7994420702;horizontal

Новости про Samsung

Samsung представила SSD 860 Pro объёмом 4 ТБ #

19 января 2018

Компания Samsung на своём официальном сайте представила твердотельные накопители модели 860 PRO, максимальный объём которых составляет 4 ТБ.

Твердотельный накопитель 860 PRO объёмом 4 ТБ с интерфейсом SATA3 и шириной 2,5” предлагает скорость чтения и записи на уровне 560 МБ/с и 530 МБ/с при последовательном доступе. К сожалению, это пока единственная доступная о его производительности информация.

SSD Samsung 860 Pro

Стоит отметить, что 4 ТБ — это внушительный объём. Анонс таких продуктов означает, что Samsung готова массово производить MLC чипы NAND в 64-слойном вертикальном стеке. Что касается модельного ряда, то можно допустить, что будут представлены модели ёмкостью 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. В прайсе значится модель ёмкостью 4 ТБ по цене 1900 долларов США, то есть по 47 центов за гигабайт.

Samsung, SSD


Samsung начинает производство памяти HBM2 нового поколения #

13 января 2018

Компания Samsung объявила о начале производства второго поколения 8 ГБ памяти типа High Bandwidth Memory-2, предлагая самую высокую пропускную способность из доступных на рынке.

Новые чипы получили название Aquabolt, и целью их применения являются суперкомпьютеры нового поколения, решения искусственного интеллекта и графические системы.

Память Aquabolt работает на скорости 2,4 Гб/с на контакт при напряжении 1,2 В, что на 50% больше, чем у первого поколения памяти HBM2, которое обеспечивало при том же напряжении пропускную способность 1,6 Гб/с.

Samsung HBM2 Aquabolt

Один пакет Aquabolt предлагает скорость в 307 Гб/с, что в 9,6 раза выше, чем 8 ГБ чип GDDR5, который обеспечивает скорость в 32 Гб/с. По словам компании, применив четыре Aquabolt можно обеспечить пропускную способность равную 1,2 Тб/с.

В Samsung обещают обеспечить стабильные поставки памяти Aquabolt всем IT клиентам по всему миру.

HBM2, Samsung, видеопамять

«Neowin»

7994420702;horizontal

Qualcomm Snapdragon 855 будет изготовлен TSMC по 7 нм нормам #

28 декабря 2017

Всего пара недель прошла с момента анонса Snapdragon 845, как уже появились слухи о его последователе. Нынешний, 845-й чип, изготавливается по 10 нм нормам FinFET компанией Samsung. Его последователь будет изготовлен по 7 нм нормам.

Если Snapdragon 835 и Snapdragon 845 изготавливались на заводах Samsung, то по информации Nikkei, Qualcomm решил перейти к производителю TSMC. Также TSMC будет изготавливать для Qualcomm модемы для смартфонов и лёгких устройств-конвертеров.

Qualcomm Snapdragon

Переход от Samsung к TSMC — это большой шаг для Qualcomm и всей индустрии, ведь большинство флагманских Android-смартфонов основаны именно на платформе Qualcomm. Также в ближайшее время начнут появляться ноутбуки на базе этих платформ.

Кроме новости о Qualcomm, Nikkei также сообщила о том, что TSMC также изготовит наследника для Apple A11, который используется в iPhone 8, iPhone 8 Plus и iPhone X. Сейчас Apple A11 Bionic изготавливается TSMC на 10 нм мощностях.

7 нм, Qualcomm, Samsung, Snapdragon, SoC, TSMC, производство


Samsung выпустила самую маленькую микросхему DRAM #

22 декабря 2017

Компания Samsung Electronics выпустила новые микросхемы оперативной памяти, которые по её уверению являются самыми маленькими в мире.

Микросхемы DRAM DDR4 от Samsung, выпущены по второму поколению технологии 10 нм класса, они имеют объём 8 Гб. Они обеспечивают 30% прирост в производительности по сравнению с первым поколением 10 нм класса производства. Энергоэффективность новых микросхем была увеличена на 15%, а 10% прирост производительности обусловлен новыми проприетарными технологиями производства. Среди инноваций компания отметила высокочувствительную систему данных ячеек и прогрессивную схему воздушного зазора.

Микросхемы Samsung DDR4 10нм-класса второго поколения

Новые 8 Гб микросхемы DDR4 могут работать на скорости 3600 Мб/с на контакт, в то время как 8 Гб чипы первого поколения обеспечивают скорость в 3200 Мб/с на контакт.

