HP-Hynix планирует внедрение резистивной памяти летом 2013 года
Стэн Виллиамс (Stan Williams), мемристорный гуру компании Hewlett-Packard, на конференции International Electronics Forum, проходившей в испанской Севилье, анонсировал, что двухполюсная мемристорная технология начнет свою рыночную борьбу с флэш-памятью не позднее чем через 18 месяцев.
«У нас есть большие планы на этот счёт, и мы работаем с Hynix Semiconductor с целью выпуска летом 2013 заменителя флэш, также предназначенного и для рынка твердотельных накопителей»,— заявил Виллиамс участникам конференции.
Далее в своем докладе Виллиамс объясняет, что результаты, достигнутые этой технологией в областях времени чтения и записи, а также задержек слишком значительны, чтобы не выпустить их на рынок. Виллиамс не стесняется своих прогнозов о сроках покорения рынка новой технологией, отмечая, что «в 2014/2015 мы займемся рынком DRAM, а после этого — SRAM».
В настоящее время HP собрали более 500 патентов на новую технологию. Виллиамс же осветил факт того, что фазопеременная память (phase-change-memory — PCM), резистивная память (resistive-RAM — RRAM) и все прочие двухполюсные устройства являются устройствами мемристорного типа. Виллиамс сообщил, что другие компании работают над резистивной памятью метал-оксидного типа, более того, он считает, что Samsung имеет даже большую команду по разработке мемристорной памяти, чем существует в HP-Hynix.
Что касается ожидаемых спецификаций памяти следующего поколения, то они весьма впечатляющие. Так, чтение из памяти будет занимать 10 наносекунд, а запись/очистка будет длиться 0,1 нс. Данные о долговечности памяти, собранные на сегодня, говорят, что память может отработать 1012 циклов, сохраняя свое устойчивое состояние годами. Для сравнения, современные флэш-накопители выдерживают порядка 106 циклов перезаписи, что в миллион раз меньше.
Насчет цены устройств Виллиамс отметил, что они представляют собой простую структуру и изготавливаются из материалов, которые уже используются полупроводниковыми фабриками во всем мире, что делает переход на производство CMOS совместимых мемристоров достаточно быстрым и безболезненным. Он также отметил, что первые предлагаемые мемристорные продукты уже будут иметь многослойную конструкцию.
Напомним, что первый лабораторный образец мемристора был получен Виллиамсом всего три года назад.