Новости про Samsung

Samsung выпускает карты памяти повышенной надёжности

Компания Samsung анонсировала модельный ряд карт памяти PRO Endurance, которые разработаны специально для непрерывной записи видео.

Карты памяти форматов microSDHC и microSDXC доступны в объёмах 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ. Они предназначены для автомобильных видеорегистраторов и прочих систем видеофиксации.

По данным Samsung карты PRO Endurance обеспечивают скорость последовательного чтения в 100 МБ/с, а записи — 30 МБ/с. Однако сильнее впечатляет надёжность. В компании считают, что она «в 25 раз выше, чем в предыдущих картах, сфокусированных на скорости».

Карта памяти microSDXC Samsung PRO Endurance объёмом 128 ГБ

Версия объёмом 128 ГБ может записать 43 800 часов Full-HD видео без остановок. Это 1825 дней или 5 лет!

Карты объёмом 64 ГБ и 32 ГБ не уступают топовой модели, предлагая беспрерывную работу в 26 280 и 17 520 часов соответственно.

Кроме этого карты памяти PRO Endurance обладают влагозащитой (до IPX7), защитой от перегрева, рентгеновского и магнитного излучений.

Карты памяти Samsung PRO Endurance поступят в продажу в конце месяца по цене 27, 49 и 97 долларов США за модели объёмом 32, 64 и 128 гигабайт соответственно.

Samsung, SK Hynix и Micron обвиняются в сговоре

В течение 2017 года мы наблюдали рост цен на чипы оперативной и NAND. Каждый раз обозреватели говорили о растущем спросе и дефиците, ведущему к подорожанию, однако люди всё равно продолжали приобретать память.

В конце года экономический регулятор Китая начал расследование касательно высокой стоимости памяти. Теперь же и другие агентства решают присоединиться к процессу, подав иск на Samsung, SK Hynix и Micron.

Эти три компании являются крупнейшими производителями DRAM. Иск подан адвокатской конторой Hagens Berman в Калифорнии. Согласно этому иску все три компании обвиняются в коллективном ограничении поставок и незаконном раздувании цены.

Микросхема памяти Micron

В качестве доказательства иск приводит скачки цен на память в прошлом году, в результате которых цены на DRAM выросли на 47%, считая эти изменения неслучайными.

Стив Берман, один из адвокатов, сделал заявление: «То, что мы нашли на рынке DRAM — классическая монополия, схема фиксации цены, с малым количеством лидирующих корпораций держащих львиную долю рынка. Вместо игры по правилам, Samsung, Micron и Hynix решили придушить клиентов, выдавив из рынка больше прибыли».

Что касается самих виновников дела, то пока ни Micron, ни Samsung, ни SK Hynix не дали своих комментариев.

Складные смартфоны появятся в конце этого года

Складные смартфоны первой волны должны появиться в конце 2018 года, поскольку большое число производителей ускоряют свои исследования в этом направлении.

Так, Samsung Electronics опубликовала патенты на складные устройства в Корее и США, и уже в этом году представит дорожную карту на складные модели. В компании готовят смартфоны с внутренней складкой экрана уже 5 лет, и уже на 80% завершили разработку.

У Apple также разместили ряд патентов на раскладушки, включая один на устройство с тройным сложением экрана. Эти технологии также будут применяться не только в смартфонах, но и в других устройствах.

В Huawei зарегистрировали патент на устройство с одним экраном, который будет складываться посредине. Патент зарегистрирован в сентябре 2017 года.

Концепт складного смартфона Samsung
Концепт складного смартфона Samsung

Что касается LG Electronics, то компания заявляла о складных устройствах в августе. В компании отмечают, что это будут устройства с соединимым из двух частей экраном. При этом одна из частей даже в сложенном состоянии отображает служебную информацию.

Прочие китайские производители, включая Oppo, Lenovo, ZTE и другие, также готовят свои аналогичные варианты.

В 2019 году общемировые поставки складных смартфонов прогнозируются на уровне 700 000 штук, и дальше будут расти до 30,4 миллионов в 2021 году и 50,1 миллиона до 2022 года.

Разработка 7 нм процесса Samsung идёт быстрее графика

В Сети появились слухи о том, что разработка 7 нм EUV процесса компании Samsung опережает график! Южнокорейский гигант с успехом продвигается в создании 7 нм технологии, а главным клиентом компании станет Qualcomm.

Скорее всего, под 7 нм процессом подразумеваются 7 нм LPP (low power plus) узлы, для производства которых применяется экстремальная ультрафиолетовая литография.

