Новости про flash-память

Новая карта памяти формата SDHC получила название FlashAir. Ёмкость накопителя позволяет хранить 8 ГБ персональных данных, а также осуществить беспроводное подключение по стандартам 802.11 b/g/n WiFi, что способно обеспечить быструю передачу данных на таких устройствах как смартфоны ПК, планшеты и фотокамеры.

WiFi карта памяти от Toshiba имеет скоростной рейтинг «Class 6», что гарантирует запись информации на скорости 6 МБ/с. Масса карты составляет всего 2 грамма, а диапазон операционных температур весьма широк — от –25° С до +85° С, благодаря чему карту можно эксплуатировать в весьма суровых условиях. Первые образцы 8 ГБ FlashAir начнут появляться в ноябре этого года, а начало коммерческих продаж ожидается в феврале 2012-го.

Накопитель весьма тонкий и чуточку длиннее, чем большинство современных флэшек, однако инженерам удалось достичь невероятного объёма памяти в этом устройстве — 2 ТБ. Ожидается, что устройство будет доступно в объёмах от 16 ГБ до 2 ТБ.

Учитывая ёмкость накопителя и возможное время записи и чтения, разработчики снабдили его интерфейсом подключения USB 3.0. К сожалению, устройство еще не продаётся в магазинах. Причиной тому, по заявлению Transcend, является отсутствие официальной спецификации на стандарт USB 3.0, однако разработчики планируют сразу начать продажи, как только стандарт будет опубликован.

Ни Transcend, ни ITRI ничего несообщили о предполагаемой цене на накопитель, однако не стоит ожидать, что он будет дешевым.

Разработанные чипы могут иметь ёмкость от 256 Мб до 1 Гб, при этом скорость чтения достигает 54 МБ/с при условии работы памяти на частоте 108 МГц.

Линейка памяти, изготавливаемая по технологическим нормам  65 нм, получила название N25Q. Чипы требуют питания напряжением от 1,8 до 3 В и могут подключаться по одиночному, двукратному или четырёхкратному интерфейсу (SPI, DSPI или QSPI соответственно), благодаря чему память прекрасно подходит как для современных, так и для будущих сетевых медиаустройств, сет-топ боксов, автомобильной и потребительской электроники.

«В дополнение к продвижению самой плотной в мире, высокопроизводительной SPINOR памяти, семейство N25Qпредоставляет аппаратную и программную совместимость среди памяти различных плотностей, от 32 Мб до 1 Гб», заявил Том Эбай (Tom Eby), вице-президент и генеральный менеджер Micron Embedded Solutions Group. «Когда необходимо комбинирование в условиях диапазона температур, существующих в промышленности, разброса в возможности питания напряжением от 1,8 до 3 В, а также долговечности программы PLP от компании Micron, тогда это семейство продуктов идеально обеспечивает потребности плотного рынка в SPI NOR памяти».

Производитель заявляет, что первые образцы чипов памяти семейства N25Q ёмкостью 1 Гб, 512 Мб и 256 Мб уже изготовлены.

Компания Samsung подготовила к продаже свой новый высокоёмкий SSD накопитель, подключаемый посредством SATA 3. Максимальная ёмкость накопителя составляет 512 ГБ. По заявлению компании, уже начато производство этого SSD, который планируется устанавливать в высокопроизводительные ноутбуки в конце этого года.

Samsung не сообщили подробной информации об этом устройстве, однако известно, что в накопителе использована флэш-память MLC NAND с контроллером собственной разработки. Разработчики обещают, что скорость чтения с SSD составит порядка 500 МБ/с, в то время как скорость запси будет несколько ниже, и составит 350 МБ/с.

О цене на накопители ничего не сообщалось, однако не сложно догадаться, что для приобретения ноутбука с таким устройством придется опустошить не только кошелёк, но и банковский счёт.

Эта флэшка лишена традиционного колпачка для закрытия USB штекера, однако её корпус имеет весьма интересную особенность. Так, на конце накопитель имеет металлический крючок, благодаря которому флэшка может быть прикреплена к абсолютно любому окружающему предмету.

Алюминиевый корпус флэш-накопителя полностью покрывает коннектор USB. Размеры флэшки составляют 43,5х18,5х4 мм, а вес всего 4 грамма. Hook Attaché использует интерфейс USB 2.0 Hi-Speed и имеет фактическую скорость записи 8 МБ/с и чтения — 25 МБ/с. В продаже будет находиться три модели накопителя с объёмом памяти 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ по цене 19, 29 и 60 евро соответственно.

Сам накопитель находится в металлическом корпусе, который предохраняет электронику от повреждений при падениях и ударах, при этом, максимальный удар выдерживаемый накопителем равен 1500 G. Операционная температура накопителя находится в пределах от –40° до +85° С.

Размеры этой прочной и надёжной флэшки равны 47,3х17,6х8,4 мм (ШхДхВ), а вес составляет всего 10 граммов. Накопитель разработан для подключения по интерфейсам USB 2.0/1.1. Внутри устройства установлен чип одноуровневой (SLC) твердотельной NAND памяти. Такая память намного дороже современной MLC, однако, она обладает более высокой надёжностью. Не смотря на устаревший тип памяти, флэшка имеет вполне пристойные скоростные показатели. Так, заявленная разработчиками скорость чтения составляет 20 МБ/с, а записи — 18 МБ/с.

