Новости про оперативная память

Samsung представила 12-слойный чип HBM2

Южнокорейский гигант Samsung представил первую в промышленности 12-слойную 3D-TSV (Through Silicon Via) микросхему, которую она назвала «одной из самых сложных пакетных технологий для массового производства высокоскоростных чипов».

Эта технология будет использоваться для производства памяти HBM объёмом 24 ГБ. Компания назвала данную технологию самой сложной потому, что ей пришлось «штабелировать» в одном пакете 12 микросхем DRAM в крошечной трёхмерной системе. Слои памяти соединяются вертикальными линиями связи, для прокладки которых в чипах изготовлены 60 000 отверстий, каждое из которых в 12 раз тоньше человеческого волоса.

Чип памяти HBM2 от Samsung
Чип памяти HBM2 от Samsung

«Толщина пакета (720 мкм) осталась той же, что и в продуктах HBM2 высотой 8 слоёв, конструкция компонентов которых весьма сложная. Это поможет заказчикам реализовать следующее поколение продуктов с высокой ёмкостью с большей производительностью без необходимости изменения конструкции и конфигурации их системы».

В компании отметили, что технология пакетирования 3D-TSV становится актуальной из-за нарастающих ограничений в сохранении темпов Закона Мура.

Конструкция 8-и и 12-и слойной упаковки 3D-TSV
Конструкция 8-и и 12-и слойной упаковки 3D-TSV

Стоит отметить, что у новой разработки Samsung могут возникнуть проблемы с внедрением. Технология памяти HBM2 довольно дорогая. Пару лет назад эту память использовала AMD в своих топовых видеокартах, но сейчас из-за её высокой стоимости она перешла на GDDR6.

Micron устанавливает рекорд разгона DDR4 в 6024 МГц

Частоты оперативной памяти в 3200 МГц являются, фактически, стандартом современных компьютеров, однако ещё 3 года назад таким же стандартом считалась частота в 1600 МГц для DDR3.

На развитие скоростей работы оперативной памяти сильно влияют результаты разгона. Ещё год назад все говорили о рекорде в 5 ГГц, а уже сейчас такую память можно купить в магазине. Изначально частота DDR4 составляла 2133 МГц, но теперь компания Micron сообщает о превышении порога частота DDR4 в 6 ГГц.

Модули памяти Crucial Elite
Модули памяти Crucial Elite

Модуль памяти Elite DDR4 4000 8 GB был разогнан до частоты 6024 МГц. Разгон осуществлялся на материнской плате ASUS X570 ROG Crosshair VIII Impact с процессором Ryzen 5 3600X, который работал на базовой тактовой частоте 2209 МГц. Тайминги при этом составили 30-27-27-58-127-1.

Подтверждение разгона DDR4 до 6024 МГц
Подтверждение разгона DDR4 до 6024 МГц

Результаты разгона подтверждены CPU-Z.

Intel предлагает использовать в процессорах память защищённую от спекулятивного доступа

Компания Intel опубликовала исследование, в котором предлагает создать память с защитой от спекулятивного доступа.

Такая идея пришла на ум команде агрессивных стратегических исследований и сокращений (STrategic Offensive Research & Mitigations — STORM). Идея работы заключается в замене существующей процессорной памяти более безопасным стандартом, который не допускает спекулятивного исполнения кода при атаках, похожих на Spectre.

Значок уязвимости Spectre
Значок уязвимости Spectre

С начала 2018 года промышленность потрясло открытие уязвимостей Meltdown и Spectre. С того момента были выявлены многие другие уязвимости подобного плана, что свидетельствует о больших проблемах в архитектуре. Побочные атаки спекулятивного доступа несут большую угрозу в ситуациях, когда много пользователей делят общие вычислительные ресурсы. Такая ситуация имеет место быть в облачных вычислениях или у хостинг-провайдеров.

Память Speculative-Access Protected Memory (SAPM) пока находится на уровне теоретических изысканий. Команда STORM предлагает некоторые варианты её реализации, однако впереди ещё много работы. В исследовании говорится, что такая память приведёт к потере производительности, однако эта потеря будет не столь большой, с какой мы столкнулись при программных исправлениях выявленных уязвимостей.

Samsung приступает к производству чипов памяти типа A-Die

То, что компания Samsung работала над созданием микросхем памяти типа A-die, не является секретом. В связи с этим обозреватели ожидают дальнейшего удешевления памяти.