Логотип Samsung
Логотип Samsung

По имеющимся данным, Samsung наладила производственные условия и закончила опытные работы по 7 нм EUV процессу на линии Hwaseong S3. Инженеры и конструкторы, создававшие 7 нм процесс, подготовили конструктивную базу и методологии, необходимые для начала опытного производства для клиентов. Сами инженеры перешли к разработке 5 нм процесса, который пока находится на самых ранних этапах.

Согласно данным SE Daily, Samsung будет готова к началу массового производства Qualcomm Snapdragon 855 по 7 нм LPP процессу в конце этого или начале следующего года. В компании сообщают, что 7 нм технология обеспечивает на 40% меньше чипы, по сравнению с 10 нм процессом. Также они обеспечат 10% прирост производительности или 35% снижение энергопотребления.

Samsung выпускает док-станцию S9 DeX

Компания Samsung представила док-станцию для смартфонов DeX Pad. Она обеспечивает работу, как на экране настольного ПК, но с использованием новых смартфонов семейства Galaxy.

Неважно, требуется ли вам эффективная работа с телефоном, либо вы хотите поиграть, DeX Pad позволит вам подключить большой монитор, мышь и клавиатуру.

Принцип действия док станции Samsung S9 DeX Pad
Принцип действия док станции Samsung S9 DeX Pad

«Samsung DeX Pad перекрывает пространство между смартфонами и настольным ПК», — заявила Аланна Коттон, старший вице-президент Samsung Electronics America, — «DeX Pad — это более чем аксессуар. Это отражение нашей философии мобильной технологии: инновационные устройства и сервисы, работающие вместе безраздельно, помогающие потребителям создавать ещё большее».

Внешний вид док станции Samsung S9 DeX Pad
Внешний вид док станции Samsung S9 DeX Pad

Что касается технической части, то DeX Pad содержит пару портов USB-A 2.0, порт зарядки USB-C и видеовыход HDMI. Он поддерживает разрешения вплоть до 2560×1440 пикс. и совместим с телефонами Galaxy S8, S8+, S8 Active, Note8, S9 и S9+. Телефон, при этом, должен быть обновлён до Android OS версии 8.0.

В Samsung готовятся выпустить док-станцию S9 DeX Pad 13 мая по цене 100 долларов США.

Samsung и Qualcomm работают над 7-нм EUV процессом

Компания Samsung сообщила о желании расширить десятилетнее соглашение о сотрудничестве с Qualcomm на технологию экстремальной ультрафиолетовой литографии.

Это сотрудничество нацелено на создание мобильных чипсетов Qualcomm Snapdragon 5G с использованием 7-нм LPP EUV процесса от Samsung.

Samsung и Qualcomm

В то же время Qualcomm ожидает, что будущие 5G чипсеты будут выпущены на производственных мощностях южнокорейского гиганта. Использование 7-нм процесса обеспечит меньшую площадь чипа, позволив OEM изготовителям применять освободившееся пространство в других целях. Кроме того, новый усовершенствованный процесс, вместе с улучшенной конструкцией схемы, обеспечит значительное увеличение срока автономной работы.

По сравнению с 10-нм FinFET процессом, технология 7LPP EUV не только снижает сложность процесса и уменьшает количество шагов при изготовлении, но и на 40% повышает эффективность использования пространства, с 10% приростом производительности или до 35% снижения энергопотребления.

Samsung выпустила SSD объёмом 30 ТБ

Почти два года назад компания Samsung выпустила твердотельный накопитель объёмом 15,36 ТБ, который до сих пор является одним из лидеров по объёму.

Однако теперь южнокорейский гигант решил закрепить своё лидерство, представив 2,5” SSD объёмом 30,72 ТБ.

Новый накопитель PM1643 построен на вертикальных 3D NAND чипах объёмом по 512 Гб. Не так давно фирма анонсировала терабитные чипы, но пока эта технология не готова к массовому внедрению, а потому в Samsung использовали хорошо откатанную микросхему ёмкостью 512 Гб.

SSD Samsung объёмом 30,72 ТБ

Представленный накопитель обеспечивает скорость чтения до 2100 МБ/с, а записи — до 1700 МБ/с. Модель доступна в нескольких вариантах объёма. Так, кроме 30,72 ТБ версии выпущены варианты ёмкостью 15,36 ТБ, 7,68 ТБ, 3,84 ТБ, 1,92 ТБ, 960 ГБ и 800 ГБ.

