/ / оперативная память

9923986909;rectangle
7994420702;horizontal

Новости про оперативная память

G.Skill выпускает наборы экстремальной памяти для платформы AMD #

15 августа 2017

На фоне бешеной популярности процессоров AMD у энтузиастов, в особенности CPU Threadripper, компания G.Skill решила предложить возможность сбалансировать высокопроизводительную систему новыми быстрыми наборами памяти.

Память получила имя Flare X DDR4 RAM. Конечно, она будет работать с любыми платами, но вот с автоматическим определением оптимальных параметров её работы будет трудно. Компания отметила, что линейка Flare X специально предназначена для материнских плат и процессоров AMD, и, конечно же, для Threadripper и чипсета X399.

Память G.Skill Flare X

Первый из двух наборов имеет объём 32 ГБ (8 ГБх4 шт.). Он работает на частоте 3600 МГц с таймингами 16-18-18-38 и требует 1,35 В. Также компания предлагает похожий набор частотой 3466 МГц и 3200 МГц, но с таймингами 14-14-14-34.

Второй набор представлен 8 планками и предназначен для AMD X399. Этот набор имеет впечатляющий объём в 128 ГБ (16 ГБх8 шт.). Для его работы также нужно напряжение в 1,35 В, однако она работает на меньшей частоте в 2933 МГц с таймингами 14-14-14-34.

Данные наборы памяти сделаны в первую очередь не для геймеров, а для профессионалов, оперирующих большими массивами данных и тяжёлыми объектами в САПР. Цена и доступность наборов Flare X пока неизвестна, но вряд ли они будут стоить дёшево.

AMD, DDR4, G.Skill, Ryzen, Threadripper, оперативная память

«Kit Guru»

Ryzen позволил AMD достичь частоты памяти более 4 ГГц #

8 июля 2017

Скоростной барьер памяти в 4 ГГц для компании AMD преодолён! Австралийский оверклокер Newlife сумел разогнать память DDR4 до 4079,2 МГц. Это стало возможным благодаря новому BIOS, который предлагает больше возможностей по управлению оперативной памятью.

Зафиксированная частота DDR4 составила 2039,6 МГц, что эквивалентно DDR4-4079. Рекорд установлен на плате Gigabyte Aorus AX370-Gaming K7 с использованием 8 ГБ модулей G.SKILL Trident Z E-die (F4-3600C17-4GTZ) с таймингами 18-20-20-58-93-1. В качестве процессора использовался четырёхъядерный Ryzen 5 1400 с заниженной до 800 МГц частотой.

Разгон памяти DDR4 на CPU Ryzen

Наверняка платформа AMD Ryzen не сможет конкурировать с Intel по скорости работы памяти в связи с особенностями архитектуры. Однако это достижение очень важно для AMD, ведь прошлый рекорд частоты ОЗУ составил 1950,3 МГц, и он был установлен на памяти DDR3 в 2012 году. Что касается Intel, то у неё похожий результат, 2115,6 МГц, был достигнут в июне 2013 года на процессоре Intel Core i7 4770K.

AMD, DDR4, Ryzen, оперативная память


Дефицит NAND и DRAM продлится до 2018 года #

5 июля 2017

В течение всего года мы постоянно слышим о дефиците чипов как оперативной, так и энергонезависимой памяти. Когда в конце 2016 года этот дефицит образовался, многие полагали, что это кратковременный кризис. Однако теперь аналитики уверены, что он продлится до 2018 года.

По информации Рейтер, растущий спрос на NAND как на мобильном рынке, так и на рынке PC, привёл к тому, что некоторые поставщики стали завышать цену на свои изделия, гарантируя при этом стабильные долгосрочные поставки. Так, один из неназванных производителей сообщил, что за дополнительные деньги заключил шестимесячное соглашение на поставку чипов, хотя обычно в этом бизнесе заключаются месячные или квартальные договоры.

