Новости про flash-память и Micron

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba
Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Micron выкупит долю Intel в IM Flash Technologies

Компания IM Flash Technologies является совместным предприятием, которое организовали Intel и Micron для работы над созданием и продвижением твердотельной памяти. И теперь Micron намерена перевести его в свою собственность.

Сообщается, что сумма сделки составит 1,5 миллиарда долларов. При этом на конец августа стоимость части Intel оценивалась в 1 миллиард.

Изначально обе компании вложили в IM Flash Technologies по 1,2 миллиарда долларов. Было это в далёком 2006 году. Главным достижением совместного предприятия можно считать разработку и внедрение памяти 3D XPoint, которая нашла себе применение в ЦОД и высокопроизводительных компьютерах энтузиастов.

Логотип IM Flash Technologies
Логотип IM Flash Technologies

Что касается сделки, то в своих финансовых отчётах Micron уже считает данное СП консолидированным. Компания не считает, что проводимая сделка повлияет на финансовые результаты компании и снизит прибыль за 2019 фискальный год.

В июле оба производителя чипов договорилась о завершении совместной разработки технологии 3D XPoint и раздельном ведении операций. На основании прошлых соглашений, Micron продолжит продавать пластины с памятью 3D XPoint компании Intel в течение года после закрытия. Сама же IM Flash после закрытия сделки будет полностью принадлежать Micron.

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

IM Flash

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Micron избавляется от Lexar

Помните Lexar, американского производителя карт памяти? Он был известен картами памяти CompactFlash для фотоаппаратов. Затем, в 2006 году, эта компания была куплена Micron, а бренд был объединён с Crucial в виде Lexar Media, работавшей как дочерняя Micron фирма.

После этого компания продолжала реализовывать решения на базе флэш-памяти, включая карты CF, SD и USB накопители.

MicroSD карта от Lexar

Однако теперь родительская компания Micron Technology объявила о прекращении продаж сменных накопителей под маркой Lexar. Данное решение было принято как часть стратегии Micron по концентрации на более прибыльных рынках. При этом Micron планирует продать часть или весь бизнес Lexar.

Компания пообещала продолжить поддержку нынешних клиентов в течение всего периода смены владельца.

Intel и Micron обещают SSD объёмом 10 ТБ

Как известно, Toshiba и SanDisk совсем недавно представили свои 128 Гб модули NAND состоящие из 48 слоёв. Их главные конкуренты, Intel и Micron, пока заметно отстают от них в количестве слоёв. Эти компании анонсировали лишь 32-слойную архитектуру чипа, однако им удалось значительно продвинуться в плотности микросхем.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC конфигурации, и 384 битный в TLC конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

32 слойная MLC память NAND от Intel

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

Micron и Seagate создали стратегический альянс

Компании Micron Technology, Inc., и Seagate Technology анонсировали стратегическое соглашение, которое устанавливает структуру, комбинирующую инновации и опыт обеих компаний.

Образованная в результате соглашения структура позволит клиентам обеих компаний получить преимущества от концентрации усилий по обеспечению лучших в отрасли решений в области хранения данных, помогая им более быстро и эффективно внедрять инновации.

Seagate и Micron

Несмотря на то, что изначально данное сотрудничество сфокусировано на стратегических поставках NAND и SAS SSD следующего поколения, в Micron и Seagate надеются, что это многолетнее соглашение перерастёт в будущее сотрудничество в работе над решениями для корпоративного рынка, благодаря поддержке технологии NAND flash памяти от Micron. Президент по общемировым операциям с продукцией EMC Corporation Майк Кероуак заявил: «Мы смотрим в будущее на преимущества от этого сотрудничества Micron и Seagate, в будущее технологий хранилищ на основе NAND flash».

«Сотрудничество приведёт как Seagate, так и Micron, к цели роста корпоративного рынка флэш-памяти с лучшим в отрасли предложением из наших обоих портфелей продукции», — заявил Дэррен Томас, вице-президент Micron по накопителям. Он добавил: «Данные отношения обеспечат Micron доступ к технологии корпоративных приводов и платформ, расширив наш портфель и ускорив наше продвижение в сегмент корпоративного рынка».

