Новости про Hynix и LPDDR

Разработанная в январе этого года, память LPDDR5T является самой быстрой мобильной памятью DRAM, достигая скорости 9,6 Гб/с. Тесты проводились с применением процессора MediaTek Dimensity нового поколения. Таким образом, уже в этом году будет доступна память с высочайшей скоростью передачи данных.

Ранее мировое индустриальное сообщество предполагало, что скорость в 9,6 Гб/с может быть достигнута лишь с выходом LPDDR6, которая планируется на 2026 год. И вот, SK Hynix достигла таких результатах на нынешнем поколении LPDDR5T.

Поскольку проверка соответствия стандартам JEDEC находится на финальном этапе, SK Hynix ускоряет выпуск LPDDR5T на рынок. Разработчики ожидают, что смена поколений мобильных устройств в начале следующего года позволит использовать новую быструю память.

Используя эту технологию можно массово производить новейшие продукты DRAM четвёртого поколения по классу 10 нм. Новый техпроцесс компания назвала 1anm. Он придёт на смену нынешнему 1znm, запущенному в 2019 году. Более высокие плотности технологи 1a позволят выпускать на 25% больше микросхем на том же блине.

В плане улучшений, которые даёт новый техпроцесс, можно отметить рост скорости памяти LPDDR4 до 4266 Мб/с, которая обычно характеризует память LPDDR4X. Кроме высокой скорости также прогнозируется снижение энергопотребления на 20%.

Память LPDDR4, произведённая по новой технологии, будет применяться в смартфонах, и первые устройства, оснащённые памятью по процессу 1anm появятся во втором полугодии. Кроме того, технология 1anm будет применена для производства памяти типа DDR5.

Пакеты LPDDR5 объёмом 18 ГБ от SK Hynix включают различные устройства в области памяти и поддерживают скорость передачи данных в 6400 МБ/с, самую высокую, из доступных по спецификации на этот тип ОЗУ. Кроме того, новые пакеты предлагают на 11,7% большую ёмкость, по сравнению с микросхемами объёмом 16 ГБ.

В компании не сообщают, по какой технологии производится новая память, но очевидно, что речь идёт об одном из передовых процессов.

Одним из первых претендентов на применение памяти SK Hynix 18 ГБ LPDDR5-6400 станет игровой смартфон Asus ROG 3. Также эти пакеты могут появиться в топовых моделях ноутбуков и планшетов с 18 ГБ или 36 ГБ ОЗУ.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.