Новости про Micron

Micron представила промышленную карту microSD высокой ёмкости

Компания Micron представила карту памяти microSDXC UHS-I модели i300, которая по словам самих разработчиков является самой ёмкой картой памяти промышленного назначения.

Карта i300 предназначена для работы в системах видеонаблюдения и прочих промышленных системах, системах ИИ и камерах высокого разрешения. Она основана на 96-слойной памяти 3D-QLC, что позволяет удешевить производство и максимизировать объём. Карта предназначена для работы в высоконагруженных условиях в режиме 24/7 и обеспечивает наработку на отказ в 2 миллиона часов, вдвое больше, чем предлагают жёсткие диски. Кроме того, вместе с картой предлагается специальный инструмент, который контролирует её состояния и предупреждает о возможном выходе из строя.

Карта памяти Micron i300
Карта памяти Micron i300

Карта Micron i300 предлагается в объёмах от 128 до 1 ТБ. Скоростные характеристики производитель не называет, но учитывая класс A2, можно смело утверждать, что запись осуществляется на скорости не менее 10 МБ/с.

Micron анонсирует «самый быстрый в мире SSD»

Компания Micron является разработчиком энергонезависимой памяти 3D XPoint, которая должна заполнить пробел между быстрой DRAM и относительно медленной NAND. Эта память была передана Intel, которая создала накопитель Optane на её основе. Однако Micron разработала собственную память XPoint. Имея в распоряжении новый тип памяти, компания выпустила продукт Micron X100 SSD.

Память XPoint гипотетически может выполнять 2,5 миллиона операций ввода-вывода в секунду. Сама же Micron уверяет, что накопитель X100 работает более чем в три раза быстрее современных SSD. Что касается пропускной способности, то компания говорит о 9 ГБ/с при чтении, записи и смешанном типе работы по интерфейсу PCIe 3.0 x16. Да, это устройство не предназначено для шины PCIe 4.0, но поскольку X100 нацелен на серверы, то вполне логично использовать именно третью версию шины, поскольку большинство серверов ещё не обновлены.

SSD Micron X100. Главный вид
SSD Micron X100. Главный вид

Ещё одной важной особенностью памяти XPoint являются низкие задержки. Так, SSD X100 демонстрирует в 11 раз меньшие задержки при записи, по сравнению с SSD на основе NAND-памяти.

Печатная плата накопителя Micron X100
Печатная плата накопителя Micron X100

Компания Micron планирует поставлять накопители X100 избранным клиентам уже в IV квартале этого года. Общедоступным он будет уже в 2020 году. К сожалению, компания ничего не сообщила о ёмкости и цене накопителя.

Micron устанавливает рекорд разгона DDR4 в 6024 МГц

Частоты оперативной памяти в 3200 МГц являются, фактически, стандартом современных компьютеров, однако ещё 3 года назад таким же стандартом считалась частота в 1600 МГц для DDR3.

На развитие скоростей работы оперативной памяти сильно влияют результаты разгона. Ещё год назад все говорили о рекорде в 5 ГГц, а уже сейчас такую память можно купить в магазине. Изначально частота DDR4 составляла 2133 МГц, но теперь компания Micron сообщает о превышении порога частота DDR4 в 6 ГГц.

Модули памяти Crucial Elite
Модули памяти Crucial Elite

Модуль памяти Elite DDR4 4000 8 GB был разогнан до частоты 6024 МГц. Разгон осуществлялся на материнской плате ASUS X570 ROG Crosshair VIII Impact с процессором Ryzen 5 3600X, который работал на базовой тактовой частоте 2209 МГц. Тайминги при этом составили 30-27-27-58-127-1.

Подтверждение разгона DDR4 до 6024 МГц
Подтверждение разгона DDR4 до 6024 МГц

Результаты разгона подтверждены CPU-Z.

Micron изготовила 128-слойную NAND-память

Компания Micron Technology сообщила, что смогла изготовит память 3D-NAND четвёртого поколения со 128-ю слоями.

Данная разработка открывает возможность изготовления более плотных продуктов уже в следующем году. В четвёртом поколении 3D-NAND компания Micron продолжает использовать конструкцию КМОП-под-массивом, однако применяет технологию заменяемого затвора вместо плавающего, которая используется уже несколько лет. Сейчас компания массово производит 96-слойную флэш-память 3D-NAND с физическим слоем TLC, несмотря на готовность QLC-памяти.

Пластины с чипами памяти Micron
Пластины с чипами памяти Micron

Компания отмечает, что новая 128-слойная память будет применяться ограниченно и не достигнет тех уровней популярности, как 96-слойные чипы. В компании более сконцентрированы на эволюции, возможно, пятом поколении 3D-NAND, которое даст заметное снижение себестоимости, вызванное переходом к более тонкой технологии производства, а также использованием более новых технологий, наряду с заменяемым затвором. Однако это произойдёт лишь в 2021 финансовом году.

Micron начинает массовое производство 16 Гб чипов DRAM по технологии 1z нм

Компания Micron объявила о своих достижениях в масштабировании памяти DDR4, достигнув объёма 16 Гб при использовании техпроцесса 1z нм.

Это значит, что кристаллы изготавливаются с размерами элементов от 13 до 10 нанометров. В компании сообщают, что новая память предлагает «заметно большую плотность», а также «значительное увеличение производительности при меньших затратах», по сравнению с поколением 1Y нм. Новая память предназначена для создания продуктов для настольных компьютеров (DDR4), мобильных компьютеров (LPDDR4) и графических продуктов (GDDR6). Также новая память будет использована в системах искусственного интеллекта, беспилотных автомобилях, 5G, мобильных устройствах, графической, игровой и сетевой инфраструктуре и серверах.

