Новости про производство

NVIDIA имеет трудности со складами

Технологический ресурс SemiAccurate сообщает, что компания NVIDIA откладывает запуск нового игрового GPU в связи с перегрузкой на складах из-за ошибочного планирования.

Суть проблемы заключается в том, что NVIDIA переоценила возможный спрос на видеокарты со стороны рынка майнинга. Из-за этого «топ 3» производителя видеокарт из Тайваня вернули NVIDIA 300 000 графических процессоров.

Офис NVIDIA
Офис NVIDIA

Этот факт возврата процессоров многое говорит о текущем состоянии поставки комплектующих. Источник уверяет, что сейчас NVIDIA активно скупает память GDDR5, поскольку ей нужно обеспечить производство видеокарт.

На наш взгляд приведенные аргументы несколько нелогичны. Во-первых, очевидно, что NVIDIA не попала на поезд майнеров, и её видеокарты не пользовались особым спросом для добычи криптовалюты. Во-вторых, компания постоянно жаловалась на нехватку GPU, так что утверждать о внезапном перепроизводстве вряд ли возможно. В любом случае, всё станет очевидным после публикации компанией квартального отчёта.

Intel: проблемы 10 нм не коснутся 7 нм

Переход на 10 нм технологию производства доставил Intel массу проблем. Долгие годы компания отрабатывает этот техпроцесс, однако он до сих пор он даёт слишком много брака, когда речь заходит о высокопроизводительных решениях.

В ходе встречи с акционерами исполнительный директор Intel Брайан Крзанич в своём докладе коснулся и этой темы. Он заявил, что проблемы с 10 нм привели к тому, что AMD смогла вырваться в технологическом плане вперёд, однако переход на 7 нм не вызовет трудностей, поскольку это совершенно новая технология производства, к тому же компания поставит себе менее амбициозные цели.

Исполнительный директор Intel Брайан Крзанич
Исполнительный директор Intel Брайан Крзанич

«7 нанометров будет первым переходом к литографическим инструментам, которые затем откроют нам возможность к печати элементов намного, намного мельче, и намного проще. Так что это первый шаг, отделяющий 10 и 7 нанометров. Ещё одна вещь… из-за которой мы не сделали 10 нанометров, связана с намного более агрессивным фактором масштабирования. Вместо наших типичных 2,4, промышленность применяет масштабирование в 1,5 и 2 раза», — заявил Крзанич. Он уточнил, что переход на 10 нм должен привести к масштабированию в 2,7 раза, а это очень сильно осложняет задачу.

Сбудутся ли обещания, данные директором своим акционерам, мы узнаем только через пару-тройку лет.

TSMC представила технологию производства микросхем WoW 3D

Taiwan Semiconductor анонсировала внедрение технологии производства объёмных стековых чипов. Эта технология была названа пластина-на-пластине (Wafer-on-Wafer, или WoW). Также компания пообещала готовность 7 нм+ процесса в этом году и 5 нм процесса в следующем.

Современные микросхемы очень сложно уменьшать, поэтому переход на более тонкие техпроцессы занимает много времени. Однако промышленность требует увеличения числа транзисторов в чипе, и в TSMC придумали как удвоить их количество, применив стеки. Многослойные конструкции давно используются в микросхемах памяти, но только теперь TSMC стала готова предложить эту технологию для всех типов чипов.

Пластина микросхем
Пластина микросхем

Технология, созданная в партнёрстве с Cadence Design Systems, основана на существующих техниках чип-на-пластине-на подложке (Chip-on-Wafer-on-Substrate — CoWoS) и интегрированного разветвления (Integrated Fan-Out — InFO). По сути, технология WoW заключается в изготовлении двух обычных пластин микросхем, которые производятся перевёрнутыми, так, что сверху и снизу оказывается подложка. Затем традиционные пластины связываются сквозными проводниками по технологии through-silicon via (TSV), образуя пакеты.

