Новости про NAND

Дело в том, что для хранения одного бита на ячейку необходимо использовать два состояния напряжения. В памяти MLC — четыре, TLC — восемь, а QLC — целых шестнадцать. Это приводит к частому появлению ошибок из-за повреждения данных, которые могут произойти в связи с большим количеством состояний заряда. Для успешного коммерческого использования технологии специалистам придётся применять различные механизмы коррекции.

Как оказалось, Toshiba с этим успешно справилась. По её данным, память 3D QLC NAND выдержала порядка 1000 циклов программирования/очистки, что близко к значениям TLC NAND. Это заметно выше 100—150 циклов, которые прогнозировали специалисты для QLC.

Ожидается, что массовое производство продукции на базе QLC памяти начнётся в конце 2018 или начале 2019 года.

По информации Рейтер, растущий спрос на NAND как на мобильном рынке, так и на рынке PC, привёл к тому, что некоторые поставщики стали завышать цену на свои изделия, гарантируя при этом стабильные долгосрочные поставки. Так, один из неназванных производителей сообщил, что за дополнительные деньги заключил шестимесячное соглашение на поставку чипов, хотя обычно в этом бизнесе заключаются месячные или квартальные договоры.

В настоящее время Apple приобрела примерно 18% всех годовых поставок памяти NAND, что необходимо ей для производства iPhone нового поколения. Обычно компании перекрывают этот всплеск поставок дополнительными складскими запасами, заготовленными в первом полугодии. Однако длящаяся больше чем полгода нехватка не позволила ни одному из производителей запастись микросхемами. Поэтому к сентябрю, когда Apple выпустит новый iPhone, дефицит станет ещё более острым.

Samsung отказалась комментировать данную информации, но известно, что ранее в этом году фирма отложила выпуск SSD объёмом 4 ТБ в связи с нехваткой памяти. Другой производитель памяти, SK Hynix, сделал заявление, сообщив Рейтер, что сроки поставки чипов давно прошли, и складские запасы остаются постоянно на низком уровне.

Обозреватели отмечают, что ситуация должна улучшиться в 2018 году, когда SK Hynix и Samsung запустят новые заводы, ну а пока нам придётся мириться с дефицитом и платить за него из своего кармана.

Благодаря технологии QLC, представленной 64-слойной стековой структурой, Toshiba сможет представить миру кристаллы крупнейшего объёма в 768 Гб (96 ГБ). Новая память также позволяет создавать 1,5 ТБ устройства с 16-слойной архитектурой кристаллов в едином пакете, что также на 50% увеличивает ёмкость пакета, по сравнению с прошлым поколением устройств.

Память типа QLC имеет те же проблемы (если не большие), с которыми столкнулись разработчики при выпуске памяти MLC. Главная из них заключается в том, как поместить данные в одну ячейку без влияния на надёжность хранимых данных и производительность. Так что вопрос того, смогут ли SSD, основанные на QLC NAND, предложить достаточную производительность, остаётся открытым.

Скорее всего данная память найдёт себе место в накопителях для ЦОД, где ключевую роль играют низкое энергопотребление и физический размер накопителя. Однако, возможно, QLC можно будет встретить и в некоторых других отраслях.

Как сообщает разработчик, образцы устройств на основе памяти QLC поставляются производителям SSD и контроллеров для SSD с июня месяца, которые используют новую память для разработки накопителей. Новое поколение образцов будет представлено в августе в ходе Flash Memory Summit 2017.

Обе линейки будут представлены в объёмах от 250 ГБ до 2 ТБ в форматах 2,5” толщиной 7 мм. А под маркой WD также будет выпущен M.2 2280 SSD.

Устройства обоих брендов будут предлагать скорости на уровне 560 МБ/с при чтении и 530 МБ/с при записи, они получат трёхлетнюю гарантию и наработку на отказ в течение 1,75 миллиона часов.

Так в чём же разница между WD Blue и SanDisk? Накопитель под маркой WD проходит специальное тестирование функциональной целостности в лаборатории и поставляется с ПО Acronis True Image и WD SSD Dashboard, которое позволяет контролировать параметры накопителя и обновлять прошивку.

Накопитель под маркой SanDisk предполагается для установки в ноутбуки, что позволит получить стандартные преимущества, вроде снижения шума, энергопотребления и ускорения загрузки. Так что можно смело утверждать, что обе версии накопителей эквивалентны. Вероятно, Western Digital хочет изучить спрос и определить, какой из брендов окажется более успешным на рынке твердотельных накопителей.

Цена на оба продукта стартует со 100 долларов США за версию минимального объёма. В продажу накопители поступят в третьем квартале этого года.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Такое мнение выразил глава Phison Electronics Хеин Сен Пуа. Однако в третьем квартале цены вновь начнут расти, поскольку на конечном рынке вновь повысится спрос.

Переход производителей от технологии NAND 2D к 3D привёл к опустошению складских запасов и росту цены на чипы — отметил Пуа.

