Новости про оперативная память

Цены на NAND память продолжат снижение

За текущий год цена на память NAND упала на 50%. Главной причиной этого называются избыточные ожидания производителей памяти, которые внедряют новые мощности. Такая же ситуация сохранится и в 2019 году.

Аналитики отмечают, что при высокой доступности оборудования, более чем половина производителей NAND столкнуться с давлением, и чтобы сохранить прибыль продолжат увеличивать объёмы производства.

Чипы NAND на твердотельном накоптеле
Чипы NAND на твердотельном накоптеле

Промышленные источники уверяют, что сейчас в мире существует 6-7 ведущих производителей NAND продуктов, и все разрабатывают новое поколение производственных процессов. Среди них Samsung, Toshiba Memory/Western Digital, Mircon/Intel и SK Hynix уже подготовили 96-слойную 3D NAND технологию для выпуска продукции в первой половине 2019 года. Все они планируют производить 50—100 тысяч микросхем в год. Китайская Yangtze Memory Technology также ускоряет производство, планируя выйти на уровень 150 000 чипов в год. Такое перепроизводство вызовет дальнейшее снижение цен на NAND память в 2019 году.

В противовес твердотельной памяти, оперативная память не будет дешеветь. Тройка крупнейших производителей DRAM, Samsung, SK Hynix и Micron, лишь незначительно расширят производственные мощности, несмотря на ожидаемый рост спроса на память для центров обработки данных, игровых устройств, IoT и автомобильной электроники.

Память DDR4 разогнана до рекордных 5566 МГц

Оверклокер, представляющийся ником Hocayu, установил новый рекорд частоты для памяти DDR4, который составил 5566 МГц (эффективных).

Достижение установлено на памяти G.Skill Trident Z RGB, которая была установлена в материнскую плату Asus ROG Maximus XI GENE с процессором Intel Core i7-8700K. Вполне обычная комплектация.

Оперативная память G.Skill Trident Z
Оперативная память G.Skill Trident Z

Как и в большинстве случаев экстремального разгона, в данном случае процесс протекал с охлаждением CPU и памяти жидким азотом. Память работала с таймингами CL24.0 31-31-63 3T. При этом использовался модуль объёмом 8 ГБ. По словам самого оверклокера, он взял память с базовой частотой DDR4-3200, хотя G.Skill также предлагает память частотой 4600 МГц, но она уже распродана.

Результат разгона до 5566 МГц
Результат разгона до 5566 МГц

Новые процессоры Intel поддерживают 128 ГБ ОЗУ

Компания Intel сообщает, что настольные процессоры 9-го поколения могут поддерживать увеличенный объём памяти.

Обычно процессоры поддерживают лишь 64 ГБ в двух каналах памяти с двумя модулями в каждом. Это значит, что максимальный объём планки составляет 16 ГБ. Однако сейчас такие производители памяти как Zadak и G.Skill используют различные технологии для производства модулей двойной высоты и объёма. Применяя 16 Гб чипы Samsung компании готовятся выпустить модули объёмом 32 ГБ.

Планка оперативной памяти Zadak Shield DC объёмом 32 ГБ
Планка оперативной памяти Zadak Shield DC объёмом 32 ГБ

В AMD уже заявили, что их контроллеры памяти смогут поддерживать будущую память, в то время как Intel в своих спецификациях говорит об ограничениях. Однако теперь представитель компании заявил, что 16 Гб микросхемы стали доступны совсем недавно, и теперь компания занята сертификацией этой памяти, которая закончится через месяц. Таким образом, уже в ноябре Intel заявит о поддержке 64 ГБ ОЗУ на процессорах Core 9-й серии.

Планка памяти G.Skill Trident Z объёмом 32 ГБ
Планка памяти G.Skill Trident Z объёмом 32 ГБ

Новые 32 ГБ модули не будут дешёвыми. Сейчас наборы 4х16 ГБ памяти DDR4-2666 стоят порядка 550 долларов. Это значит, что наборы 4х32 ГБ будут как минимум вдвое дороже. Некоторые обозреватели допускают цену в 1600 долларов.

Samsung сокращает производство памяти

По информации Bloomberg компания Samsung готовится к замедлению производства микросхем памяти в 2019 году, в котором ожидается снижение спроса.

Южнокорейский гигант пользуется своим доминирующим положением на рынке, и этот шаг позволит сохранить падающую цену на NAND и DRAM, или даже увеличить её.

В начале года компания видела будущее оптимистично, ожидая битовый рост на 20 и 40 процентов для DRAM и NAND. Битовый рост — это термин, используемый индустрией для обозначения объёмов производимой памяти. Данная единица измерения важна для оценки спроса и позволяет производителям панировать объёмы продукции.

Микросхемы оперативной памяти Samsung
Микросхемы оперативной памяти Samsung

Согласно свежему прогнозу Samsung, битовый рост DRAM ожидается на уровне ниже 20%, а для NAND — 30%. Так что снижение объёмов производства выглядит для компании вполне логичным шагом.

Аналитик Bloomberg Антея Лэи считает, что Samsung предпочтёт ситуацию с дефицитом поставок и высокой ценой, взамен захвата большего рынка и риска снижения стоимости. Очевидно, что эти шаги повлекут сдерживание цены на память не только производства Samsung, но и её конкурентов.

Дефицит 14 нм процессоров Intel приведёт к снижению цен на память

После того, как компания Intel столкнулась с дефицитом производственных мощностей, аналитики всех мастей ринулись оценивать это изменение на другие отрасли.

В этот раз речь идёт об изменениях на рынке памяти DDR4 и NAND. Отчёт подготовила аналитическая компания DRAMExchange.

