Новости по теме «Samsung представила первый в индустрии чип управления питанием DDR5»

По словам Samsung модули LPDDR5X-6400 обеспечивают скорость передачи данных до 7,5 Гб/с и на 60% меньше места, при приросте производительности 50%, по сравнению с модулями SO-DIMM. Двухканальные модули Samsung LPCAMMs предлагаются в вариантах объёмом 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, обеспечивая невероятно большие объёмы ОЗУ в невероятно малом формате.

Пока Samsung валидировала совместимость LPCAMM с Intel, поэтому ей ещё предстоит гарантировать совместимость с платформами AMD, Qualcomm и Apple.

Таким образом, новый тип модулей обеспечивает уменьшение габаритов на 60%, ускорение на 50% и на 70% большую энергоэффективность, по сравнению с традиционной памятью DIMM.

Компания Samsung будет использовать стандарт CAMM только для DDR5 и не будет использован для DDR4. В будущем, же, почти наверняка стоит ожидать появления модулей DDR6 в таком же формате.

Компания отметила, что, в отличие от 16 Гб модулей, для производства которых использовалась технология Through Silicon Via (TSV), микросхемы объёмом 32 Гб не нуждается в ней. Тем не менее, энергопотребление у новых модулей на 10% меньше, чем у прошлого поколения. В результате эта память является хорошим решением для систем с высоким энергопотреблением, вроде промышленных центров обработки данных.

Новые микросхемы памяти DDR5 объёмом 32 Гб запланированы к массовому производству на конец этого года.

По данным корейской компании, новая память 12 нм класса позволит снизить потребление энергии на 23%, а также повышает производительность блинов на 20%. Чипы имеют максимальную скорость в 7,2 Гб/с, чего, как говорит компания, хватит для передачи двух UHD-фильмов за 1 секунду. Новая память будет применяться в широком спектре устройств, включая центры обработки данных, системы искусственного интеллекта и вычислений следующего поколения.

Также в Samsung отметили, что 16 гигабитные микросхемы DDR5 DRAM прошли проверку на совместимость с AMD в декабре прошлого года.

Новые чипы обладают большей энергоэффективностью и на 23% большей производительностью, чем предыдущее поколение чипов DRAM. Технологический прорыв оказался возможен за счёт применения high-κ материалов, которые увеличивают ёмкость ячеек. Кроме того, компания также усилила критически важные цепи.

Согласно пресс-релизу Samsung, новые микросхемы DRAM DDR5 используют многослойную литографию для обеспечения «наибольшей плотности в индустрии», обеспечивая на 20% большую продуктивность при выпуске блинов. Эти чипы способны передавать данные на скорости до 7,2 Гб/с, один из самых высоких показателей в отрасли.

Корейский гигант планирует начать массовое производство памяти DDR5 DRAM 12-нм класса в начале этого года. В продаже она будет доступна в IV квартале.

После того, как в марте компания представила первые в промышленности микросхемы памяти, изготовленные с применением EUV, её инженерам удалось увеличить количество слоёв до 5, что делает технологию Samsung самой совершенной в отрасли по производству памяти DDR5.

На фоне продолжающегося уменьшения размеров элементов памяти, переход с традиционного аргон-фторидного процесса к EUV позволяет увеличить точность размещения элементов, повысить производительность и увеличить процент выхода годной продукции. Изготавливая память по 14 нм EUV технологии, Samsung удалось достичь высочайшей плотности данных, увеличив общую скорость производства примерно на 20%. Кроме того, переход на новую технологию позволил на 20% снизить энергопотребление микросхем памяти.

В дополнение, использование в микросхемах памяти DDR5 14 нм процесса Samsung позволило беспрецедентно увеличить скорость передачи данных до 7,2 Гб/с, что более чем в два раза превышает скорость DDR4, составляющую 3,2 Гб/с.

Южнокорейская фирма будет применять 8-слойные стеки меньшей толщины, чем нынешние 4-слойные пакеты DDR4. Снижение высоты на 40%, вероятно, обеспечивается за счёт сокращения зазоров между слоями, что является большим достижением. Кроме того, эти модули получат и лучшее охлаждение.

Модули DDR5 по 512 ГБ станут огромным рывком для владельцев систем HEDT и серверов, где объём DDR4 ограничен 32 ГБ и 64 ГБ на один сокет DIMM. Это значит, что общий объём ОЗУ не превышает 128 ГБ и 256 ГБ соответственно, в то время как в будущих системах можно будет получить 512 ГБ на одном сокете.

