Новости про Hynix

SK Hynix выпускает маломощные SSD PE8000

Южнокорейская компания SK Hynix объявила о доступности SSD серии PE8000, которые предназначены для центров обработки данных.

Несмотря на профессиональную направленность, такой продукт может быть интересен каждому. Две модели из серии, PE8010 и PE8030, стали первыми SSD для компании, поддерживающими NVMe и интерфейс PCIe Gen4.

Оба этих накопителя используют 96-слойную память TLC 4D NAND flash и предлагают максимальную ёмкость в 8 ТБ. Модель PE8010 предназначена для нагрузок с интенсивным чтением, а PE8030 подходит для смешанного использования. Самой же интересной особенностью накопителей стала их скорость работы, по отношению к энергопотреблению.

SSD от SK Hynix серии PE8000

Как уверяет сама SK Hynix, это соотношение лучшее на рынке. Так, скорость последовательного чтения представленных SSD составляет 6500 МБ/с, а записи — 3700 МБ/с. При этом скорость случайного чтения и записи составляет 1100K и 320K IOPS соответственно. Это на 103% быстрее при последовательном чтении и на 357% быстрее при записи, по сравнению с моделями прошлого года.

Максимальное энергопотребление анонсированных SSD составляет всего 17 Вт.

SK Hynix рассказала о DDR5

Компания SK Hynix опубликовала некоторую информацию о памяти будущего — DDR5, которая разрабатывается при сотрудничестве с JEDEC, чтобы после утверждения спецификации иметь соответствующий всем нормам продукт.

Итак, максимальная скорость новой памяти составит 8400 Мб/с. Однако по факту скорость может начинаться от 3200 МБ/с. Минимальная плотность одного ядра DDR5 составит 8 Гб, а максимальная — 64 Гб, что вчетверо выше, чем у DDR4.

Другое изменение касается кода коррекции ошибок (Error-Correcting Code — ECC). Функция теперь не является эксклюзивной для специальных ядер, а будет использоваться для всех вариантов. Чипы DDR5 будут использовать 32 банка, разделённых на 8 банковых кластеров. Это должно обеспечить лучшую пропускную способность. Длина пакета данных составит 16, в отличие от 8 у DDR4. Это должно улучшить доступность памяти.

Что касается питания, то в DDR5 напряжение будет снижено на 0,1 В и составит 1,1 В, что позволит снизить энергопотребление на 20%.

Массовое производство DDR5 компания SK-Hynix начнёт в этом году.

SK Hynix назвала информацию о Big Navi поддельными новостями

Сегодня SK Hynix сообщила, что опубликованные слухи неверны. Компания уверяет, что не создавала и не распространяла документацию по этому вопросу. Также компания пригрозила СМИ, осуществившим дезинформацию, нежелательными действиями, включая потенциальные «судебные дела». В SK Hynix считают, что такие действия могут быть необходимы для собственной защиты и защиты бизнеса их клиентов.

Представленные спецификации скорее всего не являются игровым продуктом, и больше похожи на 7 нм Vega для ускорителя расчётов Radeon Instinct. Возможно из-за этого SK Hynix называет информацию фейком.

AMD Big Navi получит 24 ГБ памяти HBM2e

Компания AMD уже дважды пообещала новую супермощную видеокарту Big Navi, и теперь о ней появились свежие слухи.

Новые сведения пришли из публикации CyberPunkCat в Twitter, который уверяет, что получил от SK Hynix некоторую информацию о будущем ускорителе Big Navi. По его сведениям, видеокарта будет содержать 24 ГБ видеопамяти HBM2e с пропускной способностью более 2 ТБ/с и шиной 4096 бит.

Спецификации видеокарты Big Navi

Также спецификации будут включать GPU с 5120 шейдерным блоком, 320 TMU, 96 ROP, 80 вычислительными блоками и 12 МБ кэша L2. Процессор получит архитектуру RDNA2 и будет изготавливаться по оптимизированной технологии 7 нм++.

Очевидно, что новое решение AMD будет дорогим. Оно планируется для игр в разрешении 4K. С его помощью AMD хочет сделать с NVIDIA то же, что она сделала раньше с Intel на рынке центральных процессоров.

Intel возвращает титул самого большого производителя микросхем

По данным аналитической компании Gartner общемировой рынок полупроводниковых продуктов в 2019 году резко снизился, составив лишь 418,3 миллиарда долларов. Это на 11,9% ниже, чем в 2018 году. Основной спад пришёлся на память, а потому Intel практически не потеряла прибыль, что и позволило ей выйти вперёд.

Рынок памяти в 2019 году составлял 26,7%. Эндрю Норвуд, вице-президент Gartner, отметил, что его годовой спад составил 31,5%. В этой категории снижение прибыли от DRAM составило 37,5%, что было вызвано глобальным перепроизводством. Это привело к снижению рыночной цены вдвое, что порадовало потребителей и расстроило производителей.

Рынок NAND потерял не настолько много, поскольку здесь прибыль упала лишь на 23,1%. В результате Samsung, занимавшая первую позицию в рейтинге производителей микросхем в 2017 и 2018 годах, в 2019 году не смогла сохранить лидерство, поскольку большая доля её поступлений приходится именно на микросхемы памяти. Новым старым лидером стала Intel. На 3, 4 и 5 местах расположились SK Hynix, Micron Technology и Broadcom.

Рынок полупроводниковых устройств в 2019 году

SK Hynix объявляет о выходе на рынок SSD

Известный производитель микросхем памяти SK Hynix анонсировала выпуск собственных твердотельных накопителей модели Gold S31, по сути заявив о выходе на рынок SSD.

