Neo Semiconductor представила 3D-память DRAM
Компания Neo Semiconductor представила новую технологию памяти 3D X-DRAM, которая позволит резко увеличить плотность чипов DRAM и изменить рынок.
Благодаря чипам 3D X-DRAM, NEO Semiconductor надеется создать микросхемы памяти объёмом 128 Гб (16 ГБ) при 230 слоях, обеспечив 8-кратный прирост плотности, по сравнению с 2D DRAM чипами. В пресс-релизе компании говорится: «Память 3D X-DRAM от NEO Semiconductor является первой в своём роде структурой подобной 3D-NAND DRAM, основанной на безъёмкостной технологии с плавающим телом. Её можно производить по процессу, подобному современному 3D-NAND с необходимостью изменения лишь одной маски и отверстий линии данных, чтобы формировать ячеестую структуру внутри отверстий. Ячеестая структура упрощает шаги процесса и обеспечивает высокую скорость, плотностью и низкую стоимость при высокой степени выпуска годной продукции».
В будущем же, к 2035 году, разработчики ожидают выпустить чипы DRAM объёмом 1 Тб (256 ГБ). Большие планы, особенно учитывая, что сейчас новые компьютеры редко оснащаются более 16 ГБ памяти. А вот в отрасли машинного обучения, где требуются огромные объёмы ОЗУ, такое решение придётся как нельзя кстати.