Новости про flash-память

Производители NAND внедряют 120/128-слойную память 3D NAND

По информации DigiTimes многие производители стали ускорять переход своих производств на выпуск 120/128-слойной памяти 3D NAND, чтобы начать её массовое производство в 2020 году.

В марте этого года SK Hynix начала опытное производство 96-слойной 4D NAND памяти, а Toshiba и Western Digital уже вынашивают планы по введению 128-слойной технологии памяти типа TLC. Это позволит увеличить плотность данных, но при этом избежать проблем, связанных с запуском памяти QLC.

Микросхема памяти от SK Hynix
Микросхема памяти от SK Hynix

Решение о внедрении новой технологии производства NAND появилось на фоне продолжающегося кризиса перепроизводства и переполненности рынка продуктами на базе хорошо отработанной 64-слойной технологии. Применив новую технологию можно перейти к меньшим объёмам производства, сократив избыток памяти на рынке и подняв на неё цену, одновременно снизив себестоимость.

Цены на NAND продолжат снижение

Цены на память NAND не демонстрируют признаков восстановления, несмотря на оптимизм, связываемый с планируемым ростом спроса во втором полугодии.

Последние полгода обозреватели считали, что спрос на NAND-память со стороны производителей смартфонов во втором полугодии заметно вырастет. Также оживление на рынке ожидали от производителей серверов и ЦОД. Однако теперь аналитики ожидают, что NAND-память продолжит тенденцию к удешевлению.

Микросхемы NAND объёмом 256 Гб от Toshiba
Микросхемы NAND объёмом 256 Гб от Toshiba

Глобальная торговая ситуация по-прежнему негативна для спроса на конечном рынке, и спрос от производителей оборудования для центров обработки данных не подаёт признаков повышения. Краткосрочный спрос — ограничен.

Таким образом отмечается, что цена на память NAND во втором полугодии продолжит снижаться, хотя темпы снижения замедляться до величины менее 10%.

SK Hynix начала поставки образцов 96-слойных терабитных микросхем QLC 4D NAND

Компания SK Hynix начала поставки новых микросхем QLC объёмом 1 Тбит главным производителям контроллеров для SSD. Об этом сообщила сама SK Hynix.

Компания отметила, что она применяет собственную QLC технологию для построения 96-слойных 4D чипов. Она отмечает, что её новые микросхемы объёмом 1 Тбит будут доступны производителям «как раз к открытию рынка QLC».

При этом фирма сообщает, что занимается разработкой собственного программного алгоритма по работе с памятью QLC и контроллера, и планирует выпустить соответствующие решения вовремя, чтобы отвечать требованиям клиентов.

Чипы и продукты на базе памяти SK Hynix
Чипы и продукты на базе памяти SK Hynix

«Мы планируем выпускать собственные SSD на основе QLC со следующего года, когда ожидается значительный спрос на QLC NAND для промышленности», — заявил вице-президент и глава разработки стратегии NAND в SK Hynix Хан Джу На. «В частности, мы намерены занять надёжную позицию на рынке высокоплотных eSSD, которые заменяют жёсткие диски решениями на базе NAND Flash, поскольку имеют объём 16 ТБ или больше».

Факт поставки образцов терабитных QLC NAND микросхем прокомментировал исполнительный директор Silicon Motion Technology Уоллес Коу: «Мы получили инженерные образцы QLC от SK Hynix и мы поражены общей производительностью. Образцы отвечают требованиям к клиентским SSD».

По прогнозам IDC доля QLC памяти на рынке NAND должна вырасти с 3% в 2019 году до 22% в 2023 году, в то время как рынок eSSD будет расти по 48% в год, быстро заменив HDD в течение 5 лет.

Tosiba и WD разрабатывают 128-слойную память 3D NAND

Компания Toshiba со своим стратегическим партнёром Western Digital готовят память 3D NAND высокой плотности, состоящую из 128 слоёв.

По номенклатуре Toshiba чип будет называться BiCS-5. Несмотря на высокую плотность, чип будет основан на памяти TLC, а не новой QLC. Это связывают с продолжающимися проблемами при производстве QLC и низким процентом выхода годных отпечатков. Однако за счёт повышения числа слоёв чипы будут иметь объём 512 Гб, что на треть больше, чем у 96-слойных чипов. Первые коммерческие продукты на основе 128-слойной памяти появятся в 2020 или 2021 годах.

Структура памяти BiCS-5 от Toshiba
Структура памяти BiCS-5 от Toshiba

Сообщается, что чипы BiCS-5 имеют четырёхплоскостную конструкцию. Их ядра разделены на 4 секции, или плоскости, доступ к которой осуществляется независимо. Для сравнения, BiCS-4 имела две плоскости. Благодаря этому скорость записи на канал также удвоится и составит 132 МБ/с. Кроме того, в новых микросхемах используется инновационное размещение логической цепи под самым нижним «слоем» с данными, что позволяет на 15% экономить размер ядра.

Аналитики считают, что новые микросхемы будут изготавливаться на 300 мм блинах с выходом годной продукции выше 85%.

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba
Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Падение цен на NAND память остановится в текущем квартале

Источники, близкие к полупроводниковой промышленности Тайваня сообщают, что снижение цен на NAND память прекратится уже во II квартале 2019 года благодаря возобновлению спроса.

Ожидается, что дальнейшего снижения цен на NAND не будет, поскольку большинство крупных производителей памяти стали управлять складскими запасами. Также сообщается, что замедлился переход на 96-слойные 3D NAND чипы. Самой низкой цена окажется в I квартале.

Глава Phison Electronics Кхеин-Сен Пуа
Глава Phison Electronics Кхеин-Сен Пуа

Цены на NAND память начали снижаться с 2018 года. Обозреватели допускали, что цены на чипы могут в первом квартале 2019 года снизятся на 20%, и продолжат снижение во второй четверти.