Компания уже демонстрировала регистровую память DIMM (RDIMM) объёмом 512 ГБ, где используются стеки в форме 32×16 ГБ, основанные на чипах DRAM 8×16 Гб. Маломощные и качественные сигналы реализованы по технологии Through Silicon Via в 8-уровневых стеках. Однако используя такие же 8-уровневые стеки со слоями по 24 Гб, Samsung в 32 чиповом модуле может достичь объёма 768 ГБ.

В серверных системах с 2 модулями на канал мы можем увидеть 12 ТБ оперативной памяти DDR5. Сейчас серверы с процессорами Xeon Scalable Ice Lake-SP поддерживают лишь 6 ТБ памяти.

Компания отмечает, что планирует выпускать на рынок не только гигантские 768 ГБ модули, но также подготовит и более доступные планки объёмом 96 ГБ, 192 ГБ и 384 ГБ.

Что касается потребительского сегмента DDR5, то тут будут доступны модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, в то время как системы HEDT, без сомнения, будут иметь 128 ГБ ОЗУ и более.

Пока Samsung не сообщает сроки начала продаж новой памяти DDR5.

Эта новая память предназначена для передачи огромных массивов данных к накопителям. Конечно же, представленные модули не нацелены на бытовых потребителей, по крайней мере, в обозримом будущем. Они предназначены для высокопроизводительных расчётов в таких отраслях как искусственный интеллект, big data и так далее. Это значит, что переход на стандарт CXL будет крайне полезным для индустрии IT.

Кроме проектирования самих модулей, компания Samsung сообщила, что внесла некоторые изменения в контроллер памяти, а также в ПО, которое включает картирование памяти, конвертирование интерфейса и управление ошибками.

Память DDR5 на основе CXL была квалицирована на серверные платформы Intel следующего поколения. Скорее всего, речь идёт о платформе Sapphire Rapids, которая придёт на смену нынешней линейке Ice Lake SP Xeon.

Благодаря TSV ускоряется интерконнект внутри трёхмерных стеков памяти. Южнокорейский гигант будет создавать стек из 8 слоёв чипов по 16 Гб каждый, что обеспечит 512 ГБ памяти на одном модуле. Что касается скорости, то разработчик уверяет, что она составит 7200 Мб/с. Эти модули высокого объёма разрабатывались для интенсивной вычислительной нагрузки, включая суперкомпьютеры, обработку задач ИИ и анализа данных.

Также компания проделала большую работу по энергоэффективности. Она внедрила технологию High-K Metal Gate (HKMG), благодаря которой удаётся значительно снизить токовые утечки, возрастающие по мере утонения изолирующих слоёв, что неизбежно из-за продолжающейся гонки масштабирования. В результате сокращения утечек удалось снизить и операционный ток, что повлияло на общую энергоэффективность памяти, которая составила 13%.

Технология HKMG традиционно применяется в процессорах, однако Samsung использует её и при производстве памяти с 2018 года, когда она была внедрена на GDDR6. Теперь эта технология используется и в DDR5.

Эти микросхемы изготавливаются с высокой точностью с применением технологии EUV. По данным производителя, эти микросхемы на 16% быстрее прошлого поколения 12 ГБ LPDDR5, построенного по технологии 1y. Новая память обеспечивает скорость передачи данных в 6400 Мб/с.

Также память 1z LPDDR5 на 30% тоньше, чем прошлогодняя 1y, что обеспечит новым многокамерным смартфонам больше пространства.

Южнокорейский гигант пока не сообщает, когда же на рынке появятся первые смартфоны с 16 ГБ пакетами LPDDR5. Однако было сказано, что компания «будет и впредь усиливать своё присутствие на рынке флагманских мобильных устройств» в течение 2021 году, что может означать недолгое ожидание.

Южнокорейский гигант успешно протестировал 8 ГБ модули памяти, собранные из 8 чипов LPDDR5 объёмом 8 Гб. Этот анонс выпущен вместе с традиционными обещаниями по «повышению производительности» и «снижению энергопотребления».

Представленная память использует последнюю спецификацию DDR5, разработка которой ещё не окончена. Теоретически, память LPDDR5 может работать на 6,4 Мб/с, в то время как LPDDR4X работает на 4,26 Мб/с.

Улучшенное энергопотребление новой памяти достигается за счёт введения «режима глубокого сна». В результате, по сравнению с LPDDR4X, энергопотребление LPDDR5 снижается вдвое.

Когда же память LPDDR5 будет доступна, ещё не ясно, но Samsung явно подготовилась к этому моменту.

