Хотя чипсет Intel X99, вместе с процессорами Haswell-E, не поступит в продажу раньше сентября, один производитель памяти уже начал продажи модулей DDR4, пока лишь в Японии.
Стандарт памяти наконец-то получил обновление. Первой платформой, которая её поддерживает, станет Intel с чипсетом X99.
И для тех, кто хочет заполучить пока бесполезную память DDR4, один компьютерный магазин в Японии уже начал продавать модули объёмом 16 и 32 ГБ по цене в 350 и 685 долларов США соответственно. Конечно, цена немного шокирует, но не забывайте, что это первое предложение на рынке. Предлагаемые модули памяти изготовлены компанией SanMax из чипов производства SKHynix.
Память DDR4 поддерживает намного большую скорость передачи данных на уровне 2133—4266 МТ/с, в то время как предшественник работал на скоростях 800—2133 МТ/с. Новая память будет иметь и увеличенное количество контактов — 288, по сравнению с 240, и будет питаться напряжением 1,2 В.
Пока на рынке отсутствуют материнские платы и процессоры с поддержкой памяти DDR4, но это не останавливает производителей памяти. Одним из лидеров этого рынка, как известно, является SK Hynix, и она сделала прорыв в подготовке памяти DDR4 высокой ёмкости.
Этот корейский производитель представил первый в мире модуль ОЗУ DDR4 объёмом 128 ГБ, который основан на 8 Гб чипах компании, изготовленных по 20 нм процессу.
«Разработка первого в мире 128 ГБ модуля DDR4 является важным в открытии серверного рынка ультравысокой плотности», — заявил Сун Джу Хон, глава подразделения DRAM в SK Hynix. «В дальнейшем компания усилит свою конкурентоспособность и сфере премиальной ОЗУ, разрабатывая высокоплотные, сверхвысокоскоростные и слабомощные потребительские продукты».
Компания SK Hynix использует технологию TSV (Through Silicon Via) — методику производства, позволяющую пропускать электрические соединения вертикально сквозь кремниевое ядро, что и позволяет удвоить плотность по сравнению с памятью предыдущего поколения. Новая память DDR4 работает со скоростью 2133 МГц и будет способна пропускать данные на скорости 17 ГБ/с по шине шириной 64 бита. Для питания этой памяти необходимо 1,2 В, в то время как DDR3 требуется 1,5 В.
Массовое производство новых 128 ГБ модулей DDR4 должно начаться к первой половине 2015 года. Однако есть большие сомнения, что подобные модули найдут свой путь на потребительском рынке, ведь редко какая материнская плата будет поддерживать более 32 ГБ ОЗУ.
Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.
Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.
Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.
Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.
Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.
Компании SK Hynix и Advanced Micro Devices объявили о начале совместной работы над трёхмерно собранной памятью с высокой пропускной способностью (HBM).
Производитель процессоров делает ставку на APU, ведь использование подобной памяти положительно скажется на скорости работы их чипов, поскольку позволит использовать одинаковые пакеты для GPU и CPU. Как бы то ни было, но APU требуют высокой пропускной способности, так что даже ускоренные процессоры начального уровня получат выигрыш при использовании памяти с высокой скоростью работы, и не стоит забывать о GDDR5, которая по слухам будет распределённо использоваться в Kaveri.
Память, собранная в 3D блоки, может быть использована как память с высокой пропускной способностью, ещё большей, чем у GDDR5. Она может использоваться как системная и как видеопамять, хотя изначально такие модули разрабатывались как память для графических приложений. Новая память, построенная с использованием новых технологий Wide I/O и TSV, должна поддерживать пропускную способность на уровне от 128 ГБ до 256 ГБ, и в свет она должна выйти уже в 2015 году. В настоящее время основным применением для памяти с высокой пропускной способностью считается GPU, так что и AMD, и NVIDIA планируют начать её использование со своими продуктами, изготовленными по 20 нм техпроцессу, однако, возможно, не с первым их поколением.
В настоящее время остаётся неизвестным, каким образом AMD планирует использовать эту технологию для APU. Ведь применение памяти нового типа в потребительских продуктах потребует переделки архитектуры и отказа от обратной совместимости, что значительно замедлит популяризацию новой технологии.
SK Hynix Inc. объявила о начале полномасштабного производства 16 нм 64 Гб MLC NAND Flash памяти, которая использует самою тонкую технологию производства, существующую сейчас в промышленности.
Первая версия NAND Flash памяти по 16 нм процессу была произведена Hynix ещё в июне этого года, а совсем недавно фирма начала выпускать более конкурентоспособную благодаря меньшему размеру чипа вторую версию.
Кроме того, компания разработала 128 Гб (16 ГБ) чип MLC. Этот самый плотный в мире чип основан на спецификации 64 Гб микросхем. Ожидается, что этот продукт поступит в продажу в начале следующего года.
