипы, отмечает источник. Контрактным производителем нового процессора станет Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), при этом отмечается, что производиться чип будет по 20 нм техпроцессу.

20 нм, MediaTek, SoC, TSMC, смартфон

«DigiTimes»

SK Hynix начинает производство 20 нм памяти #

2 апреля 2015

Компания SK Hynix, второй в мире производитель оперативной памяти, объявил, что во втором полугодии начинает массовое производство DRAM памяти, используя для этого 20 нм технологический процесс. Данный переход позволит компании лучше соответствовать нуждам рынка хай-энд памяти.

Сейчас наиболее совершенные технологии, доступные SK Hynix, включают размеры элементов 25 и 29 нанометров. Более тонкий производственный процесс позволит производителям выпускать на 30% больше чипов ОЗУ на пластинах того же диаметра в 300 мм, которые использовались ранее. В результате себестоимость каждой такой микросхемы будет ниже, что означает большую прибыль для компании.

Некоторые эксперты считают, что 20 нм техпроцесс крайне важен для производителей памяти, поскольку позволит выйти на плотности равные 8 Гб на чип, такие же, как существуют в памяти DDR4.

ОЗУ DDR4 производства SK Hynix

По информации крупнейшего в мире трекера памяти, DRAMeXchange, SK Hynix за второе полугодие 2014 значительно продвинулась в качестве производства по 25 нм технологии, что позволило фирме существенно увеличить прибыль. Ранее сообщалось, что Samsung Electronics, мировой лидер в области памяти, в этом году будет использовать 20 нм технологию для более чем половины всей производимой памяти. Эта компания приступила к массовому производству в конце прошлого года.

Третий крупнейший игрок рынка, Micron Technology, начал опытное 20 нм производство микросхем в четвёртом квартале 2014 года. Компания планирует увеличить массовое производство по 20 нм технологии также в этом году, однако объёмы будет относительно малыми.

20 нм, Hynix, оперативная память, производство

«KitGuru»

В Сеть утекла дорожная карта MediaTek #

28 января 2015

Дорожная карта SoC от китайской компании MediaTek была опубликована в китайской же социальной сети, однако подлинность этого документа пока не подтверждена. Тем не менее, данная информация была опубликована на многих ресурсах.

Документ раскрывает множество интересных фактов о будущем этих недорогих SoC. В частности, стало известно, что в этом году фирма не выпустит 20 нм чипов. Детальные спецификации остаются пока неизвестными, однако известно, что самым технологичным решением станет MT67XX, 64 битный восьмиядерный чип. И именно он будет изготавливаться по 20 нм технологии, однако данный процессор увидит свет лишь в самом конце 2015 или начале 2016 года. Новая SoC, пока не получившая точного названия, будет поддерживать связь LTE Cat 6. Данный процессор в плане производительности будет находиться между мейнстрим и премиальными категориями.

Дорожная карта MediaTek

Флагманским решением на этот год станет SoC MT6795, восьмиядерный процессор со структурой big.LITTLE. Он будет содержать 4 ядра Cortex-A57 и 4 ядра Cortex-A53, тактовая частота процессора составит 2,2 ГГц. Также процессор получит интегрированный 4G модем. Производиться он будет, как и прочие чипы этого года, по 28 нм технологии.

Также ко второму и третьему кварталу компания наметила выпуск целого ряда процессоров начального сегмента, при этом почти все из них будут построены на архитектуре Cortex-A53.

Также стоит отметить два процессора начального сегмента MT6580 и MT6570 с низкой стоимостью. Эти процессоры основаны на устаревшей архитектуре Cortex-A7 и поддерживают только 3G сеть. Оба этих процессора получат тактовую частоту в 1,3 ГГц, но MT6580 получит 4 ядра, а MT6570 только два.

20 нм, 28 нм, MediaTek, Roadmap, SoC, слухи

«Fudzilla»

Samsung начинает массовое производство 8 Гб памяти GDDR5 #

19 января 2015

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области оперативной памяти, объявила о начале массового производства первой в мире памяти GDDR5 ёмкостью 8 гигабит, которая изготавливается по 20 нм технологическому процессу.

