Новости про оперативная память

G.Skill анонсирует наборы памяти объёмом 256 ГБ

Учитывая пожелания владельцев процессоров Ryzen Treadripper, компания G.Skill объявила о подготовке наборов памяти Trident-Z Neo объёмом 256 ГБ.

Эти наборы будут состоять из 8 планок объёмом по 32 ГБ каждая. Тактовая частота составит 3600 МГц, а задержки — CL16-20-20. Питающее напряжение равно 1,35 В.

Набор памяти Trident Z Neo DDR4-3600 CL16-20-20 256GB
Набор памяти Trident Z Neo DDR4-3600 CL16-20-20 256GB

Наборы памяти валидированы на платформе с процессором Ryzen Threadripper 3990X и материнской платой Asus ROG Zenith II Extreme Alpha.

На планках памяти Trident Z Neo DDR4-3600 использованы фирменные радиаторы G.Skill со светодиодной подсветкой.

Скриншот валидации набора Trident Z Neo DDR4-3600 объёмом 256 ГБ на процессоре Threadripper 3990X
Скриншот валидации набороа Trident Z Neo DDR4-3600 объёмом 256 ГБ на процессоре Threadripper 3990X

Однако, несмотря на анонс, новые наборы памяти не будут доступны до II квартала этого года, так что всем, кто ждёт эти высокопроизвоительные высокоёмкие наборы придётся подождать.

Micron выпускает свои первые чипы LPDDR5 для смартфонов

Компания Micron презентовала «первые в мире массово производимые чипы DDR5-DRAM низкой мощности», которые позволили китайскому производителю смартфонов Xiaomi подготовить модель Mi 10.

Новая память обеспечивает увеличенную производительность при меньшем энергопотреблении, что делает LPDDR5 идеальным решением для мобильных платформ. Её планируется использовать в смартфонах, планшетах, ноутбуках, а также в некоторых устройствах ИИ и автомобильных системах.

Микросхемы Micron LPDDR5
Микросхемы Micron LPDDR5

Разработчики обещают, что память LPDDR5 предоставит скорость в 6400 Мб/с, что на 50% быстрее 4266 Мб/с в LPDDR4X. При этом энергопотребление было снижено на 20%.

На фоне массового старта технологии 5G, компания надеется, что её новая быстрая память позволит поднять скорость передаваемых данных, исключив медленную память из списка потенциальных ограничителей.

График развития маломощной памяти Micron
График развития маломощной памяти Micron

Микросхемы Micron LPDDR5 будут доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ со скоростями в диапазоне от 5,5 Гб/с до 6,4 Гб/с. К середине 2020 года компания начнёт поставки многочиповых UFS-модулей (uMCP5) для применения в смартфонах среднего и верхнего сегментов.

Исследователи создали энергонезависимую память, потребляющую при записи в 100 раз меньше энергии

Британские учёные (да, они!) из Университета Ланкастера успешно создали новый тип энергонезависимой памяти, которая столь же быстра, как DRAM, но потребляет лишь 1% от той энергии, что необходимо современной памяти NAND или DRAM, для записи одного бита.

Новая память получила кодовое название UK III-V Memory. Римские цифры в названии означают периоды в таблице Менделеева, в которые входят применяемые вместо традиционного кремния материалы. В первую очередь, это In, Ga и As.

Транзистор памяти UK III-V
Транзистор памяти UK III-V

Чтобы запитать затвор транзистора такой памяти, изготовленной по 20 нм техпроцессу, нужен заряд от 10 Дж до 17 Дж. Память UK III-V находится в нормально закрытом состоянии, заряд затвора занимает 5 нс, а разрядка — 3 нс, что является отличными показателями. Конечно, при работе такой памяти с контроллером время записи не будет таким маленьким, но всё же оно будет близким к значениям для современной памяти.

Пока разработка находится в самом начале. Речь идёт о масштабах одного транзистора, так что до создания микросхем памяти ещё очень далеко.

Micron начинает опытное производство DDR5 RDIMM

На выставке CES 2020 компания Micron сообщила, что начала производство образцов регистровой памяти (RDIMM) DDR5 по технологии 1Z нм.

По данным производителя, память DDR5 позволит удвоит плотность, улучшив надёжность. При серверной нагрузке производительность памяти возрастёт на 85%.

Модули оперативной памяти DDR5
Модули оперативной памяти DDR5

Также память типа DDR5 боле энергоэффективна при масштабировании, и предлагает некоторые улучшения, такие как MIR («зеркальный» контакт) улучшающий сигналирование DIMM, и команды PRECHARGE и REFRESH.

Сравнение характеристик памяти типов DDR4 и DDR5 представлены в таблице ниже.

