Новости про оперативная память

Adata установила рекорд скорости памяти DDR4

Компания Adata установила новый рекорд разгона памяти DDR4, намного опередив предыдущий показатель Kingston и HyperX Predator RAM.

Новый результат достигнут в собственной лаборатории XPG Overclocking Lab (XOCL) на модулях памяти Spectrix D60G DDR4 RGB, которые были разогнаны до 5634,1 МГц.

Модуль оперативной памяти Spectrix D60G DDR4 RGB
Модуль оперативной памяти Spectrix D60G DDR4 RGB

Для опыта использовался один модуль памяти Spectrix D60G объёмом 8 ГБ в материнской плате MSI MPG X390I Gaming Edge AC Mini-ITX и на процессоре Intel Core i9-9900K. Система охлаждалась жидким азотом, что позволило заметно поднять частоты.

Подтверждение разгона памяти Spectrix D60G DDR4 RGB до 5634 МГц
Подтверждение разгона памяти Spectrix D60G DDR4 RGB до 5634 МГц

В процессе разгона удалось установить тайминги CL 31-31-31-46 3T, при этом напряжения оверклокерами не сообщаются. Базовая частота для испытуемой памяти составляет 4133 МГц, а разгонная частота намного выше — 5634 МГц. В общем, Adata явно решила бороться за лидерство на рынке ОЗУ.

Рынок DRAM заметно сократится

Последние изменения рыночной ситуации, наряду с резким снижением средней цены приведут к тому, что рынок DRAM в текущем году достигнет лишь 77 миллиардов долларов, что на 22% меньше прошлого года. При этом снижение цен и низкий спрос продолжаться и в третьем квартале 2019 года. Таковы прогнозы аналитиков из IHS Markit.

«Недавнее решение Micron Technologies сократить выпуск чипов при угрозе снижающегося спроса — не вызывает удивлений», — заявила Рейчел Юнг, ассоциированный директор IHS Markit. «Фактически, большинство производителей чипов памяти принимает меры для управления поставками и уровня складских запасов, чтобы смягчить спрос».

SDRAM модули
SDRAM модули

Рост спроса-предложения продолжится в ближайшие годы на уровне 20%, что сохранит баланс на рынке, отмечают обозреватели. Однако возможны некоторые периоды перепроизводства и недопроизводства, при этом лидерами спроса будут сегменты рынка серверов и мобильных устройств.

В долгосрочной перспективе спрос на серверы от таких гиперскалярных компаний как Amazon, Microsoft, Facebook, Google, Tencent, Baidu и Alibaba будет продвигать сегмент с 28% всей произведенной памяти в 2018 году до 50% в 2023. Поставки смартфонов с 2016 года заметно снизились, однако сегмент смартфонов по-прежнему является вторым для DRAM. Так, в период с 2019 до 2023 года смартфоны будут потреблять 28% всей выпущенной оперативной памяти.

Intel Optane продаётся по 850 долларов за 128 ГБ

Энергонезависимая оперативная память Intel Optane доступна для приобретения по цене в 842 доллара за набор объёмом 128 ГБ и 2461 доллар за 256 ГБ набор. Это кажется много, но в мире серверов это заметно дешевле традиционной DDR-памяти.

Память Optane характерна низкими задержками, высокой скоростью, и может сохранять своё состояние даже после отключения питания. Всё это очень важно для серверов. Теперь, после многих лет ожидания, такая память стала доступной для заказа. Безусловно, если посмотреть на первый абзац, то покажется, что цена просто неимоверна. Однако традиционные планки для серверов стоят заметно дороже — 4300 долларов за 128 ГБ и 24 250 долларов за 256 ГБ версию. Таким образом OPM на 80—90% дешевле.

Память Intel Optane
Память Intel Optane

Для бытовых потребителей OPM совершенно не готова. К примеру, набор 8x32 ГБ DDR4 обойдётся в 1800 долларов, но это во много раз дешевле Optane. В общем, эта память нашла свою нишу на рынке.

Реально приобрести Intel OPM можно будет в июне. Стоимость одной планки памяти пока неизвестна, как неизвестна и производительность в различных условиях работы.

Samsung разработала 3-е поколение памяти DDR4 10-нанометрового класса

Компания Samsung заявила о завершении разработки 3-го поколения оперативной памяти DDR4 DRAM 10-нанометрового класса, для чего ей не потребовалась экстремальная ультрафиолетовая литография.

Благодаря своим разработкам была выпущена память 1Z нм объёмом 8 Гб. Технология позволила увеличить долю выпуска годной продукции на 20%, по сравнению с прошлым поколением. Массовое производство микросхем начнётся во второй половине 2019 года.

