Новости про flash-память и NAND

Kioxia представила 5-е поколение BiCS FLASH на 112 слоёв

Компания Kioxia, бывшая Toshiba, вместе со своим технологическим и производственным партнёром Western Digital Corp, представили миру пятое поколение трёхмерной памяти BiCS FLASH, состоящей из 12 слоёв.

Память BiCS5 изготавливается по технологиям с тремя (TLC) и четырьмя (QLC) хранимыми битами на ячейку, обеспечивая превосходную производительность, ёмкость и надёжность за разумную цену.

Микросхемы памяти BiCS5 от Kioxia
Микросхемы памяти BiCS5 от Kioxia

Поставку образцов новой памяти Kioxia планирует начать в I квартале. Это будут 512 Гб чипы TLC специального назначения. В коммерческих объёмах память будет поставляться во втором полугодии и получит своё применение в широком спектре традиционных накопителей, средствах связи 5G и системах ИИ. В дальнейшем компания планирует увеличить ёмкость микросхем до 1 Тб TLC и 1,33 Тб для QLC.

Переход к новому поколению заставил инженеров сильно уплотнить структуры внутри микросхемы. Это масштабирование, наряду с переходом к 112-слойной структуре, позволило увеличить плотность данных на «блине» на 40%, по сравнению с «блинами» 96-слойной памяти. Также это обеспечило рост производительности ввода-вывода в BiCS5 на 50%, по сравнению с BiCS4.

Micron изготовила 128-слойную NAND-память

Компания Micron Technology сообщила, что смогла изготовит память 3D-NAND четвёртого поколения со 128-ю слоями.

Данная разработка открывает возможность изготовления более плотных продуктов уже в следующем году. В четвёртом поколении 3D-NAND компания Micron продолжает использовать конструкцию КМОП-под-массивом, однако применяет технологию заменяемого затвора вместо плавающего, которая используется уже несколько лет. Сейчас компания массово производит 96-слойную флэш-память 3D-NAND с физическим слоем TLC, несмотря на готовность QLC-памяти.

Пластины с чипами памяти Micron
Пластины с чипами памяти Micron

Компания отмечает, что новая 128-слойная память будет применяться ограниченно и не достигнет тех уровней популярности, как 96-слойные чипы. В компании более сконцентрированы на эволюции, возможно, пятом поколении 3D-NAND, которое даст заметное снижение себестоимости, вызванное переходом к более тонкой технологии производства, а также использованием более новых технологий, наряду с заменяемым затвором. Однако это произойдёт лишь в 2021 финансовом году.

Производители NAND ожидают высокий спрос со стороны ЦОД

Поставщики микросхем NAND-памяти начали ускорять темп своего производства на фоне ожидаемого интереса к такой памяти со стороны промышленного сектора и центров обработки данных.

Ожидается, что спрос на NAND-накопители для промышленности и ЦОД вырастет в первой половине 2020 года и сохранит тенденцию в течение всего следующего года, сообщает DigiTimes. Это связывают с развитием 5G и прогнозируют взрывной рост трафика до 20 ЗБ после коммерческого запуска этих сетей.

Источник отмечает, что уже сейчас такие компании как Samsung, Toshiba Memory, Micron Technology, Intel и SK Hynix готовятся к данному событию.

3D NAND память от Samsung
3D NAND память от Samsung

Лидер индустрии Samsung уже анонсировал массовое производство SATA SSD объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND. Во второй половине года компания готовится выпустить более быструю память V-NAND большей ёмкости.

Что касается Toshiba Memory, то она представила XL-Flash с низкими задержками и высокой производительностью. Эта память предназначена именно для коммерческого применения. Опытные образцы этой памяти появились в сентябре, а массовое производство начнётся в 2020 году.

Тем не менее, несмотря на продолжающейся рост плотности NAND-памяти, цены на неё продолжают падать, что негативно сказывается на всём рынке. По данным аналитической организации ChinaFlashMarket, мировой рынок NAND флэш-памяти в этом году составит 43 миллиарда долларов. Цены на NAND-память в первом полугодии снизились на 30%.

Intel обещает более плотную флэш-память

Компания Intel анонсировала новую технологию изготовления энергонезависимой памяти, которая предусматривает 5-уровневые ячейки.

Фрэнк Хэйди, представитель группы энергонезависимой памяти Intel, заявил, что пятиуровневые ячейки позволят в дальнейшем увеличить плотность и снизить затраты, по сравнению с четырёхуровневыми.

SSD на базе 3D NAND-памяти Intel
SSD на базе 3D NAND-памяти Intel

Пока компания не сообщает сроки коммерческой готовности или влияние на себестоимость такой памяти. В заявлении лишь говорится: «Сегодня мы проводим исследования осуществимости».

Стоит сказать, что Intel нужно поспешить. Компания Toshiba представила собственную флэш-память с 5-уровневыми ячейками в августе. Кроме многослойности ячеек производители памяти также размещают сами ячейки в несколько слоёв, что делает данную конструкцию условно четырёхмерной. Уже в следующем году ожидается появление 144-слойной NAND памяти.

Yangtze Memory начинает массовое производство 64-слойной памяти 3D-NAND

Китайская государственная полупроводниковая компания Yangtze Memory Technologies (YMTC), основанная в 2016 году, заявила о начале массового производства 64-слойной флэш-памяти.

Компания обещает выпускать 64-слойные микросхемы 3D-NAND-памяти в объёме то 100 до 150 тысяч пластин в течение 2020 года. Эти чипы основаны на собственной архитектуре Xtracking. Сейчас компания уже занимается разработкой 128-слойных микросхем NAND, и заканчивает работу на 96-слойной памятью.

