Новости про flash-память, NAND и Samsung

Samsung и Xilinx создали смарт-SSD

В ходе Virtual Flash Memory Summit компании Samsung и Xilinx представили совместную разработку, которую они назвали первым SmartSSD — вычислительным устройством хранения, которое может изменить подход индустрии к накопителям.

В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.

SmartSSD от Samsung и Xilinx

Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.

Samsung работает над 160-слойной памятью NAND

Современные твердотельные накопители используют память NAND, состоящую из 96 или 64 слоёв. В работе находится 128-слойная память, однако компания Samsung разработала новую концепцию, которая позволит создать память в 160 слоёв, и даже больше.

Samsung Electronics разрабатывает 7-е поколение V-NAND, состоящее из 160 слоёв или даже больше. Для этого прорыва южнокорейский гигант планирует использовать технологию «двойного стека». Она предполагает открытие дырок в два различные периода времени, чтобы электрический ток мог пройти по цепи. Сейчас компания использует технологию «одинарного стека», увеличивая число слоёв.

Samsung V-NAND

Память NAND, состоящая из 160 слоёв, станет первой в индустрии. Переход на такую память позволит резко увеличить объём SSD без увеличения количества применяемых микросхем.

Производители NAND ожидают высокий спрос со стороны ЦОД

Поставщики микросхем NAND-памяти начали ускорять темп своего производства на фоне ожидаемого интереса к такой памяти со стороны промышленного сектора и центров обработки данных.

Ожидается, что спрос на NAND-накопители для промышленности и ЦОД вырастет в первой половине 2020 года и сохранит тенденцию в течение всего следующего года, сообщает DigiTimes. Это связывают с развитием 5G и прогнозируют взрывной рост трафика до 20 ЗБ после коммерческого запуска этих сетей.

Источник отмечает, что уже сейчас такие компании как Samsung, Toshiba Memory, Micron Technology, Intel и SK Hynix готовятся к данному событию.

3D NAND память от Samsung

Лидер индустрии Samsung уже анонсировал массовое производство SATA SSD объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND. Во второй половине года компания готовится выпустить более быструю память V-NAND большей ёмкости.

Что касается Toshiba Memory, то она представила XL-Flash с низкими задержками и высокой производительностью. Эта память предназначена именно для коммерческого применения. Опытные образцы этой памяти появились в сентябре, а массовое производство начнётся в 2020 году.

Тем не менее, несмотря на продолжающейся рост плотности NAND-памяти, цены на неё продолжают падать, что негативно сказывается на всём рынке. По данным аналитической организации ChinaFlashMarket, мировой рынок NAND флэш-памяти в этом году составит 43 миллиарда долларов. Цены на NAND-память в первом полугодии снизились на 30%.

Samsung выпускает SSD 6-го поколения

Компания Samsung анонсировала начало производства новых твердотельных накопителей объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND.

Конечно, таким объёмом сейчас никого не удивить, однако эти SSD стали первым этапом внедрения памяти V-NAND 6-го поколения, которая обеспечивает задержки на уровне 450 мкс при записи и 45 мкс при чтении, что на 10% меньше. Вместе с ростом производительности новая память обеспечивает снижение энергопотребления на 15%.

Samsung SSD

Благодаря применению 136-слойной памяти компания смогла добиться 40% прироста числа ячеек в каждом чипе, по сравнению с прошлой 96-слойной технологией, при сохранении физического размера микросхемы. Также новая память требует создания меньшего числа каналов в чипе. Их количество снижается с 930 миллионов до 670 миллионов, что экономит место и снижает сложность производства, а это, в свою очередь, положительно скажется на ценах.

Твердотельный накопитель 6-го поколения от Samsung

В скором будущем компания планирует выпустить SSD на базе 6-го поколения памяти TLC V-NAND объёмом 512 ГБ.

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Samsung начинает массовое производство 96-слойной памяти NAND

Ведущий производитель твердотельной памяти, компания Samsung, приступила к массовому производству памяти V-NAND пятого поколения.

Данная память позволит увеличить объёмы накопителей. Новая память объёмом 256 Гб состоит из стеков в 96-слоёв. Эта память стала первой в истории, использующей интерфейс Toggle DDR 4.0, который работает как высокоскоростной транспорт для передачи данных между накопителем и памятью на скорости в 1,4 Гб/с. Это на 40% быстрее, чем прошлое 64-слойное поколение памяти. Другое усовершенствование в скорости связано с уменьшением времени записи на 30% до 500 мкс и снижением времени чтения до 50 мкс.