Компания Samsung уже завершила валидацию памяти второго поколения 10 нм класса у производителей CPU. Следующим шагом компании станет тесное сотрудничество с заказчиками в разработке более эффективных вычислительных систем следующего поколения.

10 нм, DDR4, Samsung, производство

«Fudzilla»

Samsung разрабатывает графеновую батарею #

16 декабря 2017

Все мы не удовлетворены временем зарядки своих мобильных устройств. На рынке постепенно появляются новые технологии, которые позволят её ускорить, но пока кардинальных изменений далеко. Теперь за дело взялась Samsung, которая работает над графеновым аккумулятором. Новая разработка должна не только повысить ёмкость батареи, но и ускорить зарядку в 5 раз.

Об этой разработке институт современных технологий Samsung сообщил. Графен долгое время считается многообещающим материалом во многих отраслях, включая хранение энергии. Исследовательское подразделение Samsung Electronics сообщило об успешном синтезировании «графеновых шариков», которые можно использовать в создании литий-ионных батарей большей ёмкости и с боле быстрой зарядкой.

Графеновый аккумулятор

По данным Samsung, данная технология сможет предложить батарею смартфона, способную полностью зарядиться за 12 минут. Ёмкость также должна вырасти на 45%. По данным разработчика, батарея остаётся стабильной до температуры 60°, а потому может быть использованы в электрокарах.

Конструкция графенового аккумулятора

Когда же компания начнёт производство аккумуляторов, пока не сообщается.

Samsung, аккумуляторы, исследования и наука


Samsung начинает производство 512 ГБ чипов eUFS #

7 декабря 2017

Почти два года назад Samsung приступила к выпуску 256 ГБ чипов Universal Flash Storage (UFS) 2.0 со скоростями чтения и записи 850 МБ/с и 260 МБ/с соответственно. Однако теперь фирма готовит 512 ГБ накопители с интерфейсом UFS.

Компания сообщила, что выпускает эти накопители для «использования в мобильных устройствах следующего поколения». Вероятно, речь идёт о пока не анонсированных смартфонах Galaxy S9. В пресс-релизе Samsung ничего не говорится об использованной версии интерфейса, но сказано, что накопители достигнут скорости «последовательного чтения и записи равной 860 мегабайт в секунду и 255 МБ/с соответственно», что весьма близко к нынешним показателям UFS 2.0.

Samsung eUFS

Учитывая наличие 512 ГБ памяти в телефоне, людям вряд ли понадобится дополнительный накопитель в виде карты microSD. С другой стороны, встроенные полтерабайта очевидно поднимут стоимость конечного устройства, ведь даже нынешние Galaxy Note8 с 256 МБ встроенной памяти стоят 1000 долларов.

flash-память, Samsung

«Neowin»

Samsung представила первый дисплей MicroLED #

29 ноября 2017

В 2015 году главным изменением на рынке крупноформатных дисплеев была технологи OLED, в 2016—2017 — технология квантовых точек (QLED). Следующий же год станет эпохой дисплеев MicroLED.

Её первая реализация, гигантский 150-дюймовый телевизор, будет представлен на выставке CES в павильоне Samsung. В технологии MicroLED используются твердотельные светодиоды, собранные на кремниевой подложке. Каждый из этих светодиодов имеет размер менее 100 мкм, и каждый из них работает как отдельный субпиксель.

Экран MicroLED

При дальнейшем развитии эта технология позволит достигать больших пиксельных плотностей, а также не будет страдать от выгорания при статичных изображениях, что часто является проблемой OLED экранов. Экран с диагональю 150”, который на CES представит Samsung, будет обладать разрешением 4K.

Следующее поколение экранов MicroLED в Samsung планируют уже применять на смартфонах. Главный конкурент компании на этом рынке, Apple, уже ведёт совместную разработку с TSMC по созданию собственных панелей MicroLED.

CES 2018, MicroLED, Samsung, дисплеи


Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane #

22 ноября 2017

Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Samsung Z-SSD

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

Спецификации SSD Samsung SZ985

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.

3D Xpoint, flash-память, NAND, Samsung


Samsung готовит микросхемы GDDR6 и SSD с рекордными характеристиками #

15 ноября 2017

Готовясь к выставке CES, которая состоится в январе 2018 года, компания Samsung подготовила 36 новинок, две из которых будут интересны энтузиастам ПК.

Первая касается новой высокоскоростной памяти GDDR6, которая обладает большей скоростью работы при меньшем энергопотреблении, чем нынешняя память для графики. Новая память GDDR6 от Samsung обладает пропускной способностью 16 Гб/с, что означает скорость ввода-вывода в 64 ГБ/с. Память работает на напряжении 1,35 В.

