Новости про Hynix

Сделка будет оформлена исключительно деньгами и позволит корейской компании стать вторым производителем памяти NAND в мире. За свои деньги SK Hynix получит весь NAND-бизнес Intel, включая бизнес твердотельных накопителей, а также производство для компонентов NAND и блинов. Кроме того, в собственность SK Hynix перейдёт завод в китайском Даляне.

Данный ход является продолжением стратегии Intel по избавлению от непрофильных направлений бизнеса. Продав бизнес NAND у компании останется бизнес Optane, который намного меньше, зато за счёт инновационности обладает большей прибыльностью.

Для SK Hynix это будет крупнейшая сделка после того, как в 2017 году компания инвестировала 3,7 миллиарда долларов в японскую Kioxia. Благодаря новой сделке компания сможет сократить своё отставание от лидера рынка — Samsung Electronics.

И хотя акционеры не очень рады данной сделке, поскольку она весьма дорогая, она принесёт пользу рынку за счёт его консолидации.

Компания подтвердила, что она отвечает требованиям рынка будущего и готова предоставить память нового типа, когда рынок активизируется. Это значит, что SK Hynix предложит модули DDR5, как только AMD или Intel начнут их поддержку. Сейчас в SK Hynix отметили, что уже поставили образцы своей продукции в Intel для проведения валидации.

Память DDR5 будет поддерживать скорость передачи в диапазоне 4800—5600 Мб/с, что намного больше, чем у DDR4. Операционное напряжение было снижено с 1,2 В до 1,1 В, что обеспечит снижение энергопотребления на 20%.

Память также имеет интегрированный код коррекции ошибок, таким образом все пользователи этой памяти получат данное преимущество, что, в свою очередь, должно повысить надёжность программ в 20 раз. Максимальный объём модулей памяти DIMM составит 256 ГБ благодаря технологии производства микросхем Through-Silicon-Via (TSV).

Производитель ожидает, что память DDR5 будет доступна в 2021 году, а уже в 2022 году память DDR5 займёт 10% рынка, в 2024 году — 43%.

Для сравнения, в видеокарте NVIDIA RTX 2080 установлено 8 ГБ GDDR6-видеопамяти со скоростью 448 ГБ/с. Это значит, что решение SK Hynix обеспечивает вдвое больший объём, при некотором увеличении скорости в единственном чипе. Данные микросхемы памяти представляют собой стек из восьми чипов объёмом 16 Гб, связанных по технологии Through Silicon Via.

HBM2E-память невероятно быстрая. Она позволяет производителям создать уникально быстрое оборудование. Поскольку память такого типа не нашла себе места на потребительском рынке, она прекрасно себя чувствует в сегменте коммерческих ускорителей расчётов и модулях ИИ.

Несмотря на профессиональную направленность, такой продукт может быть интересен каждому. Две модели из серии, PE8010 и PE8030, стали первыми SSD для компании, поддерживающими NVMe и интерфейс PCIe Gen4.

Оба этих накопителя используют 96-слойную память TLC 4D NAND flash и предлагают максимальную ёмкость в 8 ТБ. Модель PE8010 предназначена для нагрузок с интенсивным чтением, а PE8030 подходит для смешанного использования. Самой же интересной особенностью накопителей стала их скорость работы, по отношению к энергопотреблению.

Как уверяет сама SK Hynix, это соотношение лучшее на рынке. Так, скорость последовательного чтения представленных SSD составляет 6500 МБ/с, а записи — 3700 МБ/с. При этом скорость случайного чтения и записи составляет 1100K и 320K IOPS соответственно. Это на 103% быстрее при последовательном чтении и на 357% быстрее при записи, по сравнению с моделями прошлого года.

Максимальное энергопотребление анонсированных SSD составляет всего 17 Вт.

