Новости про flash-память и Hynix

SK Hynix выпускает 96-слойную 4D NAND TLC память

Для сохранения физического пространства и увеличения ёмкости накопителей производители NAND памяти увеличивают количество слоёв размещения ячеек.

Компания SK Hynix представила свои новые передовые микросхемы 96-слойной памяти, которые она характеризовала как «Основанные на CTF 4D NAND флеш». Конечно, это «4D» является больше маркетинговым ходом. Как и остальные производители, SK Hynix производит многослойные стековые микросхемы. Традиционно, у Micron и Intel ячейки-уловители заряда имеют плавающий затвор. В то время как у SK Hynix ячейки с зарядом располагаются слоями, образуя как бы четвёртое измерение. Проще говоря, каждый из 96 слоёв кристаллов памяти сам по себе слоистый.

Накопители и микросхемы NAND от SK Hynix
Накопители и микросхемы NAND от SK Hynix

Ещё одним вариантом названия данной технологии является «периферия под ячейкой», поскольку ячейки с зарядом расположены не сбоку от управляющей ячейки, а под ней.

Отличия в конструкции NAND памяти типов 2D, 3D и 4D
Отличия в конструкции NAND памяти типов 2D, 3D и 4D

Эти 96-слойные стеки позволяют компании упаковать 512 Гб (64 ГБ) TLC флеш в одну микросхему. Разработчики уверяют, что эта техника позволяет уменьшить размер ядра на 30% и увеличить на 49% количество хранимых битов на пластине, по сравнению с традиционной 72-слойной структурой 512 Гб продуктов.

При этом также удалось добиться 30% прироста скорости по записи и 25% по чтению, правда, методики измерения не приводятся. Сказано лишь, что при 1,2 В скорость достигает 1200 Мб/с.

Позднее в этом году Hynix хочет выпустить 1 ТБ SSD на базе новой 4D NAND памяти и собственных контроллерах.

SK Hynix представляет концепцию 4D памяти

Трёхмерная память NAND произвела революцию в накопителях. Третье, высотное измерение, позволило набирать слои NAND памяти, увеличивая объём в десятки раз и открыв путь высокоёмким потребительским SSD.

Однако в SK Hynix считают, что могут ещё улучшить этот процесс благодаря четырёхмерным NAND пакетам. Речь не идёт об искривлении пространства-времени. Разработчики предлагают производить обычные 3D структуры, связывая слои NAND. Четвёртое измерение будет касаться расположения самих ячеек памяти.

NAND память SK Hynix

В современной NAND памяти ячейки, хранящие заряд, располагаются вдоль периферийного блока, который отвечает за запись каждой ячейки. 4D NAND предполагает размещение этих ячеек в несколько слоёв, сокращая пространство для хранения данных.

Концепция памяти 4D NAND
Концепция памяти 4D NAND
Производительность 4D NAND
Производительность 4D NAND

Размещая ячейки в стеках, SK Hynix планирует связывать их с периферийным блоком проводниками. Таким образом, в каждом слое стека 3D NAND будет храниться большее число ячеек, а конечный накопитель будет иметь большую ёмкость при тех же габаритах. Стек V5 от SK Hynix предполагает размещение друг над другом четырёх ячеек памяти и одной периферийного блока.

Будуще памяти 4D NAND
Будуще памяти 4D NAND
Спецификации памяти 4D NAND
Спецификации памяти 4D NAND

Первая реализация памяти 4D NAND выполнена в 96-слойном чипе памяти TLC объёмом 512 Гб. При этом технология готова и для QLC. Опытное производство этого чипа объёмом 512 Гб начнётся к концу текущего года. На следующий же год разработчики планируют выпустить чипы объёмом 1 Тб.

SK Hynix представила 72-слойную NAND

Компания SK Hynix первой в мире представила чипы стековой NAND памяти объёмом 256 Гб и высотой 72 слоя. Чипы построены на массивах памяти 3D NAND Flash по три уровня на ячейку (TLC).

В результате инженеры смогли разместить в полтора раза больше ячеек, чем в 48-слойных чипах, которые уже находятся в массовом производстве.

