Новости про flash-память и NAND

Падение цен на NAND память остановится в текущем квартале

Источники, близкие к полупроводниковой промышленности Тайваня сообщают, что снижение цен на NAND память прекратится уже во II квартале 2019 года благодаря возобновлению спроса.

Ожидается, что дальнейшего снижения цен на NAND не будет, поскольку большинство крупных производителей памяти стали управлять складскими запасами. Также сообщается, что замедлился переход на 96-слойные 3D NAND чипы. Самой низкой цена окажется в I квартале.

Глава Phison Electronics Кхеин-Сен Пуа
Глава Phison Electronics Кхеин-Сен Пуа

Цены на NAND память начали снижаться с 2018 года. Обозреватели допускали, что цены на чипы могут в первом квартале 2019 года снизятся на 20%, и продолжат снижение во второй четверти.

Что касается дистрибьюторов, то они хотят повысить стоимость модулей. На контрактном рынке память NAND продолжает дешеветь, но уже наметился подъём в связи с возвращением спроса со стороны OEM-производителей, который усилится во II квартале. Спрос начал расти постепенно. Об этом сообщил Кхеин-Сен Пуа, глава Phison Electronics. Он отметил, что ещё в январе он наблюдал рост поставок контроллеров на 13%.

SK Hynix выпускает 96-слойную 4D NAND TLC память

Для сохранения физического пространства и увеличения ёмкости накопителей производители NAND памяти увеличивают количество слоёв размещения ячеек.

Компания SK Hynix представила свои новые передовые микросхемы 96-слойной памяти, которые она характеризовала как «Основанные на CTF 4D NAND флеш». Конечно, это «4D» является больше маркетинговым ходом. Как и остальные производители, SK Hynix производит многослойные стековые микросхемы. Традиционно, у Micron и Intel ячейки-уловители заряда имеют плавающий затвор. В то время как у SK Hynix ячейки с зарядом располагаются слоями, образуя как бы четвёртое измерение. Проще говоря, каждый из 96 слоёв кристаллов памяти сам по себе слоистый.

Накопители и микросхемы NAND от SK Hynix
Накопители и микросхемы NAND от SK Hynix

Ещё одним вариантом названия данной технологии является «периферия под ячейкой», поскольку ячейки с зарядом расположены не сбоку от управляющей ячейки, а под ней.

Отличия в конструкции NAND памяти типов 2D, 3D и 4D
Отличия в конструкции NAND памяти типов 2D, 3D и 4D

Эти 96-слойные стеки позволяют компании упаковать 512 Гб (64 ГБ) TLC флеш в одну микросхему. Разработчики уверяют, что эта техника позволяет уменьшить размер ядра на 30% и увеличить на 49% количество хранимых битов на пластине, по сравнению с традиционной 72-слойной структурой 512 Гб продуктов.

При этом также удалось добиться 30% прироста скорости по записи и 25% по чтению, правда, методики измерения не приводятся. Сказано лишь, что при 1,2 В скорость достигает 1200 Мб/с.

Позднее в этом году Hynix хочет выпустить 1 ТБ SSD на базе новой 4D NAND памяти и собственных контроллерах.

Цены на NAND память могут обрушиться

В ходе саммита Flash Memory, аналитик Джим Хэнди из Objective Analysis заявил о резком снижении цены на флеш-память уже в следующем году.

Поскольку сейчас маятник производства качнул в сторону избыточности, стоит ожидать снижения коммерческой стоимости твердотельной 64-слойной 3D NAND памяти к её себестоимости. Его прогноз цены на 2019 год составляет 0,08 доллара за гигабайт, что должно стать крупнейшей корректировкой цены в истории полупроводниковой промышленности.

Микросхемы 3D NAND от Toshiba
Микросхемы 3D NAND от Toshiba

Старший аналитик Wells Fargo Аарон Рекерс утверждает, что сейчас цена на NAND память составляет 0,30 долларов за гигабайт. Эти цены касаются только NAND памяти, накопители на её основе содержат и другие компоненты. Тем не менее, резкое снижение цены будет означать появление SSD большой ёмкости с очень привлекательной ценой.

Также аналитик отметил, что сейчас около 70% производственных мощностей NAND памяти заняты выпуском 3D NAND, в то время как остальные 30% производств изготавливают память по старой планарной (2D) технологии. Скорее всего, эти производства переориентируются на выпуск DRAM памяти, а не будут заниматься модернизацией до 3D NAND. Это, в свою очередь, вызовет перепроизводство и в области оперативной памяти.