1z нм память DDR4 от Samsung
1z нм память DDR4 от Samsung

Новая память планируется к использованию в серверах нового поколения и хай-энд компьютерах, выпускаемых в 2020 году. Также технология будет использоваться для производства DRAM памяти других типов, включая DDR5, LPDDR5 и GDDR6.

В компании отмечают, что наладка производства 1Z нм памяти позволит фирме сохранить лидерство на рынке DRAM.

Samsung выпускает одночиповую память LPDDR4X объёмом 12 ГБ

Компания Samsung анонсировала выпуск пакетов памяти LPDDR4X объёмом 12 ГБ, которая предназначена для смартфонов нового поколения. Таким образом, южнокорейский гигант создал самый ёмкий пакет, который будет использоваться с 512 ГБ eUFS хранилищем.

В новом чипе компания упаковала шесть отдельных 1Y-нм ядер объёмом 16 Гб. Толщина полученного пакета составляет 1,1 мм, а пропускная способность — 34,1 ГБ/с. Хотя компания сообщила, что чип будет использоваться в новых флагманских смартфонах, пока она не назвала ни одной модели.

Память Samsung LPDDR4X объёмом 12 ГБ
Память Samsung LPDDR4X объёмом 12 ГБ

Новая микросхема выпущена вслед за аналогичным LPDDR4X решением объёмом 8 ГБ, в котором упакованы те же 16 Гб ядра, изготовленные по 1y нм процессу. Увеличение объёма ОЗУ компания связывает с возросшим спросом на такую память.

В любом случае, этим модулям компания уже готовит замену. Так, у Samsung уже есть образцы 8 ГБ пакетов LPDDR5, которые построены на ядрах объёмом 8 Гб, но пока у фирмы нет точных сроков её выпуска.

Corsair изготовила новые модули памяти с тончайшей подсветкой

Компания Corsair выпустила новые модули оперативной памяти, оснащённые новой светодиодной технологией, которая позволяет разместить сотню огней на том же месте, где умещалось четыре.

Впервые память Dominator Platinum RGB была представлена на CES, но только теперь её можно купить. Благодаря ряду светодиодов малого размера, на планках памяти можно отображать более разнообразные цвета, чем когда-либо были видны.

Модуль памяти Dominator Platinum RGB
Модуль памяти Dominator Platinum RGB

Кроме подсветки новые модули получили и улучшения в производительности. По крайней мере, об этом говорит Corsair, правда, не приводя никаких бенчмарков. Скорее всего, использование новых светодиодов позволило снизить энергопотребление и нагрев модулей, а значит, сократить задержки.

Вариант подсветки Dominator Platinum RGB
Вариант подсветки Dominator Platinum RGB

Память Dominator Platinum RGB предлагается в наборах из двух, четырёх или восьми модулей с различными частотами и ёмкостями. В лучшем случае предлагается вариант частотой 4800 МГц до разгона. Цены стартуют от 160 долларов и доходят до 1565 долларов за 8-модульный набор по 16 ГБ в каждом.

Вариант подсветки Dominator Platinum RGB
Вариант подсветки Dominator Platinum RGB

SK Hynix публикует детали о первом чипе DDR5

Компания SK Hynix представила детали о первой микросхеме памяти типа DDR5. Стандарт ещё не завершён Jedec, но это никогда не останавливало производителей.

Новая память должна обеспечивать удвоение пропускной способности и удвоение плотности, по сравнению с DDR4. Также будет улучшена канальная эффективность. Донкьюн Ким, конструктор микросхем в Hynix, представил спецификацию микросхемы памяти DDR5. Этот чип является 16 Гб микросхемой SDRAM, работающей со скоростью 6,4 Гб/с на контакт. Напряжение питания составляет 1,1 В, а площадь кристалла — 76,22 мм2. Чип изготавливается по 1y нм технологии.

Спецификация и микрофотография чипа DDR5
Спецификация и микрофотография чипа DDR5

Для уменьшения помех в микросхеме были применены ряд новых техник, включая модифицированную петлю слежения за задержками с оборотом фаз и осциллятор со слежением за подачей сигнала. Увеличению скорости памяти способствовала специальная система тренировки записи.

Немногим ранее Samsung также опубликовала документ о памяти нового типа. Ей стала 10 нм LPDDR5 SDRAM со скоростью 7,5 ГБ/с и напряжением 1,05 В.

Ожидается, что первые рыночные образцы памяти DDR5 появятся уже в конце текущего года.

Память MRAM готова к производству

Компания Intel готова начать выпуск памяти типа MRAM в больших объёмах. Этот тип памяти разработан Intel и представляет собой энергонезависимую память, то есть её можно использовать для хранения данных, а не только в качестве ОЗУ.