Модули памяти SK Hynix

Напомним, что SK Hynix выпустила 36-слойные чипы объёмом 128 Гб в августе прошлого года, а с ноября выпускает микросхемы с 48 слоями. Инженеры отметили сложность проделанной работы, сравнив её со строительством 4 миллиардов небоскрёбов высотой в 72 этажа каждый на одной площадке. Новые 256 Гб чипы имеют на 30% большую эффективность в производстве и на 20% большую производительность. В настоящее время на базе этой памяти SK Hynix разрабатывает NAND Flash решения для построения твердотельных накопителей и решений хранения данных для смартфонов.

Улучшая производительность, имея высокую надёжность и низкое потребление энергии, SK Hynix надеется сохранить за собой лидирующие позиции на рынке твердотельной памяти.

SK Hynix отвергла финансовое предложение Tsinghua

Китайская правительственная компания Tsinghua давно ищет способы стать крупнейшим производителем микросхем памяти в мире, для чего она готова потратить огромные средства.

Согласно недавним слухам, Tsinghua Unigroup хотела приобрести большую долю в SK Hynix, и теперь детали этой сделки стали известны общественности. Китайская компания хотела приобрести 20% акций южнокорейской SK Hynix за 5,3 миллиарда долларов США, с условием, что последняя построит завод по производству NAND памяти в Китае. Однако корейская фирма отклонила это предложение, заявив, что SK Hynix не продаётся.

SK Hynix

Марк Ньюмэн из аналитической компании Bernstein Research сообщил: «Изучая другие отрасли, в которые вошёл Китай (смартфоны, солнечная энергетика, LCD и т.д.), становится понятно, что однажды войдя в отрасль, Китай не остановится, пока не будет доминировать на рынке с постоянным экономическим и массовым подавлением. В SK Hynix об этом предупреждены, что и является главной причиной, по которой, по нашему мнению, они отклонили предложение Tsinghua».

SK Hynix выпустит 48-слойную NAND память через год

Один из лидеров рынка памяти, компания SK Hynix, недавно приступила к массовому производству DRAM чипов 20 нм класса и сообщила о планах по выпуску 36-слойной флеш-памяти до конца этого года. Что касается 48-слойных чипов, то их выпуск компания запланировала на 2016 год.

На этом рынке фирма пытается догнать Samsung, которая начала массовое производство 20 нм ОЗУ ещё в марте 2014 года, а первая серийная 48-слойная микросхема NAND была выпущена в августе этого года.

SK Hynix 20 Nano-class 8GB LPDDR3

SK Hynix также объявила о своих планах по разработке флеш-продуктов на базе 3D NAND. Президент фирмы Парк Сун-вук заявил: «Это процесс становления новой технологии. Мы планируем произвести некоторое количество 36-слойных 3D NAND чипов поэтапно в этом году и массово выпускать 48-слойные продукты в начале следующего года».

Он также отметил, что «новая память будет хороша, но мы больше фокусируемся на расширении достижений нынешних DRAM и NAND продуктов. Вместо выпуска новой памяти на рынок, мы пытаемся найти способ сделать лучшими существующие чипы памяти».

SK Hynix разрабатывает самые плотные модули памяти

Корпорация SK Hynix объявила о разработке самых плотных в мире NVDIMM (Non Volatile DIMM) модулей памяти объёмом 16 ГБ, основанных на 4 Гб чипах DDR4. Производство чипов использует собственный 20 нм процесс компании.

Эти NVDIMM модули способны передавать данные DRAM в NAND Flash, плотность которых вдвое выше, чем оперативной памяти. Разместив оба типа памяти и контроллер для флэш-памяти на одном модуле разработчикам удалось безопасно сохранять данные в случае потери энергии, при этом сохранив высокий уровень производительности, характерный для DDR4. Этот продукт работает с частотой 2133 МГц, а при ширине шины в 64 бита может обеспечить скорость передачи данных в 17 ГБ/с. Для питания этим планкам понадобится напряжение в 1,2 В.

