Новости про NAND

Samsung начинает массовое производство 96-слойной памяти NAND

Ведущий производитель твердотельной памяти, компания Samsung, приступила к массовому производству памяти V-NAND пятого поколения.

Данная память позволит увеличить объёмы накопителей. Новая память объёмом 256 Гб состоит из стеков в 96-слоёв. Эта память стала первой в истории, использующей интерфейс Toggle DDR 4.0, который работает как высокоскоростной транспорт для передачи данных между накопителем и памятью на скорости в 1,4 Гб/с. Это на 40% быстрее, чем прошлое 64-слойное поколение памяти. Другое усовершенствование в скорости связано с уменьшением времени записи на 30% до 500 мкс и снижением времени чтения до 50 мкс.

96-слойная V-NAND память от Samsung
96-слойная V-NAND память от Samsung

Кроме того, выросла и энергоэффективность чипов. Новая память работает на напряжении 1,2 В, в то время как 64-слойной требовалось напряжение 1,8 В.

В пресс-релизе южнокорейский гигант заявил, что выпустит новые чипы на рынок как можно скорее. Изначально они будут представлены 256 Гб TLC модулями, а позднее будут подготовлены 1 Тб QLC модели.

Цены на NAND продолжат падение

Сайт DigiTimes после очередного анализа рынка опубликовал прогноз, согласно которому цены на 3D NAND память продолжат снижение и в третьем квартале на фоне увеличения поставок.

Ранее обозреватели полагали, что во втором полугодии цены на память стабилизируются, но теперь прогноз изменился.

Новые производственные мощности, введённые на волне миграции на технологию 3D NAND, приведут к перепроизводству. По мере того, как производители продолжат наращивать объёмы выпуска своей более совершенной продукции, поставки продолжат расти и в третьем квартале.

3D NAND память от Micron
3D NAND память от Micron

Спрос на NAND оказался не столь высоким, чтобы ответить ёмкостям производства, и эта тенденция сохранится и на третий квартал. Спрос на смартфоны не повышается так быстро, как ожидалось. В то же время продолжающая поступать на рынок память ведёт к снижению её стоимости. Ещё в начале года производители ожидали высокий спрос на NAND, а потому делали большими складские запасы, и теперь, на фоне низкого спроса и больших остатков на складах, цена продолжит снижаться.

В 2021 году NAND память будет иметь более 140 слоёв

Сейчас самая технологичная память представлена стеками по 64 слоя, однако в ближайшие годы этот процесс получит значительные усовершенствования.

По информации Applied Materials, к 2021 году стек памяти NAND будет представлен 140 слоями, и даже больше. Компания Applied Materials, расположенная в США, занимается поставкой оборудования, сервисом и ПО для производителей полупроводниковых чипов. Она уверяет, что слоёв будет не только больше, но они станут тоньше. Так, сейчас толщина всех стеков составляет 55 нм, а к 2021 году она составит 45 нм.

Дорожная карта 3D NAND от Applied Materials
Дорожная карта 3D NAND от Applied Materials

Сейчас Toshiba и Western Digital работают над 96-слойной памятью BiCS 3D NAND. Её опытное производство начнётся в течение года. 5-е поколение 3D NAND от Samsung также будет иметь 96 слоёв. В 2020 году память будет иметь по 120 слоёв, а к 2021 — 140. Но поскольку их число кратно восьми, то стоит говорить о 128 и 144 слоях.

В дорожной карте Applied Material ничего не говорится об их возможном объёме, однако ранее Samsung анонсировала разработку чипа объёмом 1 терабит. Сейчас 64-слойные чипы уже имеют объём 512 гигабит.

Micron и Intel создают терабайтный QLC 3D NAND чип

Компании Intel и Micron продолжают укреплять своё сотрудничество, плодом которого стала 3D память NAND, хранящая по 4 бита на ячейку.

Партнёрам удалось создать 64-слойную структуру, достигнув плотности 1 Тб на ядро, что является самым плотным решением среди всей флеш-памяти в мире.

Micron
Micron

Также компании сообщили о разработке третьего поколения памяти 3D NAND представленной 96 слоями. Она обеспечит 50% увеличение числа слоёв и сохранит союзу Intel/Micron место на передовой NAND технологий.

Обе анонсированные технологии используют методику CuA — CMOS under the array, которая сокращает размер ядра и распараллеливает потоки подключения, позволяя увеличить количество одновременно считываемых и записываемых ячеек.

Samsung, SK Hynix и Micron обвиняются в сговоре

В течение 2017 года мы наблюдали рост цен на чипы оперативной и NAND. Каждый раз обозреватели говорили о растущем спросе и дефиците, ведущему к подорожанию, однако люди всё равно продолжали приобретать память.

