Новости по теме «Micron представила промышленную карту microSD высокой ёмкости»

В этой серии будут представлены карты объёмом 64 ГБ, 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ и невероятные 1,5 ТБ. Карты разработаны для хранения данных непосредственно на месте их генерирования и пригодны для постоянной записи видеонаблюдения или работы системы ИИ, и там, где онлайн-резервирование данных является невозможным или слишком дорогим, например, на нефтяных вышках или кораблях.

Все карты памяти серии i400 предназначены для работы в режиме 24/7 в течение 5 лет и выдерживают на отказ 2 миллиона часов. Работать они могут при температуре от -25 °С до +85 °С. Также производитель заявил стойкость к воде, магнитным полям, рентгеновскому излучению, ударам и тряске.

Карты основаны на новой 176-слойной памяти Micron 3D-NAND, которая была представлена в конце 2020 года. Это число слоёв памяти позволяет увеличить объём накопителя на 40%, по сравнению с конкурентами.

В настоящее время опытные образцы карт серии i400 отправлены заказчикам.

Карта памяти Micron c200 1TB соответствует стандарту microSDXC UHS-I. В её основе лежит 96-слойная 3D NAND QLC память. В компании сообщили, что ожидают от QLC памяти скорейшего внедрения и снижения стоимости высокоёмких портативных накопителей для видео разрешением 4K, большого числа фотографий и игр на всём спектре мобильных устройств и камер.

Сообщается, что представленная карта соответствует классу производительности в приложениях A2, что делает её прекрасным решением для установки в Android-гаджет по технологии Android Adoptable storage, расширив встроенную память устройства на эту карту.

Накопитель Micron c200 1TB обеспечивает скорость чтения до 100 МБ/с, а записи — до 95 МБ/с, отвечая требованиям UHS-I Speed Class 3 и Video Speed Class 30. В продаже карта появится во втором квартале 2019 года.

По сравнению с нынешним поколением графической памяти, память GDDR7 обладает большей энергоэффективностью и более широкой пропускной способностью. Такие компании, как, NVIDIA и AMD, уже уготовляться использовать новую память в своих ближайших продуктах.

Ключевые изменения в GDDR7 включают:

• Независимая от ядра палитра тренировки регистра линейно-обратного смещения с маскировкой визуальных ошибок и счётчиком ошибок для улучшения тренировки и снижения её имени.
• Удвоение количества независимых каналов с двух в GDDR6 до четырёх GDDR7.
• Поддержка плотностей от 16 Гб до 32 Гб, включая двухканальный режим для удвоения ёмкости.
• Интеграция функционала, который требует рынок, включая ECC на ядре с отчётом в реальном времени, искажение данных, проверка ошибок и паритетность адресации команд с блокировкой.

Лидеры рынка, включая SK Hynix, Micron и Samsung уже готовы к началу массового производства памяти GDDR7.

Представленный пакет UFS 4.0 обладает размерами 9×13 мм, что является заметным сокращением габаритов от первоначальных 11×13 мм. В пакете используется собственная 3D-NAND-память, расположенная в 232 слоя, что обеспечивает объём до 1 ТБ. При этом, модули имеют скорость последовательного чтения в 4 400 МБ/с и записи — 4 000 МБ/с, чего достаточно для эффективной работы популярных больших языковых моделей и прочих приложений ИИ. В дополнение ко всему этому была на 25% повышена энергоэффективность.

По словам Micron образцы новых пакетов UFS 4.0 уже поставляются партнёрам в версиях объёмом 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Новые маломощные модули памяти с плотным размещением (LPCAMM2) имеют заметно меньшие габариты, по сравнению с традиционными SODIMM, а также обеспечивают куда большую производительность.

Новый промышленный стандарт предусматривает модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. Скорость передачи данных при этом достигает 9600 МТ/с. Несмотря на меньший размер, LPCAMM2 обладает шиной шириной 128 бит. Заменяя собой SODIMM эти модули обеспечивают большую гибкость, ремонтопригодность и возможность апгрейда, а также увеличивают производительность и снижают энергопотребление.

Что касается цены, то она пока неизвестно, но очевидно, что LPCAMM2, как более сложное и современное устройство, будет стоить куда дороже традиционных SODIMM.

