Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в мире 10 нм памяти (класс 1z) LPDDR5 объёмом 16 ГБ, предназначенной для смартфонов.
Эти микросхемы изготавливаются с высокой точностью с применением технологии EUV. По данным производителя, эти микросхемы на 16% быстрее прошлого поколения 12 ГБ LPDDR5, построенного по технологии 1y. Новая память обеспечивает скорость передачи данных в 6400 Мб/с.
Память LPDDR5 от Samsung
Также память 1z LPDDR5 на 30% тоньше, чем прошлогодняя 1y, что обеспечит новым многокамерным смартфонам больше пространства.
Южнокорейский гигант пока не сообщает, когда же на рынке появятся первые смартфоны с 16 ГБ пакетами LPDDR5. Однако было сказано, что компания «будет и впредь усиливать своё присутствие на рынке флагманских мобильных устройств» в течение 2021 году, что может означать недолгое ожидание.
Компания Micron презентовала «первые в мире массово производимые чипы DDR5-DRAM низкой мощности», которые позволили китайскому производителю смартфонов Xiaomi подготовить модель Mi 10.
Новая память обеспечивает увеличенную производительность при меньшем энергопотреблении, что делает LPDDR5 идеальным решением для мобильных платформ. Её планируется использовать в смартфонах, планшетах, ноутбуках, а также в некоторых устройствах ИИ и автомобильных системах.
Микросхемы Micron LPDDR5
Разработчики обещают, что память LPDDR5 предоставит скорость в 6400 Мб/с, что на 50% быстрее 4266 Мб/с в LPDDR4X. При этом энергопотребление было снижено на 20%.
На фоне массового старта технологии 5G, компания надеется, что её новая быстрая память позволит поднять скорость передаваемых данных, исключив медленную память из списка потенциальных ограничителей.
График развития маломощной памяти Micron
Микросхемы Micron LPDDR5 будут доступны в объёмах 4 ГБ, 8 ГБ и 12 ГБ со скоростями в диапазоне от 5,5 Гб/с до 6,4 Гб/с. К середине 2020 года компания начнёт поставки многочиповых UFS-модулей (uMCP5) для применения в смартфонах среднего и верхнего сегментов.
Переход на мобильную связь пятого поколения требует от устройств всё больших объёмов памяти.
Компания Samsung, будучи одним из мировых лидеров отрасли, приступила к массовому производству модулей памяти LPDDR5 объёмом 12 Гб. Также компания анонсировала планы по комбинированию 8 из этих модулей для создания пакетов объемом 12 ГБ.
Микросхема памяти LPDDR5 от Samsung объёмом 12 Гб
Выпустив память LPDDR5 10-нанометрового класса второго поколения, южнокорейский гигант надеется, что она найдёт своё применение во флагманских смартфонах следующего поколения. Новая память обеспечивает пропускную способность в 5500 Мб/с, что в 1,3 раза выше, чем у LPDDR4X. Кроме того, новые модули потребляют на 30% меньше электроэнергии.
В следующем же году компания планирует завершить разработку 16 Гб модулей LPDDR5.
Компания Samsung анонсировала выпуск пакетов памяти LPDDR4X объёмом 12 ГБ, которая предназначена для смартфонов нового поколения. Таким образом, южнокорейский гигант создал самый ёмкий пакет, который будет использоваться с 512 ГБ eUFS хранилищем.
В новом чипе компания упаковала шесть отдельных 1Y-нм ядер объёмом 16 Гб. Толщина полученного пакета составляет 1,1 мм, а пропускная способность — 34,1 ГБ/с. Хотя компания сообщила, что чип будет использоваться в новых флагманских смартфонах, пока она не назвала ни одной модели.
Память Samsung LPDDR4X объёмом 12 ГБ
Новая микросхема выпущена вслед за аналогичным LPDDR4X решением объёмом 8 ГБ, в котором упакованы те же 16 Гб ядра, изготовленные по 1y нм процессу. Увеличение объёма ОЗУ компания связывает с возросшим спросом на такую память.
В любом случае, этим модулям компания уже готовит замену. Так, у Samsung уже есть образцы 8 ГБ пакетов LPDDR5, которые построены на ядрах объёмом 8 Гб, но пока у фирмы нет точных сроков её выпуска.
Компания Micron приступила к массовому производству памяти LPDDR4X по технологии 10 нм класса.
Данная технология производства позволяет компании выпускать 12 Гб чипы. В компании уверяют, что эти LPDDR4X микросхемы потребляют на 10% меньше энергии, по сравнению с LPDDR4-4266, в связи с меньшим выходным напряжением. При этом пропускная способность остаётся неизменной — 4266 Мб/с, а уменьшение габаритов позволяет увеличить количество устанавливаемых в устройство чипов.
