Новости про оперативная память

MSI разогнала память DDR4 до 5902 МГц

Компания MSI сообщила, что её штатный оверклокер Кован Ян сумел установить новый мировой рекорд разгона памяти DDR4.

Используя материнскую плату MSI MPG Z390I GAMING EDGE AC он достиг частоты памяти DDR4 равной 5902 МГц с таймингами CL31-63-63 2T. Рекордсменом оказался 8-и гигабайтный модуль Kingston KHX3466C19D4/8G.

Логотип MSI
Логотип MSI

Конечно, при разгоне пришлось применять специальные методы: центральный процессор Intel Core i9-9900K работал на частоте 805,27 МГц, а количество активных ядер было ограничено двумя. Охлаждалась конструкция жидким азотом.

Результат разгона памяти до 5902 МГц
Результат разгона памяти до 5902 МГц
Система, на которой проводился разгон ОЗУ
Система, на которой проводился разгон ОЗУ
Охлаждение жидким азотом при разгоне памяти
Охлаждение жидким азотом при разгоне памяти

Предыдущий рекорд разгона памяти до 5608 МГц был поставлен также MSI и продержался 30 недель.

Производители памяти переходят на 96-слойные 3D NAND процессы

Производители микросхем агрессивно внедряют новые 96-слойные процессы производства 3D NAND. Всё это выглядит так, что в 2020 году эта технология станет мейнстримом отрасли.

В текущем году рынок NAND споткнулся с перепроизводством. Производители приняли решение замедлять темпы расширения складских запасов и даже снижать объёмы производства, чтобы лучше управлять запасами.

Так, Micron Technology раскрыла планы по 10% сокращению производства NAND-памяти, в то время как SK Hynix прогнозирует снижение количество произведенных пластин с микросхемами на более чем 10%, по сравнению с 2018 годом.

3D NAND микросхемы Micron
3D NAND микросхемы Micron

Южнокорейская Samsung Electronics также скорректирует своё производство в краткосрочной перспективе в ответ на разворачивающуюся торговую войну между Японией и Южной Кореей.

Отмечается, что многие производители NAND уже подготовили образцы стековой памяти, состоящей из 120 или 128 слоёв. Гонка технологий по промышленному выпуску 128-слойной памяти между крупными производителями памяти начнётся уже ближайшей зимой.

ThermalTake выпускает первую в мире память с водяным охлаждением

Для современных игровых систем предлагается жидкостное охлаждение для процессоров, видеокарт и даже SSD. Но теперь ThermalTake выпустила набор оперативной памяти с жидкостным охлаждением.

Набор получил название WaterRam RGB Liquid Cooling Memory. Он представляет собой 4 планки памяти DDR4 по 8 ГБ частотой 3600 МГц с водоблоком для особо эффективного охлаждения при разгоне. Также компания выпустила аналогичные водоохлаждаемые комплекты объёмом 32 ГБ и 16 ГБ с памятью частотой 3200 МГц.

Набор WaterRam в собранном виде
Набор WaterRam в собранном виде

Как следует из названия, водоблоки оснащаются подсветкой. В них установлены по 12 сверхъярких RGB светодиодов с раздельным управлением, которые подключаются к 5-вольтовому разъёму на материнских платах ASUS, GIGABYTE, MSI и AsRock.

Планки памяти, кулер и система управления WaterRam
Планки памяти, кулер и система управления WaterRam

Набор WaterRam RGB Liquid Cooling Memory с памятью частотой 3600 МГц доступен к приобретению по цене 470 долларов США.

Samsung начинает массовое производство 12 Гб памяти LPDDR5

Переход на мобильную связь пятого поколения требует от устройств всё больших объёмов памяти.

Компания Samsung, будучи одним из мировых лидеров отрасли, приступила к массовому производству модулей памяти LPDDR5 объёмом 12 Гб. Также компания анонсировала планы по комбинированию 8 из этих модулей для создания пакетов объемом 12 ГБ.

Микросхема памяти LPDDR5 от Samsung объёмом 12 Гб
Микросхема памяти LPDDR5 от Samsung объёмом 12 Гб

Выпустив память LPDDR5 10-нанометрового класса второго поколения, южнокорейский гигант надеется, что она найдёт своё применение во флагманских смартфонах следующего поколения. Новая память обеспечивает пропускную способность в 5500 Мб/с, что в 1,3 раза выше, чем у LPDDR4X. Кроме того, новые модули потребляют на 30% меньше электроэнергии.

В следующем же году компания планирует завершить разработку 16 Гб модулей LPDDR5.

Toshiba Memory меняет название на Kioxia

Toshiba Memory Holdings Corporation официально объявила о смене своего названия на Kioxia Holdings Corporation с 1 октября 2019 года. С этого дня новое название будет применяться ко всем предприятиям, входящим в Toshiba Memory, включая британское и израильское подразделение OCZ.

Слово Kioxia является комбинацией японского слова «киоку», означающему «память» и греческого «аксиа», означающему объём. Читается название предельно просто — «киоксиа». Компания планирует открыть новую эпоху памяти, обусловленную ростом спроса на накопители больших объёмов, высокоскоростными хранилищами и обработкой данных.

Вывеска на заводе Toshiba Memory
Toshiba Memory

Миссия Kioxia — Улучшить мир «памятью». Вовлекать «память», улучшить опыт и изменить мир.

Видение Kioxia — Вместе с изначально прогрессивной технологией мы предлагаем продукты, сервисы и системы, предоставляющие выбор и определяющие будущее.

Исследователи создали универсальную память для замены DRAM и NAND

Учёные из университета Ланкастера представили новый тип универсальной памяти, которая способна заменить как память DRAM, так и NAND.

