Новости по теме «Toshiba: наша память уменьшит энергопотребление CPU на 60%»

Названный XFMEXPRESS, новый формат позволяет использовать две или четыре линии PCIe, при этом такой накопитель занимает меньше места, чем даже M.2 22x30 мм. Карта накопителя от Toshiba имеет размер 18х14х1,4 мм, что немного больше и толще карты памяти microSD. Вместе с сокетом для установки такой накопитель займёт на плате пространство 22,2x17,75x2,2 мм.

Идея нового формата заключается в предоставлении сменных накопителей устройства, где обычно используются BGA SSD либо модули eMMC и UFS. Такой подход, в свою очередь, улучшит ремонтопригодность портативных устройств и позволит выполнить апгрейд.

Накопители XFMEXPRESS не предназначены для внешнего слота, замена такого накопителя потребует разборки устройства, равно как и в случае с M.2, однако в отличие от него, монтаж XFMEXPRESS SSD не требует инструментов.

Разработчики отмечают, что такой накопитель не будет медленнее устройств с сокетом BGA, а его коннекторы обеспечат лучшее отведение тепла. Металлический каркас позволит устанавливать радиатор.

Слово Kioxia является комбинацией японского слова «киоку», означающему «память» и греческого «аксиа», означающему объём. Читается название предельно просто — «киоксиа». Компания планирует открыть новую эпоху памяти, обусловленную ростом спроса на накопители больших объёмов, высокоскоростными хранилищами и обработкой данных.

Миссия Kioxia — Улучшить мир «памятью». Вовлекать «память», улучшить опыт и изменить мир.

Видение Kioxia — Вместе с изначально прогрессивной технологией мы предлагаем продукты, сервисы и системы, предоставляющие выбор и определяющие будущее.

Магниторезистивная память со случайным доступом создавалась как универсальная замена для DRAM (энергозависимой) и NAND (энергонезависимой) памяти. Сейчас стало очень сложно уменьшать размеры элементов при производстве памяти данных типов, а MRAM не имеет столь жёстких ограничений. Кроме того, у MRAM намного выше процент выхода годных микросхем при производстве. Так, при 22 нм технологии производства уровень годных микросхем на блине составляет 99,9% — поразительная надёжность технологии.

Кроме того, память MRAM уже демонстрировала установочное время в 1 нс, что выше теоретического предела для DRAM. Скорость записи также в несколько тысяч раз выше, чем у NAND. Также MRAM гарантирует 10 лет хранения данных при температуре 200° C и надёжность в 10⁶ циклов переключений. Всё это сообщил Лигион Веи, инженер Intel.

Похоже, что именно по 22 нм технологии и будет начато производство памяти MRAM, хотя отмечается, что Intel уже начала разгружать 14 нм заводы, так что возможен быстрый переход на более тонкий техпроцесс.

В Intel описали свою память на основе передачи момента спина (spin-transfer torque (STT)-MRAM), которая изготавливается по 22FFL. Сама корпорация называет её «первой памятью MRAM, основанной на FinFET технологии». Несмотря на то, что Intel называет свой продукт готовым для коммерческого использования, компания не уточнила, кто будет изготавливать и использовать это решение. Однако слухи гласят, что память уже поставляется некоторым клиентам.

В то же время Samsung изготовила STT-MRAM по 28 нм процессу FDSOI.

Память типа MRAM может стать заменой для DRAM и NAND, а также может заменить встраиваемую SRAM, благодаря меньшим задержкам чтения и записи, высокой надёжности и высокой целостности данных. Кроме того, MRAM легче масштабировать, чем SRAM, которую нельзя уменьшить также, как другие элементы рядом с ней.

Для его реализации ADATA решила погрузить память DDR4 в минеральное масло. На данный момент проект Jellyfish представлен маленьким акриловым конвертом, в который вставлен модуль DIMM. Внутри конверта налито минеральное масло. Данное количество масла рассеивает тепло от радиаторов наилучшим образом, при этом не требуются металлические радиаторы. Насколько такая система эффективна говорить пока рано.

Равно, как и рано говорить, появится ли на рынке подобное решение, или так и останется на стадии проекта.

Производитель процессоров делает ставку на APU, ведь использование подобной памяти положительно скажется на скорости работы их чипов, поскольку позволит использовать одинаковые пакеты для GPU и CPU. Как бы то ни было, но APU требуют высокой пропускной способности, так что даже ускоренные процессоры начального уровня получат выигрыш при использовании памяти с высокой скоростью работы, и не стоит забывать о GDDR5, которая по слухам будет распределённо использоваться в Kaveri.

