Новости про производство

TSMC: Разработка 3 нм EUV протекает успешно

Разработка новых технологий производства микросхем никогда не останавливается. Неудивительно, что 3 нм технология от TSMC уже находится на завершающих этапах разработки, и первые микросхемы уже поставляются клиентам.

«Касательно N3, разработка технологии продолжается, и мы уже связались с первыми клиентами для определения технологии», — заявил Си Си Веи, исполнительный директор и глава TSMC на совещании с инвесторами и финансовыми аналитиками. «Мы ожидаем дальнейшее расширение нашей 3-нанометровой технологии, наша лидирующая позиция уверенно защищена в будущем».

Производство микросхем TSMC
Производство микросхем TSMC

С тех пор, как технология N3 перешла на этап разработки, TSMC никогда не сообщала о характеристиках процесса и о преимуществах над N5. Компания отмечает, что изучила все возможные структуры транзисторов, и пришла «к лучшему решению» для своих клиентов. Спецификации всё ещё разрабатываются, а потому кроме заявлений о соответствии требованиям ведущих партнёров, никакой информации нет.

Что касается технологии производства, то для 3 нм поколения будет применяться как экстремальная, так и глубокая ультрафиолетовая литография. В процессе N5 компания применяет 14 слоёв EUV, в N3 их число будет увеличено.

ARM: стоимость 5 нм чипов — астрономическая

Последние 20 лет производители чипов постоянно уменьшали размеры элементов, чтобы получить преимущества. Это приводило к снижению энергопотребления и повышению производительности при сокращении стоимости.

Однако теперь наступает технологический тупик, и для дальнейшего роста производительности необходимо думать над другой конструкцией микросхем.

Сайт EE Times взял интервью у исполнительного директора ARM Саймона Сегарса, который выразил мнение, что лишь несколько компаний смогут использовать 5 нм конструкции, поскольку стоимость проектирования для этого процесса — астрономическая.

«Стоимость проектирования 5 нм чипов будет астрономической… что ограничивает использование технологии до нескольких компаний, которые могут амортизировать её на разных моделях. Из-за закона Мура вы вынуждены тяжелее трудиться, и уже нет лёгких путей для оптического масштабирования».

В то же время Санджай Мехротра, исполнительный директор Micron, рассказал о влиянии закона Мура на сектор производства памяти. Он сообщил, что ожидает появление NAND стеков из более 200 слоёв, а в области DRAM компания рассматривает шесть техпроцессов, которые заменят традиционные. «Мы хотим использовать EUV в больших объёмах, пока она финансово эффективна», — заявил Мехротра.

Производители памяти переходят на 96-слойные 3D NAND процессы

Производители микросхем агрессивно внедряют новые 96-слойные процессы производства 3D NAND. Всё это выглядит так, что в 2020 году эта технология станет мейнстримом отрасли.

В текущем году рынок NAND споткнулся с перепроизводством. Производители приняли решение замедлять темпы расширения складских запасов и даже снижать объёмы производства, чтобы лучше управлять запасами.

Так, Micron Technology раскрыла планы по 10% сокращению производства NAND-памяти, в то время как SK Hynix прогнозирует снижение количество произведенных пластин с микросхемами на более чем 10%, по сравнению с 2018 годом.

3D NAND микросхемы Micron
3D NAND микросхемы Micron

Южнокорейская Samsung Electronics также скорректирует своё производство в краткосрочной перспективе в ответ на разворачивающуюся торговую войну между Японией и Южной Кореей.

Отмечается, что многие производители NAND уже подготовили образцы стековой памяти, состоящей из 120 или 128 слоёв. Гонка технологий по промышленному выпуску 128-слойной памяти между крупными производителями памяти начнётся уже ближайшей зимой.

TSMC анонсирует начало разработки 2 нм техпроцесса

Большие и мощные процессоры наконец-то начали выпускаться по 7 нм технологии, однако TSMC смотрит в будущее и уже готовится к разработкам 2 нм технологии.

На замену 7 нм процессу придёт 5 нм, а затем — 3 нм. Эти технологии уже активно разрабатываются как TSMC, так и Samsung. Но то, что тайваньская компания уже готовится к 2 нм поколению — просто удивительно.

TSMC
TSMC

Жуан Зишоу, старший директор TSMC, пояснил тайваньским СМИ, что новый 2 нм завод будет находится вместе с другими заводами будущих поколений в тайваньском Синьчжу. В этом городе расположен гигантский научный парк, в котором расположены 400 технологических компаний, включая TSMC.

Дорожная карта ячеек в микросхемах TSMC
Дорожная карта ячеек в микросхемах TSMC

Компания рассчитывает, что новый завод начнёт выпуск продукции к 2024 году.

TSMC ускоряет переход на 5 нм

Компания TSMC приступила к рисковому производству чипов по 5 нм нормам. К массовому производству эта технология будет доступна в первой половине 2020 года.

По имеющимся данным, данный процесс позволит на 45% сократить занимаемую микросхемой площадь и увеличить производительность на 15% по сравнению с нынешними 7 нм чипсетами.

У компании уже готова технология 7 нм+. Она предлагает снижение энергопотребления на 6—12 процентов и позволяет увеличить плотность транзисторов на 20%, по сравнению с нынешним 7 нм процессом. Микросхемы, изготовленные по технологии 7 нм+, будут доступны уже в этом году.

TSMC
TSMC

На обновлённую технологию уже есть заказчики. В первую очередь — Apple, которая заказывает процессоры для iPhone эксклюзивно у TSMC. Также по этому процессу будут изготавливать новые топовые SoC Snapdragon по заказу Qualcomm.