Кроме того, OEM производители неохотно поставляют свою продукцию, ведь на фоне растущей цены они только теряют деньги, увеличивая свои продажи. В результате складские запасы оптовых поставщиков истощились, и они начали предлагать устройства с меньшим объёмом памяти. К примеру, некоторые производители, преимущественно в Китае, вместо SSD объёмом 128 ГБ стали поставлять устройства с 96 ГБ. Пуа отметил, что дефицит коснулся даже eMMC устройств объёмом в 4 ГБ и 8 ГБ.

Руководитель компании выразил уверенность, что в ближайшее время цены на память скорректируются, однако уже в третьем квартале, на фоне спроса со стороны Apple iPhone и других новых смартфонов, они начнут расти.

Что касается поставщиков, то их склады заполнятся в мае и июне, когда производители начнут массово выпускать 3D NAND продукты. Уже в четвёртом квартале более половины всех чипов памяти будут изготовлены по 64-слойной 3D NAND технологии.

В результате инженеры смогли разместить в полтора раза больше ячеек, чем в 48-слойных чипах, которые уже находятся в массовом производстве.

Напомним, что SK Hynix выпустила 36-слойные чипы объёмом 128 Гб в августе прошлого года, а с ноября выпускает микросхемы с 48 слоями. Инженеры отметили сложность проделанной работы, сравнив её со строительством 4 миллиардов небоскрёбов высотой в 72 этажа каждый на одной площадке. Новые 256 Гб чипы имеют на 30% большую эффективность в производстве и на 20% большую производительность. В настоящее время на базе этой памяти SK Hynix разрабатывает NAND Flash решения для построения твердотельных накопителей и решений хранения данных для смартфонов.

Улучшая производительность, имея высокую надёжность и низкое потребление энергии, SK Hynix надеется сохранить за собой лидирующие позиции на рынке твердотельной памяти.

Компания Samsung ранее представила память Z-NAND, и теперь готовится выпустить первый накопитель на её основе.

Совмещая возможности NAND и DRAM, память Z-NAND по-прежнему остаётся памятью NAND, со всеми её недостатками. Информации об этом типе памяти не много, однако, разработчик уже сообщил некоторые технические характеристики SSD на её основе.

Будущий Z-SSD от Samsung получит объём 800 ГБ и будет представлен в виде PCIe 3.0 платы половинной высоты. Накопитель будет использовать стандартные 4 линии шины. Скорость последовательного чтения и записи составит до 3200 ГБ/с, что на треть выше, чем у Intel Optane DC P4800X. Скорость случайного чтения блоками по 4 кБ составит 750 000 IOPS при чтении и 160 000 IOPS при записи. При этом чтение оказалось быстрее, чем у Optane, но запись — заметно медленнее. Стоит отметить, что части этого прироста в скорости удалось добиться за счёт нового контроллера. К сожалению, о надёжности накопителя Samsung ничего не известно, так что нельзя сделать полноценное сравнение устройств на памяти 3D XPoint и Z-NAND.

О доступности и цене также пока ничего не известно, но некоторые заказчики уже получили пробные образцы накопителей.

Новые 512 гигабитные чипы построены из 64 слоёв по технологии трёхуровневых ячеек хранящих по три бита на ячейку (TLC). Эти чипы станут частью модельного ряда продуктов BiCS FLASH.

Сейчас компания начала поставки опытных чипов объёмом 512 Гб, а их массовое производство компания начнёт во втором полугодии.

Новый флеш продукт обладает на 65% большей ёмкостью, по сравнению с прошлым поколением, в котором использовались 48 слоёв ячеек NAND. В дополнение к 512 Гб устройства линейка Toshiba BiCS FLASH будет включать 64-слойные 256 Гб решения, которые уже находятся в массовом производстве.

По словам Скотта Нельсона, старшего вице-президента подразделения памяти TAEC, «представление нами третьего поколения BiCS FLASH в паре с крупнейшим в промышленности 1 ТБ чипом заметно укрепляет наши позиции в качестве передового решения в области памяти, и мы продолжим развивать нашу 3D технологию для соответствия постоянно возрастающим требованиям рынка к объёму хранимых данных».

Таким образом, компания планирует выпустить по этой технологии микросхему, объёмом 1 ТБ.

Чип будет использоваться в накопителях для ЦОД, а также найдёт себе место в SSD продуктах, а значит, он будет достаточно дёшев для использования в игровых системах хай-энд уровня.

Шива Шиварам, исполнительный вице-президент WD, отметил, что с июля 2016 года компания удвоила плотность чипов в 64-слойных стеках.

«Это превосходное дополнение к нашему быстро распространяющемуся портфелю технологии 3D NAND. Это также располагает нас к ответу на растущий спросу на накопители в связи с быстрым увеличением количества данных, используемых в широком спектре потребительских розничных, мобильных устройств и ЦОД», — отметил господин Шиварам.

Компания Western Digital разработала производственную технологию совместно с Toshiba. Эта совместная работа также позволила выпустить первую в мире 64-слойную память в июле 2016 года и 48-слойную память в 2015 г.

Когда же 512 гигабитная 64-слойная память появится в конечных продуктах, пока не сообщается.