Новости про NAND

YMTC выпускает 128-слойную память 3D-NAND

Китайский производитель полупроводниковых изделий, компания Yangtze Memory Technologies Co (YMTC), формально анонсировала готовность к выпуску 128-слойных чипов памяти 3D-QLC-NAND, что является важным этапом в развитии компании.

Новый продукт получил название X2-6070 и построен на технологии создания стэков YMTC XTracking 2.0. Это большой прорыв для компании, поскольку предшествующая технология XTracking 1.0, позволяющая выпускать 64-слойную память, поступила в массовое производство лишь в прошлом сентябре, в то время, когда лидеры рынка Samsung, SK Hynix, и Micron перешли на 96-слойный процесс. Анонс 128-слойной конструкции гиганты сделали ещё в июне 2019. Что касается YMTC, то она вовсе отказалась от переходного этапа в 96 слоёв, сократив технологическое отставание от лидеров до 10 месяцев.

128-слойные микросхемы памяти QLC от YMTC

Грейс Гон, старший вице-президент YMTC, сообщила: «Эти продукты вначале будут применяться в твердотельных накопителях потребительского уровня, и несомненно окажутся расширены до серверов промышленного класса и центров обработки данных, что позволит диверсифицировать нужды в накопителях в эпоху 5G и ИИ».

Samsung работает над 160-слойной памятью NAND

Современные твердотельные накопители используют память NAND, состоящую из 96 или 64 слоёв. В работе находится 128-слойная память, однако компания Samsung разработала новую концепцию, которая позволит создать память в 160 слоёв, и даже больше.

Samsung Electronics разрабатывает 7-е поколение V-NAND, состоящее из 160 слоёв или даже больше. Для этого прорыва южнокорейский гигант планирует использовать технологию «двойного стека». Она предполагает открытие дырок в два различные периода времени, чтобы электрический ток мог пройти по цепи. Сейчас компания использует технологию «одинарного стека», увеличивая число слоёв.

Samsung V-NAND

Память NAND, состоящая из 160 слоёв, станет первой в индустрии. Переход на такую память позволит резко увеличить объём SSD без увеличения количества применяемых микросхем.

Intel может отказаться от производства NAND Flash

Компания Intel может отказаться от производства флэш-памяти типа NAND, и покупать её у сторонних производителей.

Финансовый директор Intel Джордж Дэвис в ходе конференции аналитиков Моргана Стенли заявил, что компания производит микросхемы NAND в Далиане, Китай, однако они не могут продать достаточное количество SSD на базе этих чипов, чтобы генерировать прибыль.

SSD на базе NAND-памяти Intel

Также компания сообщает, что может вообще прекратить собственное производство микросхем, а фирменные SSD комплектовать памятью стороннего производства, либо же вообще покупать сторонние SSD. Альтернативным вариантом называлась продажа микросхем NAND сторонним покупателям.

Дэвис отметил, что, хотя NAND-память становится всё более важной для ЦОД, «мы должны иметь прибыльность, долгосрочную прибыльность и привлекать возврат [инвестиций]… мы не способны генерировать прибыль из этого».

Intel выпустила 10 миллионов SSD на базе QLC-3D-NAND

Компания Intel празднует очередное своё достижение в области твердотельной памяти. Она изготовила 10 миллионов накопителей, основанных на памяти типа QLC-3D-NAND.

Производство таких накопителей было начато в конце 2018 года в китайском Даляне, и за короткое время, чуть больше года, фирма выпустила на рынок более 10 миллионов SSD на базе памяти QLC-3D-NAND, показав всему миру, что QLC является мейнстрим-технологией производства устройств высокой ёмкости.

Накопитель Intel Optane Memory H10

«Многие говорили о технологии QLC, а Intel стала её поставлять, и в больших масштабах», — заявил Дэйв Ланделл, директор Intel по стратегическому планированию SSD и маркетингу продуктов. «Мы наблюдали высокий спрос на наши недорогие независимые QLC SSD (Intel SSD 660p) и производительные решения Optane Technology + QLC (Intel Optane Memory H10)».