DRAM

В настоящее время Apple приобрела примерно 18% всех годовых поставок памяти NAND, что необходимо ей для производства iPhone нового поколения. Обычно компании перекрывают этот всплеск поставок дополнительными складскими запасами, заготовленными в первом полугодии. Однако длящаяся больше чем полгода нехватка не позволила ни одному из производителей запастись микросхемами. Поэтому к сентябрю, когда Apple выпустит новый iPhone, дефицит станет ещё более острым.

Samsung отказалась комментировать данную информации, но известно, что ранее в этом году фирма отложила выпуск SSD объёмом 4 ТБ в связи с нехваткой памяти. Другой производитель памяти, SK Hynix, сделал заявление, сообщив Рейтер, что сроки поставки чипов давно прошли, и складские запасы остаются постоянно на низком уровне.

Обозреватели отмечают, что ситуация должна улучшиться в 2018 году, когда SK Hynix и Samsung запустят новые заводы, ну а пока нам придётся мириться с дефицитом и платить за него из своего кармана.

NAND, аналитика, оперативная память, прогнозы, финансы

«Kit Guru»

G.Skill выпускает память DDR4 частотой более 4 ГГц #

2 июня 2017

В ходе выставки Computex 2017 на стенде компании G.Skill были представлены новые платы оперативной памяти DDR4 серии Trident Z, частота которых превосходит 4000 МГц.

Модули памяти DDR4-4000 Trident Z RGB представлены в формате 16 ГБ, которые будут продаваться в новых наборах 2x16 ГБ (32 ГБ). С учётом подготовки новой платформы на базе LGA2066, CPU которой имеют по 4 канала памяти, стоит ожидать также появления и наборов, состоящих из 4 планок памяти. Эти модули имеют тайминги 17-17-18-38 CR2T.

Память G.Skill Trident Z

Кроме того, компания подготовила три модуля памяти, которые работают на ещё большей частоте: DDR4-4200, DDR4-4400, DDR4-4800. Однако эти планки представлены лишь в объёме по 8 ГБ.

Планки памяти Trident Z RGB DDR4-4200 имеют тайминги 19-21-21-41, а память Trident Z RGB DDR4-4400 и DDR4-4800 имеет тайминги 19-19-19-39. Все три типа ОЗУ поставляются в наборах по две и 4 штуки и 8 штук. Для их работы необходим компьютер на базе процессора Intel с поддержкой XMP 2.0.

О ценах пока не сообщается.

DDR4, G.Skill, оперативная память


Samsung может стать крупнейшим производителем микросхем #

16 мая 2017

Обозреватели рынка полупроводников уверяют, что в скором времени может появиться новый мировой лидер в этой отрасли — компания Samsung должна стать крупнейшим производителем чипов, сместив с пьедестала Intel.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Гибридный чип NAND и DRAM от Samsung

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Intel, NAND, Samsung, микросхемы, оперативная память, прогнозы, производство, рынок


7994420702;horizontal

G.SKILL анонсирует Trident Z RGB DDR4-3333 #

26 апреля 2017

Производитель памяти для энтузиастов — G.SKILL, представил новую флагманскую линейку оперативной памяти, предназначенную для искушённых геймеров и моддеров.

Память Trident Z RGB DDR4-3333MHz будет продаваться в розничных наборах объёмом 128 ГБ и 64 ГБ. Эта память предназначена для использования в высокопроизводительных системах на базе чипсетов X99 и Z270.

Наборы памяти состоят из 8-и или 4-х модулей с RGB подсветкой объёмом 16 ГБ каждый и частотой 3333 МГц без коррекции чётности ECC. Восьмимодульные наборы задействуют все доступные банки памяти на материнских платах на базе X99, в то время как 4-х модульные наборы можно использовать и с процессорами Kaby Lake в паре с чипсетами Z270.

Trident Z RGB DDR4-3333

Номинально память работает на частоте 3333 МГц, однако пользователи могут поиграть с настройками, добившись оптимальной производительности. Набор совместим с XMP 2.0, что заметно упрощает автоматическую настройку таймингов. Уменьшив же количество модулей до двух (например, в Ryzen), можно поднять частоту памяти до 3866 МГц с таймингами 18-18-18-38 без повышения напряжения (1,35 В в номинале).