Оперативная память
Оперативная память

Обозревая поставки ноутбуков, компания предсказывает падение рынка на 0,2% в годовом отношении. Это, в свою очередь, приведёт к снижению цен на память DDR4 на 2% в квартальном отношении в связи с перепроизводством. Также трудности с производством у Intel приведут к перепроизводству SSD, которые в четвёртом квартале также подешевеют.

Если всё будет именно так, как предсказывают аналитики, нас ждёт неплохой шанс приобрести к Новому году дополнительную память или накопитель по сниженной цене.

Рынки DRAM и NAND вырастут на 30%

Этот год будет последним, когда наблюдается быстрый рост рынков DRAM и NAND памяти. По крайней мере, так прогнозирует Digitimes Research.

В этом году аналитики ожидают комбинированный рост рынка памяти чуть менее 30%, а в следующем году эта величина снизится до однозначной.

Чипы DRAM
Чипы DRAM

Что касается финансовой стороны, то в этом году сегмент DRAM покажет рекордный уровень в 100 миллиардов долларов. Главной причиной аналитики называют высокий спрос на память для серверов. Так, в этом году мировой спрос на серверы вырастет на 15%, а объём памяти для каждого сервера продолжит увеличиваться.

Производители активно реагируют на эти изменения. К примеру, доля серверной памяти у SK Hynix в этом году составила 38,8%, в то время как 2016 году она составляла 24%. У Micron эта доля составляет 29%, на 7% выше, чем пять лет назад.

CPU-Z обновилась до версии 1.86

Утилита CPU-Z предназначена для получения системной информации о вашем компьютере. Теперь в свет вышла новая версия 1.86 этой популярной программы.

Утилита CPU-Z позволяет получить подробные сведения о модели и производителе процессора, количестве ядер, степпинге, замерить внутренние и внешние частоты, множитель и выявить разгон. Также она показывает поддерживаемые инструкции, объём кэша и даже физические размеры ядра.

CPU-Z

Кроме того, с помощью CPU-Z можно получить некоторые сведения о материнской плате, включая её модель, версию BIOS и модель чипсета, и об оперативной памяти.

На удивление, CPU-Z 1.86 получила очень короткий перечень изменений. Отныне утилита может работать с процессорами Intel 9-го поколения Core (Coffee Lake 9900K, 9700K, 9600K, 9600, 9500 и 9400), процессорами Intel Coffee Lake-U, и может определять производителя видеокарты (только NVIDIA).

Загрузить CPU-Z 1.86.

Промышленность DRAM столкнётся с перепроизводством в 2019 году

Рынок оперативной памяти по-прежнему остаётся высокоприбыльным, однако на фоне роста производства от Micron Technology и готовности китайских компаний Fujian Jin Hua Integrated Circuit и Innotron Memory (ранее известную как Hefei ChangXin) начать выпуск продукции, в 2019 году ожидается кризис перепроизводства, о чём сообщает DigiTimes.

Гиганты рынка, Samsung Electronics и SK Hynix, готовят изменить ориентированные на прибыль стратегии бизнеса, поскольку обе компании ожидают, что стремительный рост рынка памяти, который длится 2—3 года, закончится к концу текущего. При этом обе компании в ходе конференций с инвесторами сообщили, что продолжат наращивать складские запасы чипов.

Оперативная память Samsung
Оперативная память Samsung

После пикового 50,2% проникновения Samsung на рынке в IV квартале 2016 года, её доля продолжает снижаться. Эти изменения происходят в первую очередь за счёт роста прибыли Micron.

Ожидается, что мировой рынок DRAM достигнет пика в 104 миллиарда долларов США в 2018 году, после чего пойдёт снижение на 1,8% и 2,6% в 2019 и 2020 годах соответственно. Что касается рынков сбыта, то вместо сектора смартфона, лидирующего сейчас, всё больше памяти станет требовать автомобильная электроника.

Новый смартфон Vivo может получить 10 ГБ ОЗУ

Уже с этого года 10 ГБ оперативной памяти в смартфонах может стать нормой.

В ближайшем будущем смартфоны высшего класса уже обойдут настольные ПК по некоторым характеристикам. Так, компания Vivo готовит новый флагманский смартфон, который получит поразительные 10 ГБ ОЗУ.

Смартфон Vivo
Смартфон Vivo

По слухам, этот смартфон будет выпущен в августе. Он получит процессор Qualcomm Snapdragon 660 и 10 ГБ ОЗУ. Похоже, что в противостоянии Oppo и Vivo в этом году победит последняя. Однако это будет первый, но не единственный смартфон с такими характеристиками. Так, к концу года, а особенно к началу следующего, многие производители готовят свои аналогичные предложения, а вот насколько они будут востребованы, узнаем уже через месяц.

Samsung готовит 8-гигабитные чипы LPDDR5

Компания Samsung анонсировала прототипы 8-гигабитной памяти LPDDR5, которую фирма готовит в связи с подготовкой к сетям 5G.

Южнокорейский гигант успешно протестировал 8 ГБ модули памяти, собранные из 8 чипов LPDDR5 объёмом 8 Гб. Этот анонс выпущен вместе с традиционными обещаниями по «повышению производительности» и «снижению энергопотребления».

Чипы памяти Samsung
Чипы памяти Samsung

Представленная память использует последнюю спецификацию DDR5, разработка которой ещё не окончена. Теоретически, память LPDDR5 может работать на 6,4 Мб/с, в то время как LPDDR4X работает на 4,26 Мб/с.

Улучшенное энергопотребление новой памяти достигается за счёт введения «режима глубокого сна». В результате, по сравнению с LPDDR4X, энергопотребление LPDDR5 снижается вдвое.

Когда же память LPDDR5 будет доступно, ещё не ясно, но Samsung явно подготовилась к этому моменту.