Новости про NAND и производство

Samsung сокращает производство памяти

По информации Bloomberg компания Samsung готовится к замедлению производства микросхем памяти в 2019 году, в котором ожидается снижение спроса.

Южнокорейский гигант пользуется своим доминирующим положением на рынке, и этот шаг позволит сохранить падающую цену на NAND и DRAM, или даже увеличить её.

В начале года компания видела будущее оптимистично, ожидая битовый рост на 20 и 40 процентов для DRAM и NAND. Битовый рост — это термин, используемый индустрией для обозначения объёмов производимой памяти. Данная единица измерения важна для оценки спроса и позволяет производителям панировать объёмы продукции.

Микросхемы оперативной памяти Samsung
Микросхемы оперативной памяти Samsung

Согласно свежему прогнозу Samsung, битовый рост DRAM ожидается на уровне ниже 20%, а для NAND — 30%. Так что снижение объёмов производства выглядит для компании вполне логичным шагом.

Аналитик Bloomberg Антея Лэи считает, что Samsung предпочтёт ситуацию с дефицитом поставок и высокой ценой, взамен захвата большего рынка и риска снижения стоимости. Очевидно, что эти шаги повлекут сдерживание цены на память не только производства Samsung, но и её конкурентов.

Цены на NAND память могут обрушиться

В ходе саммита Flash Memory, аналитик Джим Хэнди из Objective Analysis заявил о резком снижении цены на флеш-память уже в следующем году.

Поскольку сейчас маятник производства качнул в сторону избыточности, стоит ожидать снижения коммерческой стоимости твердотельной 64-слойной 3D NAND памяти к её себестоимости. Его прогноз цены на 2019 год составляет 0,08 доллара за гигабайт, что должно стать крупнейшей корректировкой цены в истории полупроводниковой промышленности.

Микросхемы 3D NAND от Toshiba
Микросхемы 3D NAND от Toshiba

Старший аналитик Wells Fargo Аарон Рекерс утверждает, что сейчас цена на NAND память составляет 0,30 долларов за гигабайт. Эти цены касаются только NAND памяти, накопители на её основе содержат и другие компоненты. Тем не менее, резкое снижение цены будет означать появление SSD большой ёмкости с очень привлекательной ценой.

Также аналитик отметил, что сейчас около 70% производственных мощностей NAND памяти заняты выпуском 3D NAND, в то время как остальные 30% производств изготавливают память по старой планарной (2D) технологии. Скорее всего, эти производства переориентируются на выпуск DRAM памяти, а не будут заниматься модернизацией до 3D NAND. Это, в свою очередь, вызовет перепроизводство и в области оперативной памяти.

Micron имеет более 50% брака в микросхемах QLC NAND

Компания Micron изготавливает микросхемы памяти 3D Xpoint совестно с Intel, а также производит более традиционную NAND память для SSD. Фирма, вместе с остальными лидерами рынка, перешла на выпуск QLC NAND памяти, но её выпуск идёт с большими потерями.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

SSD Intel 600p
SSD Intel 600p

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD, который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

IM Flash

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Samsung может стать крупнейшим производителем микросхем

Обозреватели рынка полупроводников уверяют, что в скором времени может появиться новый мировой лидер в этой отрасли — компания Samsung должна стать крупнейшим производителем чипов, сместив с пьедестала Intel.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Гибридный чип NAND и DRAM от Samsung

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Toshiba начинает производство 15 нм NAND памяти

Компания Toshiba начала отправку первых партий устройств, в которых применяется 15 нм память NAND.

Сами микросхемы памяти начали изготавливаться ранее в этом году на заводе, которым компания владеет совместно с Sandisk.

15 нм чипы NAND от Toshiba

Будучи нацеленной на мобильные телефоны и рынок носимой электроники, 15 нм серия Toshiba на 26% меньше, чем предыдущие микросхемы компании. Кроме того, они на 8% быстрее при случайном чтении и на 20% быстрее при записи, благодаря оптимизации контроллера.

Каждая группа по объёму представлена в двух версиях: Premium, для устройств начального и среднего сегментов, и Supreme, для хай-энд устройств. В первом квартале 2015 года компания станет предлагать модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. По словам Toshiba, во втором квартале будут представлены также модули по 8 ГБ и 128 ГБ. Габариты памяти очень мало зависят от объёма. Например, 32 ГБ Supreme памяти имеют габариты в 11,5х13х1 мм.

