Новости про DDR5

AMD подтвердила, что Zen 3 не получит поддержки DDR5

Продукты серии Zen 2 от компании AMD скоро будут доступны, но компания уже проектирует третье поколение этой архитектуры, Milan, которое будет готово к середине 2020 года для серверов.

Процессоры Zen 2 Rome позволили заметно поднять частоту памяти DDR4. Процессоры Milan будут работать в серверных сокетах SP3, таких же, в которых сейчас работают чипы EPYC. Форрест Норрод из AMD сообщил, что новые EPYC также будут работать с памятью DDR4 и не будут поддерживать новую память.

AMD Zen 2
AMD Zen 2

«DRR5 имеет другую конструкцию», а потому потребуют нового сокета. Поскольку Milan поддерживает сокет SP3, то и тип поддерживаемой памяти остаётся старый. Настольные процессоры Zen 3 также будут использовать память DDR4. Более того, даже 4-е поколение Zen будет работать с DDR4, и оно будет последним, использующем эту память.

SK Hynix публикует детали о первом чипе DDR5

Компания SK Hynix представила детали о первой микросхеме памяти типа DDR5. Стандарт ещё не завершён Jedec, но это никогда не останавливало производителей.

Новая память должна обеспечивать удвоение пропускной способности и удвоение плотности, по сравнению с DDR4. Также будет улучшена канальная эффективность. Донкьюн Ким, конструктор микросхем в Hynix, представил спецификацию микросхемы памяти DDR5. Этот чип является 16 Гб микросхемой SDRAM, работающей со скоростью 6,4 Гб/с на контакт. Напряжение питания составляет 1,1 В, а площадь кристалла — 76,22 мм2. Чип изготавливается по 1y нм технологии.

Спецификация и микрофотография чипа DDR5
Спецификация и микрофотография чипа DDR5

Для уменьшения помех в микросхеме были применены ряд новых техник, включая модифицированную петлю слежения за задержками с оборотом фаз и осциллятор со слежением за подачей сигнала. Увеличению скорости памяти способствовала специальная система тренировки записи.

Немногим ранее Samsung также опубликовала документ о памяти нового типа. Ей стала 10 нм LPDDR5 SDRAM со скоростью 7,5 ГБ/с и напряжением 1,05 В.

Ожидается, что первые рыночные образцы памяти DDR5 появятся уже в конце текущего года.

Память PC5 DDR5 появится в 2020 году

Один из сотрудников исследовательского подразделения SK Hynix Ким Дон-Кьюн заявил, что память стандарта PC5 DDR5 может появиться на рынке уже в следующем году.

Первыми на рынке будут представлены модули стандарта DDR5-5200, что почти вдвое выше, чем первоначально у DDR4-2666. Дон-Кьюн заявил: «Мы обсуждаем несколько концептов пост-DDR5. Один концепт — это поддержание нынешней тенденции по ускорению передачи данных, а другой — комбинирование технологии DRAM с процессом технологий систем-на-чипе, таких, как CPU». Дополнительных пояснений специалист не дал.

В прошлом году на SK Hynix создали работающий прототип, 16-гигабитный (2 ГБ) чип DDR5 DRAM, работающий на скорости 5200 МТ/с при напряжении 1,1 В. Это значит, что модуль с шиной 64 бита сможет работать на скорости 41,6 ГБ/с.

Модуль памяти PC5 DDR5-5200 от SK Hynix
Модуль памяти PC5 DDR5-5200 от SK Hynix

При этом у SK Hynix есть собственные разработки по повышению производительности чипов DDR5, не нарушая стандартов. «Мы разработали мультифазную синхронизацию, которая позволяет поддерживать напряжение в ходе высокоскоростных операций в чипе на низком уровне, размещая множество фаз внутри интегральной схемы так, что питание, используемое на каждой фазе, низкое, но скорость высокая благодаря объединению», — сообщил Ким.

Также он сообщил, что уже ведётся разработка стандарта DDR6, которому поставлена задача удвоения пропускной способности и плотностей, по отношению к DDR5.

Потребность в модернизации оперативной памяти сейчас вызвана не столько экосистемой PC, сколько портативными устройствами и электроникой самоуправляемых автомобилей.