Память, собранная в 3D блоки, может быть использована как память с высокой пропускной способностью, ещё большей, чем у GDDR5. Она может использоваться как системная и как видеопамять, хотя изначально такие модули разрабатывались как память для графических приложений. Новая память, построенная с использованием новых технологий Wide I/O и TSV, должна поддерживать пропускную способность на уровне от 128 ГБ до 256 ГБ, и в свет она должна выйти уже в 2015 году. В настоящее время основным применением для памяти с высокой пропускной способностью считается GPU, так что и AMD, и NVIDIA планируют начать её использование со своими продуктами, изготовленными по 20 нм техпроцессу, однако, возможно, не с первым их поколением.

В настоящее время остаётся неизвестным, каким образом AMD планирует использовать эту технологию для APU. Ведь применение памяти нового типа в потребительских продуктах потребует переделки архитектуры и отказа от обратной совместимости, что значительно замедлит популяризацию новой технологии.

Инновационный форм-фактор от SMART предназначен для устройств видеовещания, мобильных роутеров, видеокарт хай-энд класса и встраиваемых вычислительных решений, где потребление энергии, производительность и занимаемое место являются ключевыми параметрами.

Несмотря на то, что модуль MIP от SMART в пять раз меньше обычного SO-DIMM, он имеет большую производительность при меньшем энергопотреблении. Ключевыми факторами, которых добились инженеры SMART, являются 42% сбережение энергии, 42% снижение помех и 39% снижение пиковых помех.

Модули MIP являются впаиваемыми, поэтому в отличие от SO-DIMM им не требуется дополнительный интерфейсный разъём. Память от SMART работает как с проверкой чётности, так и без таковой. Компания предлагает модули объёмом 2 и 4 ГБ при скорости работы DDR3-2133.

Компания-разработчик пообещала продемонстрировать работу MIP памяти 25 февраля на конференции Embedded World 2014 Exhibition & Conference, которая пройдёт в немецком Нюрнберге.

Главными участниками этого объединения стали Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi и американский гигант Micron Technology. Компании «будут координировать несколько дюжин исследований», которые будут проводиться под руководством профессора Тэцуо Эндох в Университете Тохоку в северной Японии.

По сообщениям Nikkei, память MRAM характеризуется в три раза меньшим энергопотреблением, по сравнению с DRAM, при этом позволяет в 10 раз увеличить объём и скорость записи. В теории всё это создает прекрасную основу для применения микросхем нового типа в портативных устройствах.

Однако, несмотря на утверждения об активном ведении разработок, до выхода коммерческого продукта ещё очень далеко. Сейчас считается, что на рынок новый тип памяти поступит только в 2018 году. Но не стоит забывать, что отрасль, связанная с выпуском памяти, очень часто шла по ложному пути.

Объединённые силы Sony, Hitachi и Toshiba, которые образуют совместное предприятие Japan Display Inc, или сокращённо JDI, создали новый жидкокристаллический дисплей диагональю 12,1”, который получил удивительно высокую плотность пикселей — 365 точек на дюйм, т. е. её разрешение составило 3840x2160 пикс.

Этот дисплей был представлен на выставке FPD International Exhibition 2013. По информации разработчиков, новый экран позволит наслаждаться быстрым и динамичным видео с превосходной резкостью и ощущением глубины. Кроме того, благодаря применению низкотемпературной полимерной кремниевой технологии, новый экран обладает крайне низким энергопотреблением.

Габариты представленного дисплея составляют 274х164х2 мм. Он имеет рамку, шириной в 2 мм сверху и по бокам и 6,8 мм снизу. Цветовая же палитра дисплея не очень хорошая, и составляет 70% NTSC. При этом контрастность изображение равна 1000:1. Углы обзора тоже трудно назвать выдающимися. Так, до ослабления контраста до 100:1 экран можно наклонять под углом не более 160° со всех сторон. При максимальной яркости в 500 кд/м² мощность экрана составляет всего 3,6 Вт.

В целом, этот экран не представляет собой ничего примечательного, кроме своей невероятной удельной плотности, так что для промышленного применения его ещё наверняка придётся дорабатывать. В любом случае, на горизонте уже стали появляться планшеты с экраном 4K, и это просто потрясающе.

