Новости про flash-память, NAND и накопители

Представленный пакет UFS 4.0 обладает размерами 9×13 мм, что является заметным сокращением габаритов от первоначальных 11×13 мм. В пакете используется собственная 3D-NAND-память, расположенная в 232 слоя, что обеспечивает объём до 1 ТБ. При этом, модули имеют скорость последовательного чтения в 4 400 МБ/с и записи — 4 000 МБ/с, чего достаточно для эффективной работы популярных больших языковых моделей и прочих приложений ИИ. В дополнение ко всему этому была на 25% повышена энергоэффективность.

По словам Micron образцы новых пакетов UFS 4.0 уже поставляются партнёрам в версиях объёмом 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Компания рассказала о своём технологическом прорыве, которого она достигла после выпуска самой ёмкой на сегодня NAND-памяти со 238 слоями, которая уже находится в массовом производстве. Этот прорыв вызван ограничениями в количестве стеков и технологическими ограничениями, приводивших к невозможности изготовления чипа толщиной более трёхсот слоёв.

Новая терабитная память из 321 слоя обеспечивает 59% прирост производительности. Её планируют применять в накопителях стандарта PCIe 5.0. коммерческое внедрение памяти запланировано на первую половину 2025 года.

Новый чип может обеспечивать скорость передачи данных в 2400 МТ/с и может использоваться для высокоскоростных SSD следующего поколения с подключением по PCIe 5.0×4, позволив насытить линию связи со скоростью 12 ГБ/с и даже выше. Таким образом, переход между поколениями позволил ускорить память более чем на 50%.

Первые 238-слойные 3D-NAND-устройства от SK Hynix имеют объём в 512 Гб (64 ГБ), что означает на 34% большую эффективность производства, по сравнению с нынешней 176-слойной памятью. А учитывая, что уровень отбраковки остался неизменным, переход на память 238L TLC-NAND IC позволит на 34% сократить себестоимость. Поскольку новые модули будут заметно меньше физически, их применение позволит на 21% сократить энергопотребление, что положительно скажется на сроках автономной работы ноутбуков и позволит применять их в планшетах и телефонах.

В интервью с Алексом МакМулланом, техническим директором Pure Storage, издание Blocks & Files получило эксклюзивную информацию, что уже через три года компания планирует выйти на объёмы 300 ТБ.

Компания создала собственные SSD Direct Flash Module, в которых используется 3D-NAND-память и заказной контроллер. Такие накопители используются в системах FlashArray и работают под управлением специализированной ОС FlashBlade. Столь высокий уровень кастомизации позволяет компании создавать накопители значительных объёмов сейчас и в будущем, по мере развития технологии 3D-NAND.

В ближайшие годы производители 3D-NAND перейдут от современной 200-слойной памяти до 400/500-слойных чипов, поведя накопители на новые высоты. По мере развития технологии, компания Pure со своими картами DFM, используемыми с обычными коннекторами U.2 NVMe в специальном формате, смогут в дальнейшем развивать свои системы Pure FlashArray.

По сравнению с будущими HDD от Toshiba и Seagate, накопители Pure Storage DFM SSD предложат намного большую ёмкость и скорости чтения/записи. Сравнение возможностей накопителей разного типа можно увидеть на графике.

Новые накопители созданы для работы с интерфейсом PCIe Gen4 и изготовлены на основе микросхем NAND-памяти, состоящей из 232 слоёв. Это обеспечивает большое преимущество в повышении скорости работы и снижении энергопотребления.

Производитель заявляет, что Micron 2550 по сравнению с другими конкурирующими продуктами передаёт файлы на 112% быстрее, обеспечивает офисную работу на 67% быстрее, а в творческих задачах быстрее на 78%. Его скорость последовательного чтения достигает 5 ГБ/с, а записи — 4 ГБ/с, и это на 43% и 33% соответственно больше, чем в прошлом поколении продуктов.

Ряд инноваций в области энергосбережения позволил сократить потребление энергии накопителей в спящем режиме до 2,5 мВт, до 150 мВт в простое, а при активной работе энергопотребление на превышает 5,5 Вт, что весьма положительно скажется на сроке автономной работы ноутбука.

Представленный модельный ряд предлагается в размерах накопителей 22×80 мм, 22×42 мм и 22×30 мм и в объёмах 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Предприятие Технодинамика, входящее в корпорацию, разработало специализированный USB-флеш-накопитель, который построен на вполне традиционной NAND-памяти и типичном контроллере. Однако он имеет батарею и электрический детонатор, который можно использовать для разрушения содержимого накопителя. Процесс выполняется нажатием одной кнопки на краю накопителя, которая активирует детонатор и «выжигает цепь печатной платы кумулятивным зарядом».

Разработчики сообщают, что процесс безопасен для пользователей. Несмотря на громкое название «детонатор», взрыва не происходит. Во флешке нет опасных веществ. Корпус остаётся нетронутым. В общем, всё произойдёт предельно тихо, а не как в фильмах про шпионов.

Игорь Насенков, исполнительный директор Технодинамики, сообщил, что эта флешка создана для защиты информации от возможного несанкционированного доступа. Пока разработка находится на этапе тестирования и её ждёт ещё множество проверок на надёжность при длительной работе, механическую и климатическую стойкость. Также разработчикам ещё нужно определиться с конструкцией корпуса.

