Новости про оперативная память

G.Skill выпускает наборы памяти DDR4-4400

Продолжая расширять модельный ряд продуктов с экстремальной производительностью, компания G.Skill представила новые наборы памяти семейства Trident Z Royal.

Новый релиз предлагает «экстремально-быстрые наборы памяти DDR4 в модулях по 16 ГБ и 8 ГБ на скорости до DDR4-4400 и низких задержках CL17-18-18-38».

Оперативная память G.Skill Trident Z Royal

Для производства этой памяти производитель использовал микросхемы Samsung B-die. Представленные наборы имеют объём до 32 ГБ, поскольку по мнению компании, именно этот объём является идеальным для игр на высокопроизводительных ПК. Тестирование и валидация памяти проводилась на платформах MSI Z490 и ASRock Z490 и процессорах Intel Core i5-10600K и Intel Core i9-10900K. Память DDR4-4400 продемонстрировала тайминги CL17-18-18-38.

Спецификации памяти G.Skill с низкими таймингами

Эту память можно будет приобрести в III квартале этого года. О цене ничего не известно.

Валидация памяти DDR4-4400 от G.Skill на процессоре Core i5-10600K
Валидация памяти DDR4-4400 от G.Skill на процессоре Core i9-10900K

Представлен полностью китайский модуль памяти DDR4

Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае.

Суть в том, что для своего модуля UnilC использовала только китайские комплектующие. Все микросхемы памяти, печатные платы, драйверы и прочие компоненты изготовлены в КНР. В результате получился вполне заурядный модуль DDR4. Без подсветки или даже радиаторов, зато сделанный полностью самостоятельно.

Модуль памяти DDR4 от Xi'an UnilC Semiconductors

Компания предложила заказчикам небуферизированную память DDR4-2400 и DDR4-2667 объёмом 8 ГБ. Первый из этих модулей имеет тайминги CL17 17-17-39, а второй — CL18. Обе модели питаются напряжением 1,2 В.

Конечно, пока не стоит беспокоиться о захвате мирового рынка китайскими производителями памяти, но стоит иметь ввиду, что именно туда они и движутся. Кроме того, они смогут полностью обеспечить себя, в случае необходимости.

Thermaltake создаёт первый в мире жидкостный кулер для процессора и памяти

Компания Thermaltake представила уникальный продукт. Она предлагает жидкостную моноблочную систему охлаждения закрытого типа, предназначенную как для центрального процессора, так и для оперативной памяти.

Thermaltake Floe RC. Эта система охлаждения предлагается в вариантах длиной 240 мм и 360 мм (RC240 и RC360 соответственно). Она может охлаждать центральные процессоры и модули памяти Thermaltake ToughRAM RC, которые нужно приобретать отдельно.

Система охлаждения Thermaltake Floe RC

Конечно же, этот кулер может светиться. Имеется полноцветная подсветка вентиляторов диаметром 120mm. Питание для подсветки — стандартное, 5 В. Управляться она может всеми популярными система, включая ASUS Aura Sync, GIGABYTE RGB Fusion, MSI Mystic Light Sync, Biostar VIVID LED DJ и ASRock Polychrome.

Что касается поддержки процессоров, то она включает свежие сокеты AMD и Intel, включая LGA 1200. При этом поддержки HEDT решений, в частности AMD Threadripper TRX40 не планируется. Почти наверняка можно говорить и том, что не будет и поддержки Intel X299.

Оперативная память Thermaltake ToughRAM RC

Также система охлаждения позволяет отводить тепло от модулей памяти ToughRAM, работающих на частоте от 3200 МГц до 4400 МГц. Конечно, память DDR4 греется не сильно, и не требует активного охлаждения, однако оверклокеры могут воспользоваться этой возможностью для повышения производительности памяти.

О цене на жидкостный кулер Thermaltake Floe RC пока ничего не сообщается.

Raspberry Pi 4 получает 8 ГБ ОЗУ

Семейство одноплатных компьютеров Raspberry Pi получило увеличенный объём оперативной памяти. Версия компьютера с 8 ГБ ОЗУ предлагается за 75 долларов. При этом стандартные варианты с 2 ГБ и 4 ГБ памяти по-прежнему продаются за 35 и 55 долларов соответственно.

