Новости про Micron

Micron говорит о 20 Гб/с для GDDR6

Похоже, что компания Micron сможет с лёгкостью обойти стандарт JEDEC, где указывается пропускная способность GDDR6 в 14 Гб/с. Чтобы достичь 20 Гб/с нужно будет немного повысить напряжение.

Согласно свежему исследованию Micron, названному «16 Гб/с и больше с SingleEnded I/O в высокопроизводительной памяти для графики», память GDDR6 можно легко масштабировать со скорости 16,5 Гб/с при помощи «маленького, но полезного подъёма напряжения при вводе-выводе». Так можно достичь скорости 20 Гб/с, по крайней мере, на бумаге.

Офис Micron
Офис Micron

Также документ гласит, что результат в 16,5 Гб/с демонстрирует полную функциональность DRAM, которая может быть резко поднята ограничением таймингов непосредственно в массиве памяти, а скорость в 20 Гб/с была достигнута переводом памяти в специальный режим работы, который использует только ввод-вывод, обходя массив памяти.

Конечно, в ближайшее время мы не увидим памяти GDDR6 со скоростью 20 Гб/с. Недавно Samsung анонсировала память GDDR6 со скоростью 18 Гб/с. В любом случае, даже 14 Гб/с память даст значительный прирост в производительности видеокарт.

Micron начинает массовое производство памяти GDDR6

Компания Micron Technology анонсировала начало массового производства 8 Гб микросхем памяти GDDR6, которая оптимизирована для нагрузок, характерных для быстрого обмена данными, включая, искусственный интеллект, сетевые устройства, автомобильную электронику и графические платы.

Кроме этого Micron ведёт работу с ключевыми партнёрами экосистемы по разработке документации GDDR6 и взаимодействию, обеспечивая более быстрый выход памяти на рынок.

Память GDDR6 от Micron
Память GDDR6 от Micron

Данная работа велась как на этапе разработки, так и на этапе валидации продукции. Память нового типа обеспечит значительный прирост производительности при снижении энергопотребления.

Micron и Intel создают терабайтный QLC 3D NAND чип

Компании Intel и Micron продолжают укреплять своё сотрудничество, плодом которого стала 3D память NAND, хранящая по 4 бита на ячейку.

Партнёрам удалось создать 64-слойную структуру, достигнув плотности 1 Тб на ядро, что является самым плотным решением среди всей флеш-памяти в мире.

Micron
Micron

Также компании сообщили о разработке третьего поколения памяти 3D NAND представленной 96 слоями. Она обеспечит 50% увеличение числа слоёв и сохранит союзу Intel/Micron место на передовой NAND технологий.

Обе анонсированные технологии используют методику CuA — CMOS under the array, которая сокращает размер ядра и распараллеливает потоки подключения, позволяя увеличить количество одновременно считываемых и записываемых ячеек.

DDR5 появится в 2020 году

Ассоциация JEDEC этим летом должна завершить спецификацию памяти DDR5. Несмотря на это некоторые производители уже имеют промышленные образцы памяти этого типа.

Изначально, памяти DDR5 должна иметь частоту в диапазоне от 4400 МГц до 6400 МГц. Однако главным изменением в этой памяти станет не производительность, а объём. Ожидается, что каждое ядро микросхемы будет иметь объём до 32 Гб.

Прототип DDR5 от Cadence
Прототип DDR5 от Cadence

Дело в том, что на рынке имеется высокий спрос на память, и современные задачи требуют большого объёма ОЗУ. Однако серверы физически могут работать лишь с ограниченным количеством модулей. Новый стандарт позволит производителям изготавливать микросхемы объёмом 16 Гб и 32 Гб со встроенной коррекцией ошибок. То есть подсистема памяти получит собственную ECC. Стандарт призван оптимизировать внутреннюю сегментацию и уменьшить тайминги. Кроме увеличения ёмкости ядра до 32 Гб память DDR5 унифицирует создание стеков, что облегчит производителям создание многоядерных чипов.

Пока использование памяти DDR5 видится только в серверах. Ожидается, что первое применение памяти DDR5 произойдёт в 2019/2020 годах, а её внедрение окажется стремительным. В Cadence, имеющей работающие чипы памяти нового типа, считают, что DDR5 обойдёт DDR4 к 2020 году.

Samsung, SK Hynix и Micron обвиняются в сговоре

В течение 2017 года мы наблюдали рост цен на чипы оперативной и NAND. Каждый раз обозреватели говорили о растущем спросе и дефиците, ведущему к подорожанию, однако люди всё равно продолжали приобретать память.

В конце года экономический регулятор Китая начал расследование касательно высокой стоимости памяти. Теперь же и другие агентства решают присоединиться к процессу, подав иск на Samsung, SK Hynix и Micron.