Сравнение спецификаций памяти DDR4 и DDR5
Сравнение спецификаций памяти DDR4 и DDR5

Важно отметить, что память типа DDR5 рассматривается исключительно для серверного сегмента. Пока нет планов по внедрению этой памяти в сфере настольных систем, и ни AMD, ни Intel не планируют поддерживать этот стандарт.

В любом случае, то, чем занимается Micron, является важнейшим этапом в развитии технологии оперативной памяти.

Adata расширяет портфель продукции

Компания Adata известна своими решениями в области памяти, включая SSD, DRAM и съёмные накопители, однако в 2020 году она планирует заметно расширить своё предложение.

Для начала, Adata хочет расширить свою линейку продуктов Xtreme Performance Gear, часто называемую сокращённо XPG. Так, под этой маркой нас ждут мониторы, ноутбуки, игровые ПК и компьютерные корпусы. Таким образом компания хочет захватить некоторую долю рынка и усилить свой бренд в качестве надёжного поставщика игровых продуктов.

Ноутбук XPG Xenia 15
Ноутбук XPG Xenia 15

Вначале компания планирует выпустить ноутбук Xenia 15, 15,6” игровой лэптоп с IPS-матрицей разрешением 1080p и процессором Intel Core i9 9-го поколения. Дальше на очереди стоит игровой компьютер XPG Gaia — пятилитровый мини-ПК с одним слотом PCIe для видеокарты длиной до 8”. В дополнение фирма выпустит монитор под названием Photon, с 27” панелью, поддерживающей технологию PixelDisplay Vivid Color Eye-Safe Display, блокирующую синий свет. Что касается корпусов, то компания готовит новое решение XPG Volta — цилиндрический корпус, изготовленный из премиальных материалов, таких как закалённое стекло и металл. Также ожидается выход на рынок материнских плат формата E-ATX и систем водяного охлаждения.

G.Skill анонсирует память со сверхнизкими задержками

Один из мировых лидеров в области оперативной памяти, G.Skill International Enterprise Co., представила новые наборы ОЗУ, которые характеризуются низкими таймингами.

Наборы памяти новой памяти имеют характеристики DDR4-3200 CL14-18-18-38. Все они реализованы на планках объёмом 32 ГБ и предлагаются в наборах объёмом 256 ГБ (32 ГБx8), 128 ГБ (32 ГБx4) и 64 ГБ (32 ГБx2). Что касается моделей, то новая память будет продаваться в модельных рядах Trident Z RGB, Trident Z Royal и Trident Z Neo.

Модули памяти G.Skill серий Trident Z
Модули памяти G.Skill серий Trident Z

Память с низкими задержками создавалась с мыслями о HEDT-платформах, потому среди предложений имеется и набор для четырёхканальных материнских плат и процессоров. Новая память была валидирована на процессорах Core i9-10900X в материнской плате ASUS ROG RAMPAGE VI EXTREME ENCORE и Intel Core i9-10940X на плате MSI Creator X299.

Также память DDR4-3200 CL14-18-18-38 подойдёт и для платформ AMD. Серия Trident Z Neo была протестирована на AMD Ryzen Threadripper 3960X с материнской платой ASUS ROG ZENITH II EXTREME и AMD Ryzen 5 3600 на плате ASUS PRIME X570-P.

Все модули поддерживают профили разгона XMP 2.0. в продажу память G.Skill DDR4-3200 CL14-18-18-38 поступит в I квартале 2020 года.

Team Group представляет память T-Force Reveal Xtreem ARGB

Бренд Team Group представил новые наборы оперативной памяти T-FORCE XTREEM ARGB, которые обладают не только отличными спецификациями, но дизайном.

В новых планках памяти разработчики впервые в промышленности реализовали полноэкранную технологию подсветки. Изучив особенности работы со светодиодами, они разработали специальную адресную подсветку, которая позволяет с лёгкостью настраивать цвета в любых комбинациях. Ещё одной особенностью дизайна стала зеркальная поверхность памяти, что заставляет подсветку сиять ещё ярче. Управление подсветкой можно осуществлять с помощью ПО, поставляемого всеми известными брендами материнских плат.

Модуль памяти T-Force Reveal Xtreem Mirror Finish ARGB RAM
Модуль памяти T-Force Reveal Xtreem Mirror Finish ARGB RAM

Однако память T-FORCE XTREEM ARGB предназначена не только для эстетов. Она предлагает работу на частоте до 4800 МГц. Микросхемы памяти для планок проходят жёстки отбор качества. Чтобы развить такую частоту разработчики предлагают встроенные профили разгона, которые можно использовать как на процессорах Intel, так и AMD.