Micron выпустит 16 нм NAND память в 4 квартале

Компания Micron сообщила о том, что готовится запустить производство 16 нм TLC NAND памяти в четвёртом квартале этого года.

Пока неизвестно, когда компания планирует начать выпуск SSD на основе TLC памяти, но Марк Дюркан, исполнительный директор и президент Micron, предположил, что массовый выпуск TLC памяти вряд ли произойдёт до 2015 года.

Чипы флеш-памяти Micron

И хотя сейчас память TLC уже выпускается, объёмы этого производства скорее можно считать опытными. Этот новый тип памяти обещает быть более выгодным в производстве по сравнению с MLC NAND, однако заметно менее долговечным.

«Первоначальным применением для 16 нм TLC компонентов станет потребительское и розничное направления», — заявил Марк Дюркан. «До сегодняшнего дня никто не достиг большого успеха даже в клиентской сфере использования TLC памяти, и я думаю, что необходимо, чтобы коррекция ошибок и возможности обеспечения достаточной надёжности TLC были воплощены для поставки в сектор SSD. Но мы всё ещё думаем, что это произойдёт где-то в 2015 календарном году, и мы не видим, что это может случиться в масштабе 2014 года».

Micron представила 16 нм технологию производства флэш-памяти

Компания Micron Technology анонсировала начало опытного производства чипов NAND памяти по техпроцессу нового поколения с размером элементов 16 нм, обеспечив, таким образом, выпуск самых маленьких устройств с MLC NAND памятью объёмом 128 Гб.

В настоящее время 16 нм техпроцесс является не просто самым совершенным при производстве чипов памяти, но и самым тонким процессом производства микросхем вообще. Таким образом, Micron ещё более утвердилась на позиции лидера в производстве чипов.

Представленные 128 гигабитные устройства предназначены для применения в потребительских SSD, переносных накопителях (USB флэшки и карты памяти), планшетных ПК, ультратонких устройствах, мобильных телефонах и облачных хранилищах в ЦОД. Новая 128 Гб NAND память может предложить самую высокую плотность данных на квадратный миллиметр при самой низкой стоимости по сравнению с любыми MLC чипами. Фактически, новая технология позволяет создавать ёмкости почти в 6 ТБ на одной кремниевой пластине.

128 Гб чип Micron

По поводу выпуска новой технологии вице-президент Micron NAND Solutions Group Глен Хок, вслед за словами благодарности своей «команде инженеров, которая безустанно трудилась над самой маленькой и самой совершенной в мире технологией производства флэш», заявил: «Снижение стоимости всегда будет фундаментальным процессом для NAND индустрии». Так что новая технология действительно позволит понизить цену на флэш-накопители.

Сейчас компания Micron изготавливает 16 нм образцы 128 Гб MLC NAND, при этом полноценное производство начнётся в четвёртом квартале этого года. Кроме памяти компания также разрабатывает SSD накопители на базе новых микросхем, которые должны поступить в продажу в 2014 году.

Micron представила самое маленькое 128 Гб флэш-устройство

Компания Micron Technology представила самое маленькое в мире устройство на флэш-памяти NAND объёмом 128 гигабит, при производстве которого использовался 20 нм техпроцесс.

Новый чип позволяет хранить три бита информации на ячейку, что, как известно, называется технологией TLC (triple-level-cell), а это в свою очередь позволяет создать невероятно компактные решения по хранению данных.

Имея площадь в 146 мм2, новое 128 Гб TLC устройство на четверть меньше, чем аналогичный 20 нм чип Micron, но изготовленный по технологии многоуровневых (а по сути двухуровневых) ячеек (MLC).

