Новости про QLC

YMTC выпускает 128-слойную память 3D-NAND

Китайский производитель полупроводниковых изделий, компания Yangtze Memory Technologies Co (YMTC), формально анонсировала готовность к выпуску 128-слойных чипов памяти 3D-QLC-NAND, что является важным этапом в развитии компании.

Новый продукт получил название X2-6070 и построен на технологии создания стэков YMTC XTracking 2.0. Это большой прорыв для компании, поскольку предшествующая технология XTracking 1.0, позволяющая выпускать 64-слойную память, поступила в массовое производство лишь в прошлом сентябре, в то время, когда лидеры рынка Samsung, SK Hynix, и Micron перешли на 96-слойный процесс. Анонс 128-слойной конструкции гиганты сделали ещё в июне 2019. Что касается YMTC, то она вовсе отказалась от переходного этапа в 96 слоёв, сократив технологическое отставание от лидеров до 10 месяцев.

128-слойные микросхемы памяти QLC от YMTC

Грейс Гон, старший вице-президент YMTC, сообщила: «Эти продукты вначале будут применяться в твердотельных накопителях потребительского уровня, и несомненно окажутся расширены до серверов промышленного класса и центров обработки данных, что позволит диверсифицировать нужды в накопителях в эпоху 5G и ИИ».

Intel выпустила 10 миллионов SSD на базе QLC-3D-NAND

Компания Intel празднует очередное своё достижение в области твердотельной памяти. Она изготовила 10 миллионов накопителей, основанных на памяти типа QLC-3D-NAND.

Производство таких накопителей было начато в конце 2018 года в китайском Даляне, и за короткое время, чуть больше года, фирма выпустила на рынок более 10 миллионов SSD на базе памяти QLC-3D-NAND, показав всему миру, что QLC является мейнстрим-технологией производства устройств высокой ёмкости.

Накопитель Intel Optane Memory H10

«Многие говорили о технологии QLC, а Intel стала её поставлять, и в больших масштабах», — заявил Дэйв Ланделл, директор Intel по стратегическому планированию SSD и маркетингу продуктов. «Мы наблюдали высокий спрос на наши недорогие независимые QLC SSD (Intel SSD 660p) и производительные решения Optane Technology + QLC (Intel Optane Memory H10)».

Технология Intel QLC-3D-NAND использовалась для производства SSD марок 660p, 665p и Intel Optane Memory H10. Они основаны на памяти, хранящей по 4 бита в ячейках, расположенных в 64 (первые модели) или 96 слоях. Эта технология разрабатывалась десятилетие, и в 2016 году инженерам Intel удалось изменить ориентацию плавающего затвора, что и позволило хранить по 4 бита на ячейку с общим объёмом 384 Гб на ядро.

Phison продемонстрировала прототип M.2 SSD объёмом 8 ТБ

Компания Phison на выставке CES похвасталась тем, что сумела уменьшить размер своего контроллера SSD, а это позволит значительно увеличить объём твердотельных накопителей формата M.2 NVMe до 8 ТБ, а SATASSD — до 16 ТБ.

Компания Phison стала первой, выпустившей контроллеры для шины PCIe 4.0, а потому она уже успела провести некоторые оптимизации чипа E12. Грамотный инжиниринг позволил уменьшить размер пакета контроллера, несмотря на то, что при его производстве по-прежнему применяется процесс 28 нм. Новый контроллер E12S занимает на SSD меньше места, что позволяет производителям разместить на плате накопителя больше пакетов NAND.

Фронтальная сторона референсного SSD на базе Phison E12S

Как известно, Phison не производит накопители, но это не отрицает возможности подготовки референсного решения. Компания представила NVMe-SSD с новым контроллером и 96-слойной QLC-памятью от Micron. На каждой стороне платы размещены по четыре чипа памяти, ёмкостью 1 ТБ каждый. Вместе это даёт 8 ТБ.

Контроллер E12S работает по интерфейсу PCIe 4.0×4 и обеспечивает скорости чтения/записи в 3500/3000 МБ/с при последовательном доступе и 490K/680K IOPS при случайном.

Тыльная сторона референсного SSD на базе Phison E12S

Ожидается, что подобная конструкция SSD будет появляться у многих производителей, так что дебют контроллера на рынке состоится через несколько месяцев.

Intel создала QLC-SSD с увеличенным ресурсом работы

Да, QLC и ресурс работы плохо совместимы. Известно, что надёжность SSD снижается по мере увеличения числа хранимых битов в ячейке, однако Intel смогла сделать новый накопитель, который, как минимум, не уступает по надёжности TLC.

Новый SSD получил номер модели 665p. Он основан на QLC-NAND-памяти и является наследником серии 660p. Что касается модельного ряда, то фирма подготовит версии объёмом 1 ТБ, 2 ТБ и 512 ГБ.

SSD накопитель Intel 665p

В новом SSD используется 96-слойная 3D-QLC-NAND-память, расположенная в стеках на 64 слоя. Такая память применялась и в прошлом поколении, однако в новом ресурс записи был увеличен с 200 ТБ до 300 ТБ. В качестве контроллера используется микросхема Silicon Motion SM2263. Он имеет кэш-память двух типов небольшого объёма — DRAM и SLC.

Спецификации SSD от Intel

Что касается скоростей, то терабайтная версия Intel 665p обеспечивает чтение на уровне 2000 МБ/с, а запись — 1925 МБ/с при последовательном доступе. При случайном доступе скорость чтения равна 160 000 операций в секунду, а при записи — 200 000 IOPS.

Цены пока не называются, но скорее всего за терабайтную версию будут просить 125 долларов США.