Вероятно полагая, что в тяжелых условиях не требуется переноска большого объема информации, производитель представил в линейке устройств GH-UFI накопители небольшого объёма, а именно размером: 128 МБ, 256 МБ, 512 МБ, 1 ГБ, 2 ГБ, 4 ГБ и 8 ГБ.

Цена на флэшки пока еще не объявлена, но устройства должны появиться в продаже уже на этой неделе.

Память в этой карте изготовлена по техпроцессу класса 20 нм (так Samsung решили называть все техпроцессы с размером элементов от 20 до 29 нм). При этом скорость работы памяти позволила присвоить карте 10-й класс скорости.

Новые microSD ёмкостью 32 ГБ работают со скоростью 12 МБ/с при записи и 24 МБ/с при чтении, что, несомненно, понравится владельцам современных и будущих смартфонов, оснащенных видеокамерами с разрешением 1080p. В карту памяти установлены 3-х битовые NAND чипы объёмом 32 Гб, а также 3-х разрядный контроллер памяти NAND.

Техпроцесс класса 20 нм позволил инженерам Samsung увеличить производительность чипов NAND, по сравнению с прошлым техпроцессом 30 нм класса на 30%, карта памяти на основе которого была представлена в феврале прошлого года.

По заявлению, сделанному в пресс-релизе компании, Samsung продолжит агрессивную стратегию продвижения на рынок решений на основе NAND памяти, предназначенных для мобильных устройств. Начало продаж устройств с 3-х битными чипами NAND ёмкостью 64 Гб планируется через 6–7 месяцев.

Однако для получения такой скорости вам необходимо подключить флэшку к порту USB 3.0. Новая серия накопителей DataTraveler имеет довольно высокое энергопотребления, так что если у вас появится необходимость подключить такое устройство в порт USB 2.0, то вам придется использовать специальный комплектный переходник, обеспечивающий дополнительное питания с других USB портов. Скорость чтения и записи в таком случае будет ограничена 30 МБ/с.

В своем пресс-релизе Kingston сообщает, что их флэш-накопители второго поколения, с поддержкой USB 3.0, это идеальной выбор для профессионалов, которые хотят получить все преимущества, предоставляемые технологией USB 3.0. Менеджер компании Kingston, по направлению флэш-памяти, Эндрю Евинг (Andrew Ewing) заявил, что компания заинтересована в скорейшем принятии рынком стандарта USB 3.0.

Цена на 16 Гб модель DataTraveler Ultimate 3.0 G2 составляет 77 долларов, на 32 Гб — 116 долларов, а на 64 Гб модель — 213 долларов США.

Микросхемы памяти производства Samsung объемом 64 Гб, изготовленные по технологии multi-level-cell (MLC), имеют интерфейс второго поколения с удвоенной пропускной способностью (double data rate 2 – DDR2).

Новые чипы предназначены для применения в мобильных устройствах, таких как планшетные компьютеры и смартфоны. Интерфейс DDR2 уже оставлен позади такими монстрами рынка как AMD и Intel, но, по мнению Samsung, он будет «лучше поддерживать продолжающееся движение к более совершенным интерфейсам», таким как SATA3 и USB3. Президент подразделения памяти Samsung Electronics, господин Су-Ин Чо (Soo-In Cho) отметил, что им удалось достичь плотности 64 Гб на чип благодаря использованию «совершенного технологического процесса с размером элементов порядка 20 нм», но в отличие от конкурентов в лице Intel и Micron, они не станут сообщать о тонкостях техпроцесса.

Все представители компании Samsung будут говорить, что для производства чипов 64 Гб NAND MLC памяти используются элементы размером от 20 до 29 нм. Напомним, что Samsung представил первую микросхему флеш-памяти объемом 32 Гб с интерфейсом DDR1 в 2009 году, а массовое производство чипов началось только в апреле 2010 г. Это означает, что уже через несколько месяцев производители электронных устройств получат первые чипы новой памяти с интерфейсом DDR2. Основная часть чипов NAND работает на скорости до 40 Мб/с при интерфейсе DDR1. Так что, когда Samsung начнет поставки своей памяти с интерфейсом DDR2 не стоит ожидать, что они появятся где-либо ещё кроме дорогих SSD накопителей и смартфонов.

В модели Intelligent Drive U819V, после длительных исследований и модификаций, PQI применили COB технологию для интерфейса USB 3.0, избавившись таким образом от перегрева при передаче данных. В то же время PQI решили проблему с чтением данных, которая приводила к высокочастотному шуму. Все эти новшества привели к созданию самого легкого, тонкого, короткого и маленького переносного USB 3.0 диска. Глянцевый экстерьер диска доступен в «цвете слоновой кости» и «полуночно-черном» цвете. Оба цветовых варианта имеют приятный серебристый отлив. Дополнительно, на краю устройства установлен светодиод, мигающий при передаче данных. Доступные спецификации PQI Intelligent Drive U819V:

•  Ёмкость: 4, 8, 16, 32 Гб
•  Габариты: 31,5x14,8x7,3 мм
• Масса: 3.6 г ± 1 г
• Интерфейс: USB 3.0 / 2.0 совместимый
• Гарантия: пожизненная гарантия.

О фактической скорости передачи данных, к сожалению, ничего не сообщается