Samsung выпускает 32-слойную NAND память

Вертикальная NAND Flash технология является основным направлением деятельности компании Samsung при выпуске твердотельных накопителей, так что в постоянной её модернизации нет ничего удивительного.

Так, компания Samsung выпустила новый чип флэш-памяти, состоящий из 32-уровневого стека, что является заметным улучшением, по сравнению с нынешними 24-слойными чипами. Новый чип «второго поколения», как его назвала компания, будет использоваться в SSD, которые будут потреблять на 20% меньше электроэнергии, по сравнению с плоской технологией.

Чип Samsung 3D V-NAND второго поколения

Сами SSD, в которых будет применена новая память, будут иметь объёмы в 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Это будут высокопроизводительные модели премиум класса, предназначенные для геймеров, промышленности и владельцев рабочих станций. Примечательно, что чипы со стеком увеличенного объёма будут производиться на том же технологическом оборудовании, а значит, их себестоимость производства никак не изменится.

Будем надеяться, что всё это выльется в общее снижение цены. Конечно, SSD дороги сами по себе, но всё-таки было бы приятно увидеть некоторое общее снижение цены на твердотельные накопители. С другой же стороны, раньше память 3D V-NAND использовалась только в промышленных SSD, а значит Samsung может сосредоточиться на качестве и ёмкости продукции, а не на цене.

SK Hynix начала массовое производство 16 нм памяти NAND

SK Hynix Inc. объявила о начале полномасштабного производства 16 нм 64 Гб MLC NAND Flash памяти, которая использует самою тонкую технологию производства, существующую сейчас в промышленности.

Первая версия NAND Flash памяти по 16 нм процессу была произведена Hynix ещё в июне этого года, а совсем недавно фирма начала выпускать более конкурентоспособную благодаря меньшему размеру чипа вторую версию.

Кроме того, компания разработала 128 Гб (16 ГБ) чип MLC. Этот самый плотный в мире чип основан на спецификации 64 Гб микросхем. Ожидается, что этот продукт поступит в продажу в начале следующего года.

16 нм память Hynix

По большому счёту более тонкий техпроцесс уменьшает скорость работы интерфейсов между ячейками, однако SK Hynix применила современную технологию Air-Gap, которая позволяет сохранить высокую скорость интерфейсов между ячейками. Эта технология создаёт изолирующую прослойку с вакуумными зазорами между цепями, не прибегая к использованию изоляционных материалов.

Компания SK Hynix в своём пресс-релизе пообещала и дальше увеличивать свою конкурентоспособность в решениях NAND Flash, ускорив разработку TLC (Triple Level Cell) и 3D NAND Flash.

Цены на NAND память снизятся

В четвёртом квартале 2013 года цены на память NAND снизятся, несмотря на имеющийся спад общемировых поставок.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Чипы NAND памяти Samsung

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

Samsung начал выпуск первой 3D вертикальной NAND памяти

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство усовершенствованной версии NAND флэш-памяти, известной как 3D Vertical NAND (V-NAND), которая должна помочь обойти ограничения масштабирования, установленные традиционной NAND памятью.

Южнокорейский гигант исправил свою архитектуру Charge Trap Flash для использования слоёв в трёх измерениях, которые могут быть собраны друг над другом для создания больших по плотности хранилищ.

Чип V-NAND от Samsung

С V-NAND, компания Samsung, как она утверждает, не только достигла от двух до десяти кратного повышения надёжности, по сравнению с традиционной NAND, но и два раза увеличила скорость записи по сравнению с NAND памятью 10 нм класса с плавающими транзисторами. Первые версии чипов, изготовленных по этой технологии, будут иметь объём 16 ГБ, а с учётом возможности Samsung собирать по 24 слоя, общий объём одной микросхемы составит 128 ГБ.

И хотя данное достижение впечатляет, оно ничто, по сравнению с недавним анонсом компании Crossbar, представившую резистивную память (RRAM), которая позволяет хранить до 1 ТБ данных на чипе размером с почтовую марку. При этом такие микросхемы заметно быстрее, более энергоэффективны и, теоретически, более надёжны, чем V–NAND от Samsung.  Правда, V-NAND даже после 10 лет разработки по-прежнему не готова к массовому производству. В то же время, 3D микросхемы Samsung уже находятся в массовом производстве, а значит, мы увидим продукцию с этой памятью на полках магазинов уже в ближайшее время.