Как не трудно догадаться, новые микросхемы предназначены для графических плат и плат модульных суперкомпьютеров. С ростом требований к 3D играм, а также популярности видео сверхвысокого разрешения, возросли и требования к высокоскоростной передаче больших объёмов данных в графических системах.

Чипы памяти GDDR5 Samsung объёмом 8 Гб

Новая 8 Гб память Samsung предлагает беспрецедентную пропускную способность, ведь собрав всего восемь чипов, можно получить целых 8 ГБ видеопамяти, вдвое больше, чем на современных высокопроизводительных графических платах и столько же, сколько есть в нынешних консолях. Представленные чипы работают на скорости ввода/вывода равной 8 Гб/с на контакт, что более чем в 4 раза превосходит скорости памяти DDR3.

С выпуском 20 нм памяти GDDR5 ёмкостью 8 Гб, Samsung завершила свою линейку решений памяти объёмом 8 Гб. Далее же компания продолжит увеличение объёмов производства 20 нм памяти в различных плотностях, равных 4 Гб, 6 Гб и 8 Гб, а также надеется и впредь увеличивать ёмкости чипов для сохранения своих лидирующих позиций.

20 нм, GDDR5, Samsung, видеопамять


GPU по 20 нм технологии не будет #

19 января 2015

Сайт Fudzilla сообщает о том, что графические процессоры, изготовленные по 20 нм технологии, не увидят свет никогда. Даже несмотря на то, что NVIDIA, Qualcomm, Samsung и Apple уже изготавливают свои SoC по этой технологии.

Из того что сообщает источник стало известно, что AMD и NVIDIA не станут выпускать 20 нм GPU никогда, поскольку отпечатки настолько плохи, что производить их промышленно не имеет смысла.

Это означает, что настоящий технологический прорыв произойдёт с переходом на 16/14 нм технологию FinFET от таких производителей как TSMC и GlobalFoundries / Samsung соответственно. Также известно, что компания AMD занимается разработкой GPU Caribbean Islands и Fiji. В свою очередь NVIDIA готовит собственные графические процессоры нового поколения.

Пластина процессоров

Тем не менее, это вовсе не означает, что никакого усовершенствования в нынешней ситуации произойти не может, и яркий пример тому NVIDIA с невероятно эффективной архитектурой Maxwell, процессоры которой изготовлены с размерами элементов в 28 нм.

Несмотря на отсутствие 20 нм технологии производства, источник полагает, что обе компании предложат новые решения в плане графики, стимулируя приобретение новых продуктов возможностями играть в современные игры, поддержкой FreeSync или G-Sync, а также рендером разрешением 4K.

Начало массового производства по 16 нм FinFET процессу ожидается на конец этого года.

20 нм, AMD, GPU, NVIDIA, производство

«Fudzilla»

Samsung начал массовое производство 8 Гб памяти LPDDR4 #

30 декабря 2014

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.

Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.

Samsung

По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.

Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск  памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.

20 нм, DDR4, Samsung, оперативная память, смартфон

«Eteknix»

Samsung изготовила 8 Гб микросхемы DDR4 #

28 октября 2014

Компания Samsung Electronics объявила о том, что начала массовое производство наиболее совершенной DDR4 памяти в промышленности, объёмом 8 Гб, а также модулей объёмом 32 ГБ. Эти микросхемы будут изготавливаться по 20 нм технологии и нацелены на использование в корпоративных серверах.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

32 ГБ модуль памяти DDR4 от Samsung

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.

20 нм, DDR4, Samsung, оперативная память, сервер


Samsung анонсирует 20 нм процессор Exynos 5430 #

28 августа 2014

Компания Samsung выпустила свою первую 20 нм систему на чипе. Восьмиядерный процессор Exynos 5430, в целом, не обеспечивает ничего нового. Он по-прежнему оснащён вычислительным ядром ARM Cortex A15, однако благодаря технологии производства HKMG с размером элементов 20 нм, компании удастся значительно увеличить энергоэффективность и поднять частоты.