Компания-разработчик, Raspberry Pi Foundation, планировала выпустить 8 ГБ версию Pi 4 с самого начала, однако тогда на рынке не существовало подходящих по размеру пакетов LPDDR4 объёмом 8 ГБ. И теперь, благодаря Micron, это стало возможным.

Raspberry Pi4 с 8 ГБ оперативной памяти

Единственным изменением в 8 ГБ версии, кроме объёма ОЗУ, стал переключатель режимов питания рядом с портом USB-C. Но это не должно вызывать проблем с нынешними корпусами.

Для эффективного использования большего объёма оперативной памяти разработчики также подготовили 64-битную версию операционной системы, которая теперь переименована в Raspberry Pi OS. Также разработчики готовят 64-битные версии Ubuntu и Gentoo.

Teledyne e2v представила первую стойкую к радиации память DDR4 для космоса

Компания Teledyne e2v анонсировала первые чипы памяти DDR4 стойкие к радиации — DDR4T04G72M.

Сейчас эти пакеты подтверждены для скорости 2133 МТ/с, однако в ближайшем будущем будет гарантирована скорость в 2400 МТ/с. Эти пакеты предлагаются в ультракомпактном форм факторе, но при этом обеспечивают низкие задержки, высокую надёжность и стойкость к излучению, что делает их идеальным решением для создания космической техники.

Пакет имеет размеры 15х20х1,92 мм. Он содержит массивы памяти от Micron, собранные с шиной шириной 72 бита, где 64 бита предназначены для передачи данных, а 8 бит — для коррекции ошибок. Разработчики провели на модулях тесты однократного облучения, и установили, что память выдерживает тест замыкания при облучении более 60 МэВ×см2/мг.

Пакеты стойкой к излучению памяти Radiation Tolerant 4 GB DDR4

Благодаря улучшенному теплоотводу в пакете обеспечивается ускоренное отведение тепла, что повышает стабильность работы и надёжность. Полётные модели памяти будут предлагаться с расширенным температурным диапазоном от -55° C до 125° C. Также память соответствует стандартам NASA Level 1 (NASA EEE-INST-002 - Section M4 - PEMs) и ECSS Class 1 (ECSS-Q-ST-60-13C).

Таким образом, Teledyne e2V заявляет, что «высокая стойкость к радиации, малый размер и надёжная конструкция делает память Radiation Tolerant 4 GB DDR4 крайне привлекательным решением для ориентированных на космос систем».

Память G.Skill Trident Z Royal разогнана до 6666 МГц

Компания G.Skill сообщила, что её память DDR4 установила новый рекорд частоты.

Два дня назад были выпущены процессоры Intel Core 10-го поколения, известные по названию микроархитектуры Comet Lake-S.

Оперативная память G.Skill Trident Z Royal

При проведении разгона оверклокеры использовали центральный процессор Intel Core i9-10900K. При поддержке команды Asus ROG, на материнской плате Asus ROG Maximus XII APEX с чипсетом Z490 и модулях памяти Trident Z Royal DDR4 была установлена частота памяти, равная 3332,7 МГц (DDR4-6666).

Bing體驗一下RD日常,NDA解禁前就是只能沒日沒夜"操" 分享intel+M12A+G.SKILL記憶體世界紀錄 DDR4-6666過程

Примечательно, что рекорд был установлен на прошлой неделе, однако только сейчас был опубликован.

Micron готовится к производству HBM2

В своём последнем финансовом отчёте Micron Technologies объявила о том, что она планирует начать производство широкополосной памяти HBM2.

Данный типа памяти предназначен для использования в видеокартах, серверных и прочих процессорах. Это желанный, но относительно дорогой тип памяти, однако после выхода на этот рынок Micron, цена должна подстроится под нового игрока. Сейчас память этого типа уже изготавливают SK-Hynix и Samsung, а Micron добавится в эту группу уже в этом году, сформировав традиционную доминирующую тройку на рынке памяти.