Samsung SSD 8TB NGSFF

Второй позицией на CES станут новые SSD NGSFF (next-gen form factor) объёмом 8 ТБ. Используя этот новый форм фактор, Samsung сможет резко увеличить производительность серверов формата 1U. Накопитель сможет обеспечить скорость ввода-вывода на уровне 0,5 ПБ/с. Также, при размере 30х11х4,4 мм, новый SSD занимает меньше места.

Скорее всего, никаких деталей о новых продуктах мы не узнаем до января, когда и состоится их официальная презентация.

CES 2018, GDDR6, Samsung, SSD

«Kit Guru»

Samsung создала майнинг-ферму из старых смартфонов #

14 ноября 2017

Чтобы показать, что старые смартфоны можно не только перерабатывать, но и использовать разными интересными способами, компания Samsung собрала 8 старых смартфонов Galaxy S5 и превратила их в биткоин ферму.

Вся эта затея является воплощением инициативы «Upcycling» по продлению срока эксплуатации устройств, которая нацелена на переделку старых устройств в нечто новое.

Южнокорейская фирма представила свою разработку и ряд других интересных решений в ходе конференции разработчиков в Сан-Франциско.

Устройство защиты дома распознаванием лиц

Для демонстрации инициативы инженеры из Samsung C-Lab использовали различные фирменные смартфоны и планшеты, из которых создавались необычные вещи. К примеру, они показали идею по превращению планшета Galaxy в ноутбук с Ubuntu, Galaxy S3 использовался за контролем над аквариумом, а старый смартфон с распознаванием лица применялся для защиты дома.

О возможности майнинга биткоинов инженеры отказались отвечать, однако в информационном листе по конференции сообщается о 8 устройствах Galaxy S5, которые могут добывать криптовалюту с больше энергоэффективностью, чем обычный настольный ПК.

Samsung, планшетные ПК, смартфон

«Fudzilla»

Intel не спешит с технологией EUV #

3 ноября 2017

В то время как компании Samsung и TSMC спешат внедрить литографию в глубоком ультрафиолете (EUV) в следующем году. В то же время Intel не участвует в гонке.

Промышленный источник, имя которого не раскрывается, сообщил,  что компания не заказывала материалы, необходимые для EUV, как это сделала Samsung и TSMC.

Машины, необходимые для выпуска продукции по технологии EUV, производятся голландской компанией ASML. Такие машины стоят по 150 миллионов долларов и основываются на самых современных разработках. Сама ASML получила заказы на 21 машину, которые она изготовит к 2019 году. Столь медленный выпуск связан с нехваткой линз, которые производит Zeiss.

Машины ASML для литографии в глубоком ультрафиолете

Дж. Дан Хатчесон, исполнительный директор исследовательской компании VLSI Research, утверждает, что внедрение EUV проходит сложнее, чем ожидалось. Все производители рассчитывали наносить один-два маскирующих слоя, но теперь речь идёт о пяти, шести или даже семи защитных слоях.

Но почему Intel не спешит с EUV? Обозреватели считают, что причина кроется в отсутствии конкуренции. Если на рынке ARM чипов TSMC и Samsung активно соперничают, то у Intel в этом направлении нет конкурентов. В связи с чем у последней есть больше времени на тщательную подготовку и совершенствование технологии для производства быстрых и мощных процессоров.

10 нм, Intel, Samsung, TSMC, рынок


Samsung готовит 28 нм память MRAM #

23 октября 2017

Компания Samsung в скором времени начнёт производство 28 нм магниторезистивной оперативной памяти, которая будет изготовлена по технологии кремний-на-изоляторе (FD-SOI).

Объединив свои усилия с NXP компания Samsung завершила изготовление MRAM чипов. Данная память будет использована в автомобильной электронике, средствах мультимедиа и в электронике для дисплейных панелей.

MRAM память от Samsung

Компания Synopsys сообщила, что её платформа разработки полностью сертифицирована для использования в 28 нм техпроцессе FD-SOI предприятия Samsung Foundry. Компания отметила, что её средство разработки и связанные планы обработки совместимы с системой дизайна Synopsys Lynx Design System, включая описания, методологии проектирования и лучший опыт.

Джехон Парк, старший вице-президент Samsung Foundry, заявил, что технология 28FD-SOI позволяет создавать память, работающую как на высоких, так и низких напряжениях, что делает её идеальной для применения в IoT и автомобильных системах. Также память обладает превосходной программной коррекцией ошибок, что делает её идеальным выбором для отраслей с высокими требованиями к надёжности.

