Новости про видеопамять

NVIDIA GeForce GT 1030 с DDR4 вдвое медленнее GDDR5

Сайт Gamer's Nexus протестировал видеокарту NVIDIA GeForce GT 1030 с памятью DDR4, и она оказалась большим разочарованием. Переход на DDR4 позволил снизить стоимость ускорителя на 10 долларов, но в плане производительности это просто катастрофа.

Такое малозаметное изменение как тип памяти невероятно сильно сказалось на производительности, и многие пользователи могут запутаться, выбрать более дешёвый ускоритель, и в результате разочароваться в бренде.

Тест видеокарт в 3DMark Firestrike
Тест видеокарт в 3DMark Firestrike

Путаница также возникнет из-за того, что NVIDIA не указывает тип памяти напрямую, а шифрует его. К примеру, версия карты с памятью DDR4 называется «GT 1030 2GB OC LPD4», а с памятью GDDR5 — «GT 1030 2GB OC LPG5», и вот такое небольшое отличие в имени приводит к разнице в производительности в 55%.

Micron говорит о 20 Гб/с для GDDR6

Похоже, что компания Micron сможет с лёгкостью обойти стандарт JEDEC, где указывается пропускная способность GDDR6 в 14 Гб/с. Чтобы достичь 20 Гб/с нужно будет немного повысить напряжение.

Согласно свежему исследованию Micron, названному «16 Гб/с и больше с SingleEnded I/O в высокопроизводительной памяти для графики», память GDDR6 можно легко масштабировать со скорости 16,5 Гб/с при помощи «маленького, но полезного подъёма напряжения при вводе-выводе». Так можно достичь скорости 20 Гб/с, по крайней мере, на бумаге.

Офис Micron
Офис Micron

Также документ гласит, что результат в 16,5 Гб/с демонстрирует полную функциональность DRAM, которая может быть резко поднята ограничением таймингов непосредственно в массиве памяти, а скорость в 20 Гб/с была достигнута переводом памяти в специальный режим работы, который использует только ввод-вывод, обходя массив памяти.

Конечно, в ближайшее время мы не увидим памяти GDDR6 со скоростью 20 Гб/с. Недавно Samsung анонсировала память GDDR6 со скоростью 18 Гб/с. В любом случае, даже 14 Гб/с память даст значительный прирост в производительности видеокарт.

Micron начинает массовое производство памяти GDDR6

Компания Micron Technology анонсировала начало массового производства 8 Гб микросхем памяти GDDR6, которая оптимизирована для нагрузок, характерных для быстрого обмена данными, включая, искусственный интеллект, сетевые устройства, автомобильную электронику и графические платы.

Кроме этого Micron ведёт работу с ключевыми партнёрами экосистемы по разработке документации GDDR6 и взаимодействию, обеспечивая более быстрый выход памяти на рынок.

Память GDDR6 от Micron
Память GDDR6 от Micron

Данная работа велась как на этапе разработки, так и на этапе валидации продукции. Память нового типа обеспечит значительный прирост производительности при снижении энергопотребления.

NVIDIA готовит версию GTX 1050 с 3 ГБ видеопамяти

В Сети появились слухи, что компания NVIDIA готовит очередную версию видеокарты GeForce GTX 1050.

У компании уже есть обычная 2 ГБ модель и более производительная версия Ti с 4 Гб памяти GDDR5.

NVIDIA GeForce GTX 1050
NVIDIA GeForce GTX 1050

Теперь, согласно свежим слухам, NVIDIA собирается выпустить GeForce GTX 1050 с 3 ГБ памяти GDDR5. Эта память будет иметь шину шириной 96 бит, в отличие от традиционных для этой серии 128 бит. Что касается GPU, то это будет GP107, однако его модификация пока неизвестна.

Скорее всего, эта плата будет предлагаться исключительно на рынке Китая, где уже есть аналогичная специализированная 5 ГБ версия GTX 1060.

Samsung начинает массовое производство 16 Гб чипов GDDR6

Три месяца назад компания Samsung сообщила о завершении подготовительных работ с памятью GDDR6, но только теперь компания опубликовала некоторые детали об этой памяти.

Южнокорейский гигант Samsung сообщил о начале массового производства первой памяти GDDR6 объёмом 16 Гб. Эта память появится в видеокартах уже в этом году.

16 Гб чипы памяти Samsung GDDR6

Память данного типа будет использоваться в игровых видеоплатах, а также системах для автомобилей, сетевого обслуживания и искусственного интеллекта. Эти микросхемы изготавливаются по 10 нм технологии и имеют ёмкость 16 Гб, что вдвое выше 8 Гб чипов Samsung памяти GDDR5.

По данным разработчика новая память работает на скорости 18 Гб/с на контакт, обеспечивая передачу данных до 72 ГБ/с. Это гигантский прорыв для Samsung, особенно учитывая, что изменений в энергопотреблении не произошло. Благодаря новой принципиальной схеме, микросхемы GDDR6 работают при напряжении 1,35 В, что на 35% ниже чем GDDR5, которая обычно работает на напряжении 1,55 В.

Samsung начинает производство памяти HBM2 нового поколения

Компания Samsung объявила о начале производства второго поколения 8 ГБ памяти типа High Bandwidth Memory-2, предлагая самую высокую пропускную способность из доступных на рынке.