Samsung разрабатывает самую быструю встраиваемую память

Эволюция мобильных чипов памяти идёт всё быстрее, ну если Samsung можно считать показателем прогресса.

Ещё не прошло и восьми месяцев с момента анонса компанией скоростных чипов eMMC 4.5, как появилась новая версия NAND от южнокорейского гиганта. На самом деле Samsung объявила о начале массового производства того, что фирма называет самой быстрой в мире памятью для встраиваемых решений. Новые чипы eMMC PRO основаны на 64 ГБ микросхемах NAND флэш-памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса, и это первые микросхемы, поддерживающие стандарт eMMC 5.0. Напомним, что всего 3 недели назад о начале производства чипов 10 нм класса объявила компания Micron, которая изготовила микросхемы NAND по 16 нм техпроцессу.

Чип памяти Samsung eMMC 5.0

Новые чипы доступны в вариантах с объёмом 16, 32 и 64 ГБ. Случайная скорость чтения из этих микросхем составляет 7000 операций ввода-вывода в секунду, а скорость последовательного чтения и записи равна 250 МБ/с и 90 МБ/с соответственно. Такие скорости окажутся невероятно полезными для обеспечения многозадачности в мобильных устройствах. А учитывая готовящийся к выпуску процессор Exynos 5 Octa 5420 от Samsung, такая память позволит компании в полной мере реализовать его возможности и создать мобильные гаджеты с невероятной производительностью.

Micron представила 16 нм технологию производства флэш-памяти

Компания Micron Technology анонсировала начало опытного производства чипов NAND памяти по техпроцессу нового поколения с размером элементов 16 нм, обеспечив, таким образом, выпуск самых маленьких устройств с MLC NAND памятью объёмом 128 Гб.

В настоящее время 16 нм техпроцесс является не просто самым совершенным при производстве чипов памяти, но и самым тонким процессом производства микросхем вообще. Таким образом, Micron ещё более утвердилась на позиции лидера в производстве чипов.

Представленные 128 гигабитные устройства предназначены для применения в потребительских SSD, переносных накопителях (USB флэшки и карты памяти), планшетных ПК, ультратонких устройствах, мобильных телефонах и облачных хранилищах в ЦОД. Новая 128 Гб NAND память может предложить самую высокую плотность данных на квадратный миллиметр при самой низкой стоимости по сравнению с любыми MLC чипами. Фактически, новая технология позволяет создавать ёмкости почти в 6 ТБ на одной кремниевой пластине.

128 Гб чип Micron

По поводу выпуска новой технологии вице-президент Micron NAND Solutions Group Глен Хок, вслед за словами благодарности своей «команде инженеров, которая безустанно трудилась над самой маленькой и самой совершенной в мире технологией производства флэш», заявил: «Снижение стоимости всегда будет фундаментальным процессом для NAND индустрии». Так что новая технология действительно позволит понизить цену на флэш-накопители.

Сейчас компания Micron изготавливает 16 нм образцы 128 Гб MLC NAND, при этом полноценное производство начнётся в четвёртом квартале этого года. Кроме памяти компания также разрабатывает SSD накопители на базе новых микросхем, которые должны поступить в продажу в 2014 году.

Samsung начала производство быстрой flash-памяти для мобильных устройств

Компания Samsung не ограничивается выпуском быстрой памяти NAND лишь для быстрых SSD накопителей.

Компания также развивает и направление быстрой флэш-памяти для мобильных устройств. Новые микросхемы Pro Class 1500 обещают значительный прирост скорости работы памяти, но насколько большой? Ответ кроется в названии. Новая память при записи способна выполнить 1500 IOPS (операций ввода-вывода в секунду), а при чтении — 3500 IOPS, что примерно в 4 раза выше, чем в любом другом ранее представленном чипе флэш-памяти Samsung.

Чипы памяти NAND Pro Class 1500

В реальности это означает, что микросхема обеспечит скорость в 140 МБ/с при чтении и 50 МБ/с при записи данных. Успеха удалось добиться после применения всех технологических решений, имеющихся в арсенал е компании, включая 20 нм технологически процесс, быстрый контроллер DDR 2.0 и новый стандарт памяти JEDEC с пропускной способностью в 200 МБ/с.

Компания не назвала конкретных потребителей новой памяти объёмом 16, 32 и 64 ГБ, однако ни для кого не секрет, что главный потребитель флэш-памяти для мобильных устройств Samsung по-прежнему является компания Apple, несмотря на все судебные перипетии и патентные войны.