Новые модули RDIMM используют 32 Гб монолитную архитектуру памяти, которая даёт ряд конкурентных преимуществ. По сравнению с нынешней технологией 3DS Through Silicon Via (TSV) DRAM, новое решение обеспечивает заметное повышение плотности данных, на 45%, повышенную энергетическую эффективность, до 24%, снижение задержек на 16% и повышение производительности при обучении ИИ на 28%.

Благодаря скорости работы в 8000 МТ/с, эти наборы RDIMM устанавливают новые рекорды в бенчмарках как по ёмкости, так и по скорости обработки сложных данных для задач ЦОД. В будущем Micron планирует расширить предложения, основанные на технологии 32 Гб DRAM. Эти продукты получат увеличенный до 256 ГБ объём, а также реализацию в различной конфигурации, включая RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL и низкопрофильный формат.

Новые продукты используют интерфейс UHS-I и рекомендуются для использования с ноутбуками и дронами. Полноразмерные карты Pro Ultimate предлагаются в объёме 64 ГБ, 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ, в то время как microSD будет доступна в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ.

При последовательном чтении скорость составляет 200 МБ/с, в то время как запись может производиться на скорости до 130 МБ/с. Карта позволяет записывать видеофайлы разрешением 4K благодаря соответствию спецификации Video Speed Class 30 (V30). Это значит, что минимальная скорость составит лишь 30 МБ/с.

Карты Pro Ultimate обещают высокую надёжность, благодаря контроллеру с коррекцией ошибок ECC, а также с гарантией длительного хранения данных. Кроме этого карты долговечные при использовании в тяжёлых условиях. Её можно погрузить на глубину 2 м на 72 часа, бросит с высоты 5 метров, а также переставлять в слоте десять тысяч раз. Карты работают в диапазоне от −25° C до 85° C, выдерживают рентгеновское облучение и удар силой 1500 g.

Цена на карты Pro Ultimate microSD находится в диапазоне от 21 до 65 долларов, а Pro Ultimate SD — от 19 до 85 долларов США.

В настоящее время GDDR6 обладает скоростью 20 Гб/с. Такие чипы используются в серии карт Radeon RX 7900. В то же время технология Micron GDDR6X, применяемая в NVIDIA RTX 40, достигает скорости 22,4 Гб/с в RTX 4080. Очевидно, что GDDR7 будет быстрее, вот только насколько?

Скорее всего, первое поколение памяти не будет столь же быстрым, как последующие. К примеру, GDDR6 изначально обеспечивала пропускную способность 14 Гб/с. В то же время сейчас Samsung выпускает GDDR6 со скоростью 24 Гб/с.

С переходом на GDDR7 производители памяти получат не только прирост пропускной способности, но и возможность сэкономить на ширине шины, получив сравнимую скорость передачи данных.

Что касается первых решений на основе GDDR7, то их появление также ожидается в 2024 году.

Модули обеспечивают скорость передачи данных 5200 МТ/с и 5600 МТ/с с таймингами CL46 и напряжением 1,1 В. Модель DIMM DDR5-5600 предлагается в объёме 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ. Кроме того, подготовлены также модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, которые построены на основе чипов объёмом 24 Гб. Что касается модулей DDR5-5200, то они доступны в традиционном объёме 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ.

Используя модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, можно в двухканальном режиме получить объём 48 ГБ и 96 ГБ, перекрыв разрыв между 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ. Цена на новые модули памяти пока не объявлена.

В стандартном двойном сервере на 24 накопителя такой SSD позволяет клиентам использовать 373 ТБ в одном сервере. Это огромный массив данных, которые доступны на высочайшей скорости. Каждый SSD обеспечивает скорость в 1,6М IOPS при чтении блоками по 4K. Это на 77% на ватт больше, чем предыдущее поколение серверных SSD от Micron.

В сравнении с конкурентами SSD 9400 на 71% быстрее при случайном доступе, на 90% при чтении и на 10% при записи (более 1 миллиона IOPS).

Накопитель Zhitai TiPlus7100 имеет формат M.2-2280. Он будет предложен в объемах 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. При этом скорость передачи данных при последовательном чтении достигает 7000 МБ/с и 6000 МБ/с при записи. При случайном доступе скорости могут достигать 900K операций в секунду при чтении и 700K операций в секунду при записи. При этом, в конструкции SSD нет никаких SDRAM-буферов.

Недавно компания Micron представила свою 232-слойную память. Таким образом, YMTC не является уникальным производителем памяти такого типа, зато является единственной компанией, у которой скорость работы NAND достигает 2400 МТ/с.