ADATA выпускает потребительский SSD объёмом 2 ТБ

Компания ADATA представила высокопроизводительные твердотельные накопители серии Ultimate SU800 в середине 2016 года, как конкурента 850 EVO.

Это были одни из первых SSD, построенные на памяти 3D TLC NAND и предлагались в объёме от 128 Гб до 1 ТБ. И вот спустя два года компания ADATA расширила эту серию новым вариантом объёмом 2 ТБ, пытаясь заработать на снижающейся цене на NAND память.

Новое устройство (с номером модели ASU800SS-2TT-C), как и остальные, управляется контроллером Silicon Motion SM2258G, снабжено DRAM кэшем и основано на флеш-памяти 3D TLC NAND. При этом до 8% памяти используется как SLC кэш.

Твердотельный накопитель ADATA Ultimate SU800
Твердотельный накопитель ADATA Ultimate SU800

Накопитель обеспечивает скорость последовательных операций на уровне 560 МБ/с и 520 МБ/с для чтения и записи соответственно, а его надёжность составляет 1600 ТБ. Среди дополнительных функций разработчики отмечают технологию проверки чётности низкой плотности LDPC (low density parity check code) и встроенный режим DVESLP заметно снижает энергопотребление.

Накопитель ADATA Ultimate SU800 2 ТБ продаётся с трёхлетней гарантией по цене 380 долларов США.

SK Hynix представляет концепцию 4D памяти

Трёхмерная память NAND произвела революцию в накопителях. Третье, высотное измерение, позволило набирать слои NAND памяти, увеличивая объём в десятки раз и открыв путь высокоёмким потребительским SSD.

Однако в SK Hynix считают, что могут ещё улучшить этот процесс благодаря четырёхмерным NAND пакетам. Речь не идёт об искривлении пространства-времени. Разработчики предлагают производить обычные 3D структуры, связывая слои NAND. Четвёртое измерение будет касаться расположения самих ячеек памяти.

NAND память SK Hynix

В современной NAND памяти ячейки, хранящие заряд, располагаются вдоль периферийного блока, который отвечает за запись каждой ячейки. 4D NAND предполагает размещение этих ячеек в несколько слоёв, сокращая пространство для хранения данных.

Концепция памяти 4D NAND
Концепция памяти 4D NAND
Производительность 4D NAND
Производительность 4D NAND

Размещая ячейки в стеках, SK Hynix планирует связывать их с периферийным блоком проводниками. Таким образом, в каждом слое стека 3D NAND будет храниться большее число ячеек, а конечный накопитель будет иметь большую ёмкость при тех же габаритах. Стек V5 от SK Hynix предполагает размещение друг над другом четырёх ячеек памяти и одной периферийного блока.

Будуще памяти 4D NAND
Будуще памяти 4D NAND
Спецификации памяти 4D NAND
Спецификации памяти 4D NAND

Первая реализация памяти 4D NAND выполнена в 96-слойном чипе памяти TLC объёмом 512 Гб. При этом технология готова и для QLC. Опытное производство этого чипа объёмом 512 Гб начнётся к концу текущего года. На следующий же год разработчики планируют выпустить чипы объёмом 1 Тб.

Toshiba разрабатывает 96-слойную флэш-память QLC

Корпорация Toshiba Memory, мировой лидер в области твердотельной памяти, анонсировала готовность прототипа 96-слойной памяти BiCS FLASH, построенного на проприетарной технологии 3D памяти с возможностью хранения 4 бит на ячейку (QLC).

Применение технологии QLC позволяет увеличить объём хранимых на одном чипе данных. Уже с сентября компания планирует начать опытные поставки микросхем производителям SSD и разработчикам контроллеров для SSD. Массовое же производство памяти начнётся в 2019 году.

Чип флеш-памяти QLC от Toshiba
Чип флеш-памяти QLC от Toshiba

Переход на QLC позволяет увеличить объём хранимых в ячейке данных с 3 до 4. В результате появится возможность хранения 1,33 Тб данных на одном чипе. В случае распараллеленного применения стеков из 16 чипов в пакете, объём одной микросхемы можно увеличить до 2,66 ТБ. В Toshiba отмечают, что этот объём крайне необходим на фоне развития мобильных терминалов и устройств IoT, генерирующих огромные массивы данных.

Презентовать прототип планирует в ходе Flash Memory Summit, который состоится в Санта-Кларе в начале августа.

Samsung начинает массовое производство 96-слойной памяти NAND

Ведущий производитель твердотельной памяти, компания Samsung, приступила к массовому производству памяти V-NAND пятого поколения.

