Новости про оперативная память

Наборы памяти Corsair Vengeance LPX 32GB DDR4-4333 МГц получили кодовое имя CMK32GX4M4K4333C19. Эти планки построены на тех же микросхема Samsung B-die DDR4, что и конкурирующее решение G.Skill. Тайминги памяти весьма агрессивны и представлены в формуле CL19-26-26-46. Напряжение питание составляет 1,5 В. Наборы памяти соответствуют спецификации XMP 2.0, что позволяет достигать рекордной частоты единственной настройкой в BIOS.

Тесты, подтверждающие работу памяти на частоте 4333 МГц, проведены на плате ASUS ROG MAXIMUS X на чипсете Z370 и процессоре Intel Core i5-8600K.

Наборы Corsair Vengeance LPX DDR4-4333 МГц будут доступны для приобретения с декабря этого года на сайте компании, либо у авторизованных партнёров.

Эти модули должны стать важнейшим изменением в способе хранения информации компьютером, за более чем два десятка лет. Они открывают эпоху энергонезависимой памяти, объединяя в себе лучшие свойства DRAM и NAND памяти. В первом случае, это скорость и низкие задержки, а во втором — способность хранить информацию после отключения питания. В этом году Intel уже приступила к поставкам потребительских твердотельных накопителей на базе памяти того же типа — 3D XPoint.

В ходе мероприятия USB Global Technology Conference, компания Intel описала Optane DIMM как основной накопитель, который работает в виде картированной памяти, но со значительно большими плотностями, чем это возможно с нынешней DRAM DDR4.

Как обычно, первыми доступ к технологии получат промышленные потребители, в первую очередь — экзаскалярные системы, суперкомпьютеры, с производительностью порядка экзафлопса. Затем память будет доступна для более простых промышленных систем, и, наконец, для бытовых потребителей.

Кроме энергонезависимости, применение памяти нового типа должно снизить цены на память, увеличить плотность накопителей и решить проблему нехватки пропускной способности шин.

Разработчик стандарта, JEDEC, сообщает, что базовая частота памяти DDR5 составит примерно 4800 МГц, что даже вдвое выше, чем у DDR4, и опережает самые лучшие образцы современной памяти от G.Skill и Corsair, рабочая частота которых доходит до 4600 МГц.

Пропускная способность памяти составит 6,4 Гб/с, обеспечивая максимально 51,2 ГБ/с, что вдвое выше нынешних 3,2 Гб/с и 25,6 ГБ/с. Новая версия также позволит снизить напряжение 64-битного линка до 1,1 В и увеличить длину пакета с 8 до 16 бит при 1,2 В. Интересно, что регулировка напряжения будет осуществляться на самой планке памяти, а не на материнской плате. Производители процессоров рассчитывают увеличить число каналов памяти с 12 до 16, что позволит удвоить объём поддерживаемой памяти до 128 ГБ.

Что касается цены на память, то этот вопрос остаётся открытым, однако учитывая современную стоимость памяти, вряд ли скачок цены окажется слишком большим.

Сейчас характеристики памяти DDR5 кажутся удивительными, однако факт наличия работающего прототипа этой памяти впечатляет ещё больше. Вице-президент по маркетингу продуктов Rambus Хемант Дулла заявил: «… мы первые, кто получил наборы чипов DDR5 DIMM. Мы рассчитываем на производство в 2019 году, и мы хотим быть первыми на рынке, чтобы помочь партнёрам запустить технологию». О том, когда же технология будет готова для рынка, Дулла заявил: «… осталась всего пара кварталов, не пара лет… Все хотят получить более широкую шину памяти».

И конечно, G.Skill, пользуясь моментом, решила представить оперативную память с лучшими из возможных характеристиками, предназначенную специально для материнских плат на чипсетах Z370.

Самый быстрый вариант со скоростью 4600 МГц предлагается в наборах из двух планок объёмом по 8 ГБ каждая. Такая память работает с таймингами CL19-25-25-45 и при напряжении 1,5 В. Те же, кому нужно больше памяти, могут приобрести набор из четырёх планок общим объёмом 32 ГБ, но со скоростью 4200 МГц. Также доступны наборы с RGB подсветкой, однако в них скорость ниже на 200 МГц. Эти наборы предлагают тайминги CL18-19-19-39. Все платы памяти построены на интегрируемых комплектующих от Samsung.

Компания G.Skill предлагает на все свои модули памяти пожизненную гарантию. В продажу наборы поступят в ноябре.

Обычно частота  в 4,6 ГГц достижима при охлаждении жидким азотом, однако модули Trident Z DDR4-4600MHz CL19 могут работать на этой частоте с чипсетами X299 в двухканальном режиме.

Компания предлагает модули в сером цвете с белым акцентом и в чёрном с чёрным акцентом. Память поставляется в наборах 8 ГБ х 2. Тайминги памяти составляют 19-23-23-43, при этом она требует относительно большого напряжения в 1,5 В, но это довольно ожидаемо для хай-энд наборов.

