7994420702;horizontal

Новости про DDR2

Выпущены чипы памяти DDR2 SDRAM объёмом 2 и 4 Гб #

8 февраля 2014

Учитывая, что уже в течение многих лет в персональных компьютерах используется память DDR3, а вся промышленность с нетерпением ждёт наступления эры DDR4, многим казалось, что память DDR2 безнадёжно устарела, и что производители совершенно не занимаются её разработкой. Однако оказывается, это не так, и подтверждением тому стали два новых продукта от I'M Intelligent Memory.

В потребительских продуктах память DDR2 больше не используется, равно, как и в подавляющем большинстве современных устройств. Однако есть определённые области, среди которых, например, автомобильные развлекательные системы, осветительные массивы и промышленные системы, где оперативная память DDR2 находит своё применение.

До недавнего времени в них использовались лишь чипы DDR2 объёмом 512 Мб или 1 Гб, однако благодаря новому продукту, на рынке появятся модули ёмкостью 2 Гб и 4 Гб.

Чипы памяти I'M объёмом 2 и 4 Гб

Ранее память поставлялась в модулях по 4, 8 и 16 чипов (пакеты FBGA60 или FBGA84), теперь же и 2, и 4 гигабитные модули будут иметь восьмичиповую конфигурацию (пакет FBGA63).

К сожалению, ни о техпроцессе производства, ни о скоростных характеристиках, производитель памяти ничего не сообщил.

DDR2, оперативная память, производство

«Softpedia»

Samsung выпустили первую в мире NAND память с удвоенной скоростью передачи данных #

13 мая 2011

Крупнейший производитель микросхем памяти Samsung начал производство первых 64 Гб MLC чипов флеш-памяти.

Микросхемы памяти производства Samsung объемом 64 Гб, изготовленные по технологии multi-level-cell (MLC), имеют интерфейс второго поколения с удвоенной пропускной способностью (double data rate 2 – DDR2).

Новые чипы предназначены для применения в мобильных устройствах, таких как планшетные компьютеры и смартфоны. Интерфейс DDR2 уже оставлен позади такими монстрами рынка как AMD и Intel, но, по мнению Samsung, он будет «лучше поддерживать продолжающееся движение к более совершенным интерфейсам», таким как SATA3 и USB3. Президент подразделения памяти Samsung Electronics, господин Су-Ин Чо (Soo-In Cho) отметил, что им удалось достичь плотности 64 Гб на чип благодаря использованию «совершенного технологического процесса с размером элементов порядка 20 нм», но в отличие от конкурентов в лице Intel и Micron, они не станут сообщать о тонкостях техпроцесса.

Все представители компании Samsung будут говорить, что для производства чипов 64 Гб NAND MLC памяти используются элементы размером от 20 до 29 нм. Напомним, что Samsung представил первую микросхему флеш-памяти объемом 32 Гб с интерфейсом DDR1 в 2009 году, а массовое производство чипов началось только в апреле 2010 г. Это означает, что уже через несколько месяцев производители электронных устройств получат первые чипы новой памяти с интерфейсом DDR2. Основная часть чипов NAND работает на скорости до 40 Мб/с при интерфейсе DDR1. Так что, когда Samsung начнет поставки своей памяти с интерфейсом DDR2 не стоит ожидать, что они появятся где-либо ещё кроме дорогих SSD накопителей и смартфонов.

DDR2, flash-память, NAND, Samsung

«Samsung»

MSI GeForce 210 использует память DDR2 с логотипом ATI #

23 февраля 2010

Компания AMD заказывает чипы памяти DDR2 для Radeon HD 5450 у производителей Samsung или Hynix, которые ставят на них логотип ATI. Впоследствии такие чипы поставляются партнёрам вместе с графическим чипом как часть комплекта.

MSI GeForce G 210 с памятью ATI DDR2

По всей видимости, компания MSI по какой-то причине решила использовать избыток чипов с логотипом ATI в производстве видеокарт NVIDIA, что привело к курьёзной ситуации.

MSI GeForce G 210 с памятью ATI DDR2

В то время как NVIDIA жёстко противостоит ATI, на свет появились ускорители, MSI GeForce 210, оснащённые памятью от AMD. В подтверждение данного факта журналисты ресурса AnandTech привели несколько фотографий.

MSI GeForce G 210 с памятью ATI DDR2

ATI, DDR2, GeForce 210, NVIDIA, видеокарты

«Expreview»

Hynix выпустила первые двухгигабитные энергоэффективные чипы DDR2 #

16 января 2010

Hynix сообщила, что ею разработаны первые в мире чипы памяти DDR2 объёмом 2 ГБ, работающие на пониженном напряжении и использующие 40-нм производство.

2-гигабитные 40-нм чипы памяти DDR2

Эти чипы доступны как в типах MCP (Multi Chip Package) так и в PoP (Package on Package), работают при напряжении 1,2 В и могут передавать до 4,26 Гб информации в секунду через 32-битную полосу пропускания. Чипы работают на частоте 1066 МГц и потребляют на 50 % меньше энергии, чем существующие на рынке решения.

Эти чипы созданы для применения в смартфонах нового поколения, в смартбуках и планшетных ПК. В массовое производство чипы поступят в первой четверти этого года.

40-нм, DDR2, Hynix, оперативная память

«ExpReview»