По большому счёту более тонкий техпроцесс уменьшает скорость работы интерфейсов между ячейками, однако SK Hynix применила современную технологию Air-Gap, которая позволяет сохранить высокую скорость интерфейсов между ячейками. Эта технология создаёт изолирующую прослойку с вакуумными зазорами между цепями, не прибегая к использованию изоляционных материалов.
Компания SK Hynix в своём пресс-релизе пообещала и дальше увеличивать свою конкурентоспособность в решениях NAND Flash, ускорив разработку TLC (Triple Level Cell) и 3D NAND Flash.
Последние годы индустрия оперативной памяти переживала не лучшие времена. Из-за этого обанкротилась компания Elpida, а остальные были вынуждены значительно сократить производство.
Аналитики ожидают, что цены на чипы памяти продолжат свой рост на протяжении всего четвёртого квартала, либо же до тех пор, пока производство не возрастёт до нормальных объёмов. Так, на прошлой неделе, цена на 2 гигабитный чип памяти DDR3 составила 2,27 доллара, по сравнению с 1,60 доллара 4 сентября, когда пожар на заводе Hynix привёл к остановке производства. Таковы данные DRAMeXchange, крупнейшего азиатского рынка комплектующих.
Компания Hynix является вторым крупнейшим мировым поставщиком чипов памяти. В списке её клиентов присутствуют такие гранды IT как Apple, Dell и Sony. Сейчас фирма значительно нарастила производство на заводе Южной Кореи, чтобы снизить влияние произошедшего пожара на рынок.
Как известно, завод по производству памяти Hynix, расположенный в китайском городе Уси, на прошлой неделе пострадал от взрыва и последовавшего за ним пожара, однако по последним данным, завод может полностью восстановить производство через 2—3 недели.
И хотя завод обволакивал густой дым, после детального анализа выяснилось, что производство сильно не пострадало. Вначале существовали опасения того, что завод может остановиться на месяц или больше, в результате цены на память на мировом рынке резко подскочили вверх, поскольку завод производил 15% всей DRAM памяти в мире.
Сейчас же сайт Fudzilla, ссылаясь на своих информаторов, уверяет: «Работа по всей видимости возобновиться скоро… возможно в течение двух или трёх недель, или даже раньше, но это всё ещё ранние оценки и более ясная картина откроется на следующей неделе».
Сейчас всё выглядит так, что в случившейся аварии было больше дыма, чем огня, разрушения оказались минимальными и потери в производстве пластин крайне малы, поскольку пожар по большей части бушевал в зоне вентиляции и главные производственные мощности, включая чистые помещения, не были задеты.
Сообщается, что компания Hynix имеет на своих складах готовой продукции запасы, достаточные для бесперебойной отгрузки продукции в течение 2—3 недель, и если за это время завод полностью восстановится и быстро выйдет на проектные производственные мощности, то рынок даже не заметит произошедшей аварии.
В первую очередь хочется надеяться, что в результате инцидента никто не пострадал. По крайней мере первые сообщения ничего не говорят о жертвах.
Сообщается, что на китайском заводе Hynix в Уси произошёл пожар, который стал следствием мощного взрыва химикатов. Уже сейчас цены на память подскочили на 10%.
По информации Kitguru, пострадавший завод выпускал память GDDR5, которая предназначалась для видеокарт NVIDIA, а значит произошедшая катастрофа заметно повлияет на мировые цены на память, а также на продукты, выпускаемые под брендом NVIDIA и наверняка опустошит складские запасы производителей видеокарт.
На территории, где бушевал пожар, Hynix изготавливала 30% от мирового объёма памяти, и теперь она потеряет половину своего производства, а значит, мировое производство чипов памяти снизится на 15%.
Сейчас компания занята выяснением есть ли пострадавшие, а также проводит расследование причин возникновения пожара. Об этом заявил в телефонном интервью Сон Хее Ёоун, представитель Icheon, южнокорейского филиала Hynix. Огонь, вспыхнувший в 15:50 по местному времени в ходе монтажа оборудования был погашен к 17:20, сообщает источник.
В настоящее время перепроизводство чипов оперативной памяти составляет 17% от текущих потребностей. Однако в следующем году ситуация немного улучшиться. Так, по мнению Тайваньских производителей чипов, перепроизводство в первой половине 2012 года составит 13%.
Суммарное производство чипов памяти в Тайване было за месяц уменьшено с 450 000 пластин в ноябре до 250 000 в декабре. Общемировое же производство DRAM упало до примерно миллиона кремниевых пластин, что на треть меньше, чем производилось в рекордном 2008 году. Однако не все производители пошли по этому пути.
К примеру, такие гиганты индустрии, как Samsung Electronics и Hynix Semiconductor не сократили собственные производства, отмечают источники.