Хотя платформа X299 и предназначена для энтузиастов, большая часть материнских плат не сможет нормально работать с данной памятью. Тем не менее, почти все материнские платы имеют возможности разгона.

Наборы могут работать с поддержкой Intel XMP 2.0. В продажу модули G.Skill Trident Z DDR4-4600MHz поступят в конце месяца. Цена пока не сообщается, но она не будет низкой.

Память получила имя Flare X DDR4 RAM. Конечно, она будет работать с любыми платами, но вот с автоматическим определением оптимальных параметров её работы будет трудно. Компания отметила, что линейка Flare X специально предназначена для материнских плат и процессоров AMD, и, конечно же, для Threadripper и чипсета X399.

Первый из двух наборов имеет объём 32 ГБ (8 ГБх4 шт.). Он работает на частоте 3600 МГц с таймингами 16-18-18-38 и требует 1,35 В. Также компания предлагает похожий набор частотой 3466 МГц и 3200 МГц, но с таймингами 14-14-14-34.

Второй набор представлен 8 планками и предназначен для AMD X399. Этот набор имеет впечатляющий объём в 128 ГБ (16 ГБх8 шт.). Для его работы также нужно напряжение в 1,35 В, однако она работает на меньшей частоте в 2933 МГц с таймингами 14-14-14-34.

Данные наборы памяти сделаны в первую очередь не для геймеров, а для профессионалов, оперирующих большими массивами данных и тяжёлыми объектами в САПР. Цена и доступность наборов Flare X пока неизвестна, но вряд ли они будут стоить дёшево.

Зафиксированная частота DDR4 составила 2039,6 МГц, что эквивалентно DDR4-4079. Рекорд установлен на плате Gigabyte Aorus AX370-Gaming K7 с использованием 8 ГБ модулей G.SKILL Trident Z E-die (F4-3600C17-4GTZ) с таймингами 18-20-20-58-93-1. В качестве процессора использовался четырёхъядерный Ryzen 5 1400 с заниженной до 800 МГц частотой.

Наверняка платформа AMD Ryzen не сможет конкурировать с Intel по скорости работы памяти в связи с особенностями архитектуры. Однако это достижение очень важно для AMD, ведь прошлый рекорд частоты ОЗУ составил 1950,3 МГц, и он был установлен на памяти DDR3 в 2012 году. Что касается Intel, то у неё похожий результат, 2115,6 МГц, был достигнут в июне 2013 года на процессоре Intel Core i7 4770K.

По информации Рейтер, растущий спрос на NAND как на мобильном рынке, так и на рынке PC, привёл к тому, что некоторые поставщики стали завышать цену на свои изделия, гарантируя при этом стабильные долгосрочные поставки. Так, один из неназванных производителей сообщил, что за дополнительные деньги заключил шестимесячное соглашение на поставку чипов, хотя обычно в этом бизнесе заключаются месячные или квартальные договоры.

В настоящее время Apple приобрела примерно 18% всех годовых поставок памяти NAND, что необходимо ей для производства iPhone нового поколения. Обычно компании перекрывают этот всплеск поставок дополнительными складскими запасами, заготовленными в первом полугодии. Однако длящаяся больше чем полгода нехватка не позволила ни одному из производителей запастись микросхемами. Поэтому к сентябрю, когда Apple выпустит новый iPhone, дефицит станет ещё более острым.

Samsung отказалась комментировать данную информации, но известно, что ранее в этом году фирма отложила выпуск SSD объёмом 4 ТБ в связи с нехваткой памяти. Другой производитель памяти, SK Hynix, сделал заявление, сообщив Рейтер, что сроки поставки чипов давно прошли, и складские запасы остаются постоянно на низком уровне.

Обозреватели отмечают, что ситуация должна улучшиться в 2018 году, когда SK Hynix и Samsung запустят новые заводы, ну а пока нам придётся мириться с дефицитом и платить за него из своего кармана.

Модули памяти DDR4-4000 Trident Z RGB представлены в формате 16 ГБ, которые будут продаваться в новых наборах 2x16 ГБ (32 ГБ). С учётом подготовки новой платформы на базе LGA2066, CPU которой имеют по 4 канала памяти, стоит ожидать также появления и наборов, состоящих из 4 планок памяти. Эти модули имеют тайминги 17-17-18-38 CR2T.

Кроме того, компания подготовила три модуля памяти, которые работают на ещё большей частоте: DDR4-4200, DDR4-4400, DDR4-4800. Однако эти планки представлены лишь в объёме по 8 ГБ.

Планки памяти Trident Z RGB DDR4-4200 имеют тайминги 19-21-21-41, а память Trident Z RGB DDR4-4400 и DDR4-4800 имеет тайминги 19-19-19-39. Все три типа ОЗУ поставляются в наборах по две и 4 штуки и 8 штук. Для их работы необходим компьютер на базе процессора Intel с поддержкой XMP 2.0.

О ценах пока не сообщается.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.