Эта память кажется идеальным решением, ведь она является энергонезависимой и низковольтной. Опубликованный отчёт по исследованию гласит, что энергопотребление при записи и удалении в новой памяти в 100 раз ниже, чем у DRAM. Более того, хранилище обладает поразительной надёжностью и способно хранить данные дольше, чем существует вселенная.

Применение данной памяти позволит создать компьютеры, не требующие загрузки, и способные мгновенно переходить из режима сна в режим обычной работы.

Модули DRAM
Модули DRAM

Профессор физики Манус Хейн из университета Ланкастера заявил: «Универсальная память, которая просто хранит данные, которые легко изменить, по широко распространённому мнению была труднодостижимой, или даже невозможной, однако это устройство демонстрирует требуемые свойства».

Нет сомнений, что профессор провёл потрясающую работу, но пока о практическом применении памяти нового типа речи не идёт. Кроме того, в исследовании ничего не сказано о производительности такой памяти.

AMD подтвердила, что Zen 3 не получит поддержки DDR5

Продукты серии Zen 2 от компании AMD скоро будут доступны, но компания уже проектирует третье поколение этой архитектуры, Milan, которое будет готово к середине 2020 года для серверов.

Процессоры Zen 2 Rome позволили заметно поднять частоту памяти DDR4. Процессоры Milan будут работать в серверных сокетах SP3, таких же, в которых сейчас работают чипы EPYC. Форрест Норрод из AMD сообщил, что новые EPYC также будут работать с памятью DDR4 и не будут поддерживать новую память.

AMD Zen 2
AMD Zen 2

«DRR5 имеет другую конструкцию», а потому потребуют нового сокета. Поскольку Milan поддерживает сокет SP3, то и тип поддерживаемой памяти остаётся старый. Настольные процессоры Zen 3 также будут использовать память DDR4. Более того, даже 4-е поколение Zen будет работать с DDR4, и оно будет последним, использующем эту память.

Американский запрет на Huawei может обрушить цены на DRAM

Американо-китайская торговая война оказывает влияние на множество отраслей, одной из которых станет оперативная память. Из-за запрета на продукты Huawei цена на DRAM в ближайшие два квартала может снизиться на 35%.

DRAMeXchange, входящая в состав аналитической фирмы TrendForce, спрогнозировала, что цены на оперативную память упадут на 10% в III квартале и ещё на 5% в IV квартале. Однако ситуация с Huawei изменила эти показатели до 15% и 10% соответственно.

Чипы DRAM для смартфонов
Чипы DRAM для смартфонов

«По мере того, как нестабильность от американского запрета продолжает расширяться, поставки смартфонов и серверных продуктов Huawei могут столкнуться с большими затруднениями в ближайшие два или три квартала, влияя на потребление в пиковый сезон DRAM во втором полугодии и приводя к обрушению цен».

Однако аналитики уверены, что это не катастрофа. Уже в 2020 году цены на память начнут восстанавливаться, что будет вызвано ограничением поставок. Это значит, что апгрейд лучше завершить к концу этого года.

Zadak анонсирует быструю память Spark с RGB подсветкой

Компания Zadak анонсирует новые наборы памяти DDR4, которые предлагаются в разных вариантах скорости. При этом все они оснащены стильной RGB подсветкой.

Начинается предложение компании с модулей 2666 МГц CL16. Промежуточные решения имеют частоту 3000 МГц, 3200 МГц и 3600 МГц. Топовой моделью стали модули с частотой 4133 МГц и таймингом CL19.

В план объёма компания предлагает одиночные планки объёмом по 8 ГБ и 16 ГБ, а также парные наборы объёмом по 16 ГБ и 32 ГБ. Четырёхканальные наборы имеют ёмкость до 64 ГБ. Вся память совместима с платформами Ryzen всех трёх поколений. Автоматическая настройка памяти осуществляется посредством технологии XMP.

Оперативная память Zadak Spark RGB
Оперативная память Zadak Spark RGB

Что касается подсветки, то она полностью совместима со средствами управления ведущих производителей материнских плат. Она прошла квалификацию у таких компаний как Asus, Gigabyte, MSI и ASRock.

О цене известно мало. Компания сообщила лишь стоимость 16 ГБ набора (8 ГБх2) частотой 3200 МГц. Она составляет 159 долларов.

Память Ballistix установила новый рекорд разгона DDR4

В пятницу мы сообщали о том, что Adata установила новый рекорд разгона ОЗУ, однако он продержался лишь пару дней, поскольку Micron смогла с лёгкостью обойти конкурентов, продемонстрировав производительность 5726 МТ/с.

Рекорд установлен на памяти Ballistix Elite 3600MT/s, игровом бренде компании Micron. Модули DDR4 удалось разогнать до 5726 МТ/с. Это на 79% больше спецификации JEDEC для 3200 МТ/с.

Оперативная память Ballistix
Оперативная память Ballistix

К сожалению, оверклокеры ничего не стали рассказывать о процессе установки рекорда. Отмечено, что задержки CAS были установлены на уровне CL24, как и в большинстве рекордных разгонов. В качестве платформы была выбрана материнская плата ASUS Maximus XI Apex с процессором Intel i7-8086K и охлаждением жидким азотом.

Также оверклокер Savvopoulos отметил, что Elite 3600 позволила установит рекорд очень легко: «Нас просто ошеломило, как удивительно легко было разгонять модули Ballistix Elite DDR4 3600 МТ/с. Другие модули, что мы разгоняли, были темпераменты и требовали тренировки и понижения температуры для повышения стабильности; но мы не ожидали, что Micron E-die намного лучше масштабируется на более высоких напряжениях и температурах. В общем, это было достаточно просто — подключи и работай».