Новости про оперативная память

В Intel описали свою память на основе передачи момента спина (spin-transfer torque (STT)-MRAM), которая изготавливается по 22FFL. Сама корпорация называет её «первой памятью MRAM, основанной на FinFET технологии». Несмотря на то, что Intel называет свой продукт готовым для коммерческого использования, компания не уточнила, кто будет изготавливать и использовать это решение. Однако слухи гласят, что память уже поставляется некоторым клиентам.

В то же время Samsung изготовила STT-MRAM по 28 нм процессу FDSOI.

Память типа MRAM может стать заменой для DRAM и NAND, а также может заменить встраиваемую SRAM, благодаря меньшим задержкам чтения и записи, высокой надёжности и высокой целостности данных. Кроме того, MRAM легче масштабировать, чем SRAM, которую нельзя уменьшить также, как другие элементы рядом с ней.

Память создана для платформ Intel и AMD и обеспечивает производительность и стабильность самых требовательных компьютеров. Эта память поднимает технологию Intel XMP 2.0 до новых высот, позволяя достичь частоты в 4400 МГц простыми настройками в BIOS.

Память питается напряжением 1,45 В, при этом тайминги составляют CL19-19-19-39. Естественно, что такая память требует хорошего охлаждения, а потому производитель установил алюминиевый радиатор, которого, по уверениям Patriot, хватит и для дальнейшего разгона моделуей.

Пока о цене на память ничего не сообщают.

Данная технология производства позволяет компании выпускать 12 Гб чипы. В компании уверяют, что эти LPDDR4X микросхемы потребляют на 10% меньше энергии, по сравнению с LPDDR4-4266, в связи с меньшим выходным напряжением. При этом пропускная способность остаётся неизменной — 4266 Мб/с, а уменьшение габаритов позволяет увеличить количество устанавливаемых в устройство чипов.

Новые микросхемы от Micron имеют объём 1,5 ГБ. Это меньше, чем предлагаемые конкурентами аналоги объёмом 2 ГБ, однако решения Micron намного дешевле в производстве. Другие производители уже достаточно давно выпускают подобную память, но лучше позже, чем никогда.

Чипы LPDDR4X от Micron уже доступны для заказа, что многие производители портативных устройств уже и сделали.

DDR5 — это следующее поколение оперативной памяти, которое предложит высочайшую скорость и плотность при сниженном потреблении энергии, по сравнению с DDR4. Память, в первую очередь, предназначена для применения в отраслях с большим обменом данными, например, в Big Data, искусственном интеллекте и машинном обучении.

Новые 16 Гб чипы DRAM изготовлены по 1Y-нм технологии и поддерживают скорость передачи данных в 5200 Мб/с. Производитель ожидает, что в массовое производство эти чипы поступят в 2020 году. Ожидается, что с этого времени на память DDR5 появится большой спрос, и уже в 2021 году она займёт 25% рынка ОЗУ, а годом позднее — 44%.

Эта память предназначается для промышленных встраиваемых систем на базе процессоров ARM/RISC или последних 32-битных процессоров RISC-V. Эти планки памяти обеспечивают идеальный баланс между производительностью, энергопотреблением и стоимостью. По сравнению со впаянной на материнскую плату памятью она обеспечивает большую гибкость в подборе объёма и занимаемой площади.

Новая память Apacer создана для построения систем, разрабатываемых крупными компаниями, такими как NXP, Freescale, Marvell, Cavium и Texas Instruments, применяющими процессоры RISC-V. Она работает на напряжении 1,2 В, что на 20% ниже, чем потребуют сравнимые модули DDR3. 32-битная DDR4 память от Apacer предлагается в трёх вариантах: DDR4 2133/2400/2666 в объёмах 2 Гб, 4 Гб и 8 Гб. Микросхемы памяти могут работать в промышленном диапазоне температур.

Аналитики отмечают, что при высокой доступности оборудования, более чем половина производителей NAND столкнуться с давлением, и чтобы сохранить прибыль продолжат увеличивать объёмы производства.

