Новости про flash-память

Kioxia разрабатывает первую в мире карту памяти объёмом 2 ТБ

Компания Kioxia Corporation анонсировала создание прототипа первой в мире карты памяти microSDXC объёмом 2 ТБ.

Используя свою инновационную технологию BiCS FLASH 3D и собственный контроллер, компания подтвердила работоспособность прототипа карты памяти microSDXC UHS-I объёмом 2 ТБ.

Карта памяти Kioxia объёмам 2 ТБ

По мере роста объёмов данных в консолях, смартфонах и экшн камерах, требование к высоким объёмам накопителей продолжают увеличиться. И теперь компания предложила карту памяти самого большого в мире объёма. Карту объёмом 2 ТБ создавали, собирая 16 слоёв ядер 3D-Flash объёмом 1 Тб. В результате был собран стэк высотой 0,8 мм, что сделало его применимым в карте памяти.

Массовое производство карт Kioxia 2 TB microSDXC запланировано на начало 2023 года.

SK Hynix готовит память для гигантских SSD

Компания SK Hynix сообщает о создании новой архитектуры флэш-памяти под названием 4D-NAND, которая позволит заметно увеличить объём накопителей.

Чипы описываются как «первые в мире 238-слойные 512 Гб чипы памяти TLC 4D-NAND», и они должны поступить в массовое производство в первой половине 2023 года.

По сравнению с нынешней 176-слойной памятью, новая NAND предлагает на 50% большую скорость передачи данных (2,4 Гб/с), на 21% большую энергоэффективность при чтении данных и 34% прирост общей производительности.

Завод SK Hynix

Выпустив новые модули, компания сможет вернуть себе лидерство в этой отрасли, которое сейчас занимает Micron с 232 слоями.

Представленная память позволит увеличить объём накопителей и снизить их себестоимости за счёт увеличения количества слоёв и архитектуры 4D. В этой архитектуре логическая цепь расположена под ячейками памяти, что позволяет «уменьшить размер ячейки, повысив эффективность продукта».

Цены на SSD упадут в III квартале

Когда-то самым простым методом повышения производительности компьютера была установка большего количества ОЗУ. Теперь же таким методом является установка твердотельного накопителя.

К счастью, в ближайшие месяцы цена на SSD должна снизиться. Согласно информации TrendForce, на рынке скоро сложится ситуация, которая приведёт к снижению цены.

Во-первых, наблюдается перепроизводство NAND-памяти, и склады производителей заполнены. Во-вторых, потребительский спрос на накопители резко снизился, что приведёт к накоплению на складах готовых изделий, а значит, стремлению производителей от них избавиться, для чего нужно будет снизить цену.

Цены на SSD

Учитывая эти два фактора аналитики прогнозируют, что к концу текущего квартала цена на SSD снизится (по крайней мере должна) на 8—10%.

Kioxia и Western Digital потеряли 3D-NAND-памяти на 6,5 экзабайт

Индустрия флэш-памяти столкнулась с очередным массовым сбоем. Компании Kioxia и Western Digital на своём совместном производстве потеряли продукции объёмом 6,5 экзабайт из-за загрязнения, что несомненно повлияет на рынок.

По информации Kioxia, из-за недостаточной чистоты компонентов, используемых для производства памяти BiCS 3D-NAND, было остановлено производство на заводах в Йоккаити и Китаками. Эта память широко используется для производства SSD для широкого спектра потребителей. Компания добавила, что надеется на «быстрое восстановление нормальной работоспособности», а объёмы потерь пока только оценочные.

Твердотельный накопитель Kioxia

Что касается Western Digital, то она заявила об утрате 6,5 экзабайт, которые стали браком. Сейчас компания также прикладывает усилия по восстановлению работы этих предприятий.

Остановка производства произошла в январе. Учитывая, что уже прошло несколько недель, выпуск продукции может быть прекращён на несколько месяцев. Кроме того, в настоящее время неизвестно, вовремя ли были выявлены загрязнения. Вполне возможно, что часть некачественной продукции уже была отправлена заказчикам, и придётся делать её отзыв.

Всего в мире за прошлый год были выпущены твердотельные накопители суммарным объёмом 207 экзабайт. Потери в 6,5 ЭБ не выглядят на этом фоне чем-то гигантским, но тем не менее, аналитики ожидают подорожания флэш-памяти на 5—10%.

