Новости про оперативная память и производство

Samsung сокращает производство памяти

По информации Bloomberg компания Samsung готовится к замедлению производства микросхем памяти в 2019 году, в котором ожидается снижение спроса.

Южнокорейский гигант пользуется своим доминирующим положением на рынке, и этот шаг позволит сохранить падающую цену на NAND и DRAM, или даже увеличить её.

В начале года компания видела будущее оптимистично, ожидая битовый рост на 20 и 40 процентов для DRAM и NAND. Битовый рост — это термин, используемый индустрией для обозначения объёмов производимой памяти. Данная единица измерения важна для оценки спроса и позволяет производителям панировать объёмы продукции.

Микросхемы оперативной памяти Samsung
Микросхемы оперативной памяти Samsung

Согласно свежему прогнозу Samsung, битовый рост DRAM ожидается на уровне ниже 20%, а для NAND — 30%. Так что снижение объёмов производства выглядит для компании вполне логичным шагом.

Аналитик Bloomberg Антея Лэи считает, что Samsung предпочтёт ситуацию с дефицитом поставок и высокой ценой, взамен захвата большего рынка и риска снижения стоимости. Очевидно, что эти шаги повлекут сдерживание цены на память не только производства Samsung, но и её конкурентов.

Samsung может стать крупнейшим производителем микросхем

Обозреватели рынка полупроводников уверяют, что в скором времени может появиться новый мировой лидер в этой отрасли — компания Samsung должна стать крупнейшим производителем чипов, сместив с пьедестала Intel.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Гибридный чип NAND и DRAM от Samsung

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Samsung снижает производство DRAM

Компания Samsung Electronics сообщает о снижении объёмов производства обычной динамической памяти со случайным доступом, что может привести к росту цен на DRAM. Взамен обычной памяти мировой производитель №1 нарастит выпуск LPDDR, чтобы удовлетворить запросы Apple, которая увеличивает объёмы заказов для iPhone.

Южнокорейская компания сократит производство ОЗУ на 30%. В связи с этим снижением выпуска аналитики ожидают рост цены, который произойдёт уже в августе или сентябре.

Память DDR4 Samsung

Новые смартфоны iPhone будут включать 2 ГБ памяти LPDDR4 вместо 1 ГБ в прошлых моделях, что означает резкое увеличение количество приобретаемой памяти, по сравнению с прошлыми годами. Чтобы гарантировать себе достаточное количество микросхем памяти, Apple решила приобретать её не только у Samsung, но и у SK Hynix и Micron.

SK Hynix начинает производство 20 нм памяти

Компания SK Hynix, второй в мире производитель оперативной памяти, объявил, что во втором полугодии начинает массовое производство DRAM памяти, используя для этого 20 нм технологический процесс. Данный переход позволит компании лучше соответствовать нуждам рынка хай-энд памяти.

Сейчас наиболее совершенные технологии, доступные SK Hynix, включают размеры элементов 25 и 29 нанометров. Более тонкий производственный процесс позволит производителям выпускать на 30% больше чипов ОЗУ на пластинах того же диаметра в 300 мм, которые использовались ранее. В результате себестоимость каждой такой микросхемы будет ниже, что означает большую прибыль для компании.

Некоторые эксперты считают, что 20 нм техпроцесс крайне важен для производителей памяти, поскольку позволит выйти на плотности равные 8 Гб на чип, такие же, как существуют в памяти DDR4.

ОЗУ DDR4 производства SK Hynix

По информации крупнейшего в мире трекера памяти, DRAMeXchange, SK Hynix за второе полугодие 2014 значительно продвинулась в качестве производства по 25 нм технологии, что позволило фирме существенно увеличить прибыль. Ранее сообщалось, что Samsung Electronics, мировой лидер в области памяти, в этом году будет использовать 20 нм технологию для более чем половины всей производимой памяти. Эта компания приступила к массовому производству в конце прошлого года.

Третий крупнейший игрок рынка, Micron Technology, начал опытное 20 нм производство микросхем в четвёртом квартале 2014 года. Компания планирует увеличить массовое производство по 20 нм технологии также в этом году, однако объёмы будет относительно малыми.

Samsung увеличивает производство 25 нм DRAM

Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Samsung DDR3

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

Выпущены чипы памяти DDR2 SDRAM объёмом 2 и 4 Гб

Учитывая, что уже в течение многих лет в персональных компьютерах используется память DDR3, а вся промышленность с нетерпением ждёт наступления эры DDR4, многим казалось, что память DDR2 безнадёжно устарела, и что производители совершенно не занимаются её разработкой. Однако оказывается, это не так, и подтверждением тому стали два новых продукта от I'M Intelligent Memory.

В потребительских продуктах память DDR2 больше не используется, равно, как и в подавляющем большинстве современных устройств. Однако есть определённые области, среди которых, например, автомобильные развлекательные системы, осветительные массивы и промышленные системы, где оперативная память DDR2 находит своё применение.

До недавнего времени в них использовались лишь чипы DDR2 объёмом 512 Мб или 1 Гб, однако благодаря новому продукту, на рынке появятся модули ёмкостью 2 Гб и 4 Гб.