Новые накопители созданы для работы с интерфейсом PCIe Gen4 и изготовлены на основе микросхем NAND-памяти, состоящей из 232 слоёв. Это обеспечивает большое преимущество в повышении скорости работы и снижении энергопотребления.

Производитель заявляет, что Micron 2550 по сравнению с другими конкурирующими продуктами передаёт файлы на 112% быстрее, обеспечивает офисную работу на 67% быстрее, а в творческих задачах быстрее на 78%. Его скорость последовательного чтения достигает 5 ГБ/с, а записи — 4 ГБ/с, и это на 43% и 33% соответственно больше, чем в прошлом поколении продуктов.

Ряд инноваций в области энергосбережения позволил сократить потребление энергии накопителей в спящем режиме до 2,5 мВт, до 150 мВт в простое, а при активной работе энергопотребление на превышает 5,5 Вт, что весьма положительно скажется на сроке автономной работы ноутбука.

Представленный модельный ряд предлагается в размерах накопителей 22×80 мм, 22×42 мм и 22×30 мм и в объёмах 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ.

Используя свою инновационную технологию BiCS FLASH 3D и собственный контроллер, компания подтвердила работоспособность прототипа карты памяти microSDXC UHS-I объёмом 2 ТБ.

По мере роста объёмов данных в консолях, смартфонах и экшн камерах, требование к высоким объёмам накопителей продолжают увеличиться. И теперь компания предложила карту памяти самого большого в мире объёма. Карту объёмом 2 ТБ создавали, собирая 16 слоёв ядер 3D-Flash объёмом 1 Тб. В результате был собран стэк высотой 0,8 мм, что сделало его применимым в карте памяти.

Массовое производство карт Kioxia 2 TB microSDXC запланировано на начало 2023 года.

Чипы описываются как «первые в мире 238-слойные 512 Гб чипы памяти TLC 4D-NAND», и они должны поступить в массовое производство в первой половине 2023 года.

По сравнению с нынешней 176-слойной памятью, новая NAND предлагает на 50% большую скорость передачи данных (2,4 Гб/с), на 21% большую энергоэффективность при чтении данных и 34% прирост общей производительности.

Выпустив новые модули, компания сможет вернуть себе лидерство в этой отрасли, которое сейчас занимает Micron с 232 слоями.

Представленная память позволит увеличить объём накопителей и снизить их себестоимости за счёт увеличения количества слоёв и архитектуры 4D. В этой архитектуре логическая цепь расположена под ячейками памяти, что позволяет «уменьшить размер ячейки, повысив эффективность продукта».

Иск подан на прошлой неделе в Окружной суд США. В иске говорится, что Micron использует процесс для изготовления полупроводниковых устройств, разработанный и патентованный Bell Semiconductor.

Bell Semiconductor является компанией, которая патентует технологии и интеллектуальную собственность. Именно поэтому она пристально следит, насколько законно другие компании используют различные технологии. Фирма хочет судебного разбирательства, выплат неустановленных финансовых потерь и судебного решения о запрете Micron использовать данный процесс.

«Bell Semc имеет право взыскать с Micron все убытки, понесенные Bell Semi в результате нарушения Micron патента ?259, включая неограниченное и/или не менее разумное роялти», — сказано в иске.

Данные карты памяти предназначены для профессиональных кинооператоров и создателей контента. Модель Lexar Professional CFexpress Type B Card DIAMOND обеспечивает недосягаемую скорость чтения в 1900 МБ/с, что позволяет увеличить темпы пост-обработки видео. А благодаря скорости записи в 1700 МБ/с эти карты способны обеспечить плавную запись видео в разрешении до 8K в формате RAW. При этом имеется обратная совместимость с камерами XQD.

Кроме того, желая раскрыть возможности новых кинематографических и беззеркальных камер, Lexar создала накопители Professional CFexpress Type A Card GOLD, которые обеспечивают скорость чтения до 900 МБ/с и скорость записи до 800 МБ/с, чего достаточно для захвата видео разрешением до 8K в высоком качестве. Кроме этого компания также создала специальный ридер для карт CFexpress Type A с интерфейсом USB Type-C и протоколом USB 10 Gbps, чтобы максимально быстро отправлять отснятый материал в обработку.