Kioxia выпустила прототип модуля UFS 3.1 на базе памяти QLC

Компания Kioxia выпустила встраиваемый флеш-накопитель типа Universal Flash Storage (UFS) Ver. 3.1 на основе 4-битной памяти NAND (QLC).

Пока речь идёт не о массовом производстве, а лишь о прототипе, подтверждении концепции. Продемонстрированное устройство имеет объём 512 ГБ, а основано оно на фирменных чипах BiCS FLASH 3D объёмом 1 терабит (128 ГБ), которые могут хранить по 4 бита на ячейку. При этом применяется новая QLC-технология, разработанная специально для соответствия растущим требованиям мобильных устройств, подгоняемых фотографиями высокого разрешения, сетями 5G и видео разрешением 4K и выше.

Модули памяти UFS от Kioxia

Компания заявила, что уже начала опытное производство накопителей 512GB QLC UFS и поставки избранным OEM-клиентам, а значит, уже совсем скоро эти накопители начнут появляться в смартфонах нового поколения без излишней накрутки стоимости.

SK Hynix готовит ещё более быструю память HBM3

Южнокорейская компания обновила спецификации разрабатываемой памяти HBM3 уже в третий раз.

В октябре SK Hynix сообщила, что увеличит скорость новой 12-Hi (слоёв) памяти HBM3 DRAM до скорости 820 ГБ/с. Теперь же компания уверяет, что скорость будет составлять 896 ГБ/с, о чём она объявила на форуме ISSCC 2022 (IEEE International Solid-State Circuits Conference).

Модуль памяти SK Hynix HBM3

Детали пока не оговариваются, однако в заголовке сессии на конференции указана её скорость. Новые микросхемы также будут состоять из 12 слоёв ёмкостью по 196 Гб (24 ГБ). Высокая скорость будет достигаться за счёт автокалибровки и оптимизации на основе машинного обучения сквозных связей TSV. Также пока не ясно, идёт ли речь о первых прототипах, или же компания всерьёз задумывается о выпуске этих микросхем в продажу.

Первые спецификации HBM3 от SK Hynix должны были обеспечивать скорость в 5,5 Гб/с на контакт (665 ГБ/с суммарно). И уже через несколько месяцев была заявлена скорость в 819 ГБ/с. Теперь же скорость увеличена ещё на 10%, до 7 Гб/с на контакт.

Кроме этого компания также планирует обсудить 27 Гб/с память GDDR6 с технологией Merged-MUX TX, оптимизированной работой WCK и альтернативной шиной данных. Подобная память станет самой быстрой в мире и позволит обойти выпускаемые в настоящее время модули Samsung, имеющих скорость в 24 Гб/с. Память SK Hynix также будет выпускаться в микросхемах объёмом 16 Гб, как и решения GDDR6 от Samsung и GDDR6X от Micron.

Micron выпустила первый в мире 2 ТБ SSD формата M.2 2230

Компания Micron уже поставляет 176-слойную память QLC-NAND, став новатором в этом сегменте. Теперь же компания, так же первой в мире, представила ультракомпактный твердотельный накопитель M.2 2230 объёмом 2 ТБ.

Используя эту память, Micron создала серию накопителей с интерфейсом PCIe 4.0. Серия получила номер 2400. В неё вошли модели размером M.2 2230, 2242 и 2280 и объёмом 512 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ.

Модельный ряд твердотельных накопителей Micron 2400

Накопитель Micron 2400 PCIe 4.0 SSD стал первым в мире, который предлагает объём 2 ТБ в компактном формате M.2 2230. Это именно тот формат, который использован в Valve Steam Deck и других портативных системах. Также эти SSD открывают дверь будущим ультрапортативным ПК, которым требуется большой объём накопителя.

Спецификации PCIe 4.0 SSD Micron 2400

Накопитель формата 22×30 мм требует на 63% меньше места, по сравнению со стандартным SSD 22×80 мм. Что касается скорости работы, то разработчики заявляют чтение в 4500 МБ/с (4200 для моделей объёмом 512 ГБ). Может показаться, что скорость невелика, однако это самый быстрый M.2 SSD размера 2230 на рынке. Благодаря малому размеру, представленная серия SSD ориентирована в первую очередь на OEM-производителей, поэтому в рознице её доступность будет ограничена.

Ростех создала самоуничтожающуюся флешку

Корпорация Ростех разработала самоуничтожающуюся флешку, которая оснащена детонатором, физически разрушающим память и все данные на ней.