Будем надеяться, что внедрение новых накопителей повлечёт создание более ёмких и дешёвых устройств хранения данных для компьютеров и мобильных устройств.

Samsung выпускает первую SRAM по 7 нм нормам

В ходе Международной конференции по твердотельным схемам, прошедшей в Сан-Франциско, компания Samsung анонсировала первую память SRAM объёмом 256 Мб, изготовленную по 7 нм нормам методом экстремальной ультрафиолетовой литографии.

На той же конференции Intel представила свою конструкцию SRAM, но изготовленную по 10 нм, что «в пределах 15% от указанных 7 нм ячеек». Некий аналитик на EE Times заявил, что для intel это совершенно нехарактерно, заявлять о 15% отставании от конкурентов.

Intel заявила о 0,0312 мм2 высокоплотных и 0,0367 мм2 низковольтных битовых ячейках SRAM, выполненных по 10 нм процессу. В то же время 6T 256 мегабитное устройство Samsung имеет битовую ячейку площадью 0,026 мм2. Конструкция Intel предлагает 0,62–0,58x масштаб по сравнению с 14 нм SRAM, сохраняя исполнение закона Мура и оставаясь «в пределах 15% от самой маленькой 7 нм ячейки».

Samsung

Некоторые обозреватели скептически настроены по отношению к Samsung. Так, Дэвид Кэнтер отмечает, что Intel и TSMC куда более консервативны в разработке EUV, чем Samsung, и именно в этом кроется разница. Сама же Samsung отказалась сообщить о сроках начала производства EUV продуктов, что может означать фактическую невозможность южнокорейского гиганта выпускать такую продукцию.

В любом случае мы видим, что технология экстремальной ультрафиолетовой литографии, долгие годы откладывавшаяся на более тонкие техпроцессы, наконец находит себе место у производителей интегральных схем.

Samsung выпускает процессоры для майнинга

Компания Samsung стала новым лидером в области интегральных схем, подвинув Intel на второе место. Вместе с новым достижением компания сообщила о выпуске процессоров для майнинга криптовалют, что ещё больше упрочит её положение.

Да, 25-летняя эпоха непоколебимого лидерства Intel завершилась. Отсутствие мобильных решений и слабые инновации в новых CPU привели к появлению нового мирового лидера — Samsung. Разработка и выпуск мобильных процессоров помогли Samsung, и после публикации результатов за 2017 год стало ясно, что в этой отрасли появился новый король.

Samsung Exynos

Однако южнокорейский гигант не собирается сидеть, сложа руки. Теперь компания нацелилась на рынок специализированных микросхем, которые используются для майнинга криптовалют, в первую очередь — Bitcoin. Этот ход позволит компании заработать немного денег до того, как пузырь Bitcoin лопнет.

Отсутствие дополнительной информации привело к спекуляциям о том, что Samsung хочет стать большим игроком в сфере майнинга. Ведь сейчас фирма производит чипы памяти для видеокарт, часто используемых при добыче.

Начав выпуск решений для майнинга компания не только выходит на активный развивающийся рынок, но и получает специализированный продукт, который позволит другим компаниям использовать решения Samsung по прямому назначению, а не перепрофилировать их в фермы для криптовалюты, зарабатывая на новых ASIC ещё больше средств.

Samsung начинает массовое производство 16 Гб чипов GDDR6

Три месяца назад компания Samsung сообщила о завершении подготовительных работ с памятью GDDR6, но только теперь компания опубликовала некоторые детали об этой памяти.

Южнокорейский гигант Samsung сообщил о начале массового производства первой памяти GDDR6 объёмом 16 Гб. Эта память появится в видеокартах уже в этом году.

16 Гб чипы памяти Samsung GDDR6

Память данного типа будет использоваться в игровых видеоплатах, а также системах для автомобилей, сетевого обслуживания и искусственного интеллекта. Эти микросхемы изготавливаются по 10 нм технологии и имеют ёмкость 16 Гб, что вдвое выше 8 Гб чипов Samsung памяти GDDR5.

По данным разработчика новая память работает на скорости 18 Гб/с на контакт, обеспечивая передачу данных до 72 ГБ/с. Это гигантский прорыв для Samsung, особенно учитывая, что изменений в энергопотреблении не произошло. Благодаря новой принципиальной схеме, микросхемы GDDR6 работают при напряжении 1,35 В, что на 35% ниже чем GDDR5, которая обычно работает на напряжении 1,55 В.