Чипы LPDDR4
Новые микросхемы от Micron имеют объём 1,5 ГБ. Это меньше, чем предлагаемые конкурентами аналоги объёмом 2 ГБ, однако решения Micron намного дешевле в производстве. Другие производители уже достаточно давно выпускают подобную память, но лучше позже, чем никогда.
Чипы LPDDR4X от Micron уже доступны для заказа, что многие производители портативных устройств уже и сделали.
Уже с этого года 10 ГБ оперативной памяти в смартфонах может стать нормой.
В ближайшем будущем смартфоны высшего класса уже обойдут настольные ПК по некоторым характеристикам. Так, компания Vivo готовит новый флагманский смартфон, который получит поразительные 10 ГБ ОЗУ.
Смартфон Vivo
По слухам, этот смартфон будет выпущен в августе. Он получит процессор Qualcomm Snapdragon 660 и 10 ГБ ОЗУ. Похоже, что в противостоянии Oppo и Vivo в этом году победит последняя. Однако это будет первый, но не единственный смартфон с такими характеристиками. Так, к концу года, а особенно к началу следующего, многие производители готовят свои аналогичные предложения, а вот насколько они будут востребованы, узнаем уже через месяц.
Смартфоны хай-энд уровня уже оснащаются 6 ГБ оперативной памяти, однако китайский производитель LeEco пошёл ещё дальше, и установил в телефон целых 8 ГБ RAM, вдовое больше, чем в современных флагманах.
Таким образом, устройство LeEco Le2S стало первым в мире смартфоном, оснащённым 8 ГБ оперативной памяти. Кроме большого объёма Ram телефон может похвастать 5,5” экраном и накопителем объёмом 64 ГБ. Построен он на процессоре Qualcomm Snapdragon 821, который имеет 10% преимущество в производительности перед 820-й моделью.
Сообщается, что телефон Le2S должен поступить в продажу в следующем месяце, так что до полноценной информации об устройстве, и его цене, ждать осталось не долго.
Цены на мобильную память заметно снизились в связи с наполнением складов смартфонов. Такую информацию распространил DigiTimes со ссылкой на производителей DRAM.
Разочаровывающие продажи смартфонов привели к большим накоплениям на складах. Поэтому спрос на мобильную DRAM был снижен на фоне падающих цен на ОЗУ.
На стоимость мобильной памяти также влияет цена на память для ПК, отмечает источник. Вместе со снижением памяти на PC DRAM, производители стали использовать своё оборудование для производства продукции для мобильной памяти.
Начиная с 2015 года, цена на оперативную память постоянно снижались, и сейчас чипы eTT DRAM объёмом 4 Гб стоят менее 2 долларов США. Причиной тому стал меньший, чем ожидалось, спрос, и большие объёмы поставок.
Источники также выразили пессимизм и касательно цен на память для серверов, а также для прочих нишевых рынков памяти.
Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.
Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.
По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.
Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.
Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.
В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.
Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.
Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.
Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.
Стандарт памяти LPDDR4 запланирован к финализации в 2014 году, однако даже в топовых устройствах его внедрение не будет проходить быстро в связи с высокой ценой и ограниченными объёмами производства.
Тем не менее, источник уверяет, что в самых дорогих моделях всё же будет использоваться новая память в связи с её высокой пропускной способн6остью, которая будет вдвое выше, по сравнению с LPDDR3, при на 50% меньшем энергопотреблении.
В JEDEC сейчас считают, что стандарт LPDDR4 будет включать пропускную способность 3200 МБ/с, (3,2 ГГц эффективной частоты), максимальный уровень сигнала составит 350 mVpp с настраиваемым прерыванием, а питаться память будет напряжением 1,1 В. В дополнение в шину данных была добавлена инверсия, что должно повысить целостность сигнала. Однако, пожалуй, самым важным изменением в LPDDR4 по сравнению с прошлыми стандартами станет то, что она будет иметь двухканальную архитектуру x16 DRAM. Недавно обновлённый стандарт LPDDR3 предусматривает скорость 2133 МБ/с, в LPDDR4 в результате изменений она будет вдвое выше.
Память LPDDR используется в основном в смартфонах, планшетных ПК и прочих портативных устройствах. Фактически, даже Apple MacBook Air последнего поколения использует память LPDDR3 для снижения энергопотребления ноутбука. А поскольку современные смартфоны и планшеты в связи с ускорением вычислительной системы становятся всё более требовательными к скорости работы памяти, выпуск нового стандарта памяти с высокой пропускной способностью будет крайне важен для этой растущей отрасли. Но при этом хотелось бы ещё раз отметить, что внедрение стандарта будет медленным, ведь даже сейчас, спустя 2 года после финализации стандарта LPDDR3, большая часть производителей смартфонов предпочитает ставить в свои устройства память LPDDR2.