По заявлению компании, двухчасовой зарядки нетбука на солнце будет достаточно, для его работы в течение часа, а значит, что в сочетании со встроенным аккумулятором на 40 Вт энергии нетбуку хватит на 14,5 часов работы.

По мнению Кьюхо Ума (Kyuho Uhm), старшего вице-президента подразделения IT Solutions Business компании Samsung Electronics, «Samsung стремится производить инновационные устройства, не наносящие вред окружающей среде. Мы очень гордимся своей последней разработкой — первым в мире 10-дюймовым нетбуком на солнечной батарее».
Приятной опцией является наличие USB-порта Sleep-and-Charge, благодаря которому можно заряжать портативные устройства, такие как смартфоны или MP3-плееры, даже если компьютер находится в спящем режиме или выключен. А если батарея разрядилась, зарядка устройств остается доступной благодаря использованию солнечной энергии.

Дисплей нетбука Samsung SuperBright с антибликовым покрытием обеспечивает красочное и четкое изображение в любых условиях — даже при прямом свете. Яркость экрана NC215S составляет 300 нит, что на 50% ярче, чем у конкурирующих нетбуков.

Корпус устройства имеет специальное покрытие, которое защищает его от повседневного износа и царапин. На российском рынке нетбук Samsung NC215S появится в начале августе этого года по ориентировочной розничной цене 14 000 рублей.

Технические характеристики нетбука Samsung NC215S сведены в таблицу ниже

В новой памяти используется 12 нм класс производства, что является самым мелким процессом из доступных Samsung. Проведенные изменения не только позволили повысить производительность на 25% и ёмкость на 30%, по сравнению с нынешним поколением, но и расширить ёмкость одного пакета мобильной DRAM до 32 гигабайт, что делает данную память оптимальной для устройств в эпоху ИИ.

Кроме этого, новая память LPDDR5X содержит специальные технологии сохранения энергии, что позволяет расширить периоды сбережения энергии. Это, в итоге, повышает энергоэффективность модулей на 25%.

Массовое производство модулей LPDDR5X с пропускной способностью 10,7 Гб/с будет начато во второй половине текущего года.

Теперь компания решила, что второе поколение 3 нм производственного процесса, который сейчас называется SF3, будет переименован в 2 нм SF2. Данный ребрендинг позволит южнокорейскому гиганту упростить номенклатуру своих техпроцессов и лучше конкурировать с заводами Intel, по крайней мере, визуально.

В то же время Intel уже в этом году запустит процесс 20A, технологию 2 нм класса. При этом Samsung уже уведомила заказчиков об изменениях наименования с SF3 на SF2. Компания уже пошла настолько далеко, что начала переподписывать договоры с заказчиками, которые ждут продукцию по нормам SF3.

Южнокорейская компания планирует запустить переименованный процесс SF2 во второй половине 2024 года. Технология будет использовать транзисторы с окружающим затвором GAA, которые Samsung называет Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistors (MBCFET), и не предлагает подвод энергии с обратной стороны, что является важным преимуществом у Intel 20A.

По сравнению с нынешним поколением графической памяти, память GDDR7 обладает большей энергоэффективностью и более широкой пропускной способностью. Такие компании, как, NVIDIA и AMD, уже уготовляться использовать новую память в своих ближайших продуктах.

Ключевые изменения в GDDR7 включают:

• Независимая от ядра палитра тренировки регистра линейно-обратного смещения с маскировкой визуальных ошибок и счётчиком ошибок для улучшения тренировки и снижения её имени.
• Удвоение количества независимых каналов с двух в GDDR6 до четырёх GDDR7.
• Поддержка плотностей от 16 Гб до 32 Гб, включая двухканальный режим для удвоения ёмкости.
• Интеграция функционала, который требует рынок, включая ECC на ядре с отчётом в реальном времени, искажение данных, проверка ошибок и паритетность адресации команд с блокировкой.

Лидеры рынка, включая SK Hynix, Micron и Samsung уже готовы к началу массового производства памяти GDDR7.

Данный шаг для NVIDIA выглядит логичным, поскольку упрощает цепочки поставок комплектующих — абсолютно все видеокарты будут требовать наличия шины PCIe 6.0 с шестнадцатью контактами дополнительного питания.

Такой коннектор позволяет передавать до 600 Вт энергии, в то время как топовые модели серии RTX 5000 будут потреблять 450 Вт, что оставляет некоторый запас по мощности. Средний же ценовой диапазон ускорителей будет потреблять около 300–350 Вт.

Большинство SSD с шиной PCIe 5.0 полагаются на скорость. Однако серия EVO от Samsung всегда полагалась на эффективность и доступность, именно поэтому новый накопитель компании будет обеспечивать скорость до 5000 МБ/с, при этом его энергоэффективность будет на 70% выше, чем у 970 EVO Plus.

