Новости про NAND

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

IM Flash

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Поставки памяти NAND улучшатся в следующем году

Аналитики DigiTimes, традиционно ссылаясь на промышленные источники, сообщили, что поставки твердотельной NAND памяти должны улучшиться в 2018 году, по сравнению 4 кварталом текущего года.

Эти прогнозы не удивительны. Уходящий год оказался довольно дефицитным в плане памяти NAND и DDR, и многие компании увеличили производство микросхем соответствующих типов. Но даже так они не смогли удовлетворить все заявки, а потому поставки памяти растянулись во времени, а её цена выросла.

Чип NAND

Однако новые производственные мощности, построенные компаниями, должны ослабить отпускные цены уже в первом квартале 2018 года, что приведёт и к снижению розничных цен.

Также аналитики отметили, что увеличение объёмов производства связано не только с расширением производственных мощностей, но и с началом производства более технологичной памяти, например, 3D NAND, которая также станет доступнее для потребителей.

Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane

Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Samsung Z-SSD

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

Спецификации SSD Samsung SZ985

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.

Western Digital анонсирует X4 память для SSD

Компания Western Digital объявила об успешном выпуске 64-слойной 3D NAND памяти, хранящей 4 бита на ячейку (также известной как X4), изготовленной по технологии BiCS3.

По словам компании, выпущенные чипы могут хранить 768 гигабит (96 ГБ), что на 50% больше, чем 512 гигабитные TLC чипы.

Микросхемы WD X4 3D NAND созданы благодаря наработкам компании в двумерной X4 NAND памяти. Однако больше всего компания гордится тем, что производительность её памяти QLC ничем не уступает памяти TLC. Это означает, что пользователи могут не сильно беспокоиться о скорости, а просто наслаждаться большим доступным объёмом памяти.

3D NAND от WD

Твердотельные накопители, построенные на чипах WD X4 3D NAND, должны появиться на полках магазинов уже в следующем году, однако пока никаких официальных заявлений на этот счёт не было. При этом Western Digital пообещала показать первые SSD на базе X4 памяти уже  в августе в ходе Flash Memory Summit.

Кроме того, данный процесс открывает возможность изготовления 96-слойных BiCS4 чипов. Похоже, что WD делает большую ставку на SSD, которые вскоре станут основным накопителем не только для высокопроизводительных систем, но и для хранения пользовательских данных, где сейчас царят жёсткие диски.

QLC память Toshiba обладает достаточной надёжностью

Несколько дней назад компания Toshiba представила миру первые четырёхячеестые чипы энергонезависимой памяти. Однако многие обозреватели выразили сомнения в её надёжности.

Дело в том, что для хранения одного бита на ячейку необходимо использовать два состояния напряжения. В памяти MLC — четыре, TLC — восемь, а QLC — целых шестнадцать. Это приводит к частому появлению ошибок из-за повреждения данных, которые могут произойти в связи с большим количеством состояний заряда. Для успешного коммерческого использования технологии специалистам придётся применять различные механизмы коррекции.

Память QLC от Toshiba

Как оказалось, Toshiba с этим успешно справилась. По её данным, память 3D QLC NAND выдержала порядка 1000 циклов программирования/очистки, что близко к значениям TLC NAND. Это заметно выше 100—150 циклов, которые прогнозировали специалисты для QLC.

Ожидается, что массовое производство продукции на базе QLC памяти начнётся в конце 2018 или начале 2019 года.

Дефицит NAND и DRAM продлится до 2018 года

В течение всего года мы постоянно слышим о дефиците чипов как оперативной, так и энергонезависимой памяти. Когда в конце 2016 года этот дефицит образовался, многие полагали, что это кратковременный кризис. Однако теперь аналитики уверены, что он продлится до 2018 года.

По информации Рейтер, растущий спрос на NAND как на мобильном рынке, так и на рынке PC, привёл к тому, что некоторые поставщики стали завышать цену на свои изделия, гарантируя при этом стабильные долгосрочные поставки. Так, один из неназванных производителей сообщил, что за дополнительные деньги заключил шестимесячное соглашение на поставку чипов, хотя обычно в этом бизнесе заключаются месячные или квартальные договоры.

DRAM

В настоящее время Apple приобрела примерно 18% всех годовых поставок памяти NAND, что необходимо ей для производства iPhone нового поколения. Обычно компании перекрывают этот всплеск поставок дополнительными складскими запасами, заготовленными в первом полугодии. Однако длящаяся больше чем полгода нехватка не позволила ни одному из производителей запастись микросхемами. Поэтому к сентябрю, когда Apple выпустит новый iPhone, дефицит станет ещё более острым.

Samsung отказалась комментировать данную информации, но известно, что ранее в этом году фирма отложила выпуск SSD объёмом 4 ТБ в связи с нехваткой памяти. Другой производитель памяти, SK Hynix, сделал заявление, сообщив Рейтер, что сроки поставки чипов давно прошли, и складские запасы остаются постоянно на низком уровне.

