Новости про Toshiba

Toshiba нацелилась на конкуренцию с 3D XPoint

Компания Toshiba анонсирует старт массового производства памяти XL-Flash уже в 2020 году.

Фирма представила новую технологию BiCS Flash 3D памяти с хранением 1 бита в ячейке (SLC). Эта память сможет предложить задержки на уровне 3D XPoint, которую создала Micron совместно с Intel.

По уверениям разработчиков, память XL-Flash обеспечит задержки при чтении на уровне 5 мкс, что в 10 раз меньше современной памяти TLC NAND.

Микросхема Toshiba XL-Flash
Микросхема Toshiba XL-Flash

Находясь в спектре скорости между DRAM и NAND, память XL-FLASH обеспечивает большую скорость, низкие задержки и высокую ёмкость, а по цене — ниже традиционной DRAM. Изначально новая память будет выпущена в виде SSD, но позднее может появиться и вариант для работы с шиной ОЗУ в формате планок памяти NVDIMM.

Ключевые особенности памяти:

  • Ядро объёмом 128 Гб (будет доступно в пакетах из 2-х, 4-х и 8-и ядер).
  • Размер страницы 4 КБ для более эффективных операций чтения и записи.
  • 16-плоскостная архитектура для более эффективной параллельности.
  • Быстрое чтение и запись страниц на уровне 5 мс.

Компания отмечает, что память XL-Flash будет иметь высокое качество, ввиду зрелости технологии SLC, её хорошей масштабируемости и высокой надёжности.

Toshiba Memory меняет название на Kioxia

Toshiba Memory Holdings Corporation официально объявила о смене своего названия на Kioxia Holdings Corporation с 1 октября 2019 года. С этого дня новое название будет применяться ко всем предприятиям, входящим в Toshiba Memory, включая британское и израильское подразделение OCZ.

Слово Kioxia является комбинацией японского слова «киоку», означающему «память» и греческого «аксиа», означающему объём. Читается название предельно просто — «киоксиа». Компания планирует открыть новую эпоху памяти, обусловленную ростом спроса на накопители больших объёмов, высокоскоростными хранилищами и обработкой данных.

Вывеска на заводе Toshiba Memory
Toshiba Memory

Миссия Kioxia — Улучшить мир «памятью». Вовлекать «память», улучшить опыт и изменить мир.

Видение Kioxia — Вместе с изначально прогрессивной технологией мы предлагаем продукты, сервисы и системы, предоставляющие выбор и определяющие будущее.

Сбой в электропитании WD привёл к недовыпуску шести экзабайт

Пара предприятий Toshiba Memory Corporation, входящих в состав Western Digital, столкнулась с отключением электропитания. Теперь компания отмечает, что это приведёт к потерям производства в объёме шести экзабайт в ближайшие несколько кварталов.

С ноября прошлого года цены на твердотельные накопители постоянно снижались, однако случившийся сбой электропитания может привести к росту. Авария произошла в японском регионе Йоккаити 15 июня. 13-минутное отключение привело к тому, что компании потребовалось две недели на то, чтобы оценить ущерб. Согласно отчёту, авария на электросетях повлияла как на оборудование, так и на производственные инструменты, используемые для выпуска пластин NAND, а последствия до сих пор не ликвидированы.

Weatern Digital
Weatern Digital

В связи с этим Western Digital предупредила своих заказчиков флеш-памяти, что в ближайшие кварталы недопоставка микросхем составит шесть экзабайт.

В компании также сообщили, что дефицит памяти будет наиболее остро ощущаться в ближайшие пару месяцев. Восстанавливать производство компания планирует «как можно скорее».

Tosiba и WD разрабатывают 128-слойную память 3D NAND

Компания Toshiba со своим стратегическим партнёром Western Digital готовят память 3D NAND высокой плотности, состоящую из 128 слоёв.

По номенклатуре Toshiba чип будет называться BiCS-5. Несмотря на высокую плотность, чип будет основан на памяти TLC, а не новой QLC. Это связывают с продолжающимися проблемами при производстве QLC и низким процентом выхода годных отпечатков. Однако за счёт повышения числа слоёв чипы будут иметь объём 512 Гб, что на треть больше, чем у 96-слойных чипов. Первые коммерческие продукты на основе 128-слойной памяти появятся в 2020 или 2021 годах.