Чипы памяти I'M объёмом 2 и 4 Гб

Ранее память поставлялась в модулях по 4, 8 и 16 чипов (пакеты FBGA60 или FBGA84), теперь же и 2, и 4 гигабитные модули будут иметь восьмичиповую конфигурацию (пакет FBGA63).

К сожалению, ни о техпроцессе производства, ни о скоростных характеристиках, производитель памяти ничего не сообщил.

AMD объединилась с SK Hynix для создания 3D памяти

Компании SK Hynix и Advanced Micro Devices объявили о начале совместной работы над трёхмерно собранной памятью с высокой пропускной способностью (HBM).

Производитель процессоров делает ставку на APU, ведь использование подобной памяти положительно скажется на скорости работы их чипов, поскольку позволит использовать одинаковые пакеты для GPU и CPU. Как бы то ни было, но APU требуют высокой пропускной способности, так что даже ускоренные процессоры начального уровня получат выигрыш при использовании памяти с высокой скоростью работы, и не стоит забывать о GDDR5, которая по слухам будет распределённо использоваться в Kaveri.

AMD и Hynix

Память, собранная в 3D блоки, может быть использована как память с высокой пропускной способностью, ещё большей, чем у GDDR5. Она может использоваться как системная и как видеопамять, хотя изначально такие модули разрабатывались как память для графических приложений. Новая память, построенная с использованием новых технологий Wide I/O и TSV, должна поддерживать пропускную способность на уровне от 128 ГБ до 256 ГБ, и в свет она должна выйти уже в 2015 году. В настоящее время основным применением для памяти с высокой пропускной способностью считается GPU, так что и AMD, и NVIDIA планируют начать её использование со своими продуктами, изготовленными по 20 нм техпроцессу, однако, возможно, не с первым их поколением.

В настоящее время остаётся неизвестным, каким образом AMD планирует использовать эту технологию для APU. Ведь применение памяти нового типа в потребительских продуктах потребует переделки архитектуры и отказа от обратной совместимости, что значительно замедлит популяризацию новой технологии.

Цены на NAND память снизятся

В четвёртом квартале 2013 года цены на память NAND снизятся, несмотря на имеющийся спад общемировых поставок.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Чипы NAND памяти Samsung

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

Цены на DDR3 самые высокие за 2 года

Последние годы индустрия оперативной памяти переживала не лучшие времена. Из-за этого обанкротилась компания Elpida, а остальные были вынуждены значительно сократить производство.

Месяц назад на заводе Hynix в китайском Уси произошёл пожар. И хотя руководство компании утверждало о том, что особых проблем с отгрузкой не будет, и что производство практически не пострадало, сейчас цены на оперативную память оказались самыми высокими за последние два года. Такую информацию распространило агентство Bloomberg.

Микросхемы памяти Hynix

Аналитики ожидают, что цены на чипы памяти продолжат свой рост на протяжении всего четвёртого квартала, либо же до тех пор, пока производство не возрастёт до нормальных объёмов. Так, на прошлой неделе, цена на 2 гигабитный чип памяти DDR3 составила 2,27 доллара, по сравнению с 1,60 доллара 4 сентября, когда пожар на заводе Hynix привёл к остановке производства. Таковы данные DRAMeXchange, крупнейшего азиатского рынка комплектующих.

Компания Hynix является вторым крупнейшим мировым поставщиком чипов памяти. В списке её клиентов присутствуют такие гранды IT как Apple, Dell и Sony. Сейчас фирма значительно нарастила производство на заводе Южной Кореи, чтобы снизить влияние произошедшего пожара на рынок.

Hynix может восстановиться через две недели

Как известно, завод по производству памяти Hynix, расположенный в китайском городе Уси, на прошлой неделе пострадал от взрыва и последовавшего за ним пожара, однако по последним данным, завод может полностью восстановить производство через 2—3 недели.

И хотя завод обволакивал густой дым, после детального анализа выяснилось, что производство сильно не пострадало. Вначале существовали опасения того, что завод может остановиться на месяц или больше, в результате цены на память на мировом рынке резко подскочили вверх, поскольку завод производил 15% всей DRAM памяти в мире.

Сейчас же сайт Fudzilla, ссылаясь на своих информаторов, уверяет: «Работа по всей видимости возобновиться скоро… возможно в течение двух или трёх недель, или даже раньше, но это всё ещё ранние оценки и более ясная картина откроется на следующей неделе».

Hynix

Сейчас всё выглядит так, что в случившейся аварии было больше дыма, чем огня, разрушения оказались минимальными и потери в производстве пластин крайне малы, поскольку пожар по большей части бушевал в зоне вентиляции и главные производственные мощности, включая чистые помещения, не были задеты.

Сообщается, что компания Hynix имеет на своих складах готовой продукции запасы, достаточные для бесперебойной отгрузки продукции в течение 2—3 недель, и если за это время завод полностью восстановится и быстро выйдет на проектные производственные мощности, то рынок даже не заметит произошедшей аварии.