Набор модулей T-Force Reveal Xtreem Mirror Finish ARGB RAM с выключенной подсветкой
Набор модулей T-Force Reveal Xtreem Mirror Finish ARGB RAM с выключенной подсветкой
Набор модулей T-Force Reveal Xtreem Mirror Finish ARGB RAM с включенной подсветкой
Набор модулей T-Force Reveal Xtreem Mirror Finish ARGB RAM с включенной подсветкой

К сожалению, ни таблицы таймингов, ни информации о цене и доступности новых модулей пока нет.

Samsung представила 12-слойный чип HBM2

Южнокорейский гигант Samsung представил первую в промышленности 12-слойную 3D-TSV (Through Silicon Via) микросхему, которую она назвала «одной из самых сложных пакетных технологий для массового производства высокоскоростных чипов».

Эта технология будет использоваться для производства памяти HBM объёмом 24 ГБ. Компания назвала данную технологию самой сложной потому, что ей пришлось «штабелировать» в одном пакете 12 микросхем DRAM в крошечной трёхмерной системе. Слои памяти соединяются вертикальными линиями связи, для прокладки которых в чипах изготовлены 60 000 отверстий, каждое из которых в 12 раз тоньше человеческого волоса.

Чип памяти HBM2 от Samsung
Чип памяти HBM2 от Samsung

«Толщина пакета (720 мкм) осталась той же, что и в продуктах HBM2 высотой 8 слоёв, конструкция компонентов которых весьма сложная. Это поможет заказчикам реализовать следующее поколение продуктов с высокой ёмкостью с большей производительностью без необходимости изменения конструкции и конфигурации их системы».

В компании отметили, что технология пакетирования 3D-TSV становится актуальной из-за нарастающих ограничений в сохранении темпов Закона Мура.

Конструкция 8-и и 12-и слойной упаковки 3D-TSV
Конструкция 8-и и 12-и слойной упаковки 3D-TSV

Стоит отметить, что у новой разработки Samsung могут возникнуть проблемы с внедрением. Технология памяти HBM2 довольно дорогая. Пару лет назад эту память использовала AMD в своих топовых видеокартах, но сейчас из-за её высокой стоимости она перешла на GDDR6.

Micron устанавливает рекорд разгона DDR4 в 6024 МГц

Частоты оперативной памяти в 3200 МГц являются, фактически, стандартом современных компьютеров, однако ещё 3 года назад таким же стандартом считалась частота в 1600 МГц для DDR3.

На развитие скоростей работы оперативной памяти сильно влияют результаты разгона. Ещё год назад все говорили о рекорде в 5 ГГц, а уже сейчас такую память можно купить в магазине. Изначально частота DDR4 составляла 2133 МГц, но теперь компания Micron сообщает о превышении порога частота DDR4 в 6 ГГц.

Модули памяти Crucial Elite
Модули памяти Crucial Elite

Модуль памяти Elite DDR4 4000 8 GB был разогнан до частоты 6024 МГц. Разгон осуществлялся на материнской плате ASUS X570 ROG Crosshair VIII Impact с процессором Ryzen 5 3600X, который работал на базовой тактовой частоте 2209 МГц. Тайминги при этом составили 30-27-27-58-127-1.

Подтверждение разгона DDR4 до 6024 МГц
Подтверждение разгона DDR4 до 6024 МГц

Результаты разгона подтверждены CPU-Z.

Intel предлагает использовать в процессорах память защищённую от спекулятивного доступа

Компания Intel опубликовала исследование, в котором предлагает создать память с защитой от спекулятивного доступа.

Такая идея пришла на ум команде агрессивных стратегических исследований и сокращений (STrategic Offensive Research & Mitigations — STORM). Идея работы заключается в замене существующей процессорной памяти более безопасным стандартом, который не допускает спекулятивного исполнения кода при атаках, похожих на Spectre.

Значок уязвимости Spectre
Значок уязвимости Spectre

С начала 2018 года промышленность потрясло открытие уязвимостей Meltdown и Spectre. С того момента были выявлены многие другие уязвимости подобного плана, что свидетельствует о больших проблемах в архитектуре. Побочные атаки спекулятивного доступа несут большую угрозу в ситуациях, когда много пользователей делят общие вычислительные ресурсы. Такая ситуация имеет место быть в облачных вычислениях или у хостинг-провайдеров.

Память Speculative-Access Protected Memory (SAPM) пока находится на уровне теоретических изысканий. Команда STORM предлагает некоторые варианты её реализации, однако впереди ещё много работы. В исследовании говорится, что такая память приведёт к потере производительности, однако эта потеря будет не столь большой, с какой мы столкнулись при программных исправлениях выявленных уязвимостей.