Новости про NAND

Samsung сокращает производство памяти

По информации Bloomberg компания Samsung готовится к замедлению производства микросхем памяти в 2019 году, в котором ожидается снижение спроса.

Южнокорейский гигант пользуется своим доминирующим положением на рынке, и этот шаг позволит сохранить падающую цену на NAND и DRAM, или даже увеличить её.

В начале года компания видела будущее оптимистично, ожидая битовый рост на 20 и 40 процентов для DRAM и NAND. Битовый рост — это термин, используемый индустрией для обозначения объёмов производимой памяти. Данная единица измерения важна для оценки спроса и позволяет производителям панировать объёмы продукции.

Микросхемы оперативной памяти Samsung
Микросхемы оперативной памяти Samsung

Согласно свежему прогнозу Samsung, битовый рост DRAM ожидается на уровне ниже 20%, а для NAND — 30%. Так что снижение объёмов производства выглядит для компании вполне логичным шагом.

Аналитик Bloomberg Антея Лэи считает, что Samsung предпочтёт ситуацию с дефицитом поставок и высокой ценой, взамен захвата большего рынка и риска снижения стоимости. Очевидно, что эти шаги повлекут сдерживание цены на память не только производства Samsung, но и её конкурентов.

Рынки DRAM и NAND вырастут на 30%

Этот год будет последним, когда наблюдается быстрый рост рынков DRAM и NAND памяти. По крайней мере, так прогнозирует Digitimes Research.

В этом году аналитики ожидают комбинированный рост рынка памяти чуть менее 30%, а в следующем году эта величина снизится до однозначной.

Чипы DRAM
Чипы DRAM

Что касается финансовой стороны, то в этом году сегмент DRAM покажет рекордный уровень в 100 миллиардов долларов. Главной причиной аналитики называют высокий спрос на память для серверов. Так, в этом году мировой спрос на серверы вырастет на 15%, а объём памяти для каждого сервера продолжит увеличиваться.

Производители активно реагируют на эти изменения. К примеру, доля серверной памяти у SK Hynix в этом году составила 38,8%, в то время как 2016 году она составляла 24%. У Micron эта доля составляет 29%, на 7% выше, чем пять лет назад.

Цены на NAND память могут обрушиться

В ходе саммита Flash Memory, аналитик Джим Хэнди из Objective Analysis заявил о резком снижении цены на флеш-память уже в следующем году.

Поскольку сейчас маятник производства качнул в сторону избыточности, стоит ожидать снижения коммерческой стоимости твердотельной 64-слойной 3D NAND памяти к её себестоимости. Его прогноз цены на 2019 год составляет 0,08 доллара за гигабайт, что должно стать крупнейшей корректировкой цены в истории полупроводниковой промышленности.

Микросхемы 3D NAND от Toshiba
Микросхемы 3D NAND от Toshiba

Старший аналитик Wells Fargo Аарон Рекерс утверждает, что сейчас цена на NAND память составляет 0,30 долларов за гигабайт. Эти цены касаются только NAND памяти, накопители на её основе содержат и другие компоненты. Тем не менее, резкое снижение цены будет означать появление SSD большой ёмкости с очень привлекательной ценой.

Также аналитик отметил, что сейчас около 70% производственных мощностей NAND памяти заняты выпуском 3D NAND, в то время как остальные 30% производств изготавливают память по старой планарной (2D) технологии. Скорее всего, эти производства переориентируются на выпуск DRAM памяти, а не будут заниматься модернизацией до 3D NAND. Это, в свою очередь, вызовет перепроизводство и в области оперативной памяти.

ADATA выпускает потребительский SSD объёмом 2 ТБ

Компания ADATA представила высокопроизводительные твердотельные накопители серии Ultimate SU800 в середине 2016 года, как конкурента 850 EVO.

Это были одни из первых SSD, построенные на памяти 3D TLC NAND и предлагались в объёме от 128 Гб до 1 ТБ. И вот спустя два года компания ADATA расширила эту серию новым вариантом объёмом 2 ТБ, пытаясь заработать на снижающейся цене на NAND память.