Под общим названием «Next Generation Secure Memory Initiative» (Инициатива по безопасности памяти следующего поколения) пять ведущих компаний — Panasonic, Samsung, SanDisk, Sony и Toshiba приступили к лицензированию и популяризации средств безопасности для HD контента на картах SD, которые широко используются в смартфонах и планшетах. Эта новая мера безопасности позволит защитить контент высокой чёткости благодаря использованию технологии уникального идентификатора для флеш-памяти, а также сможет обеспечить надёжную защиту от несанкционированного копирования, основываясь на инфраструктуре открытых ключей.

По заявлению пятёрки производителей, эта инициатива позволит осуществлять загрузку HD из Сети, потоковое вещание контента «на ходу», а также цифровое копирование и управление копиями с Blu-ray дисков. «С этими приложениями пользователи смогут наслаждаться HD контентом на широком спектре устройств, включая Android смартфоны и планшеты, телевизоры и Blu-ray продукты»,— говорится в заявлении альянса.

В понедельник группа объявила, что их совместные усилия помогут им начать лицензирование новой технологии по защите контента на флеш картах уже в начале следующего года. В реальных продуктах технология начнёт применяться где-то в 2012 году, однако к настоящему времени не уточняется даже квартал запуска этой инициативы.

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.

Такое заявление было сделано в ответ на невозможность достижения фирмами своих целей, связанных с высокопроизводительными вычислениями, добавив что «Производительность DRAM увеличится незначительно». Ранее Павловски говорил, что операции ввода-вывода процессоров стали большой проблемой, а производители памяти могут столкнуться с трудностями, перейдя на техпроцессы менее 17 нм. «Производителям DRAM понадобятся более экзотические решения»,— говорил он. Тогда же он предположил, что таким решением может стать создание стеков чипов памяти, а увеличение количества каналов не даст положительного эффекта.

Безусловно, идея создания стеков не нова, однако Павловски обратил внимание на проблему, связанную с охлаждением на нижних слоях. По его заявлению, Intel уже пробовали изготовить стекированные образцы памяти, однако в связи со сложностью охлаждения, нижний слой микросхемы просто расплавился.

Кроме того, специалист Intel предрекает интеграцию памяти с центральным процессором, располагая чипы памяти физически под кристаллом центрального процессора.

Если видение Павловски будущей конструкции DRAM станет реальным, то, безусловно, многие производители возьмут эту технологию на вооружение и начнут тесное сотрудничество с разработчиками процессоров.

«У нас есть большие планы на этот счёт, и мы работаем с Hynix Semiconductor с целью выпуска летом  2013 заменителя флэш, также предназначенного и для рынка твердотельных накопителей»,— заявил Виллиамс участникам конференции.

Далее в своем докладе Виллиамс объясняет, что результаты, достигнутые этой технологией в областях времени чтения и записи, а также задержек слишком значительны, чтобы не выпустить их на рынок. Виллиамс не стесняется своих прогнозов о сроках покорения рынка новой технологией, отмечая, что «в 2014/2015 мы займемся рынком DRAM, а после этого — SRAM».

В настоящее время HP собрали более 500 патентов на новую технологию. Виллиамс же осветил факт того, что фазопеременная память (phase-change-memory — PCM), резистивная память (resistive-RAM — RRAM) и все прочие двухполюсные устройства являются устройствами мемристорного типа. Виллиамс сообщил, что другие компании работают над резистивной памятью метал-оксидного типа, более того, он считает, что Samsung имеет даже большую команду по разработке мемристорной памяти, чем существует в HP-Hynix.

Что касается ожидаемых спецификаций памяти следующего поколения, то они весьма впечатляющие. Так, чтение из памяти будет занимать 10 наносекунд, а запись/очистка будет длиться 0,1 нс. Данные о долговечности памяти, собранные на сегодня, говорят, что память может отработать 10¹² циклов, сохраняя свое устойчивое состояние годами. Для сравнения, современные флэш-накопители выдерживают порядка 10⁶ циклов перезаписи, что в миллион раз меньше.

Насчет цены устройств Виллиамс отметил, что они представляют собой простую структуру и изготавливаются из материалов, которые уже используются полупроводниковыми фабриками во всем мире, что делает переход на производство CMOS совместимых мемристоров достаточно быстрым и безболезненным. Он также отметил, что первые предлагаемые мемристорные продукты уже будут иметь многослойную конструкцию.

Напомним, что первый лабораторный образец мемристора был получен Виллиамсом всего три года назад.