Обозреватели отмечают, что ситуация должна улучшиться в 2018 году, когда SK Hynix и Samsung запустят новые заводы, ну а пока нам придётся мириться с дефицитом и платить за него из своего кармана.

Toshiba анонсирует чипы памяти QLC

Компания Toshiba анонсировала последнее поколение памяти NAND 3D, которое позволяет хранить 4 бита на ячейку памяти. Данная технология получила название Quadruple-Level Cell или QLC.

Благодаря технологии QLC, представленной 64-слойной стековой структурой, Toshiba сможет представить миру кристаллы крупнейшего объёма в 768 Гб (96 ГБ). Новая память также позволяет создавать 1,5 ТБ устройства с 16-слойной архитектурой кристаллов в едином пакете, что также на 50% увеличивает ёмкость пакета, по сравнению с прошлым поколением устройств.

Память типа QLC имеет те же проблемы (если не большие), с которыми столкнулись разработчики при выпуске памяти MLC. Главная из них заключается в том, как поместить данные в одну ячейку без влияния на надёжность хранимых данных и производительность. Так что вопрос того, смогут ли SSD, основанные на QLC NAND, предложить достаточную производительность, остаётся открытым.

Память QLC от Toshiba

Скорее всего данная память найдёт себе место в накопителях для ЦОД, где ключевую роль играют низкое энергопотребление и физический размер накопителя. Однако, возможно, QLC можно будет встретить и в некоторых других отраслях.

Как сообщает разработчик, образцы устройств на основе памяти QLC поставляются производителям SSD и контроллеров для SSD с июня месяца, которые используют новую память для разработки накопителей. Новое поколение образцов будет представлено в августе в ходе Flash Memory Summit 2017.

Western Digital анонсирует SSD накопители на базе 64-слойной памяти

Компания Western Digital представила первые продукты на базе 64-слойной памяти 3D NAND. Эти твердотельные накопители предназначены для энтузиастов-сборщиков компьютеров, розничных продавцов и построителей систем. При этом накопители будут доступны под брендами WD Blue и SanDisk.

Обе линейки будут представлены в объёмах от 250 ГБ до 2 ТБ в форматах 2,5” толщиной 7 мм. А под маркой WD также будет выпущен M.2 2280 SSD.

Устройства обоих брендов будут предлагать скорости на уровне 560 МБ/с при чтении и 530 МБ/с при записи, они получат трёхлетнюю гарантию и наработку на отказ в течение 1,75 миллиона часов.

WD Blue SSD

Так в чём же разница между WD Blue и SanDisk? Накопитель под маркой WD проходит специальное тестирование функциональной целостности в лаборатории и поставляется с ПО Acronis True Image и WD SSD Dashboard, которое позволяет контролировать параметры накопителя и обновлять прошивку.

Накопитель под маркой SanDisk предполагается для установки в ноутбуки, что позволит получить стандартные преимущества, вроде снижения шума, энергопотребления и ускорения загрузки. Так что можно смело утверждать, что обе версии накопителей эквивалентны. Вероятно, Western Digital хочет изучить спрос и определить, какой из брендов окажется более успешным на рынке твердотельных накопителей.

Цена на оба продукта стартует со 100 долларов США за версию минимального объёма. В продажу накопители поступят в третьем квартале этого года.

Samsung может стать крупнейшим производителем микросхем

Обозреватели рынка полупроводников уверяют, что в скором времени может появиться новый мировой лидер в этой отрасли — компания Samsung должна стать крупнейшим производителем чипов, сместив с пьедестала Intel.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Гибридный чип NAND и DRAM от Samsung

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Цены на NAND память должны снизиться

Цены на твердотельную память типа NAND за последние месяцы заметно выросли, однако аналитики прогнозируют их снижение уже в текущем квартале.

Такое мнение выразил глава Phison Electronics Хеин Сен Пуа. Однако в третьем квартале цены вновь начнут расти, поскольку на конечном рынке вновь повысится спрос.

Переход производителей от технологии NAND 2D к 3D привёл к опустошению складских запасов и росту цены на чипы — отметил Пуа.

Глава Phison Electronics Хеин Сен Пуа

Кроме того, OEM производители неохотно поставляют свою продукцию, ведь на фоне растущей цены они только теряют деньги, увеличивая свои продажи. В результате складские запасы оптовых поставщиков истощились, и они начали предлагать устройства с меньшим объёмом памяти. К примеру, некоторые производители, преимущественно в Китае, вместо SSD объёмом 128 ГБ стали поставлять устройства с 96 ГБ. Пуа отметил, что дефицит коснулся даже eMMC устройств объёмом в 4 ГБ и 8 ГБ.

Руководитель компании выразил уверенность, что в ближайшее время цены на память скорректируются, однако уже в третьем квартале, на фоне спроса со стороны Apple iPhone и других новых смартфонов, они начнут расти.

Что касается поставщиков, то их склады заполнятся в мае и июне, когда производители начнут массово выпускать 3D NAND продукты. Уже в четвёртом квартале более половины всех чипов памяти будут изготовлены по 64-слойной 3D NAND технологии.