Новости про DDR5 и Hynix

SK Hynix создаст самую быструю память для серверов

Компания SK Hynix сообщает, что она готова к созданию самой быстрой серверной памяти DDR5, которая будет способна работать на скорости до 8 Гб/с или 8000 МТ/с.

Достичь этого будет возможно за счёт применения технологии Multiplexer Combined Ranks (MCR), которая использует сразу два банка одновременно, задействуя буферную зону сервера.

Память DDR5 MCR от SK Hynix

Таким образом, чипы не работают быстрее сами по себе. Технология MCR помогает удвоить скорость работы всего модуля, смещая 128 байт данных за раз, вместо традиционных 64 байт. В результате, суммарная скорость работы модуля составляет 8000 МТ/с, что быстрее любого существующего на рынке модуля DDR5.

Компания разрабатывает эти высокоскоростные модули RDIMM в объёмах 48 ГБ и 96 ГБ, доступна она будет в следующем году. Стоит отметить, что это далеко не самые ёмкие модули. К примеру, Samsung сможет предложить модули объёмом 512 ГБ и даже 768 ГБ, которая также будет нацелена на серверы и высокопроизводительные вычислительные системы.

SK Hynix представила модули памяти необычного объёма

Компания SK Hynix на конференции 2022 Intel InnovatiON представила модули памяти для серверов необычного объёма.

Так, наряду с модулями традиционного объёма 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, компания подготовила и модули памяти объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Всё это касается модулей памяти DDR5 RDIMM для серверов.

Модули серверной ОЗУ от SK Hynix

Модули предлагаются со скоростями DDR5-5600 и DDR5-6400. Первый является стандартом JEDEC и поддерживается процессорами Xeon Scalable Sapphire Rapids. При этом все они поддерживают и стандарт DDR5-6400. Поддержки XMP или разгона SPD — нет, однако стандарт JEDEC предполагает, что процессор может сам тренировать память.

Флагманским модулем памяти от SK Hynix стал модуль DDR5-5600 RDIMM объёмом 256 ГБ, что означает возможность комплектования серверов по 4 ТБ на сокет, по две планки на канал.

SK Hynix первой выпустила DDR5 объёмом 24 Гб

Компания SK Hynix анонсировала начало поставки опытных образцов оперативной DDR5-памяти объёмом 24 Гб, что является самой плотной микросхемой памяти на рынке.

Компания подготовила самую плотную в мире память всего через 14 месяцев после выпуска первой микросхемы DDR5, усилив свои лидерские позиции на этом рынке.

DDR5-память от SK Hynix

Новые микросхемы объёмом 24 Гб изготовлены по технологии 1a нм, в которой применяется процесс ультрафиолетовой литографии. Объём одной микросхемы памяти стал на треть выше, поскольку существовавшие ранее чипы имели объём 16 Гб. Кроме этого SK Hynix сумела на 25% снизить энергопотребление, в сравнении с нынешними продуктами, а также снизила энергопотребление при производстве памяти, что положительно скажется на экологии.

Память объёмом 24 Гб будет использоваться в изготовлении модулей объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Использоваться она будет в высокопроизводительных серверах, облачных ЦОД и высоконагруженных системах вроде искусственного интеллекта и машинного обучения, а также для реализации метавселенных.

SK Hynix анонсирует новую память по технологии 1anm

Один из ведущих мировых производителей оперативной памяти, SK Hynix, анонсировал новое поколение чипов, произведенных с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии.

Используя эту технологию можно массово производить новейшие продукты DRAM четвёртого поколения по классу 10 нм. Новый техпроцесс компания назвала 1anm. Он придёт на смену нынешнему 1znm, запущенному в 2019 году. Более высокие плотности технологи 1a позволят выпускать на 25% больше микросхем на том же блине.

Оперативная память SK Hynix LPDDR4 изготовленная по технологии 1anm

В плане улучшений, которые даёт новый техпроцесс, можно отметить рост скорости памяти LPDDR4 до 4266 Мб/с, которая обычно характеризует память LPDDR4X. Кроме высокой скорости также прогнозируется снижение энергопотребления на 20%.