16 ГБ NVDIMM модули от Hynix

SK Hynix сообщает, что уже отправляет образцы модулей различным клиентам, и внимание к ним со стороны компаний, разрабатывающих серверы и операционные системы, усилилось. Сами же разработчики надеются создать новый рынок на свою память, значительно увеличив спрос на обработку больших объёмов данных. Hynix хочет начать массовое производство этих модулей в первой половине этого года, предоставив специализированное решение для клиентов, нуждающихся в повышенном уровне стабильности данных.

SK Hynix начала массовое производство 16 нм памяти NAND

SK Hynix Inc. объявила о начале полномасштабного производства 16 нм 64 Гб MLC NAND Flash памяти, которая использует самою тонкую технологию производства, существующую сейчас в промышленности.

Первая версия NAND Flash памяти по 16 нм процессу была произведена Hynix ещё в июне этого года, а совсем недавно фирма начала выпускать более конкурентоспособную благодаря меньшему размеру чипа вторую версию.

Кроме того, компания разработала 128 Гб (16 ГБ) чип MLC. Этот самый плотный в мире чип основан на спецификации 64 Гб микросхем. Ожидается, что этот продукт поступит в продажу в начале следующего года.

16 нм память Hynix

По большому счёту более тонкий техпроцесс уменьшает скорость работы интерфейсов между ячейками, однако SK Hynix применила современную технологию Air-Gap, которая позволяет сохранить высокую скорость интерфейсов между ячейками. Эта технология создаёт изолирующую прослойку с вакуумными зазорами между цепями, не прибегая к использованию изоляционных материалов.

Компания SK Hynix в своём пресс-релизе пообещала и дальше увеличивать свою конкурентоспособность в решениях NAND Flash, ускорив разработку TLC (Triple Level Cell) и 3D NAND Flash.

HP-Hynix планирует внедрение резистивной памяти летом 2013 года

Стэн Виллиамс (Stan Williams), мемристорный гуру компании Hewlett-Packard, на конференции International Electronics Forum, проходившей в испанской Севилье, анонсировал, что двухполюсная мемристорная технология начнет свою рыночную борьбу с флэш-памятью не позднее чем через 18 месяцев.

«У нас есть большие планы на этот счёт, и мы работаем с Hynix Semiconductor с целью выпуска летом  2013 заменителя флэш, также предназначенного и для рынка твердотельных накопителей»,— заявил Виллиамс участникам конференции.

Далее в своем докладе Виллиамс объясняет, что результаты, достигнутые этой технологией в областях времени чтения и записи, а также задержек слишком значительны, чтобы не выпустить их на рынок. Виллиамс не стесняется своих прогнозов о сроках покорения рынка новой технологией, отмечая, что «в 2014/2015 мы займемся рынком DRAM, а после этого — SRAM».

Мемристоры HP-Hynix под электронным микроскопом

В настоящее время HP собрали более 500 патентов на новую технологию. Виллиамс же осветил факт того, что фазопеременная память (phase-change-memory — PCM), резистивная память (resistive-RAM — RRAM) и все прочие двухполюсные устройства являются устройствами мемристорного типа. Виллиамс сообщил, что другие компании работают над резистивной памятью метал-оксидного типа, более того, он считает, что Samsung имеет даже большую команду по разработке мемристорной памяти, чем существует в HP-Hynix.

Что касается ожидаемых спецификаций памяти следующего поколения, то они весьма впечатляющие. Так, чтение из памяти будет занимать 10 наносекунд, а запись/очистка будет длиться 0,1 нс. Данные о долговечности памяти, собранные на сегодня, говорят, что память может отработать 1012 циклов, сохраняя свое устойчивое состояние годами. Для сравнения, современные флэш-накопители выдерживают порядка 106 циклов перезаписи, что в миллион раз меньше.

Насчет цены устройств Виллиамс отметил, что они представляют собой простую структуру и изготавливаются из материалов, которые уже используются полупроводниковыми фабриками во всем мире, что делает переход на производство CMOS совместимых мемристоров достаточно быстрым и безболезненным. Он также отметил, что первые предлагаемые мемристорные продукты уже будут иметь многослойную конструкцию.

Напомним, что первый лабораторный образец мемристора был получен Виллиамсом всего три года назад.