7994420702;horizontal

Новости про CMOS

Рентгеновские камеры появятся в ближайшем будущем #

25 апреля 2012

Исследователи из Университета Техаса разработали микросхему, которая способна превратить любое портативное устройство, например смартфон, в рентгеновский детектор, позволяющий видеть сквозь предметы. А это значит, что устройства с рентгеновским видением могут появиться уже очень скоро, причём для этого вам не придётся отправлять сомнительных SMS.

Чип, изготовленный по известной технологии CMOS, может детектировать частоты в терагерцовом спектре электромагнитного излучения — так пояснили учёные.

Рентгеновское зрение

«CMOS — доступная технология и может быть использована для создания множества чипов», заявил Кеннет О, профессор прикладной электротехники в университете. «Комбинация CMOS и терагерца означает, что вы сможете поместить этот чип и ресивер с обратной стороны сотового телефона и настроить устройство, носимое в кармане, чтобы видеть сквозь объекты».

Спектр электромагнитного излучения

Как видно на рисунке всего спектра электромагнитного излучения, терагерцовое излучение имеет частоту в миллион раз меньше рентгеновского. Так что в данном случае, понятие «рентегновское» — чисто условно. Тем не менее данная технология может быть использована, чтобы видеть сквозь кирпичи, дерево, да что угодно, а это означает, что чип позволит смотреть сквозь стены, а, например, в торговле — определять поддельные деньги. И что совсем удивляет, то, что этот чип может позволить врачам изучать органы без магниторезонансного сканирования или потенциально опасного рентгеновского излучения.

Чип - терагерцевый детектор

«В общем, появятся такие возможности, о которых раньше мы не могли и подумать»,— добавил профессор О.

Учитывая возможные иски о покушении на личную жизнь разработчики пообещали ограничить диапазон работы сенсоров таким образом, чтобы дистанция обзора не превышала десяти сантиметров.

CMOS, исследования и наука, мобильные телефоны, смартфон

«Inquirer»

HP-Hynix планирует внедрение резистивной памяти летом 2013 года #

11 октября 2011

Стэн Виллиамс (Stan Williams), мемристорный гуру компании Hewlett-Packard, на конференции International Electronics Forum, проходившей в испанской Севилье, анонсировал, что двухполюсная мемристорная технология начнет свою рыночную борьбу с флэш-памятью не позднее чем через 18 месяцев.

«У нас есть большие планы на этот счёт, и мы работаем с Hynix Semiconductor с целью выпуска летом  2013 заменителя флэш, также предназначенного и для рынка твердотельных накопителей»,— заявил Виллиамс участникам конференции.

Далее в своем докладе Виллиамс объясняет, что результаты, достигнутые этой технологией в областях времени чтения и записи, а также задержек слишком значительны, чтобы не выпустить их на рынок. Виллиамс не стесняется своих прогнозов о сроках покорения рынка новой технологией, отмечая, что «в 2014/2015 мы займемся рынком DRAM, а после этого — SRAM».

Мемристоры HP-Hynix под электронным микроскопом

В настоящее время HP собрали более 500 патентов на новую технологию. Виллиамс же осветил факт того, что фазопеременная память (phase-change-memory — PCM), резистивная память (resistive-RAM — RRAM) и все прочие двухполюсные устройства являются устройствами мемристорного типа. Виллиамс сообщил, что другие компании работают над резистивной памятью метал-оксидного типа, более того, он считает, что Samsung имеет даже большую команду по разработке мемристорной памяти, чем существует в HP-Hynix.

Что касается ожидаемых спецификаций памяти следующего поколения, то они весьма впечатляющие. Так, чтение из памяти будет занимать 10 наносекунд, а запись/очистка будет длиться 0,1 нс. Данные о долговечности памяти, собранные на сегодня, говорят, что память может отработать 1012 циклов, сохраняя свое устойчивое состояние годами. Для сравнения, современные флэш-накопители выдерживают порядка 106 циклов перезаписи, что в миллион раз меньше.

Насчет цены устройств Виллиамс отметил, что они представляют собой простую структуру и изготавливаются из материалов, которые уже используются полупроводниковыми фабриками во всем мире, что делает переход на производство CMOS совместимых мемристоров достаточно быстрым и безболезненным. Он также отметил, что первые предлагаемые мемристорные продукты уже будут иметь многослойную конструкцию.

Напомним, что первый лабораторный образец мемристора был получен Виллиамсом всего три года назад.

CMOS, flash-память, Hewlett-Packard, Hynix, исследования и наука, мемристоры, оперативная память, разработчики


Samsung представила CMOS-сенсор для Full-HD веб-камер #

15 апреля 2010

Компания Samsung Electronics на днях, во время пресс-конференции в кремниевой долине, сообщила о разработке нового CMOS-сенсора изображений для использования в веб-камерах ноутбуков, мониторов, нетбуков и т.д.

Общее количество пикселей в S5KB3 составляет 2,1, сенсор поддерживает разрешение 1920x1080 (1080p) и захват на скорости до 30 кадров в секунду. Одновременно компания представила 1,3-мегапиксельный сенсор, поддерживающий разрешения вплоть до 1280x720 (720p).

Новый сенсор CMOS от Samsung

Samsung уже начала поставки образцов новых сенсоров избранным партнёрам, а массовое производство планирует начать уже во второй четверти этого года.

На рынке ноутбуков ощущается острая необходимость в тонких комплектующих, и компания утверждает, что новые CMOS-сенсоры продолжают традицию уменьшения толщины модулей веб-камер. К примеру, сенсоры S5KB3 и S5K6A1 могут быть встроены в модули толщиной всего 4,5 мм и 3,5 мм, соответственно.

Новый сенсор CMOS от Samsung

Новые CMOS-сенсоры поддерживают технологию электронного автофокуса, которая называется «EDoF» (улучшенная глубина резкости). Более того, они являются одними из первых анонсированных продуктов компании Samsung, оснащённых EDoF.

CMOS, Samsung, веб-камера

«TechOn»