Необычным 990 EVO делает то, что с шиной PCIe 4.0 он использует 4 линии, а с шиной PCIe 5.0 — всего 2. Это сделано для того, чтобы не занимать дефицитные линии PCIe без возможности и надобности их использования. Что касается скоростных характеристик, то новый накопитель сможет обеспечить последовательное чтение/запись на скорости до 5000/4200 МБ/с, а при случайном доступе — 700k/800k IOPS, что выше на 43%, по сравнению с прошлой моделью 970 EVO Plus.

Дата начала продаж SSD Samsung 990 EVO пока не называется. Известно, что он будет доступен в вариантах объёмом 1 ТБ и 2 ТБ.

Новые модули RDIMM используют 32 Гб монолитную архитектуру памяти, которая даёт ряд конкурентных преимуществ. По сравнению с нынешней технологией 3DS Through Silicon Via (TSV) DRAM, новое решение обеспечивает заметное повышение плотности данных, на 45%, повышенную энергетическую эффективность, до 24%, снижение задержек на 16% и повышение производительности при обучении ИИ на 28%.

Благодаря скорости работы в 8000 МТ/с, эти наборы RDIMM устанавливают новые рекорды в бенчмарках как по ёмкости, так и по скорости обработки сложных данных для задач ЦОД. В будущем Micron планирует расширить предложения, основанные на технологии 32 Гб DRAM. Эти продукты получат увеличенный до 256 ГБ объём, а также реализацию в различной конфигурации, включая RDIMM, MCRDIMM, MRDIMM, CXL и низкопрофильный формат.

Новая модель матрицы получила некоторые обновления, включая автофокус Dual Pixel Pro, широкий динамический диапазон, меньший шум и лучшие возможности видеозаписи.

Так, ISOCELL GNK обеспечивает более широкий динамический охват благодаря съёмке в трёх режимах ISO, в результате чего динамический диапазон может достигать 102 дБ. В дополнение, технология Smart-ISO Pro обеспечивает снижение артефактов движения при съёмке HDR и глубину цвета до 14 бит.

Благодаря двум светодиодам на пиксель, ISOCELL GNK Dual Pixel Pro обеспечивает сверхбыстрый автофокус движущихся объектов в любом месте кадра.

Что касается возможностей видеозаписи, то ISOCELL GNK позволяет снимать видео в разрешении 8K при 30 к/с с минимальными потерями поля зрения. Более того, при съёмке поддерживается автофокус и HDR в режиме FHD с частотой кадров 240 Гц.

Пока Samsung ничего не сообщил о сроках доступности датчика ISOCELL GNK, однако стоит ожидать его появления в Galaxy S24 и других новых моделях смартфонов.

Такие слухи опубликовал @Tech_Reve, который уверяет, что AMD, Samsung и Qualcomm решили объединить усилия по развитию технологии FSR, чтобы конкурировать с аналогичными технологиями NVIDIA DLSS и Apple MetalFX. Результатом этой работы станет появление FSR в смартфонах, аналогично применению технологии на настольных ПК.

FSR куда более гибкая, чем DLSS и MetalFX, поскольку она не привязана к конкретным архитектурам процессоров, а потому может легко быть развёрнута на графических процессорах Samsung и Qualcomm, в первую очередь высших линейках Exynos и Snapdragon 8 Gen 3. Такой шаг, очевидно, будет иметь важное значение для разработки Arm-устройств под управлением Android.

Уже в следующем году процессоры, такие как Exynos 1480 и Exynos 1430, могут обзавестись графикой от AMD. Однако при этом обозреватели отмечают, что потребителям не стоит «возлагать высокие ожидания на игровую производительность», поскольку Samsung больше сосредоточен на обработке изображений. Это значит, что будущие Samsung среднего уровня получат урезанную версию GPU без трассировки лучей.

В то же время Exynos 2200, который лежит в основе некоторых версий Galaxy S22, использует графику Xclipse, которая основана на архитектуре AMD RNDA 2. И она обеспечивает ряд современных возможностей, таких как аппаратное ускорение трассировки лучей и переменный уровень шейдирования.

Ранее в этом году Samsung и AMD объявили о многолетнем соглашении по выпуску Radeon Graphics для чипов Exynos. Тогда сообщалось, что графика AMD будет применяться в расширенном портфеле SoC и обеспечит на телефонах уровень графики, сравнимый с консолями.