Память LPDDR4, произведённая по новой технологии, будет применяться в смартфонах, и первые устройства, оснащённые памятью по процессу 1anm появятся во втором полугодии. Кроме того, технология 1anm будет применена для производства памяти типа DDR5.

Teamgroup приступила к валидации памяти DDR5

Производитель памяти Teamgroup сообщил о том, что компания приступила к валидации первых потребительских модулей памяти DDR5.

В настоящее время она тестирует модули объёмом 16 ГБ и частотой 4800 МГц при напряжении 1,1 В. Эти значения совпадают с объявленными в октябре SK Hynix величинами для микросхем памяти. Компания рассчитывает стать пионером рынка DDR5 и выпустить свои первые наборы уже в III квартале 2021 года.

Память DDR5 от TeamGoup

Первой платформой для памяти DDR5 должна стать Intel Alder Lake-S, которая появится примерно в то же время. Что касается AMD, то она выпустит платформу с DDR5 немного позднее, в 2022 году, когда будут готовы процессоры архитектуры Zen 4. Эти процессоры, по слухам, будут использовать сокет AM5.

По словам Teamgroup, её память DDR5 не будет требовать от пользователей входа в BIOS и выставления рабочих частот или включения технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP). Память должна сама запуститься на проверенной частоте по умолчанию, при условии, что ваш процессор и материнская плата её поддерживают.

SK Hynix выпускает первый в мире набор памяти DDR5

Будущие персональные компьютеры, системы обработки Big Data, искусственного интеллекта и машинного обучения будут требовать всё большего объёма данных и на постоянно растущей скорости. Это обеспечит память нового типа DDR5, которую готова выпускать SK Hynix.

Компания подтвердила, что она отвечает требованиям рынка будущего и готова предоставить память нового типа, когда рынок активизируется. Это значит, что SK Hynix предложит модули DDR5, как только AMD или Intel начнут их поддержку. Сейчас в SK Hynix отметили, что уже поставили образцы своей продукции в Intel для проведения валидации.

Модули памяти DDR5 от SK Hynix

Память DDR5 будет поддерживать скорость передачи в диапазоне 4800—5600 Мб/с, что намного больше, чем у DDR4. Операционное напряжение было снижено с 1,2 В до 1,1 В, что обеспечит снижение энергопотребления на 20%.

Память также имеет интегрированный код коррекции ошибок, таким образом все пользователи этой памяти получат данное преимущество, что, в свою очередь, должно повысить надёжность программ в 20 раз. Максимальный объём модулей памяти DIMM составит 256 ГБ благодаря технологии производства микросхем Through-Silicon-Via (TSV).

Производитель ожидает, что память DDR5 будет доступна в 2021 году, а уже в 2022 году память DDR5 займёт 10% рынка, в 2024 году — 43%.

SK Hynix рассказала о DDR5

Компания SK Hynix опубликовала некоторую информацию о памяти будущего — DDR5, которая разрабатывается при сотрудничестве с JEDEC, чтобы после утверждения спецификации иметь соответствующий всем нормам продукт.

Итак, максимальная скорость новой памяти составит 8400 Мб/с. Однако по факту скорость может начинаться от 3200 МБ/с. Минимальная плотность одного ядра DDR5 составит 8 Гб, а максимальная — 64 Гб, что в 8 раз выше, чем у DDR4.

Другое изменение касается кода коррекции ошибок (Error-Correcting Code — ECC). Функция теперь не является эксклюзивной для специальных ядер, а будет использоваться для всех вариантов. Чипы DDR5 будут использовать 32 банка, разделённых на 8 банковых кластеров. Это должно обеспечить лучшую пропускную способность. Длина пакета данных составит 16, в отличие от 8 у DDR4. Это должно улучшить доступность памяти.

Что касается питания, то в DDR5 напряжение будет снижено на 0,1 В и составит 1,1 В, что позволит снизить энергопотребление на 20%.

Массовое производство DDR5 компания SK-Hynix начнёт в этом году.

