Samsung начинает массовое производство памяти DDR5 с применением EUV
Компания Samsung объявила о том, что начинает массовое производство микросхем памяти DRAM по самому маленькому техпроцессу в индустрии, 14 нм, с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV).
После того, как в марте компания представила первые в промышленности микросхемы памяти, изготовленные с применением EUV, её инженерам удалось увеличить количество слоёв до 5, что делает технологию Samsung самой совершенной в отрасли по производству памяти DDR5.
На фоне продолжающегося уменьшения размеров элементов памяти, переход с традиционного аргон-фторидного процесса к EUV позволяет увеличить точность размещения элементов, повысить производительность и увеличить процент выхода годной продукции. Изготавливая память по 14 нм EUV технологии, Samsung удалось достичь высочайшей плотности данных, увеличив общую скорость производства примерно на 20%. Кроме того, переход на новую технологию позволил на 20% снизить энергопотребление микросхем памяти.
В дополнение, использование в микросхемах памяти DDR5 14 нм процесса Samsung позволило беспрецедентно увеличить скорость передачи данных до 7,2 Гб/с, что более чем в два раза превышает скорость DDR4, составляющую 3,2 Гб/с.