Новый чип Exynos 5430 Octa очень похож на модель Exynos 5422. Он также имеет 4 ядра ARM Cortex A15 ревизии r3p3, однако они более эффективны, чем ядра ревизии r2p4 в 5422. Более быстрый CPU имеет частоту в 1,8 ГГц. Кроме того, чип имеет 4 ядра ARM Cortex A7 низкого энергопотребления, частота которых составляет 1,3 ГГц.

Со стороны GPU чип получил ARM Mali-T628 MP6 частотой 533 МГц, который поддерживает разрешение WQXGA (2560x1600) и WQHD (2560x1440).

Samsung Exynos

В новый процессор Samsung добавила поддержку нового мультиформатного кодека для декодирования H.265. Новый сопроцессор, названный Seiren, предназначен для распаковки аудио. Также в процессор были включены и новые технологии, такие как Mobile Image Compression и Adaptive Hibernation Display, которые позволят уменьшить потребление энергии экраном.

В целом Samsung ожидает 25% снижение энергопотребления при идеальных условиях использования чипа Exynos 5430 Octa.

Ожидается, что новый процессор впервые появится в смартфонах Samsung Galaxy Alpha, выпуск которых намечен на сентябрь.

20 нм, ARM, Samsung, SoC, смартфон


AMD Cariizo выйдет только для мобильных устройств? #

2 августа 2014

Модельный ряд новых ускоренных процессоров AMD с кодовым именем Carizzo, может не содержать версий для настольных ПК.

Согласно данным итальянского технологического сайта bitsandchips.it, который ссылается на промышленные источники, AMD планирует ограничиться только мобильными процессорами ряда Carizzo. Ресурс Fudzilla, опубликовавший данную информацию, не смог ни подтвердить её, ни опровергнуть.

AMD

Если эти слухи окажутся правдой, компания AMD не выпустит новую настольную платформу до следующего года. Стоит отметить, что Intel поступила точно так же, подготовив 14 нм процессор скорее для мобильных систем, чем для настольных. Ранее дорожная карта AMD демонстрировала планы по выпуску настольной версии Carizzo на 2015 год.

Сокет FM2+ и Kaveri продержится на рынке до 2016 года, в то же время своё существование прекратит и платформа AM3+.

В настоящее время о Carizzo известно не так много, разве только можно полагаться на несколько слухов. Первыми 20 нм APU будут AMD Nolan, однако Carizzo станет первым большим решением, изготовленным по 20 нм.

Ранее AMD официально сообщила, что выпустит 20 нм процессоры только в следующем году.

20 нм, AMD, APU, слухи

«Fudzilla»

TSMC теряет рынок из-за конкурентов #

26 июля 2014

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) проиграет конкурентам в сегменте 14/16 нм производства в 2015 году, однако ожидает вернуть свои позиции в 2016—2017 годах. Об это заявил глава TSMC Моррис Чан.

В третьем квартале 2015 года 16 нм производство будет занимать незначительную долю от общей прибыли. Чан не сообщил, какая именно компания обойдёт TSMC по производству в 2015 году, но промышленные источники говорят, что Samsung Electronics станет лидером в 14/16 нм сегменте, после того, как смогла заполучить у Qualcomm заказ на производство микросхем по 14 нм процессу.

Тем не менее Чан заявляет, что 16/20 нм процесс приведёт к росту прибыли его компании в следующие три года. При этом 20 нм процесс сможет обеспечить 10% общей прибыли уже в третьем квартале 2014 года с дальнейшим ростом до 20% в третьем квартале. В 2015 году ожидается дальнейший рост прибыли от 20 нм производства.

Глава TSMC Моррис Чан

16-нанометровый процесс производства от TSMC будет конкурентоспособным при производстве систем радиосвязи, потребительских микросхем, GPU, сетевых решений, программируемых вентильных матриц и серверных чипов.

Тем не менее, компания TSMC ожидает продолжение роста квартальной прибыли на 12,6—14,2% до 6,86—6,96 миллиардов долларов США за третью четверть этого года.

В третьем квартале валовая прибыль составит 48,5—50,5%, в то время как операционная прибыль достигнет 38,5—40,5%, отметил руководитель компании.

14 нм, 16 нм, 20 нм, Samsung, TSMC, производство, рынок, финансы

«DigiTimes»