В продажу наборы памяти Trident Z RGB DDR4-3333 поступят в мае. Цена пока не сообщается.

DDR4, G.Skill, оперативная память

«Kit Guru»

JEDEC анонсирует память DDR5 #

4 апреля 2017

Ассоциация JEDEC объявила о разработке памяти типа DDR5, которая будет обладать улучшенной производительностью и энергоэффективностью, по сравнению с прошлыми технологиями DRAM.

Планируется, что новая память удвоит пропускную способность, по сравнению с DDR4, а также обеспечит более высокую канальную эффективность. Эта эффективность, наряду с более дружественным интерфейсом для серверов и клиентских машин, обеспечит высокую производительность и улучшенное управление питанием в широком спектре применения.

Модуль NVDIMM-P

По мере того, как спрос на ёмкость и скорость DRAM увеличивается, технологии Hybrid DIMM, такие как JEDEC NVDIMM-P, обеспечат новые решения в области памяти, оптимизированные по стоимости, использованию энергии и производительности. В дополнение к нынешнему стандарту NVDIMM-N, NVDIMM-P предложит новые высокоёмкие модули для вычислительных систем.

Потрбление энергии памятью

Также ассоциация сообщила, что планирует провести глубокую техническую работу над памятью DDR5 и NVDIMM-P для обеспечения лучшего понимания стандарта и более быстрого его внедрения промышленностью.

DDR5, оперативная память


Intel начинает поставлять Optane партнёрам #

11 февраля 2017

Полупроводниковый гигант приступил к отправке модулей памяти типа Optane своим партнёрам для тестирования.

Новый тип высокоскоростной компактной твердотельной памяти компания Intel представила пару лет назад. На CES она заявила, что память Optane будет устанавливаться в DIMM слоты памяти DDR4 в серверных и бытовых материнских платах. Пока не совсем ясно, как именно будет использоваться память 3D XPoint в новых модулях.

Intel Optane SSD

По словам Intel, накопители Optane «полностью перепишут правила пирамиды горячих-тёплых-холодных накопителей», что является определяющим фактором в производительности серверов. Новая память должна быть столь же быстрой, как и DRAM, но энергонезависимой и со стоимостью SSD накопителя.

Серверы с памятью Optane смогут расширить объём своих горячих накопителей. При добавлении модулей Optane в серверах увеличится скорость «тёплых накопителей», что положительно скажется на общей производительности за умеренную плату. Компания отмечает, что Optane может изменить архитектуру серверов и PC. Материнские платы от SuperO и компьютеры Lenovo, Dell, Intel и HP уже получили поддержку накопителей нового типа.

Intel, Optane, SSD, оперативная память

«Fudzilla»

SK Hynix выпускает 8 ГБ LPDDR4 #

27 декабря 2016

Компания SK Hynix присоединилась к Samsung, предложив разработчикам смартфонов и планшетов мобильную оперативную память объёмом 8 ГБ. Таким образом в следующем году стоит ожидать появления телефонов с 8 ГБ оперативной памяти, только не понятно, для чего она нужна.

Для производства памяти компания использовала старый и хорошо отлаженный 21 нм процесс, при том что многие ожидали увидеть более технологичные микросхемы, изготовленные по 16 нм или даже 10 нм нормам, однако этот процесс запланирован компанией только на 2017 год.

Новая память поддерживает передачу данных уровне 3733 МТ/с и обеспечивает скорость до 29,8 Гб/с. Эти цифры выглядят впечатляюще, однако для их достижения LPDDR4 необходимо напряжение в 1,1 В или выше.

SK Hynix

Конкурирующий стандарт LPDDR4X требует напряжения 0,6 В, позволяя снизить энергопотребление на 45%. Первым процессором, который поддерживает данную память стал MediaTek P20, однако он ограничен поддержкой 2x3 ГБ LPDDR4X. Так что первым чипом с поддержкой 8 ГБ ОЗУ станет Snapdragon 835.