Структура чипов TSMC WoW

Кроме технологии WoW в компании также подтвердили, что в этом году она будет готова выпустить усовершенствованный 7 нм процесс, в то время как 7 нм технология первого поколения будет доступна для массового производства. В следующем же году TSMC готовится выпустить 5 нм микросхемы.

На рынке игровых ЖК панелей разгорается конкуренция

Промышленные источники, на которые традиционно ссылается DigiTimes, сообщают, что рынок игровых жидкокристаллических панелей становится более плотным. Сайт отмечает, что LG Display, Innolux и BOE Technology выпускают новые панели в этом крайне прибыльном сегменте.

В настоящее время лидером рынка является AU Optronics (AUO), фирма, выпустившая в прошлом году 1,8 миллиона панелей для таких клиентов как ASUS, Acer, BenQ, ViewSonic, AOC и Philips. На втором месте расположилась Samsung Display, поставив за 2017 год 1 миллион панелей, которые нашли себе место в мониторах Samsung, AOC, Philips и Chongqing HKC Optoelectronics.

Игровой 144 Гц монитор AOC G2460PF
Игровой 144 Гц монитор AOC G2460PF

Однако в этом году ожидается более плотная конкуренция. Так, BOE готова выпустить 31,5” игровые панели, а Innolux во втором полугодии планирует начать массовое производство 23,8”, 27” и 31,5” панелей.

В то же время LG Display уже приступила к массовому производству 34” игровых панелей с пропорциями 21:9, а также планирует выпуск 27” экранов на третий квартал текущего года.

В целом же аналитики ожидают, что в этом году объёмы продаж игровых ЖК панелей достигнут 5,5 миллионов штук, что намного больше 3,7 миллионов панелей, поставленных в прошлом году. В общем, конкуренция разгораяется нешуточная, что нам, конечным потребителям, всегда на руку.

Разработка 7 нм процесса Samsung идёт быстрее графика

В Сети появились слухи о том, что разработка 7 нм EUV процесса компании Samsung опережает график! Южнокорейский гигант с успехом продвигается в создании 7 нм технологии, а главным клиентом компании станет Qualcomm.

Скорее всего, под 7 нм процессом подразумеваются 7 нм LPP (low power plus) узлы, для производства которых применяется экстремальная ультрафиолетовая литография.

Логотип Samsung
Логотип Samsung

По имеющимся данным, Samsung наладила производственные условия и закончила опытные работы по 7 нм EUV процессу на линии Hwaseong S3. Инженеры и конструкторы, создававшие 7 нм процесс, подготовили конструктивную базу и методологии, необходимые для начала опытного производства для клиентов. Сами инженеры перешли к разработке 5 нм процесса, который пока находится на самых ранних этапах.

Согласно данным SE Daily, Samsung будет готова к началу массового производства Qualcomm Snapdragon 855 по 7 нм LPP процессу в конце этого или начале следующего года. В компании сообщают, что 7 нм технология обеспечивает на 40% меньше чипы, по сравнению с 10 нм процессом. Также они обеспечат 10% прирост производительности или 35% снижение энергопотребления.

2 нм могут оказаться невыгодными

В ходе мероприятия группы Synopsys, прошедшего в Санта Кларе, калифорния, прозвучали слова сомнения о возможности перехода полупроводниковой промышленности на 2 нм нормы производства в будущем, поскольку этот переход вряд ли будет экономически целесообразным.

Конечно, инженеры видят способы уменьшения транзисторов до 5 нм, 3 нм и даже 2 нм, но некоторые сомневаются в коммерческой эффективности этих переходов. Пока об этом говорить слишком рано, но повышение сложности и рост затрат на всё уменьшающиеся чипы может означать, что даже 5 нм процесс окажется экономически нецелесообразным.

Дорожная карта уменьшения размеров транзисторов в микросхемах
Дорожная карта уменьшения размеров транзисторов в микросхемах

«Прирост производительности в 16%, полученный при переходе на 10 нм, теряется при переходе на 7 нм по причине сопротивления в металлических дорожках. Энергосбережение, возросшее на 30% при 10 нм, при переходе на 7 нм возрастёт на 10—20%, а площадь кристалла, уменьшившаяся на 37% при 10 нм сократится на 20—30% с переходом на 7 нм», — заявил Пол Пензес, старший директор технологической команды Qualcomm.