Данная память позволит увеличить объёмы накопителей. Новая память объёмом 256 Гб состоит из стеков в 96-слоёв. Эта память стала первой в истории, использующей интерфейс Toggle DDR 4.0, который работает как высокоскоростной транспорт для передачи данных между накопителем и памятью на скорости в 1,4 Гб/с. Это на 40% быстрее, чем прошлое 64-слойное поколение памяти. Другое усовершенствование в скорости связано с уменьшением времени записи на 30% до 500 мкс и снижением времени чтения до 50 мкс.

96-слойная V-NAND память от Samsung
96-слойная V-NAND память от Samsung

Кроме того, выросла и энергоэффективность чипов. Новая память работает на напряжении 1,2 В, в то время как 64-слойной требовалось напряжение 1,8 В.

В пресс-релизе южнокорейский гигант заявил, что выпустит новые чипы на рынок как можно скорее. Изначально они будут представлены 256 Гб TLC модулями, а позднее будут подготовлены 1 Тб QLC модели.

Цены на NAND продолжат падение

Сайт DigiTimes после очередного анализа рынка опубликовал прогноз, согласно которому цены на 3D NAND память продолжат снижение и в третьем квартале на фоне увеличения поставок.

Ранее обозреватели полагали, что во втором полугодии цены на память стабилизируются, но теперь прогноз изменился.

Новые производственные мощности, введённые на волне миграции на технологию 3D NAND, приведут к перепроизводству. По мере того, как производители продолжат наращивать объёмы выпуска своей более совершенной продукции, поставки продолжат расти и в третьем квартале.

3D NAND память от Micron
3D NAND память от Micron

Спрос на NAND оказался не столь высоким, чтобы ответить ёмкостям производства, и эта тенденция сохранится и на третий квартал. Спрос на смартфоны не повышается так быстро, как ожидалось. В то же время продолжающая поступать на рынок память ведёт к снижению её стоимости. Ещё в начале года производители ожидали высокий спрос на NAND, а потому делали большими складские запасы, и теперь, на фоне низкого спроса и больших остатков на складах, цена продолжит снижаться.

В 2021 году NAND память будет иметь более 140 слоёв

Сейчас самая технологичная память представлена стеками по 64 слоя, однако в ближайшие годы этот процесс получит значительные усовершенствования.

По информации Applied Materials, к 2021 году стек памяти NAND будет представлен 140 слоями, и даже больше. Компания Applied Materials, расположенная в США, занимается поставкой оборудования, сервисом и ПО для производителей полупроводниковых чипов. Она уверяет, что слоёв будет не только больше, но они станут тоньше. Так, сейчас толщина всех стеков составляет 55 нм, а к 2021 году она составит 45 нм.

Дорожная карта 3D NAND от Applied Materials
Дорожная карта 3D NAND от Applied Materials

Сейчас Toshiba и Western Digital работают над 96-слойной памятью BiCS 3D NAND. Её опытное производство начнётся в течение года. 5-е поколение 3D NAND от Samsung также будет иметь 96 слоёв. В 2020 году память будет иметь по 120 слоёв, а к 2021 — 140. Но поскольку их число кратно восьми, то стоит говорить о 128 и 144 слоях.

В дорожной карте Applied Material ничего не говорится об их возможном объёме, однако ранее Samsung анонсировала разработку чипа объёмом 1 терабит. Сейчас 64-слойные чипы уже имеют объём 512 гигабит.

Цены на память NAND снижаются

Радостная новость для тех, кто хочет себе приобрести твердотельный накопитель, ну или просто обновить гаджет. Впервые после долгих месяцев объёмы производства твердотельной памяти стали незначительно превышать спрос, что позволит цене на NAND память опуститься по результатам второго квартала.

Небольшое перепроизводство уже повлияло на цены на память NAND. В первом квартале наблюдалось незначительное снижение цены, которое сохранится и во втором.

3D NAND память Samsung

А вот во второй половине 2018 года поставки NAND будут в дефиците, поскольку ожидается повышение спроса со стороны оптовых дистрибьюторов. В то же время рынок конечных устройств достигнет пика своих продаж также во второй половине года. Это произойдёт на фоне постоянного увеличения объёма памяти в смартфонах. После этого цены на NAND флеш-память должны стабилизироваться.

Также аналитики отмечают, что китайский стартап Yangtze Memory Technologies Company (YMTC), который активно продвигается на рынке памяти, до 2019 года не повлияет на мировой рынок NAND.