Конечно, большинству пользователей вполне достаточно того встроенного шифрования AES-256, что предлагают современные безопасные накопители. Но наверняка каждый сможет представить отрасли, где кроме шифрования нужно применять и дополнительные меры, включая физическое уничтожение данных вместе с носителем.

В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.

Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.

В настоящее время компания стремится наладить технологию 128-слойной памяти 4D NAND. Эта память должна поступить на рынок уже в IV квартале этого года. Благодаря ей мы сможем получить чипы ёмкостью 1 Тб (128 ГБ).

Следующим этапом развития для компании станет 176-слойная память NAND. А вот к 2030 году, или около того, ожидается появление NAND-чипов, состоящих из 800 слоёв. Об этом заявил менеджер по разработке SK Hynix Хансок Чои.

Кроме краткосрочных и долгосрочных планов компания также представила новый двухпортовый накопитель PE8000. Он использует шину PCI-Express 4.0 x4 и обеспечивает пропускную способность на уровне 6,4 ГБ/с и 1 миллиона IOPS. Такой накопитель появится в объёме 64 ТБ и будет представлен в форматах 2,5” и U.2.

Вам нужно быстро переписать данные с ПК на телефон или планшет, а может нужно подключить флэшку к устройству Android, но у вас нет подходящих переходников? Тогда вам пригодится новая флэшка от Sanwa Direct, которая поддерживает два способа подключения, без необходимости в дополнительных переходниках.

С одной стороны накопители серии 600-GUSD имеют традиционный USB коннектор, а с другой могут подключаться в разъём microUSB, так что одно устройство можно легко подключать к двум типам разъёмов. Кроме того, над полноразмерным USB штекером устройства расположен порт для карт памяти microSD, благодаря чему можно с лёгкостью и большой скоростью переписать данные с одного мобильного устройства на другое.

Однако, не смотря на то, что флэшку можно подключить к любому устройству на базе Android, оно не имеет стопроцентной совместимости. Лишь только те гаджеты, в которых есть поддержка универсальных USB накопителей (Honeycomb и выше), смогут распознать память 600-GUSD.

Разработчик готовится выпустить на японский рынок две версии таких накопителей. Флэшка объёмом 4 ГБ будет стоить порядка 24 долларов США, а за 8 ГБ придётся отдать 30 долларов. О том, когда накопители выйдут на мировой рынок, и выйдут ли вообще, ничего не сообщается.

Контроллер поддерживает структуры по 8 и 4 КБ на страницу и обещает доступ на скорости до 180 МБ/с. Новый контроллер пригоден для обслуживания накопителей объёмом от 512 МБ до 1024 МБ. Поставки чипа начнутся в январе будущего года, а первые устройства с новым контроллером от TDK выйдут уже в апреле.

Кроме высокой скорости передачи данных в контроллер также была добавлена функция повторного считывания, которая призвана убедиться в правильности сохранения данных при использовании NAND памяти с MLC последнего типа. Вместе с автовосстановлением, рандомайзером данных и функцией автообновления, которые реализованы в современных версиях контроллеров GBDriver, новый чип обеспечивает прорыв в будущее хранения данных в твердотельной памяти.

Также новый контроллер позволяет обеспечить невероятно высокую надёжность хранения данных благодаря расширенной функции ECC, позволяющей расширить ECC до 71 бита на 512 байтный блок.

Такой подход обеспечит возможность подключения накопителя как любому ПК или ноутбуку, так и к портативным устройствам, вроде смартфонов и планшетов, имеющих порт micro-USB. Производители назвали представленную модель JF-UFDP4S «Perfect Media». Флэшка подключается по обоим интерфейсам, используя стандарт USB 2.0, однако объёмом этот накопитель не порадует. Максимальная вместимость устройства составляет лишь 4 ГБ.

Представленный гаджет имеет вполне обычный вид прямоугольной флэшки, отличаясь от большинства лишь колпачками с обоих концов. Чтобы не потерять и не перепутать колпачки каждый из них может быть надет поверх другого, расположенного на противоположной стороне накопителя. Будучи подключенным через большой USB коннектор накопитель работает как обычное устройство хранения, однако при подключении через micro-USB флэшка работает с Android гаджетами как плаг-н-плей устройство.

Представленный накопитель имеет размеры 18.0x73.1x9.2 мм (ШхДхВ) и массу 39 грамм. Корпус флэшки изготовлен из листового алюминия. Выход устройства на японский рынок запланирован к середине апреля по цене 1980 йен, что равно 24 долларам США. Не мало, как за простую 4 ГБ флэшку.

Компания Samsung подготовила к продаже свой новый высокоёмкий SSD накопитель, подключаемый посредством SATA 3. Максимальная ёмкость накопителя составляет 512 ГБ. По заявлению компании, уже начато производство этого SSD, который планируется устанавливать в высокопроизводительные ноутбуки в конце этого года.

Samsung не сообщили подробной информации об этом устройстве, однако известно, что в накопителе использована флэш-память MLC NAND с контроллером собственной разработки. Разработчики обещают, что скорость чтения с SSD составит порядка 500 МБ/с, в то время как скорость запси будет несколько ниже, и составит 350 МБ/с.

О цене на накопители ничего не сообщалось, однако не сложно догадаться, что для приобретения ноутбука с таким устройством придется опустошить не только кошелёк, но и банковский счёт.