Новости про Hynix

По сравнению с нынешним поколением графической памяти, память GDDR7 обладает большей энергоэффективностью и более широкой пропускной способностью. Такие компании, как, NVIDIA и AMD, уже уготовляться использовать новую память в своих ближайших продуктах.

Ключевые изменения в GDDR7 включают:

• Независимая от ядра палитра тренировки регистра линейно-обратного смещения с маскировкой визуальных ошибок и счётчиком ошибок для улучшения тренировки и снижения её имени.
• Удвоение количества независимых каналов с двух в GDDR6 до четырёх GDDR7.
• Поддержка плотностей от 16 Гб до 32 Гб, включая двухканальный режим для удвоения ёмкости.
• Интеграция функционала, который требует рынок, включая ECC на ядре с отчётом в реальном времени, искажение данных, проверка ошибок и паритетность адресации команд с блокировкой.

Лидеры рынка, включая SK Hynix, Micron и Samsung уже готовы к началу массового производства памяти GDDR7.

В настоящее время стеки HBM включают от 8 до 16 слоёв, в то время как слой логики выполнен в виде центрального хаба. Специальная шина связывает память и кристалл логики интерфейсом 1024 бита. Новая стратегия SK Hynix предполагает прямое размещение слоёв HBM4 на процессоре, исключая необходимость шины. Этот концепт подобен технологии AMD 3D V-Cache, где осуществляется прямая интеграция CPU и кэш-памяти. При этом HBM4 должна обеспечивать большую ёмкость и энергоэффективность в ущерб производительности. Сотрудничество между SK Hynix и рядом разработчиков процессоров, без собственных производств, включая NVIDIA, сфокусировано на разработке методологии интеграции HBM4. Используя технологии связи слоёв от TSMC, SK Hynix хочет унифицировать память HBM4 с чипами логики в единой конструкции, обеспечив синхронизацию полупроводников памяти и логики на одном ядре.

Новая память HBM4 получит интерфейс шириной 2048 бит, что при использовании шины будет означать большую сложность и высокую стоимость её подключения. В то же время стековое размещение памяти и GPU бросает вызов инженерам в организации охлаждения, поскольку нужно будет отводить тепло не только от транзисторов логики, но и памяти. Вполне вероятно, производители будут вынуждены применять системы жидкостного или даже погружного охлаждения.

Компания рассказала о своём технологическом прорыве, которого она достигла после выпуска самой ёмкой на сегодня NAND-памяти со 238 слоями, которая уже находится в массовом производстве. Этот прорыв вызван ограничениями в количестве стеков и технологическими ограничениями, приводивших к невозможности изготовления чипа толщиной более трёхсот слоёв.

Новая терабитная память из 321 слоя обеспечивает 59% прирост производительности. Её планируют применять в накопителях стандарта PCIe 5.0. коммерческое внедрение памяти запланировано на первую половину 2025 года.

Разработанная в январе этого года, память LPDDR5T является самой быстрой мобильной памятью DRAM, достигая скорости 9,6 Гб/с. Тесты проводились с применением процессора MediaTek Dimensity нового поколения. Таким образом, уже в этом году будет доступна память с высочайшей скоростью передачи данных.

Ранее мировое индустриальное сообщество предполагало, что скорость в 9,6 Гб/с может быть достигнута лишь с выходом LPDDR6, которая планируется на 2026 год. И вот, SK Hynix достигла таких результатах на нынешнем поколении LPDDR5T.

Поскольку проверка соответствия стандартам JEDEC находится на финальном этапе, SK Hynix ускоряет выпуск LPDDR5T на рынок. Разработчики ожидают, что смена поколений мобильных устройств в начале следующего года позволит использовать новую быструю память.

Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.

Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.

В настоящее время опытные образцы данных чипов начали поставляться заказчикам. Модули HBM3 являются третьим поколением этой высокоскоростной памяти, после HBM, HBM2 и HBM2E.

В модулях объёмом 24 ГБ разработчики увеличил плотность на 50%, по сравнению с предшествующим поколением, выпущенным в июне прошлого года. Выпуск новой памяти является ответом SK Hynix на высокие требования в сегментах ИИ-чатботов. Данная память будет доступна во второй половине текущего года.