Обе карты поддерживают спецификацию VPG 400, которая гарантирует минимальную скорость записи в 400 МБ/с для записи видео профессионального уровня на совместимых устройствах.

Обе карты памяти от Lexar находятся на финальных этапах разработки и будут доступны во II квартале 2022 года.

Бренд Crucial Ballistix прекращает своё существование. Компания не имеет планов по дальнейшему выпуску продукции этого типа. Это касается таких брендов как Ballistix, Ballistix Max и Ballistix Max RGB. Компания не стала пояснять причины такого шага, при этом нигде в прессе или собственных сообщениях не шла речь о прекращении выпуска модулей памяти DDR5/DDR4 в принципе. Также компания продолжит работу на своими «NVMe и SSD» накопителями.

Компания одной из первых представила модули стандарта DDR5 для настольных ПК, даже раньше выхода процессоров 12-го поколения Core Alder Lake-S, которые пока единственные на рынке поддерживают эту память. В то же время, Crucial никогда ничего не говорил о серии Ballistix DDR5, а значит, планы по закрытию бренда существовали достаточно давно.

Используя эту память, Micron создала серию накопителей с интерфейсом PCIe 4.0. Серия получила номер 2400. В неё вошли модели размером M.2 2230, 2242 и 2280 и объёмом 512 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ.

Накопитель Micron 2400 PCIe 4.0 SSD стал первым в мире, который предлагает объём 2 ТБ в компактном формате M.2 2230. Это именно тот формат, который использован в Valve Steam Deck и других портативных системах. Также эти SSD открывают дверь будущим ультрапортативным ПК, которым требуется большой объём накопителя.

Накопитель формата 22×30 мм требует на 63% меньше места, по сравнению со стандартным SSD 22×80 мм. Что касается скорости работы, то разработчики заявляют чтение в 4500 МБ/с (4200 для моделей объёмом 512 ГБ). Может показаться, что скорость невелика, однако это самый быстрый M.2 SSD размера 2230 на рынке. Благодаря малому размеру, представленная серия SSD ориентирована в первую очередь на OEM-производителей, поэтому в рознице её доступность будет ограничена.

Память, которая будет установлена в новой топовой видеокарте, получила кодировку MT61K512M32KPA-21U. Она будет поставлена в модулях по 16 Гб (2 ГБ). Ранее компания не могла использовать 2 ГБ микросхемы GDDR6X, поскольку они просто не существовали на рынке. Ей приходилось полагаться на память GDDR6 даже в продуктах для центров обработки данных, несмотря на высокие требования к объёму. В результате NVIDIA устанавливала по 24 модуля памяти на картах RTX 3090.

Благодаря использованию новой памяти количество микросхем будет сокращено до 12. Это заметно упростит конструкцию печатной платы видеокарты и избавит от необходимости охлаждать заднюю плиту, поскольку сейчас половина микросхем GDDR6 расположена именно на обратной стороне платы. Однако карта не станет холоднее. По слухам, RTX 3090 Ti будет потреблять 450 Вт, что на 100 Вт больше, чем у нынешней модели без «Ti».

В основе RTX 3090 Ti ляжет графический процессор GA102 с 10752 ядрами CUDA. Шина памяти составит 384 бита, что позволит достичь общей пропускной способности в 1 ТБ/с, впервые в истории бренда.

Карта RTX 3090 Ti ожидается в январе.

Теперь Micron поставляет собственную графическую память для производства видеокарт серии RX 6000, которые содержат модули GDDR6 объёмом по 16 Гб и суммарным объёмом до 16 ГБ. Это значит, что AMD появился новый поставщик видеопамяти.

Уже в скором времени видеокарты моделей AMD RX 6600 и RX 6700, оснащённые памятью от Micron, будут поступать в продажу, что должно помочь AMD произвести большее число ускорителей и увеличить их доступность в рознице в IV квартале 2021 года.

Как и многие конкурирующие устройства, накопитель KC3000 построен на контроллере Phison E18 и 176-слойной TLC-NAND-памяти от Micron, что и позволило обеспечить максимальную производительность в объёме до 4 ТБ.

По данным разработчиков, SSD KC3000 предназначен для требовательных задач, таких как 3D-рендеринг, создание контента в разрешении 4K+ и прочих приложениях, которые получат преимущества при использовании быстрого накопителя. Он покрыт графеново-алюминиевым радиатором, который позволяет держать температуру устройства под контролем даже в компактном форм-факторе M.2.