Промышленные источники уверяют, что сейчас в мире существует 6-7 ведущих производителей NAND продуктов, и все разрабатывают новое поколение производственных процессов. Среди них Samsung, Toshiba Memory/Western Digital, Mircon/Intel и SK Hynix уже подготовили 96-слойную 3D NAND технологию для выпуска продукции в первой половине 2019 года. Все они планируют производить 50—100 тысяч микросхем в год. Китайская Yangtze Memory Technology также ускоряет производство, планируя выйти на уровень 150 000 чипов в год. Такое перепроизводство вызовет дальнейшее снижение цен на NAND память в 2019 году.

В противовес твердотельной памяти, оперативная память не будет дешеветь. Тройка крупнейших производителей DRAM, Samsung, SK Hynix и Micron, лишь незначительно расширят производственные мощности, несмотря на ожидаемый рост спроса на память для центров обработки данных, игровых устройств, IoT и автомобильной электроники.

Достижение установлено на памяти G.Skill Trident Z RGB, которая была установлена в материнскую плату Asus ROG Maximus XI GENE с процессором Intel Core i7-8700K. Вполне обычная комплектация.

Как и в большинстве случаев экстремального разгона, в данном случае процесс протекал с охлаждением CPU и памяти жидким азотом. Память работала с таймингами CL24.0 31-31-63 3T. При этом использовался модуль объёмом 8 ГБ. По словам самого оверклокера, он взял память с базовой частотой DDR4-3200, хотя G.Skill также предлагает память частотой 4600 МГц, но она уже распродана.

Обычно процессоры поддерживают лишь 64 ГБ в двух каналах памяти с двумя модулями в каждом. Это значит, что максимальный объём планки составляет 16 ГБ. Однако сейчас такие производители памяти как Zadak и G.Skill используют различные технологии для производства модулей двойной высоты и объёма. Применяя 16 Гб чипы Samsung компании готовятся выпустить модули объёмом 32 ГБ.

В AMD уже заявили, что их контроллеры памяти смогут поддерживать будущую память, в то время как Intel в своих спецификациях говорит об ограничениях. Однако теперь представитель компании заявил, что 16 Гб микросхемы стали доступны совсем недавно, и теперь компания занята сертификацией этой памяти, которая закончится через месяц. Таким образом, уже в ноябре Intel заявит о поддержке 64 ГБ ОЗУ на процессорах Core 9-й серии.

Новые 32 ГБ модули не будут дешёвыми. Сейчас наборы 4х16 ГБ памяти DDR4-2666 стоят порядка 550 долларов. Это значит, что наборы 4х32 ГБ будут как минимум вдвое дороже. Некоторые обозреватели допускают цену в 1600 долларов.

Южнокорейский гигант пользуется своим доминирующим положением на рынке, и этот шаг позволит сохранить падающую цену на NAND и DRAM, или даже увеличить её.

В начале года компания видела будущее оптимистично, ожидая битовый рост на 20 и 40 процентов для DRAM и NAND. Битовый рост — это термин, используемый индустрией для обозначения объёмов производимой памяти. Данная единица измерения важна для оценки спроса и позволяет производителям панировать объёмы продукции.

Согласно свежему прогнозу Samsung, битовый рост DRAM ожидается на уровне ниже 20%, а для NAND — 30%. Так что снижение объёмов производства выглядит для компании вполне логичным шагом.

Аналитик Bloomberg Антея Лэи считает, что Samsung предпочтёт ситуацию с дефицитом поставок и высокой ценой, взамен захвата большего рынка и риска снижения стоимости. Очевидно, что эти шаги повлекут сдерживание цены на память не только производства Samsung, но и её конкурентов.

В этот раз речь идёт об изменениях на рынке памяти DDR4 и NAND. Отчёт подготовила аналитическая компания DRAMExchange.

Обозревая поставки ноутбуков, компания предсказывает падение рынка на 0,2% в годовом отношении. Это, в свою очередь, приведёт к снижению цен на память DDR4 на 2% в квартальном отношении в связи с перепроизводством. Также трудности с производством у Intel приведут к перепроизводству SSD, которые в четвёртом квартале также подешевеют.

Если всё будет именно так, как предсказывают аналитики, нас ждёт неплохой шанс приобрести к Новому году дополнительную память или накопитель по сниженной цене.