Структура памяти BiCS-5 от Toshiba
Структура памяти BiCS-5 от Toshiba

Сообщается, что чипы BiCS-5 имеют четырёхплоскостную конструкцию. Их ядра разделены на 4 секции, или плоскости, доступ к которой осуществляется независимо. Для сравнения, BiCS-4 имела две плоскости. Благодаря этому скорость записи на канал также удвоится и составит 132 МБ/с. Кроме того, в новых микросхемах используется инновационное размещение логической цепи под самым нижним «слоем» с данными, что позволяет на 15% экономить размер ядра.

Аналитики считают, что новые микросхемы будут изготавливаться на 300 мм блинах с выходом годной продукции выше 85%.

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba
Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Toshiba Memory выпускает встраиваемые накопители 3.0

Компания Toshiba начала опытное производство новых встраиваемых накопителей в соответствии с третьей версией стандарта Universal Flash Storage (UFS).

Новая линейка устройств основана на 96-слойной 3D NAND памяти, которая доступна в трёх вариантах ёмкости: 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ. Благодаря высокой скорости чтения и записи и низкому энергопотреблению, новые устройства окажутся идеальными для мобильных устройств, смартфонов, планшетов и шлемов виртуальной реальности.

Пакеты памяти Toshiba UFS 3.0
Пакеты памяти Toshiba UFS 3.0

Пакет нового накопителя получил габариты 11,5х13 мм. Контроллер обеспечивает коррекцию ошибок, контролирует износ и логически-физическую адресацию, поиск и управление плохими блоками.

Все три устройства соответствуют стандарту JEDEC UFS Ver. 3.0, включая HS-GEAR4, что должно означать пропускную способность в 11,6 Гб/с на линию, а также применение функционала снижения энергопотребления. По сравнению с прошлым поколением, последовательная скорость чтения и записи в 512 ГБ версии выросла на 70% и 80% соответственно.

Western Digital выпускает новый NVMe SSD серии SN750

Компания WD представила новый твердотельный накопитель с интерфейсом NVMe, серии Black SN750, который построен на собственном контроллере компании и 64-слойной 3D TLC NAND памяти от SanDisk.

Накопитель изготовлен в стандартном формате M.2 2280 с интерфейсом PCIe 3.0x4 NVMe 1.3. Доступен он в ёмкостях 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Кроме младшей, все версии могут комплектоваться дополнительным алюминиевым радиатором EKWB.

Общий вид SSD WD SN750
Общий вид SSD WD SN750

Что касается характеристик, то они весьма высоки. Так, модель SN750 предлагает пиковую скорость чтения, равную 3470 МБ/с, а записи — 3000 МБ/с. Случайная скорость блоками по 4K достигает 515k IOPS при чтении и 560k IOPS при записи. Надёжность заявлена в 1200 TBW для 2 ТБ модели, а для моделей 1 ТБ, 500 ГБ и 250 ГБ составляет соответственно 600, 300 и 200 перезаписанных терабайт.

SSD WD SN750 с радиатором
SSD WD SN750 с радиатором

Необычным новый накопитель делает так называемый игровой режим. Он активируется на панели управления WD SSD Dashboard и представляет собой отключение режима низкого энергопотребления. И хотя такой шаг повышает тепловыделение накопителя, он минимизирует время отклика и чуть-чуть повышает производительность.

Панель управления SSD WD SN750
Панель управления SSD WD SN750

Накопители WD Black SN750 скоро поступят в продажу по цене в 80 долларов за 250 ГБ версию, 130 долларов за 500 ГБ, 250 долларов за 1 ТБ и 500 долларов за 2 ТБ модель. Гарантия на устройства серии составляет 5 лет.

Спецификации версий SSD WD SN750
Спецификации версий SSD WD SN750

Toshiba выпускает терабайтный однопакетный SSD

Toshiba Memory Corporation представила новую серию твердотельных накопителей BG4, которые изготовлены в едином пакете NVMe SSD ёмкостью до 1024 ГБ.