28 нм, MRAM, Samsung

«Fudzilla»

Samsung Odyssey VR станет большим конкурентом #

5 октября 2017

Слухи о том, что компания Samsung готовит шлем виртуальной реальности Odyssey, ходили уже давно. Теперь же о нём появилась некоторая информация.

Как оказалось, шлем Odyssey VR составит серьёзную конкуренцию устройствам HTC и Oculus за те же деньги. Решение Samsung входит в экосистему Microsoft Windows 10 VR, и оно уже появилось в магазине Microsoft Store. Шлем Odyssey получит OLED дисплей разрешением 2880х1600 пикс., что выше, чем у Rift и VIVE, разрешение дисплеев которых составляет 2160х1200 пикс.

Samsung Odyssey

Поле обзора в шлеме Odyssey составит 110 градусов, а частота кадров достигнет 90 Гц. Также в него будут встроены микрофон и наушники, предлагая полностью завершённое устройство для видеоигр. Более того, в комплект к нему входят контроллеры движений, что имеет огромное значение на современном рынке виртуальной реальности благодаря популярности VIVE и Oculus Touch, поддерживаемых большинством производителей.

Пока неизвестно, насколько хороши будут датчики в новом шлеме по сравнению с Rift или VIVE, но если они будут не хуже, то Samsung получает все шансы составить большую конкуренцию лидерам рынка.  В магазине Microsoft устройство Samsung Odyssey поступит в продажу 6 ноября по цене 500 долларов. Это меньше, чем у HTC VIVE и сравнимо с Oculus Rift, цена на который поднялась после завершения летней распродажи.

Microsoft, Samsung, виртуальная реальность

«Kit Guru»

Samsung обещает начать 7 нм производство в конце 2018 года #

2 октября 2017

Маркетинговая война за нанометры не останавливается. Компания Samsung сообщила о добавлении в свой технологический портфель процесса, позволяющего производить микросхемы с размером элементов 11 нм.

Новым процессом стал 11 нм Low Power Plus (LPP) FinFET. Эта технология будет коммерчески доступна в первой половине 2018 года. По сравнению с процессом 14LPP, новая технология Samsung обеспечит 15% прирост производительности изготавливаемых процессоров, а также уменьшит на 10% физическую площадь чипов. Всё это достигается при том же энергопотреблении. Технологию планируется применять при производстве SoC, используемых в смартфонах среднего уровня. Для своих топовых смартфонов компания продолжит использование процесса 10LPP.

Пластины с чипами

Также южнокорейская компания объявила о новых достижениях в разработке 7 нм LPP процесса, который использует ультрафиолетовую литографию (EUV). В компании сообщили, что первые чипы по этой технологии будут выпущены во втором полугодии 2018, однако о коммерческом производстве не сообщила ничего. Сейчас Samsung уверяет, что добилась 80% эффективности при выпуске по 7 нм EUV технологии 256 Мб чипов SRAM на тестовой линии.

10 нм, 11 нм, 7 нм, Samsung, SoC


Samsung надеется выпустить складной Galaxy Note в следующем году #

23 сентября 2017

Новый флагман Samsung, Galaxy Note 8, вышедший в августе, демонстрирует прекрасные продажи. Теперь компания надеется в следующем выпустить первый складной телефон, сообщает Associated Press.

Будущий планшетофон получит складной экран, а устройство будет выпущено под брендом Galaxy Note. Донджинь Кох, президент мобильного бизнеса Samsung, в ходе новостной конференции сообщил журналистам, что сейчас перед компанией стоит ряд трудностей, и если они не будут решены, релиз придётся перенести.

Концепт конвертера-раскладушки от Samsung

Ясно, что компания получает прибыль от использования бесконечных экранов, которые достигаются использованием гибких OLED панелей. Этот дизайн невероятно популярен, а телефоны с ним расходятся как горячие пирожки. Однако Кох заявил: «Когда мы сможем с уверенностью избежать некоторых проблем, мы выпустим продукт… Мы глубоко копаем в поисках различных проблем, которых мы должны избежать. Ведь мы не хотим просто сделать много, продать много и успокоиться. Мы хотим услышать, что Samsung сделал очень хороший продукт… У нас есть план по введению складных дисплеев в нашу дорожную карту».

Напомним, что впервые Samsung представила прототип складного AMOLED дисплея в 2012 году, назвав его Youm. В прошлом году компания опубликовала патент на складной телефон, похожий на раскладушку.

OLED, Samsung, смартфон

«Verge»