SK Hynix разрабатывает 12-слойную память HBM3
Компания SK Hynix сообщила о том, что она является первой в мире, разрабатывающей 12-слойную память HBM3 ёмкостью 24 ГБ, что делает эти модули самыми ёмкостными в мире.
В настоящее время опытные образцы данных чипов начали поставляться заказчикам. Модули HBM3 являются третьим поколением этой высокоскоростной памяти, после HBM, HBM2 и HBM2E.
В модулях объёмом 24 ГБ разработчики увеличил плотность на 50%, по сравнению с предшествующим поколением, выпущенным в июне прошлого года. Выпуск новой памяти является ответом SK Hynix на высокие требования в сегментах ИИ-чатботов. Данная память будет доступна во второй половине текущего года.
Для увеличения эффективности и производительности своих продуктов инженеры SK Hynix применили технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), а также сквозные связи Through Silicon Via (TSV), что позволило на 40% уменьшить толщину чипа DRAM, и общий размер новой микросхемы остался таким же, как был у 16 ГБ чипов.