Для увеличения эффективности и производительности своих продуктов инженеры SK Hynix применили технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), а также сквозные связи Through Silicon Via (TSV), что позволило на 40% уменьшить толщину чипа DRAM, и общий размер новой микросхемы остался таким же, как был у 16 ГБ чипов.

При этом такие уменьшения размеров элементов не дают такого же эффекта, как для большинства полевых транзисторов, используемых для системной логики. Тем не менее, SK Hynix начала отправку партнёрам пятогого поколения своей памяти DRAM, с техпроцессом 1β. Целью этой отправки стала проверка работы новой памяти с системами крупнейших производителей. Что такое 1β? Это процесс, в котором размер элементов составляет 12 нм.

По информации корейской Chosun Media, в процессе верификации будет принимать участие Intel, которая уже завершила этот процесс для четвёртого поколения памяти 1α от той же SK Hynix. Процесс проходил на процессорах Xeon Scalable, а поскольку память 1β также предназначена для применения в серверах, стоит ожидать, что те же процессоры будут применены и для верификации новой памяти.

Память 1β DRAM покажет на 40% большую эффективность, однако касается это энергетической эффективности или какой-то ещё, не ясно.

Примечательно, что SK Hynix — это не единственная компания, которая выпускает память по технологии 1β. В декабре прошлого года Samsung также анонсировала технологию 1β для памяти DRAM, используя для производства процесс экстремальной ультрафиолетовой литографии.

При скорости 9,6 Гб/с память LPDDR5T оказывается на 13% быстрее стандартной памяти LPDDR5X со скоростью 8,5 Гб/с, которая была представлена в ноябре 2022 года. Именно поэтому новое более быстрое решение получило дополнительное имя Turbo.

Отмечается, что компания уже поставляет модули LPDDR5T клиентам в виде мультичиповых модулей объёмом 16 ГБ, которые могут передавать 77 ГБ данных в секунду. Для сравнения, память LPDDR4 в LPDDR4 Nintendo Switch работает на скорости 25,6 ГБ/с.

Компания сообщает, что готовится к началу массового производства памяти LPDDR5T, используя технологию 1а нм (четвёртое поколение 10 нм технологии) во второй половине этого года. Кроме этого, SK Hynix объявила о своих планах «сохранить лидерство на рынке при разработке следующего поколения памяти LPDDR6».

Достичь этого будет возможно за счёт применения технологии Multiplexer Combined Ranks (MCR), которая использует сразу два банка одновременно, задействуя буферную зону сервера.

Таким образом, чипы не работают быстрее сами по себе. Технология MCR помогает удвоить скорость работы всего модуля, смещая 128 байт данных за раз, вместо традиционных 64 байт. В результате, суммарная скорость работы модуля составляет 8000 МТ/с, что быстрее любого существующего на рынке модуля DDR5.

Компания разрабатывает эти высокоскоростные модули RDIMM в объёмах 48 ГБ и 96 ГБ, доступна она будет в следующем году. Стоит отметить, что это далеко не самые ёмкие модули. К примеру, Samsung сможет предложить модули объёмом 512 ГБ и даже 768 ГБ, которая также будет нацелена на серверы и высокопроизводительные вычислительные системы.

Так, наряду с модулями традиционного объёма 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, компания подготовила и модули памяти объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Всё это касается модулей памяти DDR5 RDIMM для серверов.

Модули предлагаются со скоростями DDR5-5600 и DDR5-6400. Первый является стандартом JEDEC и поддерживается процессорами Xeon Scalable Sapphire Rapids. При этом все они поддерживают и стандарт DDR5-6400. Поддержки XMP или разгона SPD — нет, однако стандарт JEDEC предполагает, что процессор может сам тренировать память.

Флагманским модулем памяти от SK Hynix стал модуль DDR5-5600 RDIMM объёмом 256 ГБ, что означает возможность комплектования серверов по 4 ТБ на сокет, по две планки на канал.