Память от Micron

До настоящего времени компания возлагала надежды на собственную разработку, память типа Hybrid Memory Cube (HMC), однако она не увидела большого интереса к ней со стороны заказчиков. Эта память нашла себе лишь несколько применений, например, в процессорах Fujitsu SPARC64 XIfx, применённых в суперкомпьютере Fujitsu PRIMEHPC FX100, представленном в 2015 году.

Схема оперативной памяти HBM2 от Micron

В 2018 году компания заявила, что приостанавливает работу над HMC и решила приложить все усилия к разработке памяти GDDR6 и HBM. Результатом работы стала готовность начать выпуск памяти HBM2 в 2020 году.

SK Hynix рассказала о DDR5

Компания SK Hynix опубликовала некоторую информацию о памяти будущего — DDR5, которая разрабатывается при сотрудничестве с JEDEC, чтобы после утверждения спецификации иметь соответствующий всем нормам продукт.

Итак, максимальная скорость новой памяти составит 8400 Мб/с. Однако по факту скорость может начинаться от 3200 МБ/с. Минимальная плотность одного ядра DDR5 составит 8 Гб, а максимальная — 64 Гб, что вчетверо выше, чем у DDR4.

Другое изменение касается кода коррекции ошибок (Error-Correcting Code — ECC). Функция теперь не является эксклюзивной для специальных ядер, а будет использоваться для всех вариантов. Чипы DDR5 будут использовать 32 банка, разделённых на 8 банковых кластеров. Это должно обеспечить лучшую пропускную способность. Длина пакета данных составит 16, в отличие от 8 у DDR4. Это должно улучшить доступность памяти.

Что касается питания, то в DDR5 напряжение будет снижено на 0,1 В и составит 1,1 В, что позволит снизить энергопотребление на 20%.

Массовое производство DDR5 компания SK-Hynix начнёт в этом году.

G.Skill анонсирует наборы памяти объёмом 256 ГБ

Учитывая пожелания владельцев процессоров Ryzen Treadripper, компания G.Skill объявила о подготовке наборов памяти Trident-Z Neo объёмом 256 ГБ.

Эти наборы будут состоять из 8 планок объёмом по 32 ГБ каждая. Тактовая частота составит 3600 МГц, а задержки — CL16-20-20. Питающее напряжение равно 1,35 В.

Набор памяти Trident Z Neo DDR4-3600 CL16-20-20 256GB

Наборы памяти валидированы на платформе с процессором Ryzen Threadripper 3990X и материнской платой Asus ROG Zenith II Extreme Alpha.

На планках памяти Trident Z Neo DDR4-3600 использованы фирменные радиаторы G.Skill со светодиодной подсветкой.

Скриншот валидации набора Trident Z Neo DDR4-3600 объёмом 256 ГБ на процессоре Threadripper 3990X

Однако, несмотря на анонс, новые наборы памяти не будут доступны до II квартала этого года, так что всем, кто ждёт эти высокопроизвоительные высокоёмкие наборы придётся подождать.

Micron выпускает свои первые чипы LPDDR5 для смартфонов

Компания Micron презентовала «первые в мире массово производимые чипы DDR5-DRAM низкой мощности», которые позволили китайскому производителю смартфонов Xiaomi подготовить модель Mi 10.

Новая память обеспечивает увеличенную производительность при меньшем энергопотреблении, что делает LPDDR5 идеальным решением для мобильных платформ. Её планируется использовать в смартфонах, планшетах, ноутбуках, а также в некоторых устройствах ИИ и автомобильных системах.

Микросхемы Micron LPDDR5

Разработчики обещают, что память LPDDR5 предоставит скорость в 6400 Мб/с, что на 50% быстрее 4266 Мб/с в LPDDR4X. При этом энергопотребление было снижено на 20%.

На фоне массового старта технологии 5G, компания надеется, что её новая быстрая память позволит поднять скорость передаваемых данных, исключив медленную память из списка потенциальных ограничителей.

График развития маломощной памяти Micron

Микросхемы Micron LPDDR5 будут доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ со скоростями в диапазоне от 5,5 Гб/с до 6,4 Гб/с. К середине 2020 года компания начнёт поставки многочиповых UFS-модулей (uMCP5) для применения в смартфонах среднего и верхнего сегментов.