Новости про оперативная память

SK Hynix начала верификацию памяти пятого поколения

Оперативная память производится по куда менее тонкой технологии, чем делают центральные или графические процессоры, однако производители DRAM также продолжают сокращать техпроцесс.

При этом такие уменьшения размеров элементов не дают такого же эффекта, как для большинства полевых транзисторов, используемых для системной логики. Тем не менее, SK Hynix начала отправку партнёрам пятогого поколения своей памяти DRAM, с техпроцессом 1β. Целью этой отправки стала проверка работы новой памяти с системами крупнейших производителей. Что такое 1β? Это процесс, в котором размер элементов составляет 12 нм.

Оперативная память 1anm DDR5 от SK Hynix

По информации корейской Chosun Media, в процессе верификации будет принимать участие Intel, которая уже завершила этот процесс для четвёртого поколения памяти 1α от той же SK Hynix. Процесс проходил на процессорах Xeon Scalable, а поскольку память 1β также предназначена для применения в серверах, стоит ожидать, что те же процессоры будут применены и для верификации новой памяти.

Память 1β DRAM покажет на 40% большую эффективность, однако касается это энергетической эффективности или какой-то ещё, не ясно.

Примечательно, что SK Hynix — это не единственная компания, которая выпускает память по технологии 1β. В декабре прошлого года Samsung также анонсировала технологию 1β для памяти DRAM, используя для производства процесс экстремальной ультрафиолетовой литографии.

MSI удваивает поддерживаемый объём ОЗУ

Большинство материнских плат MSI серий 600 и 700 поддерживает до 64 ГБ в двух каналах и до 128 ГБ в четырёх каналах памяти DDR5. Однако это ограничение вызвано самими модулями памяти, которые доступны в объёме до 32 ГБ.

Теперь же, благодаря Crucial и недавнему анонсу модулей объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, эти материнские платы смогут поддерживать до 96 ГБ и 192 ГБ памяти в двух и четырёх каналах соответственно.

DDR5-память Crucial

Примечательно, что для поддержки большего объёма DDR5 платы серий 600 и 700 MAG, MEG MPG и Pro, обновления BIOS не потребуется. Достаточно просто установить модуль — и всё заработает само. По информации MSI, платы для процессоров AMD не обладают такой возможностью.

Учитывая, что для поддержки новых модулей памяти никаких манипуляций на материнских платах MSI проводить не нужно, лишь вопрос времени, когда об аналогичных возможностях заявят и другие производители.

SK Hynix выпускает память Turbo для мобильных устройств

Компания SK Hynix представила миру новую оперативную память LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo), которая работает на скорости 9,6 Гб/с в составе стандартных модулей памяти LPDDR5X.

При скорости 9,6 Гб/с память LPDDR5T оказывается на 13% быстрее стандартной памяти LPDDR5X со скоростью 8,5 Гб/с, которая была представлена в ноябре 2022 года. Именно поэтому новое более быстрое решение получило дополнительное имя Turbo.

Пакет памяти LPDDR5T от SK Hynix

Отмечается, что компания уже поставляет модули LPDDR5T клиентам в виде мультичиповых модулей объёмом 16 ГБ, которые могут передавать 77 ГБ данных в секунду. Для сравнения, память LPDDR4 в LPDDR4 Nintendo Switch работает на скорости 25,6 ГБ/с.

Компания сообщает, что готовится к началу массового производства памяти LPDDR5T, используя технологию 1а нм (четвёртое поколение 10 нм технологии) во второй половине этого года. Кроме этого, SK Hynix объявила о своих планах «сохранить лидерство на рынке при разработке следующего поколения памяти LPDDR6».

Micron выпустила DDR5-память необычного объёма

Компания Micron представила новые модули памяти, которые поддерживают профили AMD EXPO и Intel XMP 3.0, и разработаны для серий процессоров AMD Ryzen 7000 и 12-го и 13-го поколения Intel Core.

Модули обеспечивают скорость передачи данных 5200 МТ/с и 5600 МТ/с с таймингами CL46 и напряжением 1,1 В. Модель DIMM DDR5-5600 предлагается в объёме 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ. Кроме того, подготовлены также модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, которые построены на основе чипов объёмом 24 Гб. Что касается модулей DDR5-5200, то они доступны в традиционном объёме 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ.

Планка DDR5-памяти Crucial от Micron

Используя модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, можно в двухканальном режиме получить объём 48 ГБ и 96 ГБ, перекрыв разрыв между 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ. Цена на новые модули памяти пока не объявлена.

HiCookie разогнал DDR5-память до 5567 МГц

Тайваньский оверклокер HiCookie после долгих попыток установил рекорд скорости работы оперативной памяти DDR5.

Он использовал процессор Intel Core i9-13900K, флагманскую материнскую плату AORUS Z790 Tachyon, а также DDR5-память непосредственно от Gigabyte.

Разгон выполнялся на той же памяти, которую два месяца назад анонсировали со скоростью 9300 МТ/с. В результате оверклокер при таймингах 64-127-127-127-127 смог достичь частоты памяти 5567,5 МГц или скорости 11136 МТ/с. Этот результат в HWBOT расположился на первом месте. Примечательно, что результат был достигнут на воздухе, хоть и со специальным радиатором, а вот процессор охлаждался жидким азотом.

