7994420702;horizontal

Новости про MRAM

Toshiba: наша память уменьшит энергопотребление CPU на 60% #

20 июня 2014

Кэш-память, это маленькая часть ядра процессора, на которой расположены элементы памяти. Она применяется для быстрого доступа к данным, минуя всю остальную систему, шину, и ОС.

Обычно, кэш-память делится на два или три уровня, при этом, чем уровень ниже, тем меньше объём и выше скорость памяти. Для удовлетворения требованиям скорости разработчики процессоров применяют энергозависимую SRAM память.

Однако Toshiba представила новый тип кэша, который она назвала MRAM, или более точно STT-MRAM, которая является магниторезистивной памятью и использует переключение с помощью переноса спина электрона.

Собственно говоря, магнитные элементы хранения данных используются для хранения битов, и для модифицирования данных используют электроны с направленным спином.

Toshiba

Ранее уже осуществлялись попытки сделать нечто подобное, однако MRAM не была достаточно быстрой, и обладала меньшей, по сравнению со SRAM, энергоэффективностью.

Для решения проблемы Toshiba представила новую структуру схемы, которая маскируется под некоторые элементы DRAM и SRAM, но без утечки энергии. В результате MRAM кэш память L2 помогла снизить энергопотребление кэша на 80%, что в сумме составляет 60% всей энергии, потребляемой CPU. Надо сказать, что такой результат особенно хорош для AMD, которая использует большой кэш L2 и не применяет кэш третьего уровня. При этом, скорости работы памяти, по сравнению со SRAM, осталась неизменной. Так, MRAM позволяет записывать данные со скоростью 2,1 нс, а считывать — со скоростью 4,1 нс.

Учитывая, насколько сейчас популярны в мире вопросы энергоэффективности, можно ожидать, что компания заработает на своей разработке массу средств. Конечно, рядовой пользователь никогда не узнает о том, что в его процессоре теперь используется кэш-память нового типа, но он непременно почувствует увеличение времени автономной работы своего нового ноутбука.

MRAM, Toshiba, оперативная память, разработчики

«Softpedia»

Дни DRAM сочтены? #

3 декабря 2013

Более 20 японских и американских компаний, связанных с производством чипов, объединили свои усилия для разработки технологии массового производства микросхем оперативной памяти, названных магниторезистивными, или сокращённо MRAM. Такую информацию даёт отчёт в Nikkei's Asian Review.

Главными участниками этого объединения стали Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi и американский гигант Micron Technology. Компании «будут координировать несколько дюжин исследований», которые будут проводиться под руководством профессора Тэцуо Эндох в Университете Тохоку в северной Японии.

MRAM память от Everspin Technologies

По сообщениям Nikkei, память MRAM характеризуется в три раза меньшим энергопотреблением, по сравнению с DRAM, при этом позволяет в 10 раз увеличить объём и скорость записи. В теории всё это создает прекрасную основу для применения микросхем нового типа в портативных устройствах.

Однако, несмотря на утверждения об активном ведении разработок, до выхода коммерческого продукта ещё очень далеко. Сейчас считается, что на рынок новый тип памяти поступит только в 2018 году. Но не стоит забывать, что отрасль, связанная с выпуском памяти, очень часто шла по ложному пути.

MRAM, исследования и наука, оперативная память

«CNet»