В накопителях в одном общем пакете собраны 96-слойная 3D NAND флеш-памяти и совершенно новый контроллер, что обеспечивает лучшую в классе производительность. Серия BG4 уже поставляется избранным OEM производителям, а общемировой релиз состоится во втором квартале 2019 года.

Однопакетные SSD накопители Toshiba BG4 объёмом 1024 ГБ
Однопакетные SSD накопители Toshiba BG4 объёмом 1024 ГБ

Что касается характеристик, то SSD BG4 работает по 4 линиям PCIe Gen 3.0 и предлагает чтение на скорости до 2250 МБ/с. Скорость случайного чтения составляет 380 000 IOPS. Разработчики отметили, что по сравнению с прошлым поколением, скорости последовательной и случайной записи возросли на 70% и 90% соответственно, а энергопотребление снизилось на 20% и 70% при чтении и записи соответственно.

Накопитель Toshiba имеет толщину 1,3 мм и предлагается в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1024 ГБ (этот вариант толще). Впаиваемая версия имеет формат M.2 1620, а съёмная — M.2 2230. Устройство отвечает спецификации NVM Express Revision 1.3b и обладает функционалом самошифрования.

Toshiba готовит память XL-Flash с низкими задержками

Компания Toshiba поделилась некоторыми сведениями о новом типе памяти 3D NAND, получившим название XL-Flash. Эта новая память призвана заметно сократить задержки доступа.

Примечательно, что память XL-Flash может быть изготовлена по современному процессу 96-слойной BiCS4 3D NAND от Toshiba. Она ускорит случайный доступ к данным, особенно в случае короткой очереди. Эта память будет подвидом SLC, однако разработчики уже заняты созданием MLC варианта. О XL-Flash информации очень мало, о скорости её работы также пока не сообщается. Разработчики лишь отметили, что её задержки при чтении будут в 10 раз меньше, чем у TLC NAND.

SLC NAND память Toshiba
SLC NAND память Toshiba

Также отмечается, что, несмотря на современную технологию производства, память XL-Flash использует более короткие последовательности данных и более короткие последовательности слов, что вызвано строением памяти с большим числом плоскостей, чем 2 или 4 в обычных NAND устройствах.

Слайд из презентации Toshiba XL-Flash
Слайд из презентации Toshiba XL-Flash

Некоторые обозреватели отмечают, что память XL-Flash очень похожа на то, что анонсировала с Samsung под брендом Z-NAND. Обе эти технологии ускоряют случайный доступ к данным и конкурируют с памятью X-point от Intel.

В первую очередь память XL-Flash предназначена для ЦОД и корпоративных клиентов, но ни о цене, ни о сроках внедрения ничего не сообщается.

Toshiba выпускает SSD XG6

Компания Toshiba анонсирует выпуск нового твердотельного накопителя XG6, который придёт на смену прошлогодней серии XG5. Новый накопитель использует 96-слойную память 3D TLC NAND.

Прошлое поколение накопителей демонстрировало отличную энергоэффективность, сравнимую с накопителями SATA. В накопителях XG6 Toshiba обещает ту же эффективность, но с большей скоростью.

SSD Toshiba XG06
SSD Toshiba XG06

Накопители будут предложены в модельном ряду с ёмкостями 256 ГБ, 512 ГБ и 1024 ГБ. От прошлой версии XG5, новое поколение отличается не только 96-слойной памятью, но и изменениями в прошивке. Накопители по-прежнему используют форм фактор M.2 2280 с интерфейсом PCIe 3.0 x4. Однако теперь используется протокол NVMe 1.3a, вместо 1.2.

Максимальная скорость последовательного чтения может достигать 3180 МБ/с, а записи — 2960 МБ/с. При случайных операциях скорости чтения и записи составят 355 KIOPS и 465 KIOPS. Энергопотребление при активной записи составит 4,7 Вт.

SSD Toshiba XG06
SSD Toshiba XG06

Разработчики отмечают неплохую наработку на отказ в 1,5 миллиона часов. Гарантия на накопители составит 5 лет. Сейчас накопители поставляются избранным клиентам для тестирования, а в скором будущем они поступят в розничную продажу.