Сейчас южнокорейский гигант планирует разместить новые чипы DDR4, изготовленные по 10 нм нормам, в потребительских модулях. В Сети даже появились номера моделей этих модулей, M378A4G43AB2-CVF. Именно они и получат микросхемы типа A-die.

Оперативная память Samsung A-Die
Оперативная память Samsung A-Die

Микросхемы B-die от Samsung считаются лучшими. Их предпочитают все оверклокеры, однако в настоящее время они сняты с производства, и постепенно им на смену будут приходить модули с микросхемами A-dies, которые основаны на более тонком 10 нм процессе. Переход на более тонкие технологии позволяет уплотнить память, разместить большее количество микросхем на одной пластине, а потому снизить себестоимость.

Представленная пара модулей имеет объём 32 ГБ, с 8 чипами на модуль. Однако у этих приятный изменений есть и ложка дёгтя. Дело в том, что из-за незрелости технологии пришлось снизить частоты работы памяти. Данный набора работает на частоте 2933 МГц, что очень слабо. Но ещё хуже тайминги: CL21-21-21. Этой памяти явно нужны улучшения до CL17 или CL16.

Corsair выпускает первую в мире память DDR4-4866

Компания Corsair с радостью сообщает о выпуске новых модулей памяти семейства Vengeance LPX, которые обладают поразительной рабочей частотой в 4866 МГц при таймингах, характерных для памяти DDR4-3600.

Наборы памяти CMK16GX4M2Z4866C18 уже поступили в продажу по цене 860–950 долларов США. Учитывая столь высокие характеристики, модулям требуется и высокое напряжение в 1,50 В. Этот вольтаж придётся использовать владельцам процессоров Ryzen серии 3000. В списке совместимых материнских плат числится несколько моделей на базе чипсета X570. Также потребуется и вентилятор, для активного охлаждения планок памяти.

Модули памяти Corsair Vengeance LPX
Модули памяти Corsair Vengeance LPX

В дополнение к Vengeance LPX компания также выпустила модули Vengeance RGB Pro со светодиодной подсветкой. Эта память, имея CAS19, работает на частоте 4700 МГц.

Модули памяти Vengeance RGB Pro
Модули памяти Vengeance RGB Pro
Серия памяти Vengeance LPX Vengeance RGB Pro
Тип памяти DDR4 DDR4
Объём памяти Набор 16 ГБ(2 x 8 ГБ) Набор 16 ГБ(2 x 8 ГБ)
Протестированные задержки 18-26-26-46 19-26-26-46
Протестированное напряжение, В 1,5 1,5
Протестированная скорость, МГц 4866 4700
Вентилятор включён Да Нет

DRAM станет ещё дешевле

В былые годы оперативная память постоянно росла в цене, поскольку постоянно увеличивался спрос. В один момент даже был подан иск о фиксации цен, однако сейчас наблюдается постоянный спад, и по мнению аналитиков он будет продолжаться.

За второй квартал цены на оперативную память снизились почти на 10%, и продолжают падать. Аналитики считают, что и в третьем квартале цены продолжат снижаться, поскольку у производителей уже заполнены склады. Для нас это, конечно, приятно, но для производителей это означает сокращение прибыли.

DRAM
DRAM

При этом перепроизводство не затронуло NAND. Комбинация факторов, таких как спрос в различных сегментах и авария на заводе Toshiba, привели к стабилизации цен. Большие запасы NAND у поставщиков также удерживают цены на энергонезависимую память, несмотря на то, что теперь спрос может быть ниже, чем в прошлые годы «по причине геоэкономических конфликтов», то есть торговой войны США и КНР.

Micron начинает массовое производство 16 Гб чипов DRAM по технологии 1z нм

Компания Micron объявила о своих достижениях в масштабировании памяти DDR4, достигнув объёма 16 Гб при использовании техпроцесса 1z нм.

Это значит, что кристаллы изготавливаются с размерами элементов от 13 до 10 нанометров. В компании сообщают, что новая память предлагает «заметно большую плотность», а также «значительное увеличение производительности при меньших затратах», по сравнению с поколением 1Y нм. Новая память предназначена для создания продуктов для настольных компьютеров (DDR4), мобильных компьютеров (LPDDR4) и графических продуктов (GDDR6). Также новая память будет использована в системах искусственного интеллекта, беспилотных автомобилях, 5G, мобильных устройствах, графической, игровой и сетевой инфраструктуре и серверах.