В последнем своём мобильном процессоре Lunar Lake Core Ultra 200V компания Intel решила интегрировать оперативную память в объёме 16 ГБ или 32 ГБ непосредственно в чип. Это позволило сократить задержки и энергопотребление при передаче данных на 40%, но в то же время это ограничило свободу выбора для пользователей. В связи с этим исполнительный директор Intel Пэт Гелсингер сообщил, что в будущих архитектурах Panther Lake и Nova Lake компания вернётся к традиционному размещению ОЗУ. По его словам, проект Lunar Lake планировался как специализированный чип, однако на фоне спроса на ИИ вышел в виде полноценного центрального процессора.

Главным же фактором, повлиявшим на смену парадигмы, стал финансовый провал. Процессоры продаются ужасно, в результате квартальные потери компании составили 16,6 миллиардов долларов, в 10 раз больше, чем в прошлом квартале, отметил финансовый директор Дэвид Цинснер. В результате, по мнению аналитиков, к концу года Intel столкнётся с наибольшим чистым убытком с 1986 года.

Что касается GPU, то здесь тоже не всё радужно. Компания выпустила архитектуру Arc Alchemist в 2022 году, однако задержки поставок привели к тому, что компания потеряла рынок в году NVIDIA и AMD, достигнув лишь пары процентов рыночной доли, которую потом и потеряла.

На начала следующего и Красные, и Зелёные, готовят новое поколение видеокарт. При этом второе поколение карт Intel, Arc Battlemage, должно появиться уже в этом году, но до сих пор о производительности этих GPU ничего не известно. Таким образом, Battlemage будет выпущен в виде iGPU и дискретных решений, однако в будущем компания планирует сосредоточиться на интегрированных видеоускорителях.

Используя материнскую плату MSI MEG Z890 Unify-X с процессором Intel Core Ultra 7 265K и модули память Kingston FURY Renegade 24GB CKD он разогнал их до 6097,6 МГц, превратив память в DDR5-12916. Задержки при этом составили 48-120-120-127-2. Результат был верифицирован HWBOT.org и CPU-Z.

Примечательно, что процессор работал в конфигурации 2P+0E и на частоте лишь 400 МГц. Охлаждение, по всей видимости, выполнено жидким азотом, поскольку температура ядра составляла всего 5° С.

По новому процессу 1c были выпущены первые образцы чипов DDR5 объёмом 16 Гб. Это шестое поколение технологии с размером элементов 10 нм, благодаря чему открывается дорога к дальнейшему уменьшению элементов при производстве памяти.

В компании заявили: «уровень сложности уменьшения процесса технологии 10 нм уровня возрастал от поколения к поколению, однако SK Hynix стала первой в индустрии, превзошедшей технологические ограничения повысив уровень уплотнения в конструкции, благодря её лидирующей технологии 1b, пятого поколения процесса 10 нм».

Ким Чонван, глава подразделения DRAM заявил, что компания обеспечит «дифференцированный подход к клиенту при внедрении технологии 1c». Он добавил, что новая технология будет использована «продуктах следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7».

В производстве по технологии 1c используется новый материал, оптимизированный процесс EUV, в то время как улучшения в энергоэффективности позволят снизить стоимость электроэнергии для центров обработки данных до 30%.

В официальном пресс-релизе Samsung Electronics заявила, что её Low Power Double Data Rate 5X (LPDDR5X) DRAM была валидирована на ещё не выпущенной системе-на-чипе MediaTek Dimensity 9400, которая была связана с 16 ГБ DRAM Samsung.

Скорость передачи данных составила 10,7 Гб/с, что на 20% быстрее золотого стандарта для памяти LPDDR5X. Кроме того, по уверениям корейского гиганта, при такой скорости удалось добиться 25% снижения энергопотребления, по сравнению с предыдущим поколением.

Верификация новой памяти проводилась MediaTek и Samsung совместно, а процесс занял 3 месяца.

«Мы разрабатываем новую Resident Evil», — сообщил Наканиши в ходе шоу. «Было на самом деле сложно сообразить, что делать после 7. Но я понял, и, будем честны, и это ощущается уверенно. Я пока не могу поделиться деталями, но надеюсь, что вы обрадуетесь в день, когда это будет возможно».

Конечно, конкретики никакой. Но по всей видимости, речь идёт об очередном выпуске игры основной серии. Посмотрим, назовёт ли Capcom эту игру Resident Evil 8, или найдёт более интересное название.

Пока CD Projekt не сообщает каких-либо деталей, однако отмечает, что большинство её разработчиков заняты в проекте Polaris. В частности, над игрой работают 407 человек, что составляет 64% персонала. Главной же для студии задачей эта игра станет во второй половине 2024 года. Это значит, что пока часть персонала продолжает работать над иными проектами студии, однако к концу года главное внимание будет уделено Witcher.