Надёжность работы устройства аналогична тем, что заявляют конкуренты. Очевидно, что максимальные значения она приобретает при объёме 4 ТБ.

Накопитель KC3000 доступен в объёмах 512 ГБ, 1024 ГБ, 2048 ГБ и 4096 ГБ. На все версии распространяется пятилетняя гарантия.

Благодаря последней спецификации SD 7.0, которая поддерживает PCIe и NVMe, карта обеспечивает производительность, сравнимую с SSD, однако в сверхкомпактном формате карт SD.

Благодаря работе с шиной PCIe Gen 3 x1 и NVMe, представленная карта обеспечивает скорости чтения и записи на уровне 800/700 МБ/с, что в полтора раза выше, чем типичный SATA SSD. А если сравнивать с накопителями UHS-II SD и UHS-I SD, то производительность будет выше в 2,7 и 8 раз соответственно. При использовании обратной совместимости с UHS-I, представленная карта обеспечивает запись на скорости 100 МБ/с и соответствует классу V30 Video Speed Class.

Карту можно использовать в цифровых камерах для съёмки высококачественных фотографий и видео в разрешении 4K, а будучи установленной в ПК она обеспечит просмотр отснятого материала на лету.

Карта памяти ADATA Premier Extreme SDXC SD Express Card имеет технологию коррекции ошибок, она влагостойкая, ударопрочная и защищена от статического электричества и рентгеновского излучения. Карта предлагается в объёмах 256 ГБ и 512 ГБ. Гарантия на изделие — пожизненная.

Эти изменения коснуться в первую очередь Apple, поскольку память Micron ставится на их машины.

Компания Micron производит как микросхемы NAND для хранения данных, так и чипы оперативной памяти DRAM, которые применяются во всех отраслях вычислительной техники. Фирма является одним из крупнейших мировых производителей, и она уверяет, что заметно сократит объёмы производства микросхем обоих типов.

Исполнительный директор компании Санджай Мехрота заявил, что некоторые заказчики на рынке PC скорректировали свои заказы на оперативную память и накопители из-за дефицита других комплектующих, не связанных с памятью. «Мы считаем, что эти корректировки наших PC-клиентов будут по большей части разрешены в ближайшие месяцы», — заявил директор.

Сейчас компания ожидает, что в текущем квартале её прибыль составит 7,65 миллиарда, в то время как аналитики прогнозировали 8,57 миллиардов долларов.

Эта карта памяти разработана MSI на базе контроллера SM2708 SD Express, который поддерживает как стандарт UHS-1, так и PCIe Gen 3.0×2. В качестве памяти можно применять 3D-NAND со скоростью 1200 МТ/с, при том что теоретически, скорость по стандарту SD 8.0 составляет 1969 МБ/с. Карта также полностью совместима с UHS-1, а распиновка позволяет питать её напряжением менее 1,8 В.

Что касается скоростей, то в тесте ATTO Disk Benchmark карта объёмом 256 ГБ читала данные на скорости 857 МБ/с, а скорость записи составила 394 МБ/с. В CrystalDiskMark скорости составили 895 МБ/с и 411 МБ/с соответственно. Это значит, что скорость чтения близка к теоретической, в то время как скорость записи занижена в двое. Это объяснится использованием 2-плоскостной флеш-памяти, при переходе на 4-плоскостную скорость записи будет увеличена в два раза.

Карты памяти SD давно требуют резкого скачка. Требования у фотографов и операторов постоянно растут, да и конкурентное решение CF Express Type B уже достигает скорости 1750 МБ/с.

Обеспечивая на 75% большую скорость последовательной записи и случайного чтения, по сравнению с прошлым поколением, новое NAND-решение компании предназначено для мобильных устройств. При этом высокая скорость и низкое энергопотребление позволяет позволят применять новые модули UFS и в других устройствах, включая профессиональные рабочие станции и ультратонкие ноутбуки.

Модуль Micron по сравнению с предшественником обеспечивает 15% прирост скорости при смешанной нагрузке, на 10% меньшие задержки и повышенную до двух раз надёжность. Скорость последовательной записи модулей достигает 1500 МБ/с. Решения будут доступны в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ.

Первым устройством, где найдёт себе применение 176-слойный модуль UFS 3.1, станет смартфон Honor Magic 3.