Процесс разгона памяти DDR5 до 11136 МТ/с

Пока память AORUS DDR5 не поступила в продажу. По факту, в процессе разгона её вообще впервые показали в реальности.

С такими результатами разгона можно утверждать, что память DDR5 постепенно достигает своего желанного максимума в 12600 МТ/с, однако в ближайший год стоит ждать лишь выхода в продажу памяти на скорости 10 000 МТ/с.

Samsung представила 12 нм память DDR5

Компания Samsung представила новые модули памяти DDR5 объёмом 16 Гб, которые уже прошли сертификацию на совместимость с процессорами AMD Zen.

Новые чипы обладают большей энергоэффективностью и на 23% большей производительностью, чем предыдущее поколение чипов DRAM. Технологический прорыв оказался возможен за счёт применения high-κ материалов, которые увеличивают ёмкость ячеек. Кроме того, компания также усилила критически важные цепи.

12 нм чипы DDR5 Samsung

Согласно пресс-релизу Samsung, новые микросхемы DRAM DDR5 используют многослойную литографию для обеспечения «наибольшей плотности в индустрии», обеспечивая на 20% большую продуктивность при выпуске блинов. Эти чипы способны передавать данные на скорости до 7,2 Гб/с, один из самых высоких показателей в отрасли.

Корейский гигант планирует начать массовое производство памяти DDR5 DRAM 12-нм класса в начале этого года. В продаже она будет доступна в IV квартале.

SK Hynix создаст самую быструю память для серверов

Компания SK Hynix сообщает, что она готова к созданию самой быстрой серверной памяти DDR5, которая будет способна работать на скорости до 8 Гб/с или 8000 МТ/с.

Достичь этого будет возможно за счёт применения технологии Multiplexer Combined Ranks (MCR), которая использует сразу два банка одновременно, задействуя буферную зону сервера.

Память DDR5 MCR от SK Hynix

Таким образом, чипы не работают быстрее сами по себе. Технология MCR помогает удвоить скорость работы всего модуля, смещая 128 байт данных за раз, вместо традиционных 64 байт. В результате, суммарная скорость работы модуля составляет 8000 МТ/с, что быстрее любого существующего на рынке модуля DDR5.

Компания разрабатывает эти высокоскоростные модули RDIMM в объёмах 48 ГБ и 96 ГБ, доступна она будет в следующем году. Стоит отметить, что это далеко не самые ёмкие модули. К примеру, Samsung сможет предложить модули объёмом 512 ГБ и даже 768 ГБ, которая также будет нацелена на серверы и высокопроизводительные вычислительные системы.

Вышла новая версия Memtest86+ с поддержкой памяти DDR5

Проект утилиты для тестирования памяти, называемый memtest, редко получает обновления, но сейчас именно тот случай, когда утилита Memtest86+ вышла с новой версией.

Утилита Memtest86+ выходит с открытым исходным кодом и является абсолютно бесплатной. Новая версия основана на программе под названием PCMemTest и сейчас она создаётся всего двумя авторами.

Утилита обновлялась с поддержкой 13-го поколения процессоров Core от Intel и серии AMD Ryzen 7000 и памяти DDR5. Примечательно, что эта версия утилиты стала первой финальной, выйдя из статуса Beta. Она не может работать в Windows, поскольку требует монопольного доступа к памяти, из-за чего она поставляется в виде загрузочного образа.

Утилита Memtest86+

Подобные утилиты очень полезны для выявления сбоев работы памяти, а также для проверки стабильности работы в условиях разгона.

SK Hynix представила модули памяти необычного объёма

Компания SK Hynix на конференции 2022 Intel InnovatiON представила модули памяти для серверов необычного объёма.

Так, наряду с модулями традиционного объёма 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, компания подготовила и модули памяти объёмом 48 ГБ и 96 ГБ. Всё это касается модулей памяти DDR5 RDIMM для серверов.

Модули серверной ОЗУ от SK Hynix

Модули предлагаются со скоростями DDR5-5600 и DDR5-6400. Первый является стандартом JEDEC и поддерживается процессорами Xeon Scalable Sapphire Rapids. При этом все они поддерживают и стандарт DDR5-6400. Поддержки XMP или разгона SPD — нет, однако стандарт JEDEC предполагает, что процессор может сам тренировать память.

Флагманским модулем памяти от SK Hynix стал модуль DDR5-5600 RDIMM объёмом 256 ГБ, что означает возможность комплектования серверов по 4 ТБ на сокет, по две планки на канал.

Цены на DDR5 должны снизиться

Компании AMD и Intel используют память DDR5 в своих последних платформах, а это значит, что на память данного типа в ближайшее время начнётся большой спрос.

До недавнего времени, DDR5 была заметно дороже DDR4, но вскоре всё изменится. Так, в июле цена на чипы DDR5 упала на 20%, но это было только начало. По информации Digitimes, производители памяти начали отгружать свои чипы DDR5 поставщикам. Их склады теперь активно заполняются, а это приведёт к дальнейшему снижению цены на модули.

Модули DDR5 от Samsung

Ранее память DDR5 стоила вдвое дороже DDR4, сейчас же практически достигнут паритет. А вот в следующем году цена должна заметно опуститься. К примеру, модуль объёмом 16 ГБ, который стоит порядка 70 долларов через год может опуститься до 60.