Технология Intel QLC-3D-NAND использовалась для производства SSD марок 660p, 665p и Intel Optane Memory H10. Они основаны на памяти, хранящей по 4 бита в ячейках, расположенных в 64 (первые модели) или 96 слоях. Эта технология разрабатывалась десятилетие, и в 2016 году инженерам Intel удалось изменить ориентацию плавающего затвора, что и позволило хранить по 4 бита на ячейку с общим объёмом 384 Гб на ядро.

Kioxia представила 5-е поколение BiCS FLASH на 112 слоёв

Компания Kioxia, бывшая Toshiba, вместе со своим технологическим и производственным партнёром Western Digital Corp, представили миру пятое поколение трёхмерной памяти BiCS FLASH, состоящей из 12 слоёв.

Память BiCS5 изготавливается по технологиям с тремя (TLC) и четырьмя (QLC) хранимыми битами на ячейку, обеспечивая превосходную производительность, ёмкость и надёжность за разумную цену.

Микросхемы памяти BiCS5 от Kioxia

Поставку образцов новой памяти Kioxia планирует начать в I квартале. Это будут 512 Гб чипы TLC специального назначения. В коммерческих объёмах память будет поставляться во втором полугодии и получит своё применение в широком спектре традиционных накопителей, средствах связи 5G и системах ИИ. В дальнейшем компания планирует увеличить ёмкость микросхем до 1 Тб TLC и 1,33 Тб для QLC.

Переход к новому поколению заставил инженеров сильно уплотнить структуры внутри микросхемы. Это масштабирование, наряду с переходом к 112-слойной структуре, позволило увеличить плотность данных на «блине» на 40%, по сравнению с «блинами» 96-слойной памяти. Также это обеспечило рост производительности ввода-вывода в BiCS5 на 50%, по сравнению с BiCS4.

Phison продемонстрировала прототип M.2 SSD объёмом 8 ТБ

Компания Phison на выставке CES похвасталась тем, что сумела уменьшить размер своего контроллера SSD, а это позволит значительно увеличить объём твердотельных накопителей формата M.2 NVMe до 8 ТБ, а SATASSD — до 16 ТБ.

Компания Phison стала первой, выпустившей контроллеры для шины PCIe 4.0, а потому она уже успела провести некоторые оптимизации чипа E12. Грамотный инжиниринг позволил уменьшить размер пакета контроллера, несмотря на то, что при его производстве по-прежнему применяется процесс 28 нм. Новый контроллер E12S занимает на SSD меньше места, что позволяет производителям разместить на плате накопителя больше пакетов NAND.

Фронтальная сторона референсного SSD на базе Phison E12S

Как известно, Phison не производит накопители, но это не отрицает возможности подготовки референсного решения. Компания представила NVMe-SSD с новым контроллером и 96-слойной QLC-памятью от Micron. На каждой стороне платы размещены по четыре чипа памяти, ёмкостью 1 ТБ каждый. Вместе это даёт 8 ТБ.

Контроллер E12S работает по интерфейсу PCIe 4.0×4 и обеспечивает скорости чтения/записи в 3500/3000 МБ/с при последовательном доступе и 490K/680K IOPS при случайном.

Тыльная сторона референсного SSD на базе Phison E12S

Ожидается, что подобная конструкция SSD будет появляться у многих производителей, так что дебют контроллера на рынке состоится через несколько месяцев.

Цены на память NAND в этом году могут заметно возрасти

Сайт DigiTimes, ссылаясь на свои собственные источники, сообщает, что в 2020 году цена на флэш-память типа NAND может вырасти на 40%.

Источники, сообщившие данную информацию, тесно связаны с крупнейшими игроками отрасли, такими как SK Hynix, Micron и Samsung. Если этот прогноз окажется верен, то пользователей ожидает заметное подорожание всех связанных продуктов, начиная от твердотельных накопителей, и заканчивая смартфонами.

Кроме того, компания Samsung столкнулась с минутным отключением электроэнергии на заводе, производящем микросхемы DRAM и NAND, что привело к убыткам на миллионы долларов, и, ожидаемо, недопоставкам памяти на рынок.