SK Hynix представляет 16 Гб чипы DDR5

Один из крупнейших производителей оперативной памяти, SK Hynix, разработала память DDR5 объёмом 16 Гб, которая, по словам разработчиков, является первой в мире памятью, полностью отвечающей стандартам JEDEC.

DDR5 — это следующее поколение оперативной памяти, которое предложит высочайшую скорость и плотность при сниженном потреблении энергии, по сравнению с DDR4. Память, в первую очередь, предназначена для применения в отраслях с большим обменом данными, например, в Big Data, искусственном интеллекте и машинном обучении.

Оперативная память от SK Hynix
Оперативная память от SK Hynix

Новые 16 Гб чипы DRAM изготовлены по 1Y-нм технологии и поддерживают скорость передачи данных в 5200 Мб/с. Производитель ожидает, что в массовое производство эти чипы поступят в 2020 году. Ожидается, что с этого времени на память DDR5 появится большой спрос, и уже в 2021 году она займёт 25% рынка ОЗУ, а годом позднее — 44%.

Samsung готовит 8-гигабитные чипы LPDDR5

Компания Samsung анонсировала прототипы 8-гигабитной памяти LPDDR5, которую фирма готовит в связи с подготовкой к сетям 5G.

Южнокорейский гигант успешно протестировал 8 ГБ модули памяти, собранные из 8 чипов LPDDR5 объёмом 8 Гб. Этот анонс выпущен вместе с традиционными обещаниями по «повышению производительности» и «снижению энергопотребления».

Чипы памяти Samsung
Чипы памяти Samsung

Представленная память использует последнюю спецификацию DDR5, разработка которой ещё не окончена. Теоретически, память LPDDR5 может работать на 6,4 Мб/с, в то время как LPDDR4X работает на 4,26 Мб/с.

Улучшенное энергопотребление новой памяти достигается за счёт введения «режима глубокого сна». В результате, по сравнению с LPDDR4X, энергопотребление LPDDR5 снижается вдвое.

Когда же память LPDDR5 будет доступна, ещё не ясно, но Samsung явно подготовилась к этому моменту.

DDR5 появится в 2020 году

Ассоциация JEDEC этим летом должна завершить спецификацию памяти DDR5. Несмотря на это некоторые производители уже имеют промышленные образцы памяти этого типа.

Изначально, память DDR5 должна иметь частоту в диапазоне от 4400 МГц до 6400 МГц. Однако главным изменением в этой памяти станет не производительность, а объём. Ожидается, что каждое ядро микросхемы будет иметь объём до 32 Гб.

Прототип DDR5 от Cadence
Прототип DDR5 от Cadence

Дело в том, что на рынке имеется высокий спрос на память, и современные задачи требуют большого объёма ОЗУ. Однако серверы физически могут работать лишь с ограниченным количеством модулей. Новый стандарт позволит производителям изготавливать микросхемы объёмом 16 Гб и 32 Гб со встроенной коррекцией ошибок. То есть подсистема памяти получит собственную ECC. Стандарт призван оптимизировать внутреннюю сегментацию и уменьшить тайминги. Кроме увеличения ёмкости ядра до 32 Гб память DDR5 унифицирует создание стеков, что облегчит производителям создание многоядерных чипов.

Пока использование памяти DDR5 видится только в серверах. Ожидается, что первое применение памяти DDR5 произойдёт в 2019/2020 годах, а её внедрение окажется стремительным. В Cadence, имеющей работающие чипы памяти нового типа, считают, что DDR5 обойдёт DDR4 к 2020 году.

Rambus: HBM3 удвоит пропускную способность до 4000 Мб/с

Новый слайд от Rambus пролил немного света на цели в развитии памяти, показав будущее широкополосной памяти HBM3 и DDR5.

Дизайнер решений в области памяти отметил, что микросхемы обоих типов при готовности выйти на рынок будут произведены по 7 нм технологии. Таким образом, эти решения в области памяти не появятся раньше 2019 года. При этом конечные спецификации пока не утверждены и в будущем ещё могут измениться.

Планы Rambus на память

У Rambus уже есть работающий прототип DDR5. В фирме ожидают, что официальный стандарт будет нацелен на частоту от 4800 МГц до 6400 МГц, что вдвое больше, чем у DDR4.

Слайд также сообщает, что HBM3 вдвое увеличит пропускную способность по сравнению с HBM2, но при этом будет иметь более сложную конструкцию архитектуры.