SK Hynix публикует детали о первом чипе DDR5

Компания SK Hynix представила детали о первой микросхеме памяти типа DDR5. Стандарт ещё не завершён Jedec, но это никогда не останавливало производителей.

Новая память должна обеспечивать удвоение пропускной способности и удвоение плотности, по сравнению с DDR4. Также будет улучшена канальная эффективность. Донкьюн Ким, конструктор микросхем в Hynix, представил спецификацию микросхемы памяти DDR5. Этот чип является 16 Гб микросхемой SDRAM, работающей со скоростью 6,4 Гб/с на контакт. Напряжение питания составляет 1,1 В, а площадь кристалла — 76,22 мм2. Чип изготавливается по 1y нм технологии.

Спецификация и микрофотография чипа DDR5

Для уменьшения помех в микросхеме были применены ряд новых техник, включая модифицированную петлю слежения за задержками с оборотом фаз и осциллятор со слежением за подачей сигнала. Увеличению скорости памяти способствовала специальная система тренировки записи.

Немногим ранее Samsung также опубликовала документ о памяти нового типа. Ей стала 10 нм LPDDR5 SDRAM со скоростью 7,5 ГБ/с и напряжением 1,05 В.

Ожидается, что первые рыночные образцы памяти DDR5 появятся уже в конце текущего года.

Память PC5 DDR5 появится в 2020 году

Один из сотрудников исследовательского подразделения SK Hynix Ким Дон-Кьюн заявил, что память стандарта PC5 DDR5 может появиться на рынке уже в следующем году.

Первыми на рынке будут представлены модули стандарта DDR5-5200, что почти вдвое выше, чем первоначально у DDR4-2666. Дон-Кьюн заявил: «Мы обсуждаем несколько концептов пост-DDR5. Один концепт — это поддержание нынешней тенденции по ускорению передачи данных, а другой — комбинирование технологии DRAM с процессом технологий систем-на-чипе, таких, как CPU». Дополнительных пояснений специалист не дал.

В прошлом году на SK Hynix создали работающий прототип, 16-гигабитный (2 ГБ) чип DDR5 DRAM, работающий на скорости 5200 МТ/с при напряжении 1,1 В. Это значит, что модуль с шиной 64 бита сможет работать на скорости 41,6 ГБ/с.

Модуль памяти PC5 DDR5-5200 от SK Hynix

При этом у SK Hynix есть собственные разработки по повышению производительности чипов DDR5, не нарушая стандартов. «Мы разработали мультифазную синхронизацию, которая позволяет поддерживать напряжение в ходе высокоскоростных операций в чипе на низком уровне, размещая множество фаз внутри интегральной схемы так, что питание, используемое на каждой фазе, низкое, но скорость высокая благодаря объединению», — сообщил Ким.

Также он сообщил, что уже ведётся разработка стандарта DDR6, которому поставлена задача удвоения пропускной способности и плотностей, по отношению к DDR5.

Потребность в модернизации оперативной памяти сейчас вызвана не столько экосистемой PC, сколько портативными устройствами и электроникой самоуправляемых автомобилей.

SK Hynix представляет 16 Гб чипы DDR5

Один из крупнейших производителей оперативной памяти, SK Hynix, разработала память DDR5 объёмом 16 Гб, которая, по словам разработчиков, является первой в мире памятью, полностью отвечающей стандартам JEDEC.

DDR5 — это следующее поколение оперативной памяти, которое предложит высочайшую скорость и плотность при сниженном потреблении энергии, по сравнению с DDR4. Память, в первую очередь, предназначена для применения в отраслях с большим обменом данными, например, в Big Data, искусственном интеллекте и машинном обучении.

Оперативная память от SK Hynix

Новые 16 Гб чипы DRAM изготовлены по 1Y-нм технологии и поддерживают скорость передачи данных в 5200 Мб/с. Производитель ожидает, что в массовое производство эти чипы поступят в 2020 году. Ожидается, что с этого времени на память DDR5 появится большой спрос, и уже в 2021 году она займёт 25% рынка ОЗУ, а годом позднее — 44%.