Данная модель накопителей вначале будет выпущена с интерфейсом SATA III и станет первым устройством серии потребительских SSD SuperCore, в которой будут применяться фирменные базовые технологии.

SSD Gold S31 от SK Hynix

Модель Gold S31 «раздвинет границы высокопроизводительных SSD» и предоставит «новый уровень скорости» с последовательным чтением до 560 МБ/с. Построен он на фирменной памяти 3D-NAND и контроллере собственной разработки. Также компания обещает превосходное качество, надёжность и пятилетнюю гарантию.

Упаковка SSD Gold S31

Устройство Gold S31 будет выпущено в 2,5” формате с интерфейсом SATA III. Он будет доступен в объёмах 1 ТБ, 500 ГБ и 256 ГБ. В продажу Gold S31 поступит в следующем году. Позднее же стоит ожидать версию с шиной PCIe.

SK Hynix рассчитывает на 800-слойные чипы к 2030 году

В Санта-Кларе, в ходе конференции Flash Memory Summit, компания SK Hynix рассказала об ожиданиях в развитии отрасли на ближайшие 10 лет.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Накопитель PE8000 от SK Hynix

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI-Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.

SK Hynix представила самую быструю память HBM2E

Компания SK Hynix представила самый быстрый продукт в мире в сегменте HBM. Новые стеки широкополосной памяти способны пропускать данные со скоростью 460 ГБ/с.

Современная видеокарта NVIDIA RTX 2080 имеет 8 ГБ памяти GDDR6 и обеспечивает скорость в 448 ГБ/с. Решение от HBM2E имеет объём 16 ГБ, то есть вдвое больше, и при этом обеспечивает большую скорость.

Микросхемы памяти SK Hynix HBM2E

Также эта память вдвое быстрее той, что применяется в AMD RX Vega 56, что делает достижение SK Hynix ещё более впечатляющим. Другой пример. Общая пропускная способность памяти HBM в AMD Radeon VII составляет 1024 ГБ/с. Если бы новое решение HBM2E установили в эту видеокарту, то она имела бы общую скорость на уровне 1840 ГБ/с, что на 80% быстрее.

В компании SK Hynix сообщают, что планируют предложить новую память уже в 2020 году. Именно этот год в фирме считают лучшим для развития данного рынка в сфере видеоускорителей, чипов ИИ и ускорителей машинного обучения.

SK Hynix приступает к массовому производству 128-слойной 4D NAND

Компания SK Hynix начала массовое производство первой в мире 128-слойной памяти типа 4D NAND.

В мире 3D NAND оптимальным путём повышения плотности является увеличение числа слоёв в стековой структуре NAND. Компания SK Hynix сообщила, что она первой в мире приступила к производству 128-слойных чипов TLC NAND объёмом 1 Тб, используя 4D структуру. Конечно, инженеры не открыли четвёртое измерение, а просто разместили слой периферии под стеком 3D NAND.

128-слойные NAND чипы SK Hynix

С переходом на 128-слойные стеки компания может увеличить продуктивность на 40%, по сравнению с нынешней 96-слойной структурой. Кроме того, переход на новую технологию позволяет на 40% сократить себестоимость производства.

Компания планирует начать поставки 4D NAND памяти во второй половине этого года, обещая скорости передачи данных на уровне 1400 Мб/с при напряжении 1,2 В. Эти чипы окажутся крайне полезными для мобильных устройств.

Также компания сообщила, что планирует создавать собственные клиентские SSD объёмом до 2 ТБ на базе собственных контроллеров. Для корпоративного рынка SK Hynix будет разрабатывать накопители объёмом 16 ТБ и 32 ТБ.

Следующим шагом компании станет создание 176-слойных чипов NAND.

SK Hynix начала поставки образцов 96-слойных терабитных микросхем QLC 4D NAND

Компания SK Hynix начала поставки новых микросхем QLC объёмом 1 Тбит главным производителям контроллеров для SSD. Об этом сообщила сама SK Hynix.

Компания отметила, что она применяет собственную QLC технологию для построения 96-слойных 4D чипов. Она отмечает, что её новые микросхемы объёмом 1 Тбит будут доступны производителям «как раз к открытию рынка QLC».

При этом фирма сообщает, что занимается разработкой собственного программного алгоритма по работе с памятью QLC и контроллера, и планирует выпустить соответствующие решения вовремя, чтобы отвечать требованиям клиентов.

Чипы и продукты на базе памяти SK Hynix

«Мы планируем выпускать собственные SSD на основе QLC со следующего года, когда ожидается значительный спрос на QLC NAND для промышленности», — заявил вице-президент и глава разработки стратегии NAND в SK Hynix Хан Джу На. «В частности, мы намерены занять надёжную позицию на рынке высокоплотных eSSD, которые заменяют жёсткие диски решениями на базе NAND Flash, поскольку имеют объём 16 ТБ или больше».

Факт поставки образцов терабитных QLC NAND микросхем прокомментировал исполнительный директор Silicon Motion Technology Уоллес Коу: «Мы получили инженерные образцы QLC от SK Hynix и мы поражены общей производительностью. Образцы отвечают требованиям к клиентским SSD».

По прогнозам IDC доля QLC памяти на рынке NAND должна вырасти с 3% в 2019 году до 22% в 2023 году, в то время как рынок eSSD будет расти по 48% в год, быстро заменив HDD в течение 5 лет.