Rambus имеет работающий прототип памяти DDR5

Память DDR5 должна стать наследником нынешней DDR4, обеспечив удвоение полосы пропускания, по отношению к нынешним решениям. Появиться же новый стандарт должен в 2019 году.

Разработчик стандарта, JEDEC, сообщает, что базовая частота памяти DDR5 составит примерно 4800 МГц, что даже вдвое выше, чем у DDR4, и опережает самые лучшие образцы современной памяти от G.Skill и Corsair, рабочая частота которых доходит до 4600 МГц.

Пропускная способность памяти составит 6,4 Гб/с, обеспечивая максимально 51,2 ГБ/с, что вдвое выше нынешних 3,2 Гб/с и 25,6 ГБ/с. Новая версия также позволит снизить напряжение 64-битного линка до 1,1 В и увеличить длину пакета с 8 до 16 бит при 1,2 В. Интересно, что регулировка напряжения будет осуществляться на самой планке памяти, а не на материнской плате. Производители процессоров рассчитывают увеличить число каналов памяти с 12 до 16, что позволит удвоить объём поддерживаемой памяти до 128 ГБ.

Прогресс памяти DDR

Что касается цены на память, то этот вопрос остаётся открытым, однако учитывая современную стоимость памяти, вряд ли скачок цены окажется слишком большим.

Сейчас характеристики памяти DDR5 кажутся удивительными, однако факт наличия работающего прототипа этой памяти впечатляет ещё больше. Вице-президент по маркетингу продуктов Rambus Хемант Дулла заявил: «… мы первые, кто получил наборы чипов DDR5 DIMM. Мы рассчитываем на производство в 2019 году, и мы хотим быть первыми на рынке, чтобы помочь партнёрам запустить технологию». О том, когда же технология будет готова для рынка, Дулла заявил: «… осталась всего пара кварталов, не пара лет… Все хотят получить более широкую шину памяти».

JEDEC анонсирует память DDR5

Ассоциация JEDEC объявила о разработке памяти типа DDR5, которая будет обладать улучшенной производительностью и энергоэффективностью, по сравнению с прошлыми технологиями DRAM.

Планируется, что новая память удвоит пропускную способность, по сравнению с DDR4, а также обеспечит более высокую канальную эффективность. Эта эффективность, наряду с более дружественным интерфейсом для серверов и клиентских машин, обеспечит высокую производительность и улучшенное управление питанием в широком спектре применения.

Модуль NVDIMM-P

По мере того, как спрос на ёмкость и скорость DRAM увеличивается, технологии Hybrid DIMM, такие как JEDEC NVDIMM-P, обеспечат новые решения в области памяти, оптимизированные по стоимости, использованию энергии и производительности. В дополнение к нынешнему стандарту NVDIMM-N, NVDIMM-P предложит новые высокоёмкие модули для вычислительных систем.

Потрбление энергии памятью

Также ассоциация сообщила, что планирует провести глубокую техническую работу над памятью DDR5 и NVDIMM-P для обеспечения лучшего понимания стандарта и более быстрого его внедрения промышленностью.

Спецификации DDR5 будут завершены в этом году

В ходе IDF было сказано, что мы увидим как минимум ещё одну спецификацию памяти DDR.

Теперь же появилось подтверждение, что JEDEC готовит первую версию спецификации DDR5 к концу этого года. Однако до выхода этой памяти на рынок придётся подождать ещё 4 года.

Ранее некоторые эксперты отмечали, что DDR4 станет последней спецификацией памяти DDR4, после чего произойдёт переход к более совершенной ОЗУ, такой как PCM (фазопеременной ОЗУ) или к MRAM (магниторезистивной памяти). Однако сейчас память этого типа по-прежнему находится в разработке, и её применение может оказаться слишком дорогим в производстве. Также промышленность пока не испытывает необходимости в новом, более быстром типе памяти, однако такие направления как виртуальная реальность могут стимулировать её развитие.

Развитие DDR4

Память DDR5 предложит меньшие и более плотные чипы, которые будут изготовлены по передовым технологическим процессам. Спецификация DDR4, утверждённая много лет назад, не учитывает возможностей нынешних 14 нм и 10 нм технологий, а опирается на 40 и 50 нанометровые нормы.

Отмечается, что память DDR5 просуществует до 2025 года, после чего и будет представлена оперативная память нового типа.