3D-NAND-память от YMTC
3D NAND-память от YMTC

Производственные мощности фирмы YMTC пополнятся новым заводом, который построит её родительская компания Tsinghua Unigroup. Что касается Tsinghua, то это также государственная компания, которая владеет 51% акций YMTC и является бенефициаром Китайского национального инвестиционного фонда полупроводниковой промышленности. Новый завод заработает в 2021—22 годах и будет производить по 100 000 пластин диаметром 12” в месяц.

SK Hynix объявляет о выходе на рынок SSD

Известный производитель микросхем памяти SK Hynix анонсировала выпуск собственных твердотельных накопителей модели Gold S31, по сути заявив о выходе на рынок SSD.

Данная модель накопителей вначале будет выпущена с интерфейсом SATA III и станет первым устройством серии потребительских SSD SuperCore, в которой будут применяться фирменные базовые технологии.

SSD Gold S31 от SK Hynix
SSD Gold S31 от SK Hynix

Модель Gold S31 «раздвинет границы высокопроизводительных SSD» и предоставит «новый уровень скорости» с последовательным чтением до 560 МБ/с. Построен он на фирменной памяти 3D-NAND и контроллере собственной разработки. Также компания обещает превосходное качество, надёжность и пятилетнюю гарантию.

Упаковка SSD Gold S31
Упаковка SSD Gold S31

Устройство Gold S31 будет выпущено в 2,5” формате с интерфейсом SATA III. Он будет доступен в объёмах 1 ТБ, 500 ГБ и 256 ГБ. В продажу Gold S31 поступит в следующем году. Позднее же стоит ожидать версию с шиной PCIe.

Realtek готовит новые контроллеры SSD

Благодаря доступности шины PCIe 4.0 среди производителей твердотельных накопителей и контроллеров начался настоящий бум. Очередной компанией, которая решила погрузиться в бизнес создания контроллеров, стала Realtek, известная как создатель звуковых чипов для материнских плат.

Сейчас у фирмы есть несколько контроллеров для SSD начального уровня, которые можно встретить в SSD от Adata. Однако уже через год компания хочет выйти на рынок хай-энд накопителей.

SSD на базе контроллера Realtek RTK 5765
SSD на базе контроллера Realtek RTK 5765

Разрабатываемый контроллер RTS5771 предназначен для топовых SSD. Он планируется к выходу на III квартал 2020 года. Это будет многоядерный процессор с собственной памятью, с системой коррекции ошибок LDPC второго поколения и шифрованием AES. Производительность пока не называется, однако с 8 каналами NAND, интерфейсной скоростью 1200 МТ/с и шиной PCIe 4.0 x4, она должна быть не малой.

Также Realtek готовит и более доступный контроллер модели RTS5765DL. Он будет немного медленнее, не будет содержать ОЗУ, получит лишь 4 канала NAND и будет использовать шину PCIe 3.0 x4. Эта модель появится уже к концу текущего года. Тем не менее, его интерфейсная скорость составит 1200 МТ/с, и он также будет поддерживать LDPC, а процессор будет многоядерным.

Phison создаёт контроллер NAND со скоростью 7 ГБ/с

Компания Phison, занимающаяся разработкой контроллеров для твердотельных накопителей, заявила о разработке нового высокоскоростного контроллера для шины PCI Express Gen4.

Компания опубликовала дорожную карту для SSD-контроллеров. Наибольший интерес вызвала модель PS5018-E18, которая планируется к выходу во второй половине 2020 года. Этот контроллер основан на процессоре Cortex-R5 ×3, изготавливаемому по 12 нм технологии на заводах TSMC.

Спецификации контроллера Phison PS5018-E18
Спецификации контроллера Phison PS5018-E18

Благодаря переходу на NVMe версии 1.4, скорость передаваемых данных составляет 1200 МТ/с на канал, при том что сейчас она достигает 800 МТ/с. Таким образом, максимальная скорость передачи составит 7 ГБ/с, как при чтении, так и при записи. Ещё одной приятной характеристикой станет скорость проведения случайных операций ввода-вывода, которая достигнет 1 миллиона IOPS. Максимальное энергопотребление контроллера составляет 3 Вт.

SK Hynix рассчитывает на 800-слойные чипы к 2030 году

В Санта-Кларе, в ходе конференции Flash Memory Summit, компания SK Hynix рассказала об ожиданиях в развитии отрасли на ближайшие 10 лет.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Накопитель PE8000 от SK Hynix
Накопитель PE8000 от SK Hynix

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.

Samsung выпускает SSD 6-го поколения

Компания Samsung анонсировала начало производства новых твердотельных накопителей объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND.

Конечно, таким объёмом сейчас никого не удивить, однако эти SSD стали первым этапом внедрения памяти V-NAND 6-го поколения, которая обеспечивает задержки на уровне 450 мкс при записи и 45 мкс при чтении, что на 10% меньше. Вместе с ростом производительности новая память обеспечивает снижение энергопотребления на 15%.

Samsung SSD
Samsung SSD

Благодаря применению 136-слойной памяти компания смогла добиться 40% прироста числа ячеек в каждом чипе, по сравнению с прошлой 96-слойной технологией, при сохранении физического размера микросхемы. Также новая память требует создания меньшего числа каналов в чипе. Их количество снижается с 930 миллионов до 670 миллионов, что экономит место и снижает сложность производства, а это, в свою очередь, положительно скажется на ценах.

Твердотельный накопитель 6-го поколения от Samsung
Твердотельный накопитель 6-го поколения от Samsung

В скором будущем компания планирует выпустить SSD на базе 6-го поколения памяти TLC V-NAND объёмом 512 ГБ.