Новости про оперативная память

Весной этого года Intel выпускает очередное поколение процессоров Core i-. И мы можем сосчитать, что от начала применения памяти этого типа с процессорами Core 2 Quad до Ivy Bridge прошло 6 поколений CPU. Причём тенденция продолжится ещё минимум два года. Это куда дольше, чем те четыре года, которые просуществовали DDR1 и DDR2.

В любом случае, наследник уже виден на горизонте. Стандарт DDR4 был утверждён и ожидается, что первые образцы памяти этого типа появятся уже через два года. Так что он нам даст?

Введение четвёртого поколения DDR в первую очередь обеспечит значительный рост скорости. Базовый уровень предложит DDR4-2667 и DDR4-3200, а в будущем, в течение полугода после выпуска, появятся DDR4-4000 и 4266. Для снижения задержек первые чипы DDR4 будут иметь целых 16 банков на каждой пластине, таким образом, большее число одновременно открытых страниц должно привести к снижению задержек.

Во вторую очередь новая память обеспечит лучшее энергосбережение. Стандартным напряжением станет 1,2 В, при этом опционально будут предложены модули напряжением 1,05 В. В свою очередь снижение мощности приведёт к меньшему нагреву модулей.

В-третьих, изменится конструкция модулей памяти и материнских плат. Память DDR4 будет сходна с памятью Rambus в интерфейсе «точка-точка» с меньшей нагрузкой на каждый канал, что ускорит передачу данных и уменьшит задержки. Ожидается, что все первые модули памяти будут иметь двузначные CL задержки. Как думаете, вам понравится CL15 на DDR4-3200?

И напоследок стоит отметить, что будет улучшена коррекция ошибок, т. к. DDR4 имеет лучшие способы контроля чётности и ECC ошибок, по сравнению с памятью прошлых типов, что положительно скажется на стабильности работы серверов.

Что ж, ждать осталось не так и долго. Судя по приведенной диаграмме, в производительных системах эта память будет широко использоваться уже в 2015 году, однако ряд производителей памяти, в частности Samsung, толкают Intel к скорейшему введению нового стандарта, поскольку только в этом производители видят для себя выход из кризиса.

В то время, пока Toshiba и Globalfoundries рассуждают о вступлении в процесс торгов, Micron уже предложила за компанию от 1,3 до 1,5 млрд. долларов США.

Основную стоимость компании составляет её завод в Хиросиме, который Bloomberg оценивает в один миллиард долларов. Строительство же нового завода обойдётся любому производителю микросхем куда дороже.

На март 2012 года балансовый лист Micron может похвастать 2,1 млрд. свободных средств в деньгах и короткосрочных инвестициях. C другой стороны, последние квартальные результаты компании значительно упали с 2010 года, а график её доходов стал красным, поскольку Micron отчитались о 224 млн. чистых убытков при общем доходе в 2,1 млрд. долларов.

Недавно утвержденный на должность исполнительный директор компании Марк Дюркан (Mark Durcan) заявил, что компания ожидает восстановление цен на DRAM, но пояснил, что даже если бы компания могла продать больше NAND и DRAM памяти в последнем квартале, высокие объёмы продаж нивелировались бы низкой стоимостью чипов. Увеличение объёмов производства и большая капитализация компании являются для Micron единственным средством, чтобы защитить себя в будущем от колебаний рынка.

Похоже, что Intel внесли множество усовершенствований в свой новый контроллер памяти, но чтобы узнать подробности нам, скорее всего, придётся дождаться начала продаж.

Сайт VR-Zone сообщает, что оверклокер с ником Sin0822 опубликовал скриншоты с результатами тестирования процессора Core i7-3770K на материнской плате Gigabyte Z77X-UD5H. Базовая частота CPU составила 102,37 МГц, при этом четыре неуточнённых модуля памяти G.Skill работали на частоте 3,276 МГц.

Очевидно, что в UEFI материнской платы для памяти был выставлен множитель 29,33, т. е. такой, который невозможно получить с Sandy Bridge. Так что отчасти, в этом и кроется причина такого разгона памяти.

Автор скриншотов также отметил, что ещё большей частоты памяти можно достичь, используя меньшее количество DIMM модулей, так что, говоря иначе, в будущем мы непременно увидим ещё большие значения разгона ОЗУ на платформе Ivy Bridge.

При этом с переходом на более быстрый интерфейс USB 3.0, спрос на NAND-память должен вырасти во второй половине года, сообщает DigiTimes со ссылкой на промышленные источники.

В отличие от невысокого спроса на флэш память для USB накопителей и карт памяти, спрос на NAND для SSD дисков и кэширующих накопителей остаётся высоким и будет расти и дальше, подгоняемый выпуском новых моделей ультрабуков и планшетов.

На недавно завершившемся конгрессе Mobile World Congress, проходившем в испанской Барселоне, было объявлено, что выход большинства планшетов и смартфонов запланирован на март и апрель. Кроме того, ряд будущих потребительских продуктов и распространение чипов Ivy Bridge от Intel непременно помогут усилить степень проникновения USB 3.0, а значит, и хранилищ данных работающих с этим интерфейсом, отмечает источник.

Но не стоит забывать, что описанный сценарий относится к недалёкому будущему, так что в первой половине 2012 года не предвидятся тенденции к росту контрактной цены на NAND.

Для этого он использовал набор памяти G.SKILL RipjawsZ. Применив 4 ГБ модуль памяти, Нэй достиг частоты DDR3 в 3736 МГц.

О своём эксперименте Нэй заявил: «Настраивать память SKILL было очень весело. Вы можете почувствовать неограниченный потенциал, и всё время хотите гнать выше и выше».