Если же Samsung действительно внедрит GPU AMD в свои SoC Exynos среднего уровня, это обязательно повысит их популярность среди потребителей.

Новые продукты используют интерфейс UHS-I и рекомендуются для использования с ноутбуками и дронами. Полноразмерные карты Pro Ultimate предлагаются в объёме 64 ГБ, 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ, в то время как microSD будет доступна в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ.

При последовательном чтении скорость составляет 200 МБ/с, в то время как запись может производиться на скорости до 130 МБ/с. Карта позволяет записывать видеофайлы разрешением 4K благодаря соответствию спецификации Video Speed Class 30 (V30). Это значит, что минимальная скорость составит лишь 30 МБ/с.

Карты Pro Ultimate обещают высокую надёжность, благодаря контроллеру с коррекцией ошибок ECC, а также с гарантией длительного хранения данных. Кроме этого карты долговечные при использовании в тяжёлых условиях. Её можно погрузить на глубину 2 м на 72 часа, бросит с высоты 5 метров, а также переставлять в слоте десять тысяч раз. Карты работают в диапазоне от −25° C до 85° C, выдерживают рентгеновское облучение и удар силой 1500 g.

Цена на карты Pro Ultimate microSD находится в диапазоне от 21 до 65 долларов, а Pro Ultimate SD — от 19 до 85 долларов США.

Что касается спецификаций, то Samsung 990 Pro 4TB предлагает скорость чтения 7 450 МБ/с, а записи — 6 900 МБ/с, что сравнимо с версиями объёмом 1 ТБ и 2 ТБ. При случайном доступе SSD достигает 1 400 000 IOPS при чтении и 1 550 000 IOPS при записи — на уровне самых производительных моделей в мире.

Накопитель поставляется в двух вариантах, с тонким графеновым радиатором, идеально подходящим для ноутбуков, а также с большим алюминиевым радиатором для стабильно высокой производительности в настольных ПК. Также на борту SSD имеется LPDDR4-кэш объёмом 4 ГБ. Гарантированная наработка на отказ — 2 400 перезаписанных терабайт.

В общем, такой накопитель пригодится не только владельцам новых систем на базе процессоров AMD Ryzen 7000 или Intel Core 12-го и 13-го поколений, но и всем, кому нужно увеличить объём накопителя, ведь нынешние цены на 3D-TLC это позволяют.

Пока о цене и начале продаж SSD Samsung 990 Pro объёмом 4 ТБ ничего не сообщается, лишь ожидается появление осенью.

В этом новом поколении компания отойдёт от семейства «Core», что означает существенные изменения в конструкции процессоров и технологии их производства.

Ожидается, что этот сокет, LGA-1851, просуществует до 2026 года. Для него будут созданы новые «плиточные» процессоры, которые предполагают наличие на мультичиповом модуле отдельных плиток с центральным и графическим процессорами.

Для повышения производительности компания увеличит объём кэша L2 для P-ядер до 3 МБ. Для сравнения, у Raptor Lake и Alder Lake кэш составляет 2 МБ и 1,25 МБ. Что касается графики, то это ядро также получит собственный кэш L3.

С переходом на новое поколение Intel планирует отказаться от наследной поддержки DDR4, что делает сокет LGA-1851 рабочим исключительно в связке с DDR5. Это логичный шаг, учитывая доступность памяти нового типа, а также возможность сэкономить инженерные ресурсы для создания других элементов чипа. Также будущие процессоры предложат больше линий PCIe 5.0, по-настоящему открывая путь к накопителям с шиной PCIe 5.0.

За последние годы Samsung Foundry потеряла ряд клиентов из-за высокого процента производственного брака и проблем с теплоотводом.

И вот теперь инвестиционная фирма Hi Investment & Securities опубликовала отчёт, согласно которому выход годной продукции по 4 нм процессу Samsung Foundry превысил уровень 75%. У TSMC этот уровень составляет 80%. В то же время при производстве по 3 нм нормам у корейской компании дела идут лучше. Так, выход годной продукции у Samsung составляет 60%, в то время как у TSMC — 55%. Это значит, что Samsung добилась лучших результатов и большей эффективности производства, что может позволить ей вернуть клиентов, потерянных на этапах лидерства 4 нм и 5 нм технологий.

NVIDIA и Qualcomm сообщают, что рассматривают вариант возвращения к Samsung на второе поколение 3 нм процесса (SF3), в основном из-за того, что производственные мощности TSMC выкуплены Apple. Кроме того, чипы TSMC, которые будут производиться на заводах в Японии и США, будут на 15—30% дороже тайваньских, что также подталкивает заказчиков к смене подрядчика.