Новости про DDR2

В потребительских продуктах память DDR2 больше не используется, равно, как и в подавляющем большинстве современных устройств. Однако есть определённые области, среди которых, например, автомобильные развлекательные системы, осветительные массивы и промышленные системы, где оперативная память DDR2 находит своё применение.

До недавнего времени в них использовались лишь чипы DDR2 объёмом 512 Мб или 1 Гб, однако благодаря новому продукту, на рынке появятся модули ёмкостью 2 Гб и 4 Гб.

Ранее память поставлялась в модулях по 4, 8 и 16 чипов (пакеты FBGA60 или FBGA84), теперь же и 2, и 4 гигабитные модули будут иметь восьмичиповую конфигурацию (пакет FBGA63).

К сожалению, ни о техпроцессе производства, ни о скоростных характеристиках, производитель памяти ничего не сообщил.

Микросхемы памяти производства Samsung объемом 64 Гб, изготовленные по технологии multi-level-cell (MLC), имеют интерфейс второго поколения с удвоенной пропускной способностью (double data rate 2 – DDR2).

Новые чипы предназначены для применения в мобильных устройствах, таких как планшетные компьютеры и смартфоны. Интерфейс DDR2 уже оставлен позади такими монстрами рынка как AMD и Intel, но, по мнению Samsung, он будет «лучше поддерживать продолжающееся движение к более совершенным интерфейсам», таким как SATA3 и USB3. Президент подразделения памяти Samsung Electronics, господин Су-Ин Чо (Soo-In Cho) отметил, что им удалось достичь плотности 64 Гб на чип благодаря использованию «совершенного технологического процесса с размером элементов порядка 20 нм», но в отличие от конкурентов в лице Intel и Micron, они не станут сообщать о тонкостях техпроцесса.

Все представители компании Samsung будут говорить, что для производства чипов 64 Гб NAND MLC памяти используются элементы размером от 20 до 29 нм. Напомним, что Samsung представил первую микросхему флеш-памяти объемом 32 Гб с интерфейсом DDR1 в 2009 году, а массовое производство чипов началось только в апреле 2010 г. Это означает, что уже через несколько месяцев производители электронных устройств получат первые чипы новой памяти с интерфейсом DDR2. Основная часть чипов NAND работает на скорости до 40 Мб/с при интерфейсе DDR1. Так что, когда Samsung начнет поставки своей памяти с интерфейсом DDR2 не стоит ожидать, что они появятся где-либо ещё кроме дорогих SSD накопителей и смартфонов.

По всей видимости, компания MSI по какой-то причине решила использовать избыток чипов с логотипом ATI в производстве видеокарт NVIDIA, что привело к курьёзной ситуации.

В то время как NVIDIA жёстко противостоит ATI, на свет появились ускорители, MSI GeForce 210, оснащённые памятью от AMD. В подтверждение данного факта журналисты ресурса AnandTech привели несколько фотографий.

Эти чипы доступны как в типах MCP (Multi Chip Package) так и в PoP (Package on Package), работают при напряжении 1,2 В и могут передавать до 4,26 Гб информации в секунду через 32-битную полосу пропускания. Чипы работают на частоте 1066 МГц и потребляют на 50 % меньше энергии, чем существующие на рынке решения.

Эти чипы созданы для применения в смартфонах нового поколения, в смартбуках и планшетных ПК. В массовое производство чипы поступят в первой четверти этого года.