Этот инцидент также может повлиять на рост цен на NAND-память в 2020 году. Кроме того, отмечается риск неэффективной поставки материалов, применяемых для производственных линий NAND, либо просто неверное соотношение спроса и предложения, что может долгосрочно влиять на стоимость памяти.

Samsung анонсирует первые в мире чипы LPDDR4X объёмом 24 Гб

Компания Samsung объявила, что смогла создать первый в мире мультичиповый пакет памяти LPDDR4X на основе формата UFS. Этот пакет имеет объём 12 ГБ и уже готов к началу поставок.

Модуль 12 GB uMCP LPDDR4X будет производиться по 1y-нанометровому процессу. В нём комбинируются 4 чипа LPDDR4X объёмом по 24 Гб каждый и NAND накопитель eUFS 3.0. Всё это заключено в едином пакете.

Компания отмечает, что использование данных пакетов позволит предложить 12 ГБ оперативной памяти не только для смартфонов хай-энд класса, но и для телефонов среднего уровня. Этот объём необходим, поскольку производители смартфонов применяют экраны всё большего разрешения, и компаниям просто необходимо увеличение доступной ОЗУ, чтобы обеспечить высокую производительность и многозадачность.

Пакет Samsung 12 GB uMCP LPDDR4X

Новая технология предлагает полуторное увеличение ёмкости оперативной памяти, по сравнению с прошлым поколением, при сохранении скорости в 4266 Мб/с. Этого достаточно для видео в разрешении 4K и средств искусственного интеллекта.

Модули Samsung 12 GB uMCP LPDDR4X уже находятся в массовом производстве. Их поставки заказчикам начнутся в ближайшее время.

Micron изготовила 128-слойную NAND-память

Компания Micron Technology сообщила, что смогла изготовит память 3D-NAND четвёртого поколения со 128-ю слоями.

Данная разработка открывает возможность изготовления более плотных продуктов уже в следующем году. В четвёртом поколении 3D-NAND компания Micron продолжает использовать конструкцию КМОП-под-массивом, однако применяет технологию заменяемого затвора вместо плавающего, которая используется уже несколько лет. Сейчас компания массово производит 96-слойную флэш-память 3D-NAND с физическим слоем TLC, несмотря на готовность QLC-памяти.

Пластины с чипами памяти Micron

Компания отмечает, что новая 128-слойная память будет применяться ограниченно и не достигнет тех уровней популярности, как 96-слойные чипы. В компании более сконцентрированы на эволюции, возможно, пятом поколении 3D-NAND, которое даст заметное снижение себестоимости, вызванное переходом к более тонкой технологии производства, а также использованием более новых технологий, наряду с заменяемым затвором. Однако это произойдёт лишь в 2021 финансовом году.

Производители NAND ожидают высокий спрос со стороны ЦОД

Поставщики микросхем NAND-памяти начали ускорять темп своего производства на фоне ожидаемого интереса к такой памяти со стороны промышленного сектора и центров обработки данных.

Ожидается, что спрос на NAND-накопители для промышленности и ЦОД вырастет в первой половине 2020 года и сохранит тенденцию в течение всего следующего года, сообщает DigiTimes. Это связывают с развитием 5G и прогнозируют взрывной рост трафика до 20 ЗБ после коммерческого запуска этих сетей.

Источник отмечает, что уже сейчас такие компании как Samsung, Toshiba Memory, Micron Technology, Intel и SK Hynix готовятся к данному событию.

3D NAND память от Samsung

Лидер индустрии Samsung уже анонсировал массовое производство SATA SSD объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND. Во второй половине года компания готовится выпустить более быструю память V-NAND большей ёмкости.

Что касается Toshiba Memory, то она представила XL-Flash с низкими задержками и высокой производительностью. Эта память предназначена именно для коммерческого применения. Опытные образцы этой памяти появились в сентябре, а массовое производство начнётся в 2020 году.

Тем не менее, несмотря на продолжающейся рост плотности NAND-памяти, цены на неё продолжают падать, что негативно сказывается на всём рынке. По данным аналитической организации ChinaFlashMarket, мировой рынок NAND флэш-памяти в этом году составит 43 миллиарда долларов. Цены на NAND-память в первом полугодии снизились на 30%.