Новые чипы получили название Aquabolt, и целью их применения являются суперкомпьютеры нового поколения, решения искусственного интеллекта и графические системы.

Память Aquabolt работает на скорости 2,4 Гб/с на контакт при напряжении 1,2 В, что на 50% больше, чем у первого поколения памяти HBM2, которое обеспечивало при том же напряжении пропускную способность 1,6 Гб/с.

Samsung HBM2 Aquabolt

Один пакет Aquabolt предлагает скорость в 307 Гб/с, что в 9,6 раза выше, чем 8 ГБ чип GDDR5, который обеспечивает скорость в 32 Гб/с. По словам компании, применив четыре Aquabolt можно обеспечить пропускную способность равную 1,2 Тб/с.

В Samsung обещают обеспечить стабильные поставки памяти Aquabolt всем IT клиентам по всему миру.

Micron завершила разработку GDDR6

Компания Micron выпустила пару изменений в дорожной карте памяти GDDR, сообщив о готовности к массовому производству GDDR6.

Кроме того, компания отметила начало производства 8 Гб чипов GDDR5 по наиболее совершенному техпроцессу 1x нм.

Память Micron

Что касается GDDR6, то компания сообщила о завершении квалификации устройств, что делает её лидером в этой отрасли. В Micron отметили, что массовое производство видеопамяти нового типа начнётся через несколько месяцев. Первые микросхемы памяти поступят производителям видеокарт, которые будут использовать их в решениях для автомобильной электроники и сетевых систем. Остальные потребители получат GDDR6 несколько позднее.

Вначале Micron сосредоточится на чипах памяти GDDR6 со скоростью 12 Гб/с и 14 Гб/с. Позднее скорость памяти будет увеличена до 16 Гб/с.

Rambus: HBM3 удвоит пропускную способность до 4000 Мб/с

Новый слайд от Rambus пролил немного света на цели в развитии памяти, показав будущее широкополосной памяти HBM3 и DDR5.

Дизайнер решений в области памяти отметил, что микросхемы обоих типов при готовности выйти на рынок будут произведены по 7 нм технологии. Таким образом, эти решения в области памяти не появятся раньше 2019 года. При этом конечные спецификации пока не утверждены и в будущем ещё могут измениться.

Планы Rambus на память

У Rambus уже есть работающий прототип DDR5. В фирме ожидают, что официальный стандарт будет нацелен на частоту от 4800 МГц до 6400 МГц, что вдвое больше, чем у DDR4.

Слайд также сообщает, что HBM3 вдвое увеличит пропускную способность по сравнению с HBM2, но при этом будет иметь более сложную конструкцию архитектуры.

AMD разрабатывает контроллер GDDR6

Похоже, что будущее поколение видеокарт от компании AMD будет содержать память GDDR6. Мы знаем, что Micron, Samsung и SK Hynix уже работают над образцами этой памяти.

В своём профиле на Linkedin (который уже удалён), один из технических работников AMD по имени Дэхьюн Ян, отметил разработку контроллера для GDDR6 как одну из своих последних задач. И этот факт является отличным подтверждением перехода AMD на новую память.

Конечно, это неудивительно, ведь все ведущие производители память готовятся перейти к выпуску GDDR6 вместо GDDR5 уже в следующем году.

AMD Radeon Graphics

Несмотря на то, что SK Hynix убеждала всех в готовности предоставить память GDDR6 для хай-энд плат уже в начале 2018 года, скорее всего AMD пока останется на памяти HBM2. А вот GDDR6 должна появиться в мейнстрим картах компании, например, ускорителях серии RX 600.

В плане производительности, память GDDR6 позволит поднять скорость до 16 ГБ/с на контакт, что заметно больше, чем у GDDR5x с 10 ГБ/с.

EVGA выпускает видеокарту GTX 1080 Ti FTW3 с памятью скоростью 12 ГТ/с

Компания EVGA представила свою новую топовую видеокарту GeForce GTX 1080 Ti FTW3 Elite с невероятно быстрой видеопамятью.

Похоже, что это первый в мире продукт с памятью SGRAM, работающей на скорости в 12 ГТ/с. По словам Джейкоба Фримена, менеджера продуктов EVGA, все существующие на рынке видеокарты не могут достичь такой скорости работы с видеопамятью, поскольку в новом решении компании используется не просто прошивка BIOS с завышенными частотами, а «другая память». Микросхемы памяти GDDR5X DRAM в представленной видеоплате сертифицированы для работы со скоростью 12 ГТ/с.

EVGA GeForce GTX 1080 Ti FTW3 Elite

В плате EVGA GeForce GTX 1080 Ti FTW3 Elite установлены 11 ГБ памяти со скоростью 12 ГТ/с, что при шине 352 бита обеспечивает пропускную способность в 528 ГиБ/с. В результате, плата обладает самыми лучшими показателями на рынке и практически приближается к Titan Xp и даже Quadro GP100, которая оснащена памятью HBM2.

Что касается частотной формулы, то она ничем не отличается от таковой модели FTW3 Elite и составляет для GPU 1569 МГц в номинале и 1683 МГц в режиме Boost. Как и раньше, плата охлаждается фирменным кулером с 10 датчиками.

Видеокарту EVGA GTX 1080 Ti FTW3 Elite 12 GT/s уже можно приобрести по цене 850 долларов США.