В конце года экономический регулятор Китая начал расследование касательно высокой стоимости памяти. Теперь же и другие агентства решают присоединиться к процессу, подав иск на Samsung, SK Hynix и Micron.

Эти три компании являются крупнейшими производителями DRAM. Иск подан адвокатской конторой Hagens Berman в Калифорнии. Согласно этому иску все три компании обвиняются в коллективном ограничении поставок и незаконном раздувании цены.

Микросхема памяти Micron

В качестве доказательства иск приводит скачки цен на память в прошлом году, в результате которых цены на DRAM выросли на 47%, считая эти изменения неслучайными.

Стив Берман, один из адвокатов, сделал заявление: «То, что мы нашли на рынке DRAM — классическая монополия, схема фиксации цены, с малым количеством лидирующих корпораций держащих львиную долю рынка. Вместо игры по правилам, Samsung, Micron и Hynix решили придушить клиентов, выдавив из рынка больше прибыли».

Что касается самих виновников дела, то пока ни Micron, ни Samsung, ни SK Hynix не дали своих комментариев.

Цены на память NAND снижаются

Радостная новость для тех, кто хочет себе приобрести твердотельный накопитель, ну или просто обновить гаджет. Впервые после долгих месяцев объёмы производства твердотельной памяти стали незначительно превышать спрос, что позволит цене на NAND память опуститься по результатам второго квартала.

Небольшое перепроизводство уже повлияло на цены на память NAND. В первом квартале наблюдалось незначительное снижение цены, которое сохранится и во втором.

3D NAND память Samsung

А вот во второй половине 2018 года поставки NAND будут в дефиците, поскольку ожидается повышение спроса со стороны оптовых дистрибьюторов. В то же время рынок конечных устройств достигнет пика своих продаж также во второй половине года. Это произойдёт на фоне постоянного увеличения объёма памяти в смартфонах. После этого цены на NAND флеш-память должны стабилизироваться.

Также аналитики отмечают, что китайский стартап Yangtze Memory Technologies Company (YMTC), который активно продвигается на рынке памяти, до 2019 года не повлияет на мировой рынок NAND.

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

IM Flash

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Поставки памяти NAND улучшатся в следующем году

Аналитики DigiTimes, традиционно ссылаясь на промышленные источники, сообщили, что поставки твердотельной NAND памяти должны улучшиться в 2018 году, по сравнению 4 кварталом текущего года.

Эти прогнозы не удивительны. Уходящий год оказался довольно дефицитным в плане памяти NAND и DDR, и многие компании увеличили производство микросхем соответствующих типов. Но даже так они не смогли удовлетворить все заявки, а потому поставки памяти растянулись во времени, а её цена выросла.

Чип NAND

Однако новые производственные мощности, построенные компаниями, должны ослабить отпускные цены уже в первом квартале 2018 года, что приведёт и к снижению розничных цен.

Также аналитики отметили, что увеличение объёмов производства связано не только с расширением производственных мощностей, но и с началом производства более технологичной памяти, например, 3D NAND, которая также станет доступнее для потребителей.

Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane

Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Samsung Z-SSD

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

Спецификации SSD Samsung SZ985

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.

Western Digital анонсирует X4 память для SSD

Компания Western Digital объявила об успешном выпуске 64-слойной 3D NAND памяти, хранящей 4 бита на ячейку (также известной как X4), изготовленной по технологии BiCS3.

По словам компании, выпущенные чипы могут хранить 768 гигабит (96 ГБ), что на 50% больше, чем 512 гигабитные TLC чипы.

Микросхемы WD X4 3D NAND созданы благодаря наработкам компании в двумерной X4 NAND памяти. Однако больше всего компания гордится тем, что производительность её памяти QLC ничем не уступает памяти TLC. Это означает, что пользователи могут не сильно беспокоиться о скорости, а просто наслаждаться большим доступным объёмом памяти.

3D NAND от WD

Твердотельные накопители, построенные на чипах WD X4 3D NAND, должны появиться на полках магазинов уже в следующем году, однако пока никаких официальных заявлений на этот счёт не было. При этом Western Digital пообещала показать первые SSD на базе X4 памяти уже  в августе в ходе Flash Memory Summit.

Кроме того, данный процесс открывает возможность изготовления 96-слойных BiCS4 чипов. Похоже, что WD делает большую ставку на SSD, которые вскоре станут основным накопителем не только для высокопроизводительных систем, но и для хранения пользовательских данных, где сейчас царят жёсткие диски.