Эти три компании являются крупнейшими производителями DRAM. Иск подан адвокатской конторой Hagens Berman в Калифорнии. Согласно этому иску все три компании обвиняются в коллективном ограничении поставок и незаконном раздувании цены.

Микросхема памяти Micron

В качестве доказательства иск приводит скачки цен на память в прошлом году, в результате которых цены на DRAM выросли на 47%, считая эти изменения неслучайными.

Стив Берман, один из адвокатов, сделал заявление: «То, что мы нашли на рынке DRAM — классическая монополия, схема фиксации цены, с малым количеством лидирующих корпораций держащих львиную долю рынка. Вместо игры по правилам, Samsung, Micron и Hynix решили придушить клиентов, выдавив из рынка больше прибыли».

Что касается самих виновников дела, то пока ни Micron, ни Samsung, ни SK Hynix не дали своих комментариев.

Поставки DRAM остаются напряжёнными

Сайт DigiTimes сообщает, что снижения цен на оперативную память в ближайшее время ждать не придётся, поскольку сохраняется дефицит на общемировом рынке.

Сейчас средняя мировая цена на 4 ГБ модули DDR4 мейнстрим уровня составляет 33 долларов США, а пиковая — 34. По сравнению с IV кварталом 2017 года это выше на 5%.

Логотип Micron
Логотип Micron

При этом 20 марта на заводе Micron Memory Taiwan произошёл масштабный сбой в работе газового оборудования. Вышедший из строя компонент газовой станции, находящийся за пределами предприятия, привёл к прекращению подачи азота в цехи. Эта авария повлияла на производственные возможности компании. Система подачи газа уже отремонтирована, а производство восстановлено в первой половине апреля.

Этот факт также приведёт к удорожанию памяти на фоне всевозрастающей её нехватки. По мнению аналитиков, авария на заводе Micron приведёт к дальнейшему росту цены на память во II квартале ещё на 3%.

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

IM Flash

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Micron завершила разработку GDDR6

Компания Micron выпустила пару изменений в дорожной карте памяти GDDR, сообщив о готовности к массовому производству GDDR6.

Кроме того, компания отметила начало производства 8 Гб чипов GDDR5 по наиболее совершенному техпроцессу 1x нм.

Память Micron

Что касается GDDR6, то компания сообщила о завершении квалификации устройств, что делает её лидером в этой отрасли. В Micron отметили, что массовое производство видеопамяти нового типа начнётся через несколько месяцев. Первые микросхемы памяти поступят производителям видеокарт, которые будут использовать их в решениях для автомобильной электроники и сетевых систем. Остальные потребители получат GDDR6 несколько позднее.

Вначале Micron сосредоточится на чипах памяти GDDR6 со скоростью 12 Гб/с и 14 Гб/с. Позднее скорость памяти будет увеличена до 16 Гб/с.

Micron избавляется от Lexar

Помните Lexar, американского производителя карт памяти? Он был известен картами памяти CompactFlash для фотоаппаратов. Затем, в 2006 году, эта компания была куплена Micron, а бренд был объединён с Crucial в виде Lexar Media, работавшей как дочерняя Micron фирма.

После этого компания продолжала реализовывать решения на базе флэш-памяти, включая карты CF, SD и USB накопители.

MicroSD карта от Lexar

Однако теперь родительская компания Micron Technology объявила о прекращении продаж сменных накопителей под маркой Lexar. Данное решение было принято как часть стратегии Micron по концентрации на более прибыльных рынках. При этом Micron планирует продать часть или весь бизнес Lexar.

Компания пообещала продолжить поддержку нынешних клиентов в течение всего периода смены владельца.

Micron выпустит память GDDR6 к концу года

Память типа GDDR по-прежнему популярна, даже не смотря на выпуск уже второго поколения высокоскоростной памяти HBM. Компания Micron готовит память GDDR6 к концу этого года. Новые модули, по сравнению с пятым поколением, будут быстрее и энергоэффективнее.

Данная память будет являться дальнейшим развитием GDDR5X, но с вдвое большей пропускной способностью, чем у GDDR5 и GDDR5X, а именно — 16 Гб/с и 12 Гб/с соответственно. В Micron на память GDDR6 и GDDR5X возлагают большие надежды. Компания считает, что эта память будет основной для видеокарт до 2020 года.

Micron GDDR6

Micron GDDR6

Также в компании полагают, что новая память найдёт себе применение не только в графических платах. В любом случае, ей предрекают большую популярность. Кроме повышенной скорости GDDR6 будет обладать на 20% большей энергоэффективностью. К концу десятилетия электронным спортом будут увлекаться 500 миллионов человек, а игровые ПК будут обновляться раз в три года, что быстрее пятилетнего цикла прошлого.

Micron GDDR6

Когда же будут выпущены первые графические платы с памятью GDDR6 пока неизвестно. В Micron планируют начать коммерческое производство этих чипов в 2018 году, однако надеются на ускорение графика и завершение работ уже в текущем году.