Что касается дистрибьюторов, то они хотят повысить стоимость модулей. На контрактном рынке память NAND продолжает дешеветь, но уже наметился подъём в связи с возвращением спроса со стороны OEM-производителей, который усилится во II квартале. Спрос начал расти постепенно. Об этом сообщил Кхеин-Сен Пуа, глава Phison Electronics. Он отметил, что ещё в январе он наблюдал рост поставок контроллеров на 13%.

Память MRAM готова к производству

Компания Intel готова начать выпуск памяти типа MRAM в больших объёмах. Этот тип памяти разработан Intel и представляет собой энергонезависимую память, то есть её можно использовать для хранения данных, а не только в качестве ОЗУ.

Магниторезистивная память со случайным доступом создавалась как универсальная замена для DRAM (энергозависимой) и NAND (энергонезависимой) памяти. Сейчас стало очень сложно уменьшать размеры элементов при производстве памяти данных типов, а MRAM не имеет столь жёстких ограничений. Кроме того, у MRAM намного выше процент выхода годных микросхем при производстве. Так, при 22 нм технологии производства уровень годных микросхем на блине составляет 99,9% — поразительная надёжность технологии.

Фотография памяти SRAM MRAM
Фотография памяти SRAM MRAM

Кроме того, память MRAM уже демонстрировала установочное время в 1 нс, что выше теоретического предела для DRAM. Скорость записи также в несколько тысяч раз выше, чем у NAND. Также MRAM гарантирует 10 лет хранения данных при температуре 200° C и надёжность в 106 циклов переключений. Всё это сообщил Лигион Веи, инженер Intel.

Блок-схема памяти MRAM
Блок-схема памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM

Похоже, что именно по 22 нм технологии и будет начато производство памяти MRAM, хотя отмечается, что Intel уже начала разгружать 14 нм заводы, так что возможен быстрый переход на более тонкий техпроцесс.

Анонсирован стандарт карт памяти MicroSD Express

SD Association представила новый формат для карт памяти, который обеспечит скорость передачи данных до 985 МБ/с на смартфонах, видеокамерах и прочих устройствах.

Карты памяти microSD Express будут использовать интерфейсы NVMe 1.3 и PCIe 3.1. Технология будет задействовать второй ряд контактов на карте памяти. Таким образом, карты памяти, отвечающие стандарту, в новых устройствах будут работать быстрее, но сохранится и обратная совместимость с нынешней технологией microSD.

Карты памяти MicroSD Express
Карты памяти MicroSD Express

Шина PCIe 3.1 обеспечивает низкоэнергетические подсостояния, благодаря чему карта не только работает быстрее, но и потребляет меньше энергии, чем современные решения. Также новая технология обеспечит связь карты памяти с другими компонентами системы минуя процессор, что снизит нагрузку, энергопотребление и нагрев. В результате мы будем иметь очень быстрые и ёмкие карты памяти, которые обеспечат запись видео в формате RAW.

Несмотря на все преимущества, перспективы развития нового формата весьма туманны. Традиционно, производители не спешат что-то менять в области накопителей. К примеру, сейчас почти во всех смартфонах используется формат microSD UHS-II, выпущенный ещё в 2011 году.

Toshiba Memory выпускает встраиваемые накопители 3.0

Компания Toshiba начала опытное производство новых встраиваемых накопителей в соответствии с третьей версией стандарта Universal Flash Storage (UFS).

Новая линейка устройств основана на 96-слойной 3D NAND памяти, которая доступна в трёх вариантах ёмкости: 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ. Благодаря высокой скорости чтения и записи и низкому энергопотреблению, новые устройства окажутся идеальными для мобильных устройств, смартфонов, планшетов и шлемов виртуальной реальности.

Пакеты памяти Toshiba UFS 3.0
Пакеты памяти Toshiba UFS 3.0

Пакет нового накопителя получил габариты 11,5х13 мм. Контроллер обеспечивает коррекцию ошибок, контролирует износ и логически-физическую адресацию, поиск и управление плохими блоками.

Все три устройства соответствуют стандарту JEDEC UFS Ver. 3.0, включая HS-GEAR4, что должно означать пропускную способность в 11,6 Гб/с на линию, а также применение функционала снижения энергопотребления. По сравнению с прошлым поколением, последовательная скорость чтения и записи в 512 ГБ версии выросла на 70% и 80% соответственно.

Samsung создала терабайтный eUFS накопитель

Ровно год назад Samsung начала производство 512 ГБ встраиваемых модулей Universal Flash Storage.

Эти чипы нашли себе место в Galaxy Note 9, а сам телефон был назван первым «готовым к терабайту» мобильным устройством, имея ввиду возможность установки карты microSD такого же размера и объёма.

Микросхема флеш-памяти Samsung eUFS объёмом 1 ТБ
Микросхема флеш-памяти Samsung eUFS объёмом 1 ТБ

Однако уже в ближайшем будущем мы можем увидеть мобильные устройства со встроенным терабайтом памяти. Южнокорейский гигант Samsung объявил о разработке чипа формата UFS объёмом 1 ТБ. В нём «объединяются 16 слоёв наиболее совершенной 512-гигабитной стековой V-NAND памяти Samsung и свежеразработанный проприетарный контроллер». Новая микросхема демонстрирует не только лучшую ёмкость, но и высокую скорость. Так, в Samsung обещают скорость последовательного чтения на уровне до 1000 МБ/с и до 260 МБ/с при записи.

Появится ли эта микросхема в топовых смартфонах Samsung этого года — вопрос открытый. Но учитывая важность конкурентной борьбы и прошлый опыт, этого можно ожидать.