«Площадь по-прежнему уменьшается на хорошую двухзначную величину, но скрытые затраты возрастают, означая, что реальные преимущества в стоимости и прочие улучшения начинают снижаться… И не ясно, что останется на 5 нм», — добавил Пензес, допустив, что 5 нм процесс может стать единственным улучшением после 7 нм.

IMEC: 5 нм EUV подвержена случайным дефектам

Исследователи из IMEC сообщили, что 5 нм процесс экстремальной ультрафиолетовой литографии будет очень сложным во внедрении.

Наибольшей проблемой, с которой столкнутся инженеры, являются случайные дефекты, которые возникают в чипах, выпущенных по технологии 5 нм EUV. Эти дефекты включают тонкие разломы и связки, такие как утолщение линий, что приводит к образованию несовершенных разрывов или замыканий двух линий или контактов изоляторов. Эти изъяны невероятно трудно искать, и в настоящее время нет чёткого решения по их исправлению.

Дефекты 5 нм EUV технологии

Ян Бороводски, бывший специалист по литографии Intel, предсказывал, что инженеры смогут создавать 5 нм и 3 нм устройства с использованием 2—3 проходов EUV. Однако растущее количество дефектов в чипах будут подталкивать инженеров к новой, толерантной к дефектам архитектуре, такой как нейронные сети.

По его мнению, 5 нм процесс будет коммерчески готов лишь в 2020 году, что вызвано большим количеством брака. Производители оборудования для EUV смогут создать машины для печати микросхем нового поколения, исключающего образование дефектов, лишь в 2024 году.

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

IM Flash

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Qualcomm Snapdragon 855 будет изготовлен TSMC по 7 нм нормам

Всего пара недель прошла с момента анонса Snapdragon 845, как уже появились слухи о его последователе. Нынешний, 845-й чип, изготавливается по 10 нм нормам FinFET компанией Samsung. Его последователь будет изготовлен по 7 нм нормам.

Если Snapdragon 835 и Snapdragon 845 изготавливались на заводах Samsung, то по информации Nikkei, Qualcomm решил перейти к производителю TSMC. Также TSMC будет изготавливать для Qualcomm модемы для смартфонов и лёгких устройств-конвертеров.

Qualcomm Snapdragon

Переход от Samsung к TSMC — это большой шаг для Qualcomm и всей индустрии, ведь большинство флагманских Android-смартфонов основаны именно на платформе Qualcomm. Также в ближайшее время начнут появляться ноутбуки на базе этих платформ.

Кроме новости о Qualcomm, Nikkei также сообщила о том, что TSMC также изготовит наследника для Apple A11, который используется в iPhone 8, iPhone 8 Plus и iPhone X. Сейчас Apple A11 Bionic изготавливается TSMC на 10 нм мощностях.

Графеновые чипы могут никогда не стать массовым продуктом

В новом поколении процессоров, изготовленным по 10 нм нормам, компания Intel в двух нижних слоях микросхемы планирует использовать кобальт.

Однако обозреватели считают, что в будущем большинство производителей продолжит использовать медные проводники и интерконнекты. Многие годы считалось, что для дальнейшего уменьшения производственного процесса потребуются новые материалы. В то же время IBM опубликовала презентацию, в которой считает медь достаточным проводником в микросхемах до 5 нм процесса, и даже ниже.

Растравы кислотой при производстве интегральных схем

Также компания Aveni выяснила, что щелочное травление позволяет расширить использование меди до 3 нм, и, возможно, данный подход будет применим до самого конца технологии CMOS.

В компании убеждены, что щелочная гальванизация делает уход от меди бессмысленным, поскольку кобальт при этом процессе не разрушается. «Одной из проблем с кислотными химикатами является частый протрав подлежащего барьерного слоя. Со щелочными химикатами у вас не возникает эта проблема растрава подслоя», — заявил в интервью технический директор Aveni Фредерик Райнал.