UFS-модуль от Micron
UFS-модуль от Micron

В Micron заявили, что 16 Гб чипы DDR4, изготовленные по 1z нм нормам обеспечивают снижение энергопотребления на 40%, по сравнению с продуктами объёмом 8 Гб.

Также компания сообщила о начале массового производства самой ёмкой (LPDDR4X) DRAM в мультичиповых пакетах на основе UFS (uMCP4). Эти пакеты разработаны для производителей мобильных устройств и позволяют обеспечивать смартфоны оперативной памятью до 16 ГБ в одном пакете.

Память Ballistix установила новый рекорд разгона DDR4

В пятницу мы сообщали о том, что Adata установила новый рекорд разгона ОЗУ, однако он продержался лишь пару дней, поскольку Micron смогла с лёгкостью обойти конкурентов, продемонстрировав производительность 5726 МТ/с.

Рекорд установлен на памяти Ballistix Elite 3600MT/s, игровом бренде компании Micron. Модули DDR4 удалось разогнать до 5726 МТ/с. Это на 79% больше спецификации JEDEC для 3200 МТ/с.

Оперативная память Ballistix
Оперативная память Ballistix

К сожалению, оверклокеры ничего не стали рассказывать о процессе установки рекорда. Отмечено, что задержки CAS были установлены на уровне CL24, как и в большинстве рекордных разгонов. В качестве платформы была выбрана материнская плата ASUS Maximus XI Apex с процессором Intel i7-8086K и охлаждением жидким азотом.

Также оверклокер Savvopoulos отметил, что Elite 3600 позволила установит рекорд очень легко: «Нас просто ошеломило, как удивительно легко было разгонять модули Ballistix Elite DDR4 3600 МТ/с. Другие модули, что мы разгоняли, были темпераменты и требовали тренировки и понижения температуры для повышения стабильности; но мы не ожидали, что Micron E-die намного лучше масштабируется на более высоких напряжениях и температурах. В общем, это было достаточно просто — подключи и работай».

Micron выпускает первый SSD на контроллере собственной разработки

Компания Micron выпустила новый твердотельный накопитель с интерфейсом NVMe, который предлагается в объёме от 256 ГБ до 1 ТБ.

По сравнению с прошлыми SATA накопителями, новая модель предлагает заметный прирост производительности. Накопитель Micron 2200 изготовлен в формате M.2 и подключается по шине PCIe. В его основе лежит память 3D TLC NAND, собственный ASIC контроллер памяти и прошивка к нему.

Говоря о скорости можно отметить, что Micron 2200 при последовательном доступе обеспечивает скорость чтения на уровне 3 ГБ/с и записи на скорости 1,6 ГБ/с. При случайном доступе чтение осуществляется на скорости 240 000 IOPS, а записи — 210 000 IOPS. Поэтому разработчики рекомендуют использовать эти SSD для вещания видео или его редактирования.

Твердотельные накопители Micron
Твердотельные накопители Micron

Для ускорения записи в накопителе применён высокопроизводительный кэш. Часто, для высокой скорости записи используют «кэш» на базе памяти SLC, хотя обычно это выделенная область памяти с доступом, как у SLC.

Кроме неплохой производительности новый накопитель обеспечивает самоуправление энергопотреблением, а температурный менеджмент хост-контроллера не позволяет перегреваться самому и нагревать окружающие компоненты платы.

Накопитель уже рассылается по магазинам, но, к сожалению, цена пока не называется.

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba
Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Micron анонсирует карту памяти объёмом 1 ТБ

Компания Micron Technology выпустила новый накопитель, который она назвала самой ёмкой в мире картой памяти microSD. Её объём составляет 1 ТБ.

Карта памяти Micron c200 1TB соответствует стандарту microSDXC UHS-I. В её основе лежит 96-слойная 3D NAND QLC память. В компании сообщили, что ожидают от QLC памяти скорейшего внедрения и снижения стоимости высокоёмких портативных накопителей для видео разрешением 4K, большого числа фотографий и игр на всём спектре мобильных устройств и камер.

Карта памяти microSDXC Micron c200 1TB
Карта памяти microSDXC Micron c200 1TB

Сообщается, что представленная карта соответствует классу производительности в приложениях A2, что делает её прекрасным решением для установки в Android-гаджет по технологии Android Adoptable storage, расширив встроенную память устройства на эту карту.

Накопитель Micron c200 1TB обеспечивает скорость чтения до 100 МБ/с, а записи — до 95 МБ/с, отвечая требованиям UHS-I Speed Class 3 и Video Speed Class 30. В продаже карта появится во втором квартале 2019 года.

Micron начинает массовое производство памяти LPDDR4X

Компания Micron приступила к массовому производству памяти LPDDR4X по технологии 10 нм класса.

Данная технология производства позволяет компании выпускать 12 Гб чипы. В компании уверяют, что эти LPDDR4X микросхемы потребляют на 10% меньше энергии, по сравнению с LPDDR4-4266, в связи с меньшим выходным напряжением. При этом пропускная способность остаётся неизменной — 4266 Мб/с, а уменьшение габаритов позволяет увеличить количество устанавливаемых в устройство чипов.

Чипы LPDDR4
Чипы LPDDR4

Новые микросхемы от Micron имеют объём 1,5 ГБ. Это меньше, чем предлагаемые конкурентами аналоги объёмом 2 ГБ, однако решения Micron намного дешевле в производстве. Другие производители уже достаточно давно выпускают подобную память, но лучше позже, чем никогда.

Чипы LPDDR4X от Micron уже доступны для заказа, что многие производители портативных устройств уже и сделали.