Micron

Новый чип нацелен на рынок недорогих сменных накопителей (флэш карты и USB брелки). Ожидается, что эти микросхемы займут в 2013 году 35% (по объёму данных) всей продукции компании для таких накопителей. Сейчас же речь идёт лишь об опытных образцах 128 Гб TLC NAND памяти. Массовое же производство запланировано на второй квартал.

«Это самое маленькое, самое высокоёмкое устройство на флэш-памяти NAND на рынке. Оно открывает новый класс потребительских устройств хранения данных», — заявил Глен Хок (Glen Hawk), вице-президент Micron NAND Solutions Group. «Каждый день мы изучаем новые и инновационные способы использования флэш накопителей, укрепляя энтузиазм и возможности Micron. Мы нацелены на расширение нашего портфеля лидирующих решений флэш накопителей, которые служат нашим проводником к клиентской базе».

Micron предлагает за Elpida 1,5 млрд. долларов

Согласно имеющимся слухов промышленников, компания Micron выглядит потенциальным победителем в битве за обанкротившуюся компанию Elpida.

В то время, пока Toshiba и Globalfoundries рассуждают о вступлении в процесс торгов, Micron уже предложила за компанию от 1,3 до 1,5 млрд. долларов США.

Основную стоимость компании составляет её завод в Хиросиме, который Bloomberg оценивает в один миллиард долларов. Строительство же нового завода обойдётся любому производителю микросхем куда дороже.

Память Elpida

На март 2012 года балансовый лист Micron может похвастать 2,1 млрд. свободных средств в деньгах и короткосрочных инвестициях. C другой стороны, последние квартальные результаты компании значительно упали с 2010 года, а график её доходов стал красным, поскольку Micron отчитались о 224 млн. чистых убытков при общем доходе в 2,1 млрд. долларов.

Недавно утвержденный на должность исполнительный директор компании Марк Дюркан (Mark Durcan) заявил, что компания ожидает восстановление цен на DRAM, но пояснил, что даже если бы компания могла продать больше NAND и DRAM памяти в последнем квартале, высокие объёмы продаж нивелировались бы низкой стоимостью чипов. Увеличение объёмов производства и большая капитализация компании являются для Micron единственным средством, чтобы защитить себя в будущем от колебаний рынка.

Micron разработали новую высокоплотную флэш-память

Производитель памяти, компания Micron Technology, расположенная в Айдахо, представила свою новую разработку NOR памяти, работающей посредством последовательного интерфейса периферии (Serial Peripheral Interface — SPI).

Разработанные чипы могут иметь ёмкость от 256 Мб до 1 Гб, при этом скорость чтения достигает 54 МБ/с при условии работы памяти на частоте 108 МГц.

Линейка памяти, изготавливаемая по технологическим нормам  65 нм, получила название N25Q. Чипы требуют питания напряжением от 1,8 до 3 В и могут подключаться по одиночному, двукратному или четырёхкратному интерфейсу (SPI, DSPI или QSPI соответственно), благодаря чему память прекрасно подходит как для современных, так и для будущих сетевых медиаустройств, сет-топ боксов, автомобильной и потребительской электроники.

Вице-президент и генеральный менеджер Micron Embedded Solutions Group Том Эбай

«В дополнение к продвижению самой плотной в мире, высокопроизводительной SPI NOR памяти, семейство N25Q предоставляет аппаратную и программную совместимость среди памяти различных плотностей, от 32 Мб до 1 Гб», заявил Том Эбай (Tom Eby), вице-президент и генеральный менеджер Micron Embedded Solutions Group. «Когда необходимо комбинирование в условиях диапазона температур, существующих в промышленности, разброса в возможности питания напряжением от 1,8 до 3 В, а также долговечности программы PLP от компании Micron, тогда это семейство продуктов идеально обеспечивает потребности плотного рынка в SPI NOR памяти».

Производитель заявляет, что первые образцы чипов памяти семейства N25Q ёмкостью 1 Гб, 512 Мб и 256 Мб уже изготовлены.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Медленно, но уверенно флеш память продолжает становиться все более плотной и более ёмкой.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.