Предприятие Технодинамика, входящее в корпорацию, разработало специализированный USB-флеш-накопитель, который построен на вполне традиционной NAND-памяти и типичном контроллере. Однако он имеет батарею и электрический детонатор, который можно использовать для разрушения содержимого накопителя. Процесс выполняется нажатием одной кнопки на краю накопителя, которая активирует детонатор и «выжигает цепь печатной платы кумулятивным зарядом».

Флешка

Разработчики сообщают, что процесс безопасен для пользователей. Несмотря на громкое название «детонатор», взрыва не происходит. Во флешке нет опасных веществ. Корпус остаётся нетронутым. В общем, всё произойдёт предельно тихо, а не как в фильмах про шпионов.

Игорь Насенков, исполнительный директор Технодинамики, сообщил, что эта флешка создана для защиты информации от возможного несанкционированного доступа. Пока разработка находится на этапе тестирования и её ждёт ещё множество проверок на надёжность при длительной работе, механическую и климатическую стойкость. Также разработчикам ещё нужно определиться с конструкцией корпуса.

Конечно, большинству пользователей вполне достаточно того встроенного шифрования AES-256, что предлагают современные безопасные накопители. Но наверняка каждый сможет представить отрасли, где кроме шифрования нужно применять и дополнительные меры, включая физическое уничтожение данных вместе с носителем.

WD представила архитектуру гибридных HDD OptiNAND

Компания Western Digital представила новую технологию гибридных жёстких дисков, которая получила название OptiNAND.

Эта технология включает применение твердотельной памяти в механических магнитных жёстких дисках, что, по сути, является реинкарнацией технологии SSHD.

Однако OptiNAND имеет заметные отличия от SSHD. В новом подходе память NAND больше не рассматривается как отдельное устройство хранения, она интегрируется в HDD особым образом со специальным алгоритмом прошивки, позволяя создавать ёмкие высокопроизводительные устройства объёмом более 20 ТБ.

Презентация OptiNAND

Компания опубликовала большой документ, в котором рассказала принцип действия новых гибридных HDD. Суть технологии заключается в сохранении в NAND-памяти метаданных накопителя.

Модуль памяти для Презентация OptiNAND

По словам разработчиков «HDD генерирует гигабайты метаданных, которые можно использования для увеличения плотности хранения». Эти данные быстро разрастаются и становятся слишком большими для хранения в ОЗУ, а доступ к ним с HDD оказывается слишком медленным. Решением стала встроенная память iNAND со специальной прошивкой. Метаданные используются жёсткими дисками для увеличения плотности записываемых данных при применении трёхэтапного срабатывания.

Преимущества Презентация OptiNAND

Каков будет объём памяти в будущих HDD компании пока не сообщается, однако компания отметила, что OptiNAND будет хранить в 50 раз больше данных, чем предыдущие HDD, в случае потери питания. Также накопитель может работать в режиме SLC или TLC, в зависимости от типа текущей нагрузки.

JEDEC анонсирует новый стандарт памяти

Ассоциация JEDEC представила новый формат NAND-памяти Crossover Flash Memory (XFM), который позволит создать устройства хранения малого и тонкого форм-фактора, которые будет легко менять, используя стандартные в промышленности интерфейсы и протоколы.

В настоящее время на рынке существует два типа клиентских NAND-накопителей. Это UFS для маломощного встраиваемого и мобильного сегментов, и M.2 для PC. Стандарт UFS 3.1 при низком энергопотреблении обеспечивает неплохую производительность, однако он несъёмный. В то же время M.2 невероятно быстры, их легко заменить, но они слишком энергоёмкие и громоздкие для портативных систем.

Стандарт JEDEC JESD233 XFM Embedded and Removable Memory Device (XFMD) призван объединить высокую скорость, портативность и малые размеры. Модули XFM будут использовать физическую шину PCIe для подключения к хосту по высокоуровневому протоколу NVMe, который обеспечит работу с NAND-памятью без промежуточных слоёв и с высокой скоростью. На электрическом и логическом уровне устройства XFM будут выглядеть близкими к модулям M.2.

Применение таких устройств будет крайне широким, от устройств IoT, автомобильной электроники, ноутбуков, игровых консолей и записывающих устройств (включая дроны, системы наблюдения и авторегистраторы), до систем дополненной и виртуальной реальности.