Новое устройство (с номером модели ASU800SS-2TT-C), как и остальные, управляется контроллером Silicon Motion SM2258G, снабжено DRAM кэшем и основано на флеш-памяти 3D TLC NAND. При этом до 8% памяти используется как SLC кэш.

Твердотельный накопитель ADATA Ultimate SU800
Твердотельный накопитель ADATA Ultimate SU800

Накопитель обеспечивает скорость последовательных операций на уровне 560 МБ/с и 520 МБ/с для чтения и записи соответственно, а его надёжность составляет 1600 ТБ. Среди дополнительных функций разработчики отмечают технологию проверки чётности низкой плотности LDPC (low density parity check code) и встроенный режим DVESLP заметно снижает энергопотребление.

Накопитель ADATA Ultimate SU800 2 ТБ продаётся с трёхлетней гарантией по цене 380 долларов США.

Micron имеет более 50% брака в микросхемах QLC NAND

Компания Micron изготавливает микросхемы памяти 3D Xpoint совестно с Intel, а также производит более традиционную NAND память для SSD. Фирма, вместе с остальными лидерами рынка, перешла на выпуск QLC NAND памяти, но её выпуск идёт с большими потерями.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

SSD Intel 600p
SSD Intel 600p

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD, который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.

SK Hynix представляет концепцию 4D памяти

Трёхмерная память NAND произвела революцию в накопителях. Третье, высотное измерение, позволило набирать слои NAND памяти, увеличивая объём в десятки раз и открыв путь высокоёмким потребительским SSD.

Однако в SK Hynix считают, что могут ещё улучшить этот процесс благодаря четырёхмерным NAND пакетам. Речь не идёт об искривлении пространства-времени. Разработчики предлагают производить обычные 3D структуры, связывая слои NAND. Четвёртое измерение будет касаться расположения самих ячеек памяти.

NAND память SK Hynix

В современной NAND памяти ячейки, хранящие заряд, располагаются вдоль периферийного блока, который отвечает за запись каждой ячейки. 4D NAND предполагает размещение этих ячеек в несколько слоёв, сокращая пространство для хранения данных.

Концепция памяти 4D NAND
Концепция памяти 4D NAND
Производительность 4D NAND
Производительность 4D NAND

Размещая ячейки в стеках, SK Hynix планирует связывать их с периферийным блоком проводниками. Таким образом, в каждом слое стека 3D NAND будет храниться большее число ячеек, а конечный накопитель будет иметь большую ёмкость при тех же габаритах. Стек V5 от SK Hynix предполагает размещение друг над другом четырёх ячеек памяти и одной периферийного блока.

Будуще памяти 4D NAND
Будуще памяти 4D NAND
Спецификации памяти 4D NAND
Спецификации памяти 4D NAND

Первая реализация памяти 4D NAND выполнена в 96-слойном чипе памяти TLC объёмом 512 Гб. При этом технология готова и для QLC. Опытное производство этого чипа объёмом 512 Гб начнётся к концу текущего года. На следующий же год разработчики планируют выпустить чипы объёмом 1 Тб.

Toshiba выпускает SSD XG6

Компания Toshiba анонсирует выпуск нового твердотельного накопителя XG6, который придёт на смену прошлогодней серии XG5. Новый накопитель использует 96-слойную память 3D TLC NAND.

Прошлое поколение накопителей демонстрировало отличную энергоэффективность, сравнимую с накопителями SATA. В накопителях XG6 Toshiba обещает ту же эффективность, но с большей скоростью.

SSD Toshiba XG06
SSD Toshiba XG06

Накопители будут предложены в модельном ряду с ёмкостями 256 ГБ, 512 ГБ и 1024 ГБ. От прошлой версии XG5, новое поколение отличается не только 96-слойной памятью, но и изменениями в прошивке. Накопители по-прежнему используют форм фактор M.2 2280 с интерфейсом PCIe 3.0 x4. Однако теперь используется протокол NVMe 1.3a, вместо 1.2.