SK Hynix начала поставки образцов 96-слойных терабитных микросхем QLC 4D NAND

Компания SK Hynix начала поставки новых микросхем QLC объёмом 1 Тбит главным производителям контроллеров для SSD. Об этом сообщила сама SK Hynix.

Компания отметила, что она применяет собственную QLC технологию для построения 96-слойных 4D чипов. Она отмечает, что её новые микросхемы объёмом 1 Тбит будут доступны производителям «как раз к открытию рынка QLC».

При этом фирма сообщает, что занимается разработкой собственного программного алгоритма по работе с памятью QLC и контроллера, и планирует выпустить соответствующие решения вовремя, чтобы отвечать требованиям клиентов.

Чипы и продукты на базе памяти SK Hynix

«Мы планируем выпускать собственные SSD на основе QLC со следующего года, когда ожидается значительный спрос на QLC NAND для промышленности», — заявил вице-президент и глава разработки стратегии NAND в SK Hynix Хан Джу На. «В частности, мы намерены занять надёжную позицию на рынке высокоплотных eSSD, которые заменяют жёсткие диски решениями на базе NAND Flash, поскольку имеют объём 16 ТБ или больше».

Факт поставки образцов терабитных QLC NAND микросхем прокомментировал исполнительный директор Silicon Motion Technology Уоллес Коу: «Мы получили инженерные образцы QLC от SK Hynix и мы поражены общей производительностью. Образцы отвечают требованиям к клиентским SSD».

По прогнозам IDC доля QLC памяти на рынке NAND должна вырасти с 3% в 2019 году до 22% в 2023 году, в то время как рынок eSSD будет расти по 48% в год, быстро заменив HDD в течение 5 лет.

Intel выпускает гибрид Optane Memory H10

Компания Intel официально выпустила новый гибридный модуль Optane Memory H10 с SSD в формате M.2. Этот накопитель объединяет в себе память 3D XPoint, которая обеспечивает скорость, и QLC NAND, которая даёт объём.

В новом устройстве память Optane соединяется с Intel 660p QLC SSD. Полученный модуль имеет формат 2280 M.2 NVMe. Накопитель подключается по интерфейсу PCIe 3.0 x4. Технически плата содержит 16 ГБ памяти Optane и 256 ГБ QLC NAND. Также есть варианты 32+512 ГБ и 32+1 ТБ. Гибрид обеспечивает последовательное чтение на скорости 2400 МБ/с и запись — 1800 МБ/с. При работе блоками по 4K скорости чтения и записи составляют 32K и 30K операций в секунду. Надёжность декларируется на уровне 300 перезаписываемых терабайт, а гарантия производителя составляет 5 лет.

Накопитель Intel Optane Memory H10

По словам Intel, устройство Optane Memory H10 обеспечивает значительный прирост производительности, по сравнению с типичными SSD. Компания декларирует 90% увеличение скорости работы в офисных приложения и при создании контента.

Производительность Optane Memory H10

Накопитель работает только с процессорами Intel Core 8-го и 9-го поколений.

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Micron анонсирует карту памяти объёмом 1 ТБ

Компания Micron Technology выпустила новый накопитель, который она назвала самой ёмкой в мире картой памяти microSD. Её объём составляет 1 ТБ.

Карта памяти Micron c200 1TB соответствует стандарту microSDXC UHS-I. В её основе лежит 96-слойная 3D NAND QLC память. В компании сообщили, что ожидают от QLC памяти скорейшего внедрения и снижения стоимости высокоёмких портативных накопителей для видео разрешением 4K, большого числа фотографий и игр на всём спектре мобильных устройств и камер.

Карта памяти microSDXC Micron c200 1TB

Сообщается, что представленная карта соответствует классу производительности в приложениях A2, что делает её прекрасным решением для установки в Android-гаджет по технологии Android Adoptable storage, расширив встроенную память устройства на эту карту.

Накопитель Micron c200 1TB обеспечивает скорость чтения до 100 МБ/с, а записи — до 95 МБ/с, отвечая требованиям UHS-I Speed Class 3 и Video Speed Class 30. В продаже карта появится во втором квартале 2019 года.

Crucial анонсирует NVMe SSD на базе QLC

Известный бренд потребительских накопителей Crucial, за которым стоит производитель памяти Micron Technology, анонсировал доступность накопителя Crucial P1.

Этот накопитель с интерфейсом NVMe PCIe основан на памяти QLC, что позволяет Micron создать устройства хранения большей ёмкости с меньшими затратами.

QLC NAND NVMe SSD Crucial P1

Производитель отмечает, что накопитель занял лидирующие позиции в своей категории. В тесте PCMark 8 при смешанной нагрузке P1 достигает 565 МБ/с с 5084 баллами, обойдя конкурентов в той же ценовой категории. Скорости последовательного чтения и записи составляют 2000/1700 МБ/с. Они достигаются благодаря ускорению записи с использованием уникальной технологии SLC кэша. Надёжность накопителя составляет 1,8 миллиона часов наработки или 200 ТБ записанных данных. Энергопотребление составляет 100 мВт.

Накопитель Crucial P1 доступен в объёме 1 ТБ. Гарантия на него составляет 5 лет.

Micron имеет более 50% брака в микросхемах QLC NAND

Компания Micron изготавливает микросхемы памяти 3D Xpoint совестно с Intel, а также производит более традиционную NAND память для SSD. Фирма, вместе с остальными лидерами рынка, перешла на выпуск QLC NAND памяти, но её выпуск идёт с большими потерями.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

SSD Intel 600p

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD, который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.