Новости про 4D-NAND

Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.

Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.

Чипы описываются как «первые в мире 238-слойные 512 Гб чипы памяти TLC 4D-NAND», и они должны поступить в массовое производство в первой половине 2023 года.

По сравнению с нынешней 176-слойной памятью, новая NAND предлагает на 50% большую скорость передачи данных (2,4 Гб/с), на 21% большую энергоэффективность при чтении данных и 34% прирост общей производительности.

Выпустив новые модули, компания сможет вернуть себе лидерство в этой отрасли, которое сейчас занимает Micron с 232 слоями.

Представленная память позволит увеличить объём накопителей и снизить их себестоимости за счёт увеличения количества слоёв и архитектуры 4D. В этой архитектуре логическая цепь расположена под ячейками памяти, что позволяет «уменьшить размер ячейки, повысив эффективность продукта».