Магниторезистивная память со случайным доступом создавалась как универсальная замена для DRAM (энергозависимой) и NAND (энергонезависимой) памяти. Сейчас стало очень сложно уменьшать размеры элементов при производстве памяти данных типов, а MRAM не имеет столь жёстких ограничений. Кроме того, у MRAM намного выше процент выхода годных микросхем при производстве. Так, при 22 нм технологии производства уровень годных микросхем на блине составляет 99,9% — поразительная надёжность технологии.

Фотография памяти SRAM MRAM
Фотография памяти SRAM MRAM

Кроме того, память MRAM уже демонстрировала установочное время в 1 нс, что выше теоретического предела для DRAM. Скорость записи также в несколько тысяч раз выше, чем у NAND. Также MRAM гарантирует 10 лет хранения данных при температуре 200° C и надёжность в 106 циклов переключений. Всё это сообщил Лигион Веи, инженер Intel.

Блок-схема памяти MRAM
Блок-схема памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM

Похоже, что именно по 22 нм технологии и будет начато производство памяти MRAM, хотя отмечается, что Intel уже начала разгружать 14 нм заводы, так что возможен быстрый переход на более тонкий техпроцесс.

G.Skill предлагает шестиканальные наборы памяти

Компания Intel имеет в своём портфеле такой необычный процессор как Intel Xeon W-3175X. Одной из особенностей этого чипа является поддержка 768 гигабайт оперативной памяти.

Такой объём ОЗУ в домашних условиях абсолютно лишний, да и сам процессор не рассчитан на бытовое использование. Однако если вдруг кто-то захочет собрать на его основе домашний ПК, то у него возникнут проблемы с ОЗУ, ведь память с контролем чётности никогда не отличалась высокой скоростью.

Шестиканальная память G.Skill Trident Z Royal
Шестиканальная память G.Skill Trident Z Royal

Но теперь благодаря G.Skill появилось решение проблемы. Компания подготовила шестиканальные наборы в линейке G.Skill Trident Z Royal. Эта линейка предлагается с различными скоростями работы от 3200 МТ/с до 4000 МТ/с. Имеется возможность приобрести модули объёмом 8 или 16 гигабайт в наборах по 6 или 12 планок.

Младшая модель со скоростью 3200 МТ/с предлагается в двух вариантах: со стандартными таймингами 16-18-18-38, и укороченными 14-14-14-34. В то время как наборы 3600 и 4000 работают с CAS 17, однако из-за большей частоты задержки будут сравнимыми.

Спецификации G.Skill Trident Z Royal
Спецификации G.Skill Trident Z Royal

На самом деле факт того, что G.Skill представляет столь широкий выбор на столь нишевый продукт, удивляет. Ведь единственный процессор, где можно применить такую память — это свежевыпущенный Xeon W-3175X. Этот процессор можно достать лишь у системных интеграторов, он выпускается в невероятно малом количестве и по невероятно высокой цене. Наверно поэтому G.Skill решила не продавать шестиканальные наборы в открытую, предлагая заказывать их у торговых партнёров компании.

Память PC5 DDR5 появится в 2020 году

Один из сотрудников исследовательского подразделения SK Hynix Ким Дон-Кьюн заявил, что память стандарта PC5 DDR5 может появиться на рынке уже в следующем году.

Первыми на рынке будут представлены модули стандарта DDR5-5200, что почти вдвое выше, чем первоначально у DDR4-2666. Дон-Кьюн заявил: «Мы обсуждаем несколько концептов пост-DDR5. Один концепт — это поддержание нынешней тенденции по ускорению передачи данных, а другой — комбинирование технологии DRAM с процессом технологий систем-на-чипе, таких, как CPU». Дополнительных пояснений специалист не дал.

В прошлом году на SK Hynix создали работающий прототип, 16-гигабитный (2 ГБ) чип DDR5 DRAM, работающий на скорости 5200 МТ/с при напряжении 1,1 В. Это значит, что модуль с шиной 64 бита сможет работать на скорости 41,6 ГБ/с.

Модуль памяти PC5 DDR5-5200 от SK Hynix
Модуль памяти PC5 DDR5-5200 от SK Hynix

При этом у SK Hynix есть собственные разработки по повышению производительности чипов DDR5, не нарушая стандартов. «Мы разработали мультифазную синхронизацию, которая позволяет поддерживать напряжение в ходе высокоскоростных операций в чипе на низком уровне, размещая множество фаз внутри интегральной схемы так, что питание, используемое на каждой фазе, низкое, но скорость высокая благодаря объединению», — сообщил Ким.

Также он сообщил, что уже ведётся разработка стандарта DDR6, которому поставлена задача удвоения пропускной способности и плотностей, по отношению к DDR5.

Потребность в модернизации оперативной памяти сейчас вызвана не столько экосистемой PC, сколько портативными устройствами и электроникой самоуправляемых автомобилей.