Максимальная скорость последовательного чтения может достигать 3180 МБ/с, а записи — 2960 МБ/с. При случайных операциях скорости чтения и записи составят 355 KIOPS и 465 KIOPS. Энергопотребление при активной записи составит 4,7 Вт.

SSD Toshiba XG06
SSD Toshiba XG06

Разработчики отмечают неплохую наработку на отказ в 1,5 миллиона часов. Гарантия на накопители составит 5 лет. Сейчас накопители поставляются избранным клиентам для тестирования, а в скором будущем они поступят в розничную продажу.

Toshiba разрабатывает 96-слойную флэш-память QLC

Корпорация Toshiba Memory, мировой лидер в области твердотельной памяти, анонсировала готовность прототипа 96-слойной памяти BiCS FLASH, построенного на проприетарной технологии 3D памяти с возможностью хранения 4 бит на ячейку (QLC).

Применение технологии QLC позволяет увеличить объём хранимых на одном чипе данных. Уже с сентября компания планирует начать опытные поставки микросхем производителям SSD и разработчикам контроллеров для SSD. Массовое же производство памяти начнётся в 2019 году.

Чип флеш-памяти QLC от Toshiba
Чип флеш-памяти QLC от Toshiba

Переход на QLC позволяет увеличить объём хранимых в ячейке данных с 3 до 4. В результате появится возможность хранения 1,33 Тб данных на одном чипе. В случае распараллеленного применения стеков из 16 чипов в пакете, объём одной микросхемы можно увеличить до 2,66 ТБ. В Toshiba отмечают, что этот объём крайне необходим на фоне развития мобильных терминалов и устройств IoT, генерирующих огромные массивы данных.

Презентовать прототип планирует в ходе Flash Memory Summit, который состоится в Санта-Кларе в начале августа.

Samsung начинает массовое производство 96-слойной памяти NAND

Ведущий производитель твердотельной памяти, компания Samsung, приступила к массовому производству памяти V-NAND пятого поколения.

Данная память позволит увеличить объёмы накопителей. Новая память объёмом 256 Гб состоит из стеков в 96-слоёв. Эта память стала первой в истории, использующей интерфейс Toggle DDR 4.0, который работает как высокоскоростной транспорт для передачи данных между накопителем и памятью на скорости в 1,4 Гб/с. Это на 40% быстрее, чем прошлое 64-слойное поколение памяти. Другое усовершенствование в скорости связано с уменьшением времени записи на 30% до 500 мкс и снижением времени чтения до 50 мкс.

96-слойная V-NAND память от Samsung
96-слойная V-NAND память от Samsung

Кроме того, выросла и энергоэффективность чипов. Новая память работает на напряжении 1,2 В, в то время как 64-слойной требовалось напряжение 1,8 В.

В пресс-релизе южнокорейский гигант заявил, что выпустит новые чипы на рынок как можно скорее. Изначально они будут представлены 256 Гб TLC модулями, а позднее будут подготовлены 1 Тб QLC модели.

Цены на NAND продолжат падение

Сайт DigiTimes после очередного анализа рынка опубликовал прогноз, согласно которому цены на 3D NAND память продолжат снижение и в третьем квартале на фоне увеличения поставок.

Ранее обозреватели полагали, что во втором полугодии цены на память стабилизируются, но теперь прогноз изменился.

Новые производственные мощности, введённые на волне миграции на технологию 3D NAND, приведут к перепроизводству. По мере того, как производители продолжат наращивать объёмы выпуска своей более совершенной продукции, поставки продолжат расти и в третьем квартале.

3D NAND память от Micron
3D NAND память от Micron

Спрос на NAND оказался не столь высоким, чтобы ответить ёмкостям производства, и эта тенденция сохранится и на третий квартал. Спрос на смартфоны не повышается так быстро, как ожидалось. В то же время продолжающая поступать на рынок память ведёт к снижению её стоимости. Ещё в начале года производители ожидали высокий спрос на NAND, а потому делали большими складские запасы, и теперь, на фоне низкого спроса и больших остатков на складах, цена продолжит снижаться.