Для проведения разгона швед использовал материнскую плату GA-A75-UD4H от Gigabyte с зарекомендовавшим себя в разгоне процессором AMD. В данном случае был установлен APU A8-3870, работавший с частотой 1600 МГц.

Новый рекорд максимальной частоты работы памяти был подтверждён HWBOT, широко известной среди оверклокеров организацией.

Суммарное производство чипов памяти в Тайване было за месяц уменьшено с 450 000 пластин в ноябре до 250 000 в декабре. Общемировое же производство DRAM упало до примерно миллиона кремниевых пластин, что на треть меньше, чем производилось в рекордном 2008 году. Однако не все производители пошли по этому пути.

К примеру, такие гиганты индустрии, как Samsung Electronics и Hynix Semiconductor не сократили собственные производства, отмечают источники.

По информации iSuppli, в третьем квартале уходящего года Samsung установила рекорд мировых поставок ОЗУ, заняв 45% рынка. Вслед за корейским гигантом расположились Hynix с 21,5%, Elpida и Micron с 12,1% рынка каждая.

Несмотря на значительное снижение объёмов производства, контрактные цены на ОЗУ продолжили постепенное снижении и в декабре. Так, 2 ГБ модули DDR3 подешевели на 3% до 9,25 доллара США, а 4 ГБ планки показали в два раза большую динамику. Упав на 6% за модуль, новая цена на них составила 16,50 долларов.

Однако вчера стало известно, что 3 декабря компания Kingston побила результат своих главных конкурентов, разогнав ОЗУ до 3600 МГц.

В этот раз для установления рекорда оверклокеры использовали модуль памяти Kingston HyperX 1T.

Новый мировой рекорд установил румынский оверклокер Matose, для чего он использовал материнскую плату Asus ROG Crosshair V Formula с центральным процессором AMD FX-8150. Для охлаждения системы был использован жидкий азот. При этом, такой кулер применялся как для разгоняемой памяти, так и для центрального процессора. Штатная частота использованного модуля памяти составляет 1866 МГц, а значит, Matose добился практически двукратного её превышения.

При этом выход на совершенно новый для себя рынок оперативной памяти компания осуществляет на фоне не очень удачного выпуска Bulldozer и 12% сокращения штатов, что выглядит довольно странно.

Разработчики процессоров AMD заключили партнёрские соглашения с Patriot Memory по поставке их продукции под брендом Radeon на общемировой рынок, кроме Северной Америки, для которой память Radeon будет производить VisionTek.

AMD планирует представить три линейки системной памяти, в каждой из которой будут присутствовать модули объёмом 2 ГБ, 4 ГБ и 8 ГБ. Все три линейки памяти будут состоять из чипов DDR3-1333, DDR3-1600 и DDR3-1866 и будут соответственно называться «Entertainment Edition», «Performance Edition» и «Radeon Edition».

Модули младших линеек требуют для своей работы питания напряжением 1,35 В, а старшей — Radeon Edition, необходимо напряжение 1,5—1,65 В при частоте 1866 МГц. Эта память также  поддерживает разгон посредством фирменной утилиты AMD Overdrive.

Помимо тихого выпуска оперативной памяти под брендом Radeon, которую фактически будут изготавливать Patriot, AMD, также незаметно, выпустили ещё одну вещь. Ей стала графическая память под собственным брендовым именем, так что вполне возможно, что через полгода мы увидим в продаже какие-нибудь китайские безымянные видеокарты, оснащённые GPU от NVIDIA и DDR3 или GDDR5 памятью от AMD.

Вчера компания сообщила о мировом разгоне оперативной памяти. Отныне, максимальная частота работы оперативной памяти составляет 1733,8 МГц, или 3467 МГц с учётом DDR.

Для установления рекорда были использованы модули памяти Corsair Dominator GT CMGTX6 extreme-performance DDR3.

Мировой чемпион по разгону, и по совместительству сотрудник Corsair, Джейк Кримминс (Jake "Planet" Crimmins) установил новый рекорд в лаборатории компании с использованием кулера на жидком азоте собственной разработки. Для этого использовался процессор AMD FX-8150 с фактической частотой 4045,61 МГц, а в качестве платформы была использована плата Crosshair V Formula. Для питания использовался источник Corsair Professional Series Gold AX1200. Установленный рекорд памяти в 1733,8 МГц был достигнут при таймингах гигабайтного модуля Dominator GT extreme-performance DDR3 равных 11-13-13-31.

«Установление мирового рекорда по разгону требует определённых навыков, находчивости и правильного оборудования»,— заявил Кримминс. «Я установил несколько рекордов, используя память DominatorGT. Она надёжная, имеет превосходный потенциал и никогда меня не подводит».

Новые наборы ОЗУ предназначены для работы в четырёхканальном контроллере и должны работать с новыми процессорами, которые устанавливаются в сокет LGA 2011, наряду с оригинальными 32 ГБ модулями анонсированных компанией месяц назад.

Комплекты Dominator и Vengeance будут использовать технологии Intel Extreme Memory Profile (XMP) версии 1.3, которая позволяет легко подстраивать производительность модулей. В наборах Dominator используются обычные радиаторы DHX+, в то время как в модулях Vengeance алюминиевый тепловой спредер.

Модули Dominator доступны в частотных вариантах от 1600 МГц до 2400 МГц, с ёмкостью от 8 ГБ (4 модуля по 2 ГБ) до 32 ГБ (4 модуля по 8 ГБ). Vengeance доступны в частотах от 1600 МГц до 1866 МГц и тех же объёмах.

Dominator

Vengeance