Следующее поколение, 5 нм+, также находится на этапе разработки. Рисковое производство по этой технологии планируется на первый квартал 2020 года, а массовое производство — на 2021 год.

TSMC: большинство клиентов перейдёт на 6 нм

В ходе квартального совещания по итогам работы за квартал, исполнительный директор TSMC, господин Веи, сообщил, что большинство нынешних клиентов, которые получают продукцию по технологии N7, мигрируют на N6.

Эта технология станет усовершенствованием нынешней 7 нм и при той же конструкции обеспечит на 18% большую логическую плотность. Для пользователей переход будет лёгким и малозатратным. Именно поэтому N6 называется следующим популярным техпроцессом производства микросхем.

TSMC
TSMC

Для производства по технологии N6 будет использована экстремальная ультрафиолетовая литография, которая позволит снизить сложность производства за счёт уменьшения количества экспозиций для нескольких масок. Сколько будет слоёв по технологии EUVL для процессов N7+ или N6, пока производителем не подтверждается, но TSMC обещает их увеличение.

NVIDIA прекращает выпуск GPU Turing без метки «A»

Когда GPU Turing впервые появились на видеокартах, они сразу были разделены на два лагеря маркировкой. Стандартные процессоры нельзя было разогнать, а вот те, которые после названия маркировались буквой «A», были лучшего качества и легко разгонялись. Теперь NVIDIA будет выпускать GPU только с буквой «A».

Речь идёт о моделях GPU Turing TU104-410 (RTX 2080) и TU106-410 (RTX 2070). Это значит, что все производственные партнёры NVIDIA будут получать микросхемы высокого качества и смогут выпускать модели видеокарт с ещё большим заводским разгоном.

Графический процессор TU106-400A
Графический процессор TU106-400A

Благодаря этим изменениям компания сможет лучше противостоять AMD с её новым ускорителем Radeon RX 3080 XT семейства Navi. По слухам, эта видеокарта будет продаваться за 340 долларов, что намного дешевле GeForce RTX 2070 с ценой 600 долларов США, и NVIDIA нужно предпринять большие усилия для сохранения продаж.

Intel вернёт себе корону полупроводникового рынка

Долгие годы компания Intel была лидером полупроводниковой отрасли. Поступления от продажи её продукции всегда превышали таковые у конкурентов, однако в 2017 году вперёд вышла Samsung благодаря резкому скачку на рынке памяти.

Два года назад поступления Intel составили 61,7 миллиарда долларов, в то время как компания Samsung получила 65,9 миллиардов. В прошлом году поступления заметно возросли для обеих фирм. Так, Intel получила 69,9 миллиарда, а Samsung — 78,5 миллиарда.

Однако в текущем году аналитики из IC Insights прогнозируют другую картину. Доход Intel от продажи полупроводниковой продукции продолжит расти и достигнет 70,6 миллиардов долларов. В то же время Samsung резко потеряет доход до 63,1 миллиарда. Столь значительный спад связывают с 24% снижением рынка памяти, который потянет за собой весь рынок полупроводниковой продукции вниз на 7%. Таким образом, общемировой рынок полупроводников составит 468,9 миллиарда долларов, тогда как в 2018 году он достиг 504,1 миллиарда.

В своём отчёте аналитики обратили внимание только на двух лидеров, однако отметили, что из-за спада рынка DRAM и NAND, 20% снижение продаж ожидает такие компании, как Micron, SK Hynix и Toshiba.

TSMC готовится строить 3 нм фабрику

Крупнейший мировой производитель микросхем на заказ, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, сообщил о планах по постройке нового завода на юге Тайваня, в Таинане, который будет производить продукцию по 3 нм нормам.

При этом завод будет использовать 20% возобновляемой энергии и 50% перерабатываемой воды. Разрешение на строительство было выдано в конце декабря администрацией по защите окружающей среды, после повышения обещанного уровня использования возобновляемых ресурсов.

Завод TSMC
Завод TSMC

Компания планирует вложить в проект 19,5 миллиардов долларов. Строительство должно начаться в 2022 году. Первая продукция должна быть выпущена в том же 2022 году или начале 2023 года. На той же площадке TSMC уже строит 5 нм завод, который начнёт работу в конце 2019 или начале 2020 года.

Intel активно готовит 7 нм процесс

Возможно, что у Intel появился свет в конце туннеля производства микросхем. Компания сообщила об активной разработке 7 нм технологии производства.

Этот 7 нм процесс будет использовать экстремальную ультрафиолетовую литографию (EUV). Об этом Intel сообщила инвесторам. Процесс будет отвязан от печально известного 10 нм глубокого ультрафиолета (DUV), и команды, работающие над технологиями, разделены. Сейчас протекает процесс квалификации 10 нм DUV технологии, и компания изготавливает небольшое количество маломощных процессоров Cannon Lake.

Пластина с микросхемами
Пластина с микросхемами

Переход от 10 нм к 7 нм позволит вдвое уменьшить размер транзисторов. В 10 нм процессе DUV используется комбинация ультрафиолетовых лазеров с длинной волны 193 мм и мультипаттеринг (на самом деле 4 уровня). В процессе 7 нм EUV применяются суперсовременные непрямые лазеры 135 нм длины волны, исключая мультипаттеринг. Объединение этого лазера с масками позволит создать 5 нм технологию.

Успешная работа над 7 нм процессом означает готовность к квалификации в конце 2019 года и начало массового производства в 2020—2021 годах. Учитывая, что квалификация 10 нм DUV началась в конце 2017 года, а массовое производство началось в мае 2018 года, Intel не станет использовать 10 нм в течение многих лет, как произошло с 14 нм технологией.