UFS-модуль от Micron
UFS-модуль от Micron

В Micron заявили, что 16 Гб чипы DDR4, изготовленные по 1z нм нормам обеспечивают снижение энергопотребления на 40%, по сравнению с продуктами объёмом 8 Гб.

Также компания сообщила о начале массового производства самой ёмкой (LPDDR4X) DRAM в мультичиповых пакетах на основе UFS (uMCP4). Эти пакеты разработаны для производителей мобильных устройств и позволяют обеспечивать смартфоны оперативной памятью до 16 ГБ в одном пакете.

MSI разогнала память DDR4 до 5902 МГц

Компания MSI сообщила, что её штатный оверклокер Кован Ян сумел установить новый мировой рекорд разгона памяти DDR4.

Используя материнскую плату MSI MPG Z390I GAMING EDGE AC он достиг частоты памяти DDR4 равной 5902 МГц с таймингами CL31-63-63 2T. Рекордсменом оказался 8-и гигабайтный модуль Kingston KHX3466C19D4/8G.

Логотип MSI
Логотип MSI

Конечно, при разгоне пришлось применять специальные методы: центральный процессор Intel Core i9-9900K работал на частоте 805,27 МГц, а количество активных ядер было ограничено двумя. Охлаждалась конструкция жидким азотом.

Результат разгона памяти до 5902 МГц
Результат разгона памяти до 5902 МГц
Система, на которой проводился разгон ОЗУ
Система, на которой проводился разгон ОЗУ
Охлаждение жидким азотом при разгоне памяти
Охлаждение жидким азотом при разгоне памяти

Предыдущий рекорд разгона памяти до 5608 МГц был поставлен также MSI и продержался 30 недель.

Производители памяти переходят на 96-слойные 3D NAND процессы

Производители микросхем агрессивно внедряют новые 96-слойные процессы производства 3D NAND. Всё это выглядит так, что в 2020 году эта технология станет мейнстримом отрасли.

В текущем году рынок NAND споткнулся с перепроизводством. Производители приняли решение замедлять темпы расширения складских запасов и даже снижать объёмы производства, чтобы лучше управлять запасами.

Так, Micron Technology раскрыла планы по 10% сокращению производства NAND-памяти, в то время как SK Hynix прогнозирует снижение количество произведенных пластин с микросхемами на более чем 10%, по сравнению с 2018 годом.

3D NAND микросхемы Micron
3D NAND микросхемы Micron

Южнокорейская Samsung Electronics также скорректирует своё производство в краткосрочной перспективе в ответ на разворачивающуюся торговую войну между Японией и Южной Кореей.

Отмечается, что многие производители NAND уже подготовили образцы стековой памяти, состоящей из 120 или 128 слоёв. Гонка технологий по промышленному выпуску 128-слойной памяти между крупными производителями памяти начнётся уже ближайшей зимой.

ThermalTake выпускает первую в мире память с водяным охлаждением

Для современных игровых систем предлагается жидкостное охлаждение для процессоров, видеокарт и даже SSD. Но теперь ThermalTake выпустила набор оперативной памяти с жидкостным охлаждением.

Набор получил название WaterRam RGB Liquid Cooling Memory. Он представляет собой 4 планки памяти DDR4 по 8 ГБ частотой 3600 МГц с водоблоком для особо эффективного охлаждения при разгоне. Также компания выпустила аналогичные водоохлаждаемые комплекты объёмом 32 ГБ и 16 ГБ с памятью частотой 3200 МГц.

Набор WaterRam в собранном виде
Набор WaterRam в собранном виде

Как следует из названия, водоблоки оснащаются подсветкой. В них установлены по 12 сверхъярких RGB светодиодов с раздельным управлением, которые подключаются к 5-вольтовому разъёму на материнских платах ASUS, GIGABYTE, MSI и AsRock.

Планки памяти, кулер и система управления WaterRam
Планки памяти, кулер и система управления WaterRam

Набор WaterRam RGB Liquid Cooling Memory с памятью частотой 3600 МГц доступен к приобретению по цене 470 долларов США.