По информации iSuppli, в третьем квартале уходящего года Samsung установила рекорд мировых поставок ОЗУ, заняв 45% рынка. Вслед за корейским гигантом расположились Hynix с 21,5%, Elpida и Micron с 12,1% рынка каждая.
Несмотря на значительное снижение объёмов производства, контрактные цены на ОЗУ продолжили постепенное снижении и в декабре. Так, 2 ГБ модули DDR3 подешевели на 3% до 9,25 доллара США, а 4 ГБ планки показали в два раза большую динамику. Упав на 6% за модуль, новая цена на них составила 16,50 долларов.
Стэн Виллиамс (Stan Williams), мемристорный гуру компании Hewlett-Packard, на конференции International Electronics Forum, проходившей в испанской Севилье, анонсировал, что двухполюсная мемристорная технология начнет свою рыночную борьбу с флэш-памятью не позднее чем через 18 месяцев.
«У нас есть большие планы на этот счёт, и мы работаем с Hynix Semiconductor с целью выпуска летом 2013 заменителя флэш, также предназначенного и для рынка твердотельных накопителей»,— заявил Виллиамс участникам конференции.
Далее в своем докладе Виллиамс объясняет, что результаты, достигнутые этой технологией в областях времени чтения и записи, а также задержек слишком значительны, чтобы не выпустить их на рынок. Виллиамс не стесняется своих прогнозов о сроках покорения рынка новой технологией, отмечая, что «в 2014/2015 мы займемся рынком DRAM, а после этого — SRAM».
В настоящее время HP собрали более 500 патентов на новую технологию. Виллиамс же осветил факт того, что фазопеременная память (phase-change-memory — PCM), резистивная память (resistive-RAM — RRAM) и все прочие двухполюсные устройства являются устройствами мемристорного типа. Виллиамс сообщил, что другие компании работают над резистивной памятью метал-оксидного типа, более того, он считает, что Samsung имеет даже большую команду по разработке мемристорной памяти, чем существует в HP-Hynix.
Что касается ожидаемых спецификаций памяти следующего поколения, то они весьма впечатляющие. Так, чтение из памяти будет занимать 10 наносекунд, а запись/очистка будет длиться 0,1 нс. Данные о долговечности памяти, собранные на сегодня, говорят, что память может отработать 1012 циклов, сохраняя свое устойчивое состояние годами. Для сравнения, современные флэш-накопители выдерживают порядка 106 циклов перезаписи, что в миллион раз меньше.
Насчет цены устройств Виллиамс отметил, что они представляют собой простую структуру и изготавливаются из материалов, которые уже используются полупроводниковыми фабриками во всем мире, что делает переход на производство CMOS совместимых мемристоров достаточно быстрым и безболезненным. Он также отметил, что первые предлагаемые мемристорные продукты уже будут иметь многослойную конструкцию.
Напомним, что первый лабораторный образец мемристора был получен Виллиамсом всего три года назад.
Hynix сообщила, что ею разработаны первые в мире чипы памяти DDR2 объёмом 2 ГБ, работающие на пониженном напряжении и использующие 40-нм производство.
Эти чипы доступны как в типах MCP (Multi Chip Package) так и в PoP (Package on Package), работают при напряжении 1,2 В и могут передавать до 4,26 Гб информации в секунду через 32-битную полосу пропускания. Чипы работают на частоте 1066 МГц и потребляют на 50 % меньше энергии, чем существующие на рынке решения.
Эти чипы созданы для применения в смартфонах нового поколения, в смартбуках и планшетных ПК. В массовое производство чипы поступят в первой четверти этого года.
Компания Hynix на днях представила первые в индустрии 40-нм чипы видеопамяти GDDR5 объёмом 2 гигабита.
Производитель утверждает, что это самая быстрая и самая ёмкая память на рынке. Она может передавать до 28 гигабайт в секунду.
Вдобавок к высокой скорости и ёмкости, также понизилось энергопотребление чипов. Новые кристаллы работаю при напряжении 1,35 В, а энергопотребление снизилось на 20 % в сравнении с аналогичными 50-нм чипами.
2-гигабитные чипы GDDR5 начнут массово производиться во второй половине следующего года и наверняка станут использоваться в видеокартах NVIDIA и ATI.
Компания Hynix Semiconductor сообщила о том, что Intel начала сертификацию 2-Гбит 40-нм модулей памяти DDR3.
Продукты, построенные на основе таких кристаллов, как отмечает производитель, отличаются от 50-нм решений возросшей на 60 % эффективностью. Также Hynix отмечает, что при аналогичной частоте новая память будет потреблять на 40 % меньше энергии, а также обладать более высоким разгонным потенциалом.
Также главный маркетолог компании, господин Д.Б. Ким, отметил, что благодаря переходу на новый техпроцесс, самыми массовыми чипами станут 2-гигабитные, которые заменят существующие 1-гигабитные кристаллы.
Компания надеется, что полную сертификацию чипы пройдут до конца года.