В любом случае, такой объём оперативно памяти будет избыточен для смартфонов. Он может иметь смысл лишь для некоторых конвертеров и устройств 2-в-1, особенно на фоне полноценной работоспособности Windows 10 на топовых процессорах Qualcomm.

DDR4, Hynix, оперативная память

«Fudzilla»

Corsair представил память Vengeance с RGB подсветкой #

26 декабря 2016

Похоже, что 2017 год будет ярким для оперативной памяти, при том, во всех смыслах. Вслед за G.Skill компания Corsair представила модули памяти Vengeance, оснащённые полноцветной подсветкой.

Согласно недавнему тизеру, опубликованному в Twitter, фирма полноценно представит новые модули Vengeance DDR4 RGB на выставке CES. Сейчас компания уже предлагает модули Vengeance LED, однако их подсветка не полноцветная, а реализована лишь белым, красным или сними цветами.

Corsair Vengeance RGB

При этом у Corsair уже есть ряд продуктов с RGB подсветкой, включая вентиляторы SP120/HD120, корпус Crystal 460X RGB и масса периферии, среди которой клавиатуры, мыши, наушники и коврики для мышей. Однако обычно пользователи ограничены в управлении этой подсветки, так что можно надеяться, что компания пойдёт по конкурентному пути и выпустит ПО для управления светодиодами.

Corsair, DDR4, оперативная память

«Fudzilla»

G.Skill представила память Trident Z RGB #

22 декабря 2016

Компания G.Skill анонсировала новую линейку оперативной памяти DDR4 Trident Z RGB, которые предлагают полноцветную RGB подсветку на фоне радиатора с узнаваемым логотипом Trident Z.

Новая подсветка никак не повлияла на высокую производительность памяти, характерную для серии Trident Z. Как и прежде, модули состоят из 10-слойных печатных плат и подобранных вручную чипов памяти.

G.Skill Trident Z RGB

Компоненты подсветки способны воспроизвести всю радугу, причём не статично, а с волнообразным эффектом. Дальнейшие световые эффекты и их цвет можно будет настроить в феврале, когда выйдет специальное ПО.

G.Skill Trident Z RGB

G.Skill Trident Z RGB

К сожалению, компания ничего не сообщила непосредственно о характеристиках модулей. Так, G.Skill лишь сообщила, что модули будут доступны в различных наборах с разными объёмами, а частота работы памяти составит 4266 МГц.

Как и предыдущие наборы G.Skill Trident Z, новые RGB пройдут тот же набор тестов на совместимость и надёжность и получат ограниченную пожизненную гарантию.

По информации производителя, новая память Trident Z RGB должна быть доступна в середине января.

DDR4, G.Skill, оперативная память

«Fudzilla»

Transcend выпускает модули DDR4 SO-DIMM для экстремальных условий #

13 декабря 2016

Компания Transcend заявила о выпуске модулей памяти DDR4 SO-DIMM, которые могут работать при экстремальных температурах.

Они были созданы для промышленных компьютеров, компьютеров специального назначения, POS терминалов, банкоматов и прочих систем, работающих в режиме 24/7.

Компания отмечает, что модули могут безопасно использоваться в компьютерах малого форм фактора без дополнительного охлаждения в течение продолжительного периода.

Модули памяти Transcend DDR4 2400 SO-DIMM 1R

Для этого Transcend использовала на печатных платах конденсаторы промышленного уровня с позолоченными контактами (толщина слоя золота 30 мкм), которые способны выдерживать вибрацию, электромагнитные возмущения и экстремальные температуры в диапазоне от –40°C до +85°C.

Это значит, что модели памяти можно смело использовать как в Антарктиде, так и в пустыне Деште-Лут. На практике же, они найдут себе применение в малогабаритных промышленных компьютерах, военных системах и встраиваемых системах с недостаточным охлаждением.

Модули SO-DIMM основаны на 8 Гб чипах Samsung и предлагаются в 8 ГБ и 16 ГБ версиях. Скорость работы модулей составляет 2400 МТ/с при напряжении 1,2 В, что означает их полную совместимость с промышленными и встраиваемыми маломощными CPU, поддерживающими DDR4.

