Новости про flash-память и NAND

Накопитель такого высокого объёма позволит с лёгкостью переносить всю вашу информацию от одной машины — к другой. Отныне можно записать на флэшку все свои любимые фильмы, музыку и фотографии, не смотря на то, какое они имеют разрешение.

Накопитель PNY Hook Attaché  обладает высококачественной серебряной отделкой с тонкими устремлёнными вперёд гранями. Её экстерьер обладает влагозащитными свойствами, обеспечивает защиту от пыли и ударов, что, несомненно, продлит срок службы накопителя при ежедневном использовании. Предусмотренный дизайнерами карабин обеспечит надёжную сохранность накопителя, позволяя пристегнуть его к ключам, рюкзаку, барсетке или любому другому аксессуару. Также разработчики избавились от колпачка. Таким образом, вам больше не стоит беспокоиться из-за его возможной утери.

Флэшка PNY Hook Attaché  подключается по интерфейсу USB 2.0, что, конечно, не совсем удобно при использовании накопителей таких объёмов. Кроме 128 ГБ версии разработчики предлагают данную модель с объёмами 8 ГБ, 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. К сожалению, о скорости работы производитель ничего не сообщил, зато пообещал пятилетнюю гарантию на накопитель.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC-конфигурации, и 384-битный в TLC-конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D-архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND-чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC-микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC-микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

Память получила название BiCS (сокращение от bit cost scalable). Компании создали чипы с памятью по 2 бита на ячейку, что обеспечит плотность записи в 128 гигабит (16 ГБ) на чип. Опытное производство памяти уже начато, а массовое должно начаться в первой половине 2016 года на новом заводе Fab2 в Yokkaichi Operations.

«Мы с радостью представляем наше второе поколение 3D NAND, обладающее 48-слойной архитектурой, которое разработано совместно с нашим партнёром Toshiba», — заявил доктор Шива Шиварам, исполнительный вице-президент по технологии памяти компании SanDisk.  «Мы использовали наше первое поколение технологии 3D NAND как средство изучения, позволившее нам разработать наше коммерческое второе поколение 3D NAND, которое, мы уверены, предоставит нашим клиентам интереснейшее решение в сфере накопителей».

Компания SanDisk планирует использовать второе поколение технологии 3D NAND в широком спектре решений, от съёмных накопителей до промышленных SSD.

Образованная в результате соглашения структура позволит клиентам обеих компаний получить преимущества от концентрации усилий по обеспечению лучших в отрасли решений в области хранения данных, помогая им более быстро и эффективно внедрять инновации.

Несмотря на то, что изначально данное сотрудничество сфокусировано на стратегических поставках NAND и SAS SSD следующего поколения, в Micron и Seagate надеются, что это многолетнее соглашение перерастёт в будущее сотрудничество в работе над решениями для корпоративного рынка, благодаря поддержке технологии NAND flash памяти от Micron. Президент по общемировым операциям с продукцией EMC Corporation Майк Кероуак заявил: «Мы смотрим в будущее на преимущества от этого сотрудничества Micron и Seagate, в будущее технологий хранилищ на основе NAND flash».

«Сотрудничество приведёт как Seagate, так и Micron, к цели роста корпоративного рынка флэш-памяти с лучшим в отрасли предложением из наших обоих портфелей продукции», — заявил Дэррен Томас, вице-президент Micron по накопителям. Он добавил: «Данные отношения обеспечат Micron доступ к технологии корпоративных приводов и платформ, расширив наш портфель и ускорив наше продвижение в сегмент корпоративного рынка».

Гигант рынка полупроводников планирует выпустить первые SSD с памятью 3D NAND во второй половине 2015 года. Эти чипы станут результатом совместной работы с Micron. В них будут собраны 32 плоских слоя, что может обеспечить ёмкость одного MLC ядра в 256 Гб (32 ГБ), а с использованием технологии трёх бит на ячейку (TLC), объём чипа может вырасти до 384 Гб (48 ГБ).

Память 3D NAND обещает совершить прорыв в вопросах стоимости и габаритов. В результате, SSD объёмом 1 ТБ будет иметь толщину всего 2 мм, а через пару лет, благодаря 3D NAND, твердотельные накопители вырастут в объёме до 10 ТБ.

Для сравнения, 32-слойная V-NAND флэш-память от Samsung предлагает всего 86 Гб на ядро MLC и 128 Гб при TLC конфигурации. Таким образом, Intel с Micron становятся явными лидерами рынка твердотельной памяти.

В ходе конференции, компания Intel показала презентацию с работающим прототипом новой флэш-памяти, так что все работы по её созданию действительно подходят к концу. О том, где Intel хочет использовать новые накопители, она пока не решила. Перспективными направлениями использования компания считает центры обработки данных, корпоративных клиентов и энтузиастов PC.

Эти NVDIMM модули способны передавать данные DRAM в NAND Flash, плотность которых вдвое выше, чем оперативной памяти. Разместив оба типа памяти и контроллер для флэш-памяти на одном модуле разработчикам удалось безопасно сохранять данные в случае потери энергии, при этом сохранив высокий уровень производительности, характерный для DDR4. Этот продукт работает с частотой 2133 МГц, а при ширине шины в 64 бита может обеспечить скорость передачи данных в 17 ГБ/с. Для питания этим планкам понадобится напряжение в 1,2 В.