96-слойная V-NAND память от Samsung

Кроме того, выросла и энергоэффективность чипов. Новая память работает на напряжении 1,2 В, в то время как 64-слойной требовалось напряжение 1,8 В.

В пресс-релизе южнокорейский гигант заявил, что выпустит новые чипы на рынок как можно скорее. Изначально они будут представлены 256 Гб TLC модулями, а позднее будут подготовлены 1 Тб QLC модели.

Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane

Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.

Samsung предлагает SSD объёмом 2 ТБ

Нужно быстрое хранилище для вашего настольного ПК, но вы не можете принять никаких компромиссов по его скорости? Тогда новое решение Samsung для вас.

Компания представила новые твердотельные накопители 850 PRO и 850 EVO объёмом 2 ТБ.

Теперь, предложив две новые модели, в портфеле компании имеются 20 различных решений с вертикальной 3D NAND памятью объёмом от 120 ГБ до 2 ТБ. Все они относятся к модельным рядам 850 PRO и EVO. Все 20 накопителей выпускаются в одинаковом 2,5” корпусе толщиной 7 мм.

Твердотельные накопители объёмом 2 ТБ оснащены 128 отдельными 32-слойными 128 Гб чипами 3D NAND производства Samsung, обновлённым высокопроизводительным контроллером MHX и четырьмя 20 нм чипами LPDDR DRAM объёмом 4 Гб. Модель 2TB 850 EVO имеет гарантию на запись 150 ТБ данных, а 850 PRO — на запись 300 ТБ.

В ближайшем будущем Samsung также надеется выпустить 2 ТБ накопители 850 серии в форматах mSATA и M.2.

Чтобы приобрести новые накопители вам придётся выложить 800 долларов за модель 850 EVO и 1000 долларов за 850 PRO.

Samsung представила SSD 850 Pro с 3D-флеш-памятью

Компания Samsung выпустила новые потребительские твердотельные накопители модели 850 Pro. Они представлены в вариантах ёмкостью 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Однако главной особенностью модельного ряда стало применение пространственной 3D-V-NAND флеш-памяти от Samsung.

Новая технология V-NAND памяти, которая благодаря Samsung называется «проприетарной структурой вертикальных ячеек», а по сути, является стеком из нескольких кристаллов памяти, обещает увеличение скорости записи в два раза и меньшее энергопотребление, по сравнению с предшественниками. Согласно пресс-релизу компании, скорость последовательного чтения в устройствах может достичь 550 МБ/с, а записи — 520 МБ/с. Скорость случайного чтения составит до 100 000 операций ввода-вывода на секунду, а случайная запись будет осуществляться немного медленнее, на скорости 90 000 IOPS.

Новый модельный ряд SSD сможет похвастать и крайне низким энергопотреблением. Так, накопитель при чтении будет потреблять 3,3 Вт, 3,0 Вт при записи и 0,4 Вт в режиме ожидания.

Кроме того, технология V-NAND позволила заметно увеличить надёжность накопителя, что дало возможность производителю обеспечить 10-и летнюю гарантию на устройство. Также производитель гарантирует, что его SSD выдержит 150 терабайт записываемых данных.

О цене и доступности пока ничего не сообщается, но ожидается, что эти SSD будут доступными в четвёртом квартале этого года.

Samsung выпускает 32-слойную NAND память

Вертикальная NAND Flash технология является основным направлением деятельности компании Samsung при выпуске твердотельных накопителей, так что в постоянной её модернизации нет ничего удивительного.

Так, компания Samsung выпустила новый чип флэш-памяти, состоящий из 32-уровневого стека, что является заметным улучшением, по сравнению с нынешними 24-слойными чипами. Новый чип «второго поколения», как его назвала компания, будет использоваться в SSD, которые будут потреблять на 20% меньше электроэнергии, по сравнению с плоской технологией.

Сами SSD, в которых будет применена новая память, будут иметь объёмы в 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Это будут высокопроизводительные модели премиум класса, предназначенные для геймеров, промышленности и владельцев рабочих станций. Примечательно, что чипы со стеком увеличенного объёма будут производиться на том же технологическом оборудовании, а значит, их себестоимость производства никак не изменится.

Будем надеяться, что всё это выльется в общее снижение цены. Конечно, SSD дороги сами по себе, но всё-таки было бы приятно увидеть некоторое общее снижение цены на твердотельные накопители. С другой же стороны, раньше память 3D V-NAND использовалась только в промышленных SSD, а значит Samsung может сосредоточиться на качестве и ёмкости продукции, а не на цене.