О цене на модули памяти в официальном релизе ничего не говорится.

DDR4, Transcend, оперативная память

«Fudzilla»

G.Skill представила самые быстрые наборы памяти Trident Z #

18 ноября 2016

Компания G.Skill анонсировала новые наборы памяти Trident Z DDR4 64GB (4x16GB), которые работают на частоте 3600 МГц при тайминге CL17.

Два месяца после анонса наборов Trident Z DDR4-3866, компания G.Skill расширила границы частотного диапазона и для 64 ГБ наборов, модули в которых при частоте 3600 МГц и напряжении 1,35 В обладают таймингами CL17-19-19-39.

Память G.Skill Trident Z DDR4 64GB

Четыре модуля памяти, входящие в представленные наборы, основаны на микросхемах Samsung 8Gb и оснащены фирменным радиатором Trident Z. Компания отметила, что тестировала свою память на материнских платах Asus Z170-Deluxe с процессорами Intel Core i5-6600K.

Память G.Skill Trident Z DDR4 64GB

В продажу наборы G.Skill Trident Z DDR4-3600 64GB должны поступить в декабре, однако о цене пока ничего не сообщается.

Тестирование G.Skill Trident Z DDR4 64GB

DDR4, G.Skill, оперативная память

«Fudzilla»

Geil выпускает модули памяти с подсветкой #

10 ноября 2016

Компания Geil начала продажи модулей памяти Evo X RGB DDR4. Данная память уникальна тем, что способна подключаться к светодиодному разъёму, присутствующему на некоторых материнских платах. Такой подход позволяет изменять цвета подсветки и управлять световыми эффектами модулей, используя фирменное ПО производителя материнской платы.

Для использования этой памяти вам придётся приобрести необходимые провода для подключения дополнительного питания светодиодов. Конечно, память будет работать и без дополнительного подключения, но светиться она не будет.

Geil Evo X RGB DDR4

Однако куда большая проблема заключается в том, что на рынке есть лишь несколько материнских плат с разъёмом для подключения светодиодов. Конечно, подключить светодиоды памяти можно и в вентиляторный разъём, однако для этого потребуется ещё больше проводов, а также лишает возможности управлять яркостью и цветом подсветки.

Geil Evo X RGB DDR4

Память Geil Evo X RGB DDR4 выпускается наборами по две планки объёмом от 4 ГБ до 8 ГБ каждая. Частота RAM составляет 3000 МГц или 3200 МГц, а напряжение питания составляет 1,35 В.

Стоимость наборов варьируется от 70 до 115 долларов США.

DDR4, GeIL, оперативная память


Samsung выпустила 8 ГБ модули ОЗУ #

24 октября 2016

Похоже, что в скором будущем мы увидим смартфоны, оснащённые 8 ГБ оперативной памяти, поскольку компания Samsung приступила к выпуску 8 ГБ модулей оперативной памяти в крошечном пакете.

В представленных модулях использована память типа LPDDR4, изготавливаемая по 10 нм технологии. Распространение 64-битной архитектуры в SoC для смартфонов позволило устанавливать в портативные устройства больше 4 ГБ ОЗУ, однако многие производители, включая Samsung, пока не заинтересованы в этом. Выпустив же 8 ГБ модули стоит ожидать, что южнокорейские флагманы будущего года могут получить целых 8 ГБ ОЗУ.

Samsung LPDDR4 объёмом 8 ГБ

Память LPDDR4 сейчас является самой быстрой среди всей памяти с низким энергопотреблением. По словам Samsung, представленная ею RAM находится в том же классе, что и память для ПК, только работает на частоте вдвое большей, которая составляет 4266 МГц.

Благодаря 10 нм техпроцессу удалось создать модули размером 15х15х1 мм. Столь малая толщина также позволяет размещать их поверх других чипов.

Пока цель использования этих модулей в смартфонах не совсем понятна, однако в планшетах и производительных устройствах 2-в-1 она может прийтись кстати.

DDR4, Samsung, оперативная память

«Fudzilla»