SK Hynix сообщает, что уже отправляет образцы модулей различным клиентам, и внимание к ним со стороны компаний, разрабатывающих серверы и операционные системы, усилилось. Сами же разработчики надеются создать новый рынок на свою память, значительно увеличив спрос на обработку больших объёмов данных. Hynix хочет начать массовое производство этих модулей в первой половине этого года, предоставив специализированное решение для клиентов, нуждающихся в повышенном уровне стабильности данных.

Сами микросхемы памяти начали изготавливаться ранее в этом году на заводе, которым компания владеет совместно с Sandisk.

Будучи нацеленной на мобильные телефоны и рынок носимой электроники, 15 нм серия Toshiba на 26% меньше, чем предыдущие микросхемы компании. Кроме того, они на 8% быстрее при случайном чтении и на 20% быстрее при записи, благодаря оптимизации контроллера.

Каждая группа по объёму представлена в двух версиях: Premium, для устройств начального и среднего сегментов, и Supreme, для хай-энд устройств. В первом квартале 2015 года компания станет предлагать модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. По словам Toshiba, во втором квартале будут представлены также модули по 8 ГБ и 128 ГБ. Габариты памяти очень мало зависят от объёма. Например, 32 ГБ Supreme памяти имеют габариты в 11,5х13х1 мм.

Новая технология V-NAND памяти, которая благодаря Samsung называется «проприетарной структурой вертикальных ячеек», а по сути, является стеком из нескольких кристаллов памяти, обещает увеличение скорости записи в два раза и меньшее энергопотребление, по сравнению с предшественниками. Согласно пресс-релизу компании, скорость последовательного чтения в устройствах может достичь 550 МБ/с, а записи — 520 МБ/с. Скорость случайного чтения составит до 100 000 операций ввода-вывода на секунду, а случайная запись будет осуществляться немного медленнее, на скорости 90 000 IOPS.

Новый модельный ряд SSD сможет похвастать и крайне низким энергопотреблением. Так, накопитель при чтении будет потреблять 3,3 Вт, 3,0 Вт при записи и 0,4 Вт в режиме ожидания.

Кроме того, технология V-NAND позволила заметно увеличить надёжность накопителя, что дало возможность производителю обеспечить 10-и летнюю гарантию на устройство. Также производитель гарантирует, что его SSD выдержит 150 терабайт записываемых данных.

О цене и доступности пока ничего не сообщается, но ожидается, что эти SSD будут доступными в четвёртом квартале этого года.

Компания Fusion-io дебютировала в 2007 году, и была одной из первых, предложивших промышленные флэш-накопители с интерфейсом PCI-Express.

Данная сделка не предусматривает какого-либо взаиморасчёта акциями, а будет совершена исключительно деньгами.

По условиям сделки SanDisk сделает тендерное предложение на всё имущество Fusion-io по цене в 11,25 доллара за акцию. Транзакция, которая была подтверждена директорами обеих компаний, включает ряд обыкновенных процедур, включая разрешения от соответствующих управляющих органов и прочих участников тендера. Ожидается, что транзакция будет завершена в третьем квартале 2014 финансового года и будет включена в статью дохода SanDisk второго полугодия 2015 года.

«Эта транзакция предлагает удивительную возможность для сотрудников Fusion-io, её клиентов и акционеров», — заявил Шейн Робинсон, глава и исполнительный директор Fusion-io. «Инновационные решения Fusion-io в области оборудования и программного обеспечения будут дополнены мировым масштабом SanDisk и вертикальной интеграцией, создав комбинированную компанию, которая сможет предложить ещё более конкурентоспособное предложение для клиентов и партнёров».

Скорость последовательного чтения и записи у накопителя вполне обычна, и составляет 550 и 520 МБ/с соответственно.

«Продолжая успех нашей победоносной серии SanDisk Extreme II, новые SanDisk Extreme PRO используют новейшие разработки нашу инновационную технологию nCache Pro, для того, чтобы обеспечить работоспособность накопителя в реальном мире в режиме 24х7», — заявил Кевин Конли, старший вице-президент и генеральный менеджер решений по клиентским накопителям в SanDisk. «С его возможностью обеспечить быструю работу и подкреплённый первой в отрасли 10-и летней гарантией, Extreme PRO SSD обеспечивает производительность, высокую надёжность и уровень, который энтузиасты и профессионалы ожидают от SanDisk».

В пресс-релизе было сказано о технологии nCache. Эта технология использует две связанные кэширующие архитектуры, которые призваны оптимизировать скорость и надёжность в условиях высокой нагрузки, обеспечить многозадачность и невероятно высокую скорость отклика для настольных ПК, лэптопов и игровых консолей.

Накопитель SanDisk Extreme PRO доступен к заказу через авторизованных представителей. SSD предлагается в объёмах 240 ГБ, 480 ГБ и 960 ГБ за цену 190, 370 и 600 долларов США соответственно. Гарантия на накопитель составляет 10 лет.