Всего же CD Projekt Red работает над 13 проектами, однако главными из них являются 5, а именно:

• Polaris — новая часть из саги Witcher;
• Sirius — новая игра из вселенной Witcher с многопользовательскими элементами;
• Canis Majoris — ремейк Witcher 1 на движке Unreal Engine 5;
• Project Orion — сиквел Cyberpunk 2077;
• Project Hadar — новый проект.

Kingston Technology и MSI совместно представили решение, демонстрирующее эти новые технологии. Так, компании использовали память Kingston Fury Impact DDR5 на материнской плате MSI Project Zero PLUS Z790, дав понимание возможности использования CAMM2 в настольных ПК и оценив возможность разгона.

Применение CAMM2 открывает весьма интересные перспективы. Эта память намного ниже традиционных модулей DDR, что позволяет разместить её ближе к процессору и продумать новую более эффективную систему охлаждения, а главное — снизить помехи и ускорить передачу данных.

Новый стандарт памяти потребляет на 58% меньше энергии и занимает на 64% меньше места, чем обычные модули DDR5 SODIMM, что позволяет создавать более эффективные портативные устройства.

Используя память LPDDR5X, компания Crucial предлагает пользователям скорость в 7500 МТ/с, что в 1,3 раза больше, чем ноутбучная DDR5 SODIMM. Компания готовит модули LPDDR5X 7500 LPCAMM2 объёмом 32 ГБ и 64 ГБ по цене 210 и 395 долларов США соответственно.

Данное изменение уже появилось в версии Windows Insider 22635.3570б которая доступна для бета теста.

В чём же суть дела? В 1990-х года в компьютерах использовалась память SDRAM, передача данных в которой была синхронизирована с тактовой частотой. К примеру, частота 100 МГц означала скорость передачи в 100 миллионов транзакций в секунду. Позднее, когда компьютеры перешли на память DDR SDRAM, передача данных удвоилась и при частоте 100 МГц уже осуществлялось 200 МТ/с.

Про современную память DDR5 пишут, что она работает на частоте 6000 МГц, однако на самом деле, это 6000 МТ/с, а реальная частота работы памяти составляет 3000 МГц. Если говорить о графической памяти GDDR5X, то тут уже отношение скорости к частоте составляет 4.

Таким образом компания Microsoft решила внести ясность в этот вопрос работы оборудования.

В новой памяти используется 12 нм класс производства, что является самым мелким процессом из доступных Samsung. Проведенные изменения не только позволили повысить производительность на 25% и ёмкость на 30%, по сравнению с нынешним поколением, но и расширить ёмкость одного пакета мобильной DRAM до 32 гигабайт, что делает данную память оптимальной для устройств в эпоху ИИ.

Кроме этого, новая память LPDDR5X содержит специальные технологии сохранения энергии, что позволяет расширить периоды сбережения энергии. Это, в итоге, повышает энергоэффективность модулей на 25%.

Массовое производство модулей LPDDR5X с пропускной способностью 10,7 Гб/с будет начато во второй половине текущего года.

Судя по фотографиям, плата брендирована по заказу Kingston, по крайней мере, экран загрузки демонстрирует логотип Kingston Fury. На самом деле такая конфигурация не имеет смысла. Память SODIMM используется в ноутбуках и изредка в настольных миникомпьютерах, вроде серии NUC. При этом возможности SODIMM-модулей всегда ниже, чем у полноценных DIMM.

Поэтому единственной целью, по всей видимости, эта плата создавалась специально для тестирования и разгона модулей оперативной памяти SODIMM. По этой же причине вряд ли эта плата поступит в розничную продажу, особенно с учётом того, что основана она на устаревшем чипсете Z590.

Дело в том, что Rockstar решила прекратить работу из дома для своих разработчиков, заставив их в обязательном порядке находиться в офисе и заниматься разработкой из студии. И именно это повлияет на график разработки игры.

Несмотря на начальные планы по выпуску игры в начале 2025, теперь разработчики говорят об «откате», причиной которому стал упомянутый ранее приказ о возвращении в офис.

И хотя до сих пор весна 2025 года является желанной целью, на самом деле релиз GTA 6 вполне вероятно состоится только в конце 2025 года или даже в начале 2026. После того, как прошлая часть франшизы вышла более десяти лет назад, разработчикам потребуется время не только для доводки игры до удовлетворительного состояния, но и для обеспечения собственного благополучия в новых старых условиях работы.

От себя добавим короткий вывод: «нам бы ваши проблемы».