Итак, максимальная скорость новой памяти составит 8400 Мб/с. Однако по факту скорость может начинаться от 3200 МБ/с. Минимальная плотность одного ядра DDR5 составит 8 Гб, а максимальная — 64 Гб, что в 8 раз выше, чем у DDR4.

Другое изменение касается кода коррекции ошибок (Error-Correcting Code — ECC). Функция теперь не является эксклюзивной для специальных ядер, а будет использоваться для всех вариантов. Чипы DDR5 будут использовать 32 банка, разделённых на 8 банковых кластеров. Это должно обеспечить лучшую пропускную способность. Длина пакета данных составит 16, в отличие от 8 у DDR4. Это должно улучшить доступность памяти.

Что касается питания, то в DDR5 напряжение будет снижено на 0,1 В и составит 1,1 В, что позволит снизить энергопотребление на 20%.

Массовое производство DDR5 компания SK-Hynix начнёт в этом году.

Сегодня SK Hynix сообщила, что опубликованные слухи неверны. Компания уверяет, что не создавала и не распространяла документацию по этому вопросу. Также компания пригрозила СМИ, осуществившим дезинформацию, нежелательными действиями, включая потенциальные «судебные дела». В SK Hynix считают, что такие действия могут быть необходимы для собственной защиты и защиты бизнеса их клиентов.

Представленные спецификации скорее всего не являются игровым продуктом, и больше похожи на 7 нм Vega для ускорителя расчётов Radeon Instinct. Возможно из-за этого SK Hynix называет информацию фейком.

Новые сведения пришли из публикации CyberPunkCat в Twitter, который уверяет, что получил от SK Hynix некоторую информацию о будущем ускорителе Big Navi. По его сведениям, видеокарта будет содержать 24 ГБ видеопамяти HBM2e с пропускной способностью более 2 ТБ/с и шиной 4096 бит.

Также спецификации будут включать GPU с 5120 шейдерным блоком, 320 TMU, 96 ROP, 80 вычислительными блоками и 12 МБ кэша L2. Процессор получит архитектуру RDNA2 и будет изготавливаться по оптимизированной технологии 7 нм++.

Очевидно, что новое решение AMD будет дорогим. Оно планируется для игр в разрешении 4K. С его помощью AMD хочет сделать с NVIDIA то же, что она сделала раньше с Intel на рынке центральных процессоров.

Рынок памяти в 2019 году составлял 26,7%. Эндрю Норвуд, вице-президент Gartner, отметил, что его годовой спад составил 31,5%. В этой категории снижение прибыли от DRAM составило 37,5%, что было вызвано глобальным перепроизводством. Это привело к снижению рыночной цены вдвое, что порадовало потребителей и расстроило производителей.

Рынок NAND потерял не настолько много, поскольку здесь прибыль упала лишь на 23,1%. В результате Samsung, занимавшая первую позицию в рейтинге производителей микросхем в 2017 и 2018 годах, в 2019 году не смогла сохранить лидерство, поскольку большая доля её поступлений приходится именно на микросхемы памяти. Новым старым лидером стала Intel. На 3, 4 и 5 местах расположились SK Hynix, Micron Technology и Broadcom.

Данная модель накопителей вначале будет выпущена с интерфейсом SATA III и станет первым устройством серии потребительских SSD SuperCore, в которой будут применяться фирменные базовые технологии.

Модель Gold S31 «раздвинет границы высокопроизводительных SSD» и предоставит «новый уровень скорости» с последовательным чтением до 560 МБ/с. Построен он на фирменной памяти 3D-NAND и контроллере собственной разработки. Также компания обещает превосходное качество, надёжность и пятилетнюю гарантию.

Устройство Gold S31 будет выпущено в 2,5” формате с интерфейсом SATA III. Он будет доступен в объёмах 1 ТБ, 500 ГБ и 256 ГБ. В продажу Gold S